專利名稱：Saw分波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用通頻帶不同的第一、第二 SAW濾波器而構(gòu)成的SAW 分波器，尤其涉及第一、第二 SAW濾波器具有梯型回路結(jié)構(gòu)，且至少在 一個SAW濾波器中，在串聯(lián)臂共振子上并列地連接橋接電感器的SAW分 波器。
背景技術(shù)：
近年來，在便攜電話中廣泛應(yīng)用使用通頻帶不同的第一、第二 SAW 濾波器而構(gòu)成的SAW分波器。在下述的專利文獻1中，公開此種SAW分 波器的一例。
圖16表示專利文獻1中記載的SAW分波器的回路結(jié)構(gòu)的圖。SAW 分波器101與天線102連接。B卩，在天線102上連接第一SAW濾波器111 及第二 SAW濾波器112。第一 SAW濾波器111與第二 SAW濾波器112 的通頻帶不同。此外，各SAW濾波器lll、 112具備具有串聯(lián)臂共振子與 并聯(lián)臂共振子的梯型回路結(jié)構(gòu)。
艮口，第一 SAW濾波器111具有串聯(lián)臂共振子S1 S3，和并聯(lián)臂共振 子P1、 P2。同樣地，第二SAW濾波器112具有串聯(lián)臂共振子S4 S6，和 并聯(lián)臂共振子P3、 P4。
并且，在串聯(lián)臂共振子S3、 S5上分別并聯(lián)地連接橋接電感器L1 、 L2。 橋接電感器L1是為將相對側(cè)的SAW濾波器112的通頻帶中的衰減量形成 足夠大而設(shè)置。同樣地，橋接電感器L2是為將相對側(cè)的SAW濾波器111 的通頻帶中的衰減量形成足夠大而插入。
上述SAW分波器101通過在封裝基板上安裝彈性表面波元件片而構(gòu) 成。圖17是上述彈性表面波元件片113的俯視圖。彈性表面波元件片113 中，在壓電基板114上形成圖示的多個電極，從而構(gòu)成SAW濾波器111、112。
但是，橋接電感器L1、 L2未形成在彈性表面波元件片113上。艮口， 在圖18所示的封裝基板115的上面，分別形成用于形成橋接電感器L1、 L2的線圈狀電極圖案。
在封裝基板115的上表面形成與彈性表面波元件片113電連接的多個 電極座(electrode land)。多個電極座中，電極座A1、 A2與上述橋接電感 器Ll連接。在該電極座Al、 A2上分別接合與彈性表面波元件片113內(nèi) 的串聯(lián)臂共振子S3的兩端電連接的凸塊。同樣地，在封裝基板115上的 電極座A3、 A4上電連接橋接電感器L2。該電極座A3、 A4相當(dāng)于與在彈 性表面波元件片113上構(gòu)成的串聯(lián)臂共振子S5的兩端連接的金屬凸塊接 合的部分。
艮口，在SAW分波器中，上述橋接電感器Ll、 L2通過在搭載彈性表 面波元件片的封裝基板115的上表面形成線圈狀的電極圖案而構(gòu)成。
另一方面，在下述的專利文獻2中，公開彈性表面波分波器用封裝， 在該彈性表面波分波器用封裝內(nèi)形成用于調(diào)整安裝在該封裝內(nèi)的彈性表 面波濾波器的相位特性的相位整合回路電極。在專利文獻2中，作為上述 相位整合回路電極，表示多個螺旋圖案狀的電極，且該多個螺旋圖案狀的 電極在封裝的多個層上形成，且利用通路孔相互電連接。
專利文獻1:日本專利特開2003-332885號公報
專利文獻2:日本專利特開2003-304139號公報
如上述，專利文獻1記載的SAW分波器中，第一、第二SAW濾波器 111、 112的濾波器彈性中，為擴大相對側(cè)的濾波器的通頻帶的衰減量，連 接橋接電感器L1、 L2。但是，上述橋接電感器L1、 L2通過在搭載彈性表 面波元件片的封裝基板的上表面形成線圈狀的電極而構(gòu)成。因此，從圖8 明確可知，作為封裝基板115，必須準(zhǔn)備可在上表面形成線圈狀的電極圖 案、大的基板。
另一方面，在所述專利文獻2中，公開了在SAW分波器的封裝中， 在多個層上形成有作為相位整合用電極的螺旋圖案狀的電極。但是，專利 文獻2中，作為相位整合用電極，僅限于形成上述螺旋圖案狀的電極，專 利文獻2中，對于SAW分波器的橋接電感器L并未特別提及。此外，作
為上述相位整合回路電極的螺旋圖案狀的電極雖然具有螺旋圖案狀，但相 位整合用的電極與上述橋接電感器所形成的特性完全不同。
艮口，橋接電感器不僅優(yōu)選電感器值大的橋接電感器，也優(yōu)選集合常數(shù) 型的電感器。與此相反，上述相位整合回路電極是用于實現(xiàn)相位整合，是
表現(xiàn)出分布常數(shù)性的特性的電極。從而，專利文獻2表示在多個層上形成 有螺旋狀的電極的構(gòu)造，但對于可作為SAW分波器中的橋接電感器使用 的電極構(gòu)造并未公開。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的在于提供一種通頻帶不同 的第一、第二SAW濾波器具有梯型回路結(jié)構(gòu)，且在至少一側(cè)的SAW濾波 器中與串聯(lián)臂共振子并聯(lián)地連接橋接電感器，并且不僅通過該橋接電感器 的連接實現(xiàn)濾波器特性的改善，而且即使連接有橋接電感器，仍可促進小 型化的SAW分波器。
根據(jù)本發(fā)明提供一種濾波器，具有第一 SAW濾波器，其具有包括 至少一個串聯(lián)臂共振子及至少一個并聯(lián)臂共振子的梯型回路結(jié)構(gòu)，且通頻 帶的頻率相對低；第二SAW濾波器，其具有包括至少一個串聯(lián)臂共振子 及至少一個并聯(lián)臂共振子的梯型回路結(jié)構(gòu)，且通頻帶的頻率相對高；和橋 接電感器，其與第二 SAW濾波器的至少一個所述串聯(lián)臂共振子并列地連 接，所述第一 SAW濾波器及第二 SAW濾波器構(gòu)成為SAW濾波器芯片， 還具備安裝所述SAW濾波器芯片的多層封裝基板，所述橋接電感器具有 第一配線，其在多層封裝基板的第一層上形成；第一通路孔導(dǎo)體(viahole)， 其與第一配線的一端連接；第二通路孔導(dǎo)體，其與第一配線的另一端連接； 第二配線，其在與所述多層封裝基板的第一層不同的高度位置的第二層上 設(shè)置，且一端與所述第二通路孔導(dǎo)體連接，在包括所述第一配線及第二配 線的線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)配置至少包括所述第一通路孔導(dǎo)體的線圈返回線 部(coil return wire )。
在具有本發(fā)明所述的SAW分波器的特定的情況下，第三通路孔導(dǎo)體， 其與所述第一通路孔導(dǎo)體連接；第四通路孔導(dǎo)體，其與所述第二配線的另 一端連接；第三配線，其一端與所述第四通路孔導(dǎo)體連接，且形成在與所 述多層封裝基板的第一、第二層不同的高度位置上設(shè)置的第三層上，包括 所述第一、第三通路孔導(dǎo)體的返回線部配置在由所述第一 第三配線構(gòu)成 的線圈巻繞部內(nèi)。
在本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下， 一端與所述第 三通路孔導(dǎo)體連接的第五通路孔導(dǎo)體，和一端與第三配線的另一端連接的 第六通路孔導(dǎo)體各自的另一端到達設(shè)置在與所述第一 第三層不同的高度 位置的第四層。
在本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下，所述第六通路 孔導(dǎo)體設(shè)置在所述線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)。
在本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下，在所述返回線 部，構(gòu)成該返回線部的多個所述通路孔導(dǎo)體直線地連接。
在本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下，在所述返回線 部，多個所述通路孔導(dǎo)體未以一直線狀地連結(jié)。
根據(jù)本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下，在構(gòu)成所述 橋接電感器的各配線與安裝第一 SAW濾波器芯片的多層封裝基板部分之 間配置有與接地電位連接的通路孔導(dǎo)體。
在本發(fā)明所述的SAW分波器的其它的特定的情況下，在所述第二 SAW濾波器中，與連接所述橋接電感器的串聯(lián)臂共振子的端子相連接的、 所述封裝的電連接部分位于所述橋接電感器的線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)。
發(fā)明效果
在本發(fā)明所述的SAW分波器中，在多層封裝基板上作為SAW濾波器 芯片搭載第一、第二 SAW濾波器，在具有梯型回路結(jié)構(gòu)的第一、第二 SAW 濾波器中，在與第二 SAW濾波器的至少一個串聯(lián)臂共振子并聯(lián)地連接橋 接電感器的SAW分波器中，上述橋接電感器具有包括在多層封裝基板的 至少第一、第二層上設(shè)置的第一配線及第二配線的線圈巻繞部，且至少包 括第一通路孔導(dǎo)體的線圈的返回線部配置在上述線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)，所以 能夠減小橋接電感器構(gòu)成部分的面積。即，以線圈巻繞部至少包括第一、 第二配線的方式，分割為多個層而形成，并且因為線圈返回線部配置在線 圈巻繞部的內(nèi)側(cè)，所以能夠?qū)蚪与姼衅鳂?gòu)成部分的面積減到極小。
從而，在連接橋接電感器的至少第二 SAW濾波器的濾波器特性中，
不僅能夠?qū)⑾鄬?cè)的濾波器即第一 SAW濾波器的通頻帶的衰減量擴大至 足夠大，而且可促進SAW分波器的小型化。
在本發(fā)明中，在與第一、第二層不同的高度位置設(shè)置的第三層上設(shè)有 第三配線，在利用第一 第三配線構(gòu)成線圈巻繞部的情況下，能夠進一步 減小橋接電感器構(gòu)成部分的面積，或可不增大多層封裝基板的面積地形成 更大的電感值的橋接電感器。
在第五、第六通路孔導(dǎo)體各自的另一端到達第四層的情況下，在第四 層中能夠形成將第五通路孔導(dǎo)體與串聯(lián)臂共振子的一端電連接的配線，和 將第六通路孔導(dǎo)體與串聯(lián)臂共振子的另一端連接的配線，由此可實現(xiàn)降低 配線構(gòu)造中需要的面積。
在第六通路孔導(dǎo)體設(shè)置在線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)的情況下，由于第六通路 孔導(dǎo)體的形成并未導(dǎo)致多層封裝基板的面積發(fā)生增大，因此能夠提供促迸 了小型化，且具有第六通路孔導(dǎo)體的SAW分波器。
在返回線部，在構(gòu)成該返回線部的多個通路孔導(dǎo)體直線地連接的情況 下，能夠進一步較小電感器的占有面積。
但是，在上述返回線部，多個通路孔導(dǎo)體也可不一直線狀地連結(jié)，在 此情況下，能夠提高配線的自由度。
在構(gòu)成橋接電感器的各配線與安裝第一 SAW濾波器芯片的多層封裝 基板部分之間配置有與接地電位連接的通路孔導(dǎo)體的情況下，能夠提高第 一 SAW濾波器與第二 SAW濾波器之間的隔離。
在第二 SAW濾波器中，與連接所述橋接電感器的串聯(lián)臂共振子的端 子相連接的、所述封裝的電連接部分位于所述橋接電感器的線圈巻繞部的 內(nèi)側(cè)的情況下，能夠不增大多層封裝基板的面積地形成上述電連接部分。 從而，能夠?qū)崿F(xiàn)SAW分波器的迸一步小型化。


圖1是用于說明本發(fā)明的一實施方式所述的SAW分波器的示意俯視圖。
圖2是表示本發(fā)明的一實施方式所述的SAW分波器的第二 SAW濾波 器的回路結(jié)構(gòu)的圖。
圖3 (a)及(b)是示意地表示本發(fā)明的一實施方式所述的SAW分 波器的橋接電感器構(gòu)成部分的分解立體圖及用于說明構(gòu)成該橋接電感器 的部分的線圈狀巻繞部的示意俯視圖。
圖4 (a) ~ (d)是用于說明發(fā)明的一實施方式所述的SAW分波器中
的橋接電感器構(gòu)成部分的各層的電極形狀的各示意俯視圖。
圖5是構(gòu)成比較例的SAW分波器中的橋接電感器L的部分的示意俯視圖。
圖6 (a) (c)是表示比較例的SAW分波器的橋接電感器構(gòu)成部分 的各層的電極構(gòu)造的示意俯視圖。
圖7 (a)及(b)是表示比較例的SAW分波器的橋接電感器構(gòu)成部 分的電極構(gòu)造的示意分解立體圖及示意俯視圖。
圖8是表示實施例及比較例SAW分波器的第二 SAW濾波器的通頻特 性的圖。
圖9是表示實施例及比較例SAW分波器的第二SAW濾波器的反射特 性的圖。
圖10是表示實施例及比較例SAW分波器的第二 SAW濾波器的隔離 特性的圖。
圖11是表示實施方式及比較例的SAW分波器中的天線側(cè)端子的反射 特性。
圖12是表示本發(fā)明SAW分波器的變形例中的橋接電感器構(gòu)成部分的
電極構(gòu)造的示意分解立體圖。
圖13是圖12所示的變形例中的橋接電感器構(gòu)成部分的示意俯視圖。 圖14是本發(fā)明的SAW分波器的其它變形例中的橋接電感器構(gòu)成部分
的分解立體圖。
圖15是圖14所示的變形例中的橋接電感器構(gòu)成部分的示意俯視圖。
圖16是表示以往SAW分波器的回路結(jié)構(gòu)的圖。
圖17是表示在以往的SAW分波器中，搭載在封裝基板上的彈性表面 波元件片的示意俯視圖。
圖18是表示在以往的SAW分波器中，搭載彈性表面波元件的封裝基 板示意俯視圖。圖中，1一SAW分波器；2 —多層封裝基板；ll一第一SAW濾波器芯 片；12 —第二 SAW濾波器芯片；13—通路孔導(dǎo)體；14一輸入端子；15 —
輸出端子；21、 22—電極座；23 —第一配線；23a、 23b—通路蓋；24 —第 一通路孔導(dǎo)體；25 —第二通路孔導(dǎo)體；26—第二配線；26a、 26b—通路蓋； 27、 28—第三、第四通路孔導(dǎo)體；29—第三配線；29a、 29b—通路蓋；30、 31 —第五、第六通路孔導(dǎo)體；30A—通路孔導(dǎo)體；32—連接配線；32a、 32b 一通路蓋；41 —第一配線；41a、 41b—通路蓋；42、 43 —第二配線；42a、 42b、 43a、 43b—通路蓋；44、 45—第三配線；44a、 44b、 45a、 45b —通路 蓋；46、 47 —第一、第二通路孔導(dǎo)體；48、 49一第三、第四通路孔導(dǎo)體； 50、 51—第五、第六通路孔導(dǎo)體；52、 53 —電極座；L—橋接電感器；P1 P3 一并聯(lián)共振子；S1 S3 —串聯(lián)共振子。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的具體的實施方式進行說明，從而明確本發(fā)明。
圖1是表示本發(fā)明的一實施方式所述的SAW分波器的示意俯視圖。
SAW分波器1具有多層封裝基板2。多層封裝基板2利用多層陶瓷基 板構(gòu)成。但是，多層封裝基板2也可利用陶瓷以外的絕緣材料形成。
在多層封裝基板2上，如虛線所示，利用倒裝式接合法搭載第一 SAW 濾波器芯片11及第二濾波器芯片12。 g卩，利用金屬凸塊在多層封裝基板 2的上表面搭載SAW濾波器芯片11、 12。圖1中，SAW濾波器芯片ll、 12如上所述以虛線表示其外形。
在多層封裝基板2的上表面形成圖示的電極。另一方面，上述第一、 第二 SAW濾波器芯片11 、 12分別構(gòu)成SAW分波器1中的第一、第二 SAW 濾波器F1、 F2。在本實施方式中，第一SAW濾波器F1的通頻帶的頻率 相對低，第二SAW濾波器F2的通頻帶的頻率相對高。g卩，第一SAW濾 波器11作為便攜電話機的發(fā)送側(cè)的帶濾波器使用，第二 SAW濾波器F2 作為接收側(cè)的帶濾波器使用。
并且，第一、第二 SAW濾波器Fl、 F2具有梯型的回路結(jié)構(gòu)。圖2 是表示第二 SAW濾波器F2的回路結(jié)構(gòu)的圖。
在第二SAW濾波器F2中，串聯(lián)臂共振子S1、 S2、 S3被插入串聯(lián)臂。 并且，在串聯(lián)臂與接地電位之間構(gòu)成有三根并聯(lián)臂，在各并聯(lián)臂上插入并 聯(lián)臂共振子P1、 P2、 P3。
換言之，從輸入端子14向輸出端子15側(cè)，交互地配置串聯(lián)臂共振子 S1 S3，和并聯(lián)臂共振子P1 P3。而且，在梯型回路中，串聯(lián)臂共振子及 并聯(lián)臂共振子的數(shù)量未被特別限定。第一 SAW濾波器Fl也具有同樣的梯 型回路結(jié)構(gòu)。
在本實施方式中，上述梯型回路結(jié)構(gòu)的第一、第二SAW濾波器的一 端共同連接，并與未圖示的天線連接地構(gòu)成。另一方面，第一SAW濾波 器F1的另一端構(gòu)成發(fā)送端子，第二 SAW濾波器F2的另一端構(gòu)成接收端 子。此種SAW分波器的構(gòu)成自身如所述的專利文件1中記載，在本申請 前已為人所知。
此外，如圖2所示，在第二SAW濾波器F2中，與串聯(lián)臂共振子S3 并列地連接橋接電感器L。在第二 SAW濾波器的濾波器特性中，為實現(xiàn) 擴大作為相對側(cè)的濾波器的第一SAW濾波器F1的通頻帶中的衰減量，及 第二 SAW濾波器F2的通頻帶低頻域側(cè)的阻帶區(qū)域的衰減量，且為擴大第 二 SAW濾波器F2的通頻帶的高頻域側(cè)的帶寬而連接橋接電感器L。
并且，本實施方式的特征在于，上述橋接電感器L在多層封裝基板2 上，并不增大多層封裝基板2的面積地形成。同時參照圖l、圖3 圖6， 對此進行說明。
在圖1的多層封裝基板2中，以單點劃線A表示構(gòu)成上述橋接電感器 L的部分。g卩，在圖1的單點劃線A表示的區(qū)域內(nèi)，構(gòu)成橋接電感器L。 以圖3 (a)的分解立體圖表示構(gòu)成該橋接電感器L的部分。此外，圖3 及圖4 (a) ~ (d)表示各高度位置的俯視圖及俯視剖面圖。
如圖3 (a)及圖4 (a) ~ (d)所示，在多層封裝基板2的不同高度 位置的第一層 第四層形成圖示的電極。此處，第一層 第四層是多層封裝 基板2的不同高度位置的平面，從下開始依次設(shè)為第一層 第四層，第四 層與多層封裝基板2的上表面相當(dāng)。
如圖3 (a)所示，在多層封裝基板2的上表面即第四層中形成電極座 21、 22。電極座21、 22通過在多層封裝基板2的上表面上形成適當(dāng)?shù)膶?dǎo)
電膜并形成圖案地設(shè)置。上述電極座21、 22在圖2所示的回路結(jié)構(gòu)中， 相當(dāng)于橋接電感器L的兩端的端子部分，且電極座21、 22在搭載構(gòu)成第 二 SAW濾波器F2的SAW濾波器芯片12時，相當(dāng)于與串聯(lián)臂共振子S3 的兩端進行電連接的部分。
在電極座21、 22的下方，在第一層上設(shè)置第一配線23，第一配線23 具有大致C字狀或大致字狀的平面形狀。另一方面，第一配線23 的第一端部的通路蓋(via cover) 23a與第一通路孔導(dǎo)體24的下端電連接。 另一方面，第一配線23的第二端部的通路蓋23b與第二通路孔導(dǎo)體25的 下端電連接。而且，通路蓋是指與通路孔導(dǎo)體電連接的配線部分，且具有 大于通路孔導(dǎo)體的面積的部分。第一配線23為與第一、第二通路孔導(dǎo)體 24、 25連接，在端部處具有上述通路蓋23a、 23b。
另一方面，第二通路孔導(dǎo)體25的上端至第二層與設(shè)置于第二層的第 二配線26的一端的通路蓋26a電連接。該第二配線26具有大致C字狀或 大致"^"字狀的平面形狀，且在第二端部具有通路蓋26b。
此外，上述第一通路孔導(dǎo)體24與從第二層向第三層延伸的第三通路 孔27電連接。該第一、第三通路孔導(dǎo)體24、 27夾著設(shè)置于第二層的第二 配線26，且不與第二配線26電連接地配置。
此外，第四通路孔導(dǎo)體28的下端與上述通路蓋26b，即與第二配線 26電連接。第四通路孔導(dǎo)體28從第二層向第三層延伸，且與在設(shè)置于第 三層的第三配線29的一端處設(shè)置的通路蓋29a電連接。
第三配線29具有大致"L"字狀的形狀，且在設(shè)有通路蓋29a的一側(cè) 的相反側(cè)的端部處具有通路蓋29b。通路蓋29b配置于電極座21的正下方。
從第三層至第四層設(shè)有第五、第六通路孔導(dǎo)體30、 31。第五通路孔導(dǎo) 體30與第一、第三通路孔導(dǎo)體24、 27成一直線狀地配置，且與第三通路 孔導(dǎo)體27電連接。第五通路孔導(dǎo)體30的上端與電極座22電連接。
從而，電極座22經(jīng)由第一、第三、第五的通路孔導(dǎo)體24、 27、 30， 與設(shè)置在第一配線23的第一端部的通路蓋23a電連接。
另一方面，第六通路孔導(dǎo)體31的上端與電極座21電連接。g卩，電極 座21經(jīng)由第六通路孔導(dǎo)體31與第三配線29電連接。
另一方面，上述第一配線23、第二配線26及第三配線29構(gòu)成橋接電 感器L的線圈狀巻繞部。g卩，第一配線23、第二配線26及第三配線29 如上所述，通過第二通路孔導(dǎo)體25及第四通路孔導(dǎo)體28電連接，但在俯 視時，如圖3 (b)所示，構(gòu)成大致1.7 1.8圈的圈數(shù)的線圈狀巻繞部，并 由于產(chǎn)生電感器成分地構(gòu)成。
并且，上述第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體24、 27、 30構(gòu)成將線圈狀 巻繞部與一側(cè)的連接端部即電極座22電連接的線圈的返回線部，但該返 回線部如圖3 (b)所示，配置于線圈狀巻繞部M的內(nèi)側(cè)。
從而，在本實施方式的SAW分波器中，在上述橋接電感器L中，因 為線圈狀巻繞部貫穿于第一層 第三層的多個層地巻繞，且線圈的返回線 部配置于上述線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)，所以不用增大面積地得到大的電感 器。由此，能夠促進多層封裝基板2的小型化，且可提供濾波器特性良好 的小型的SAW分波器1。
此外，本實施方式的SAW分波器1中，第一、第三、第五通路孔導(dǎo) 體24、 27、 30配置為一直線狀時，與在俯視時將第一、第三、第五通路 孔導(dǎo)體24、 27、 30配置為不同位置的情況相比，可進一步減小構(gòu)成橋接 電感器的部分的面積。
此外，如圖1所示，在本實施方式的SAW分波器中，在多層封裝基 板2中，與接地電位連接的通路孔導(dǎo)體13配置在構(gòu)成第一 SAW濾波器 Fl的SAW濾波器芯片11的部分，和構(gòu)成第二 SAW濾波器F2的SAW濾 波器芯片12的部分之間。該通路孔導(dǎo)體13因為與接地電位連接，且構(gòu)成 在第一SAW濾波器芯片ll和形成上述橋接電感器L的部分之間，由此， 可有效提高第一 SAW濾波器Fl和第二 SAW濾波器F2之間的隔離。
此外，連接橋接電感器的上述電極座21、 22中的連接SAW濾波器芯 片12的串聯(lián)共振子S3的端子的部分J、 K與輸出端子15配置于線圈狀巻 繞部M的內(nèi)側(cè)。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)SAW分波器的進一步小型化。
而且，在本實施方式中，如上述，因為第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體 24、 27、 30配置于設(shè)置線圈狀巻繞部的部分的內(nèi)側(cè)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化， 但進一步與上述電極座21連接的第六通路孔導(dǎo)體31也另外配置于上述線 圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)，所以由此可進一步減小構(gòu)成橋接電感器L的部分的面 積。但是，第六通路孔導(dǎo)體31也可配置在上述線圈狀巻繞部的外側(cè)。
在本實施方式的SAW分波器中，基于具體的實驗例說明能夠充分促 進小型化，且得到良好的濾波器特性。
制作第一 SAW濾波器F1的通頻帶的頻率185(M910MHz，第二 SAW 濾波器F2的通頻帶的頻率1930~1990MHz的上述實施方式的SAW分波器 1。為進行比較，準(zhǔn)備圖5的俯視圖所示的比較例的多層封裝基板121，除 使用該多層封裝基板121以外，與上述實施方式同樣地制作比較例的SAW 分波器。在該多層封裝基板121中，與上述實施方式相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同 的參照符號。而且，圖6 (a) (c)及圖7 (a)示意地表示形成多層封 裝基板121的橋接電感器的部分的電極構(gòu)造。
在比較例的多層封裝基板121中，與上述實施方式同樣地，在第一層 第三層上分別與實施方式同樣地形成第一 第三配線。并且，利用第一 第三配線123、 126、 129形成線圈狀巻繞部，利用第二、第四通路孔導(dǎo)體 125、 128將第一~第三配線123、 126、 129電連接。此外，利用第六通路 孔導(dǎo)體131將第三配線129連接在電極座121上。
但是，在上述實施方式中，第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體24、 27、 30 在上述線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)成一直線狀地配置，但在本比較例中，如圖6 及圖7所示，第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體124、 127、 130配置為一直線 狀，但如圖7 (b)示意地表示，配置在線圈狀巻繞部M的外側(cè)。
艮口，在上述比較例的SAW分波器中，在橋接電感器L的線圈狀巻繞 部的外側(cè)除配置構(gòu)成線圈的返回線部的第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體124、 127、 130以外，與上述實施方式的SAW分波器1同樣。
圖8表示第二 SAW濾波器F2的通頻特性S21 ，圖9表示反射特性Sl 1 。 而且，圖8及圖9中，實線表示上述實施方式的結(jié)果，虛線表示比較例的 結(jié)果。
從圖8明確可知，根據(jù)上述實施方式，與比較例的分波器相比，可增 大通頻帶低頻域側(cè)的衰減量。
此外，從圖9明確可知，在通頻帶內(nèi)，與比較例相比，在實施方式的 SAW分波器中，接收端子中的返回?fù)p失變小。
艮P，不僅接合上述橋接電感器L，還將構(gòu)成用于形成橋接電感器的返 回線部的第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體位于線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)，由此，
可進一步改善濾波器特性。
此外，圖10及圖11是分別表示實施方式及比較例的SAW分波器的
隔離特性及天線側(cè)端子中的反射特性的圖。實線表示上述實施方式的結(jié) 果，虛線表示比較例的結(jié)果。
從圖10明確可知，與比較例的結(jié)構(gòu)想比，根據(jù)本實施方式，可提高隔離。
此外，從圖11明確可知，在天線端子處，返回?fù)p失也降低。從而，在上述實施方式的SAW分波器1中，因為在橋接電感器L的 線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)配置上述返回線部，所以與比較例的SAW分波器相 比，可進一步改善濾波器特性。.
而且，在上述實施方式中，構(gòu)成線圈的返回線部的第一、第三、第五 通路孔導(dǎo)體24、 27、 30連接為一直線狀，但如圖12的分解立體圖所示的 變形例所示，第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體24、 27、 30A并不一定連接為 一直線狀。
在該變形例中，第五通路孔導(dǎo)體30A的上端與電極座22電連接，但 下端與連接配線32電連接。連接配線32的一端具有通路蓋32a，通路蓋 32a與第五通路孔導(dǎo)體30A的下端電連接。此外，連接配線32在另一側(cè) 端部具有通路蓋32b，通路蓋32b與第三通路孔導(dǎo)體27的上端電連接。從 而，第三通路孔導(dǎo)體37和第五通路孔導(dǎo)體30A在從正面觀察的情況下， 具有曲柄狀的形狀地連接。換言之，第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體24、 27、 30A不夠成一直線狀地連接。
圖13是示意地表示本變形例中的設(shè)有線圈狀巻繞部M、上述電極座 21、 22及通路孔導(dǎo)體的位置關(guān)系的俯視圖。在本變形例中，不僅第一、第 三通路孔導(dǎo)體24、 27，第三通路孔導(dǎo)體30A也配置在線圈狀巻繞部M的 內(nèi)側(cè)。從而，構(gòu)成線圈的返回線部的第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體24、 27、 30A變?yōu)榕渲糜诰€圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)。
如上述，用于將線圈的巻繞部的一端與端子電連接的線圈的返回線部 只要配置在線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)，則構(gòu)成該返回線部的多個通路孔導(dǎo)體并 不一定需要連接成一直線狀。即，以不連接成一直線狀的方式，連接多個 通路孔導(dǎo)體的情況下，可提高設(shè)計的自由度。
圖14是用于說明上述實施方式的SAW分波器的其他的變形例的分解 立體圖，圖15是本變形例中的電感器構(gòu)成部分的示意俯視圖。
在本變形例中，橋接電感器L使用圖14的分解立體圖所示的電極構(gòu) 造而構(gòu)成。即，在下方的第一層上設(shè)有第一配線41，在第二層上設(shè)有第二 配線42、 43，在第三層上設(shè)有第三配線44、 45。并且，第二配線42、 43 及第三配線44、 45均與第一配線41電連接，從而構(gòu)成線圈狀巻繞部。如 此，在本發(fā)明中，也可在一個層上，形成構(gòu)成線圈狀巻繞部的多個配線。 而且，在圖15中，第一 第四配線在上下方向上未重合地表示，但實際上， 構(gòu)成線圈狀巻繞部的配線之間在上下方向上重合。圖15為了可容易地把 握各配線的位置關(guān)系，上下重合的配線之間不相鄰地示意顯示。
如圖14及圖15所示，在本變形例中，在與第一配線41的第一端部 相連的通路蓋41a上連接第一通路孔導(dǎo)體46的下端。第一通路孔導(dǎo)體46 的上端與設(shè)置在第二配線43的第一端部的通路蓋43a電連接。
另一方面，設(shè)置在第一配線41的第二端部的通路蓋41b與第二通路 孔導(dǎo)體47的下端電連接。第二通路孔導(dǎo)體47的上端與設(shè)置在第二配線42 的一側(cè)端部的通路蓋42a電連接。此外，設(shè)置于第二配線42的另一側(cè)端 部的通路蓋42b與第三通路孔導(dǎo)體48電連接。同樣地，第四通路孔導(dǎo)體 49的下端與設(shè)置在第二配線43的另一側(cè)端部的通路蓋43b電連接。
在第三層中，在第三通路孔導(dǎo)體48的上端連接第三配線45的通路蓋 45a。此外，在第四通路孔導(dǎo)體49的上端電連接在第三配線44的一端設(shè) 置的通路蓋44a。并且，設(shè)置在第三配線45、 44的各自的另一側(cè)端部的通 路蓋44b、 45b利用第五、第六通路孔導(dǎo)體50、 51與電極座52、 53電連 接。
從而，在電極座52、 53之間電連接由上述第一 第三配線41-45構(gòu)成 的線圈狀巻繞部。并且，用于將上述線圈狀巻繞部連接在作為電感器的連 接端子即電極座52上的返回線部具有上述第六通路孔導(dǎo)體50，但該通路 孔導(dǎo)體50配置在線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)。
此外，如上述，在第二層及第三層中，設(shè)有多個線路，但該多個線路 在第一層中串聯(lián)地電連接，如此，通過至少在一個層上形成多個配線，能 夠延長線圈狀巻繞部的線路長，并能夠得到更大的電感值。
而且，如圖14及圖15所示，在設(shè)有多個線圈狀圖案的情況下，上述 返回線部可配置在多個線圈狀巻繞部的外周緣的內(nèi)側(cè)，從而返回線部位于 線圈狀巻繞部的內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)是指在如此設(shè)有多個線圈狀巻繞部的情況下， 在多個線圈狀巻繞部的外周緣的內(nèi)側(cè)。
而且，在上述實施方式中，在第三層上配置具有電極座的第四層，但 在第三層與具有電極座的第四層之間進一步夾有構(gòu)成線圈狀巻繞部一個 以上的層，由此可構(gòu)成更多圈數(shù)的線圈狀巻繞部。
此外，梯型回路結(jié)構(gòu)的階梯數(shù)也可是本實施方式的階梯數(shù)以外的階梯數(shù)。
此外，將第一、第二SAW濾波器兩者構(gòu)成在一個芯片上。
權(quán)利要求
1.一種SAW分波器，其特征在于，具有第一SAW濾波器，其具有包括至少一個串聯(lián)臂共振子及至少一個并聯(lián)臂共振子的梯型回路結(jié)構(gòu)，且通頻帶的頻率相對低；第二SAW濾波器，其具有包括至少一個串聯(lián)臂共振子及至少一個并聯(lián)臂共振子的梯型回路結(jié)構(gòu)，且通頻帶的頻率相對高；和橋接電感器，其與第二SAW濾波器的至少一個所述串聯(lián)臂共振子并列地連接，所述第一SAW濾波器及第二SAW濾波器構(gòu)成為SAW濾波器芯片，還具備安裝所述SAW濾波器芯片的多層封裝基板，所述橋接電感器具有第一配線，其在多層封裝基板的第一層上形成；第一通路孔導(dǎo)體，其與第一配線的一端連接；第二通路孔導(dǎo)體，其與第一配線的另一端連接；第二配線，其在與所述多層封裝基板的第一層不同的高度位置的第二層上設(shè)置，且一端與所述第二通路孔導(dǎo)體連接，在包括所述第一配線及第二配線的線圈卷繞部的內(nèi)側(cè)配置至少包括所述第一通路孔導(dǎo)體的線圈返回線部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW分波器，其特征在于，還具備-第三通路孔導(dǎo)體，其與所述第一通路孔導(dǎo)體連接； 第四通路孔導(dǎo)體，其與所述第二配線的另一端連接； 第三配線，其一端與所述第四通路孔導(dǎo)體連接，且形成在與所述多層 封裝基板的第一、第二層不同的高度位置上設(shè)置的第三層上，包括所述第 一、第三通路孔導(dǎo)體的返回線部配置在由所述第一 第三配線構(gòu)成的線圈 巻繞部內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的SAW分波器，其特征在于，一端與所述第三通路孔導(dǎo)體連接的第五通路孔導(dǎo)體，和一端與第三配 線的另一端連接的第六通路孔導(dǎo)體各自的另一端到達設(shè)置在與所述第一 第三層不同的高度位置的第四層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的SAW分波器，其特征在于， 所述第六通路孔導(dǎo)體設(shè)置在所述線圈巻繞部的內(nèi)側(cè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2 4中任一項所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述返回線部，構(gòu)成該返回線部的多個所述通路孔導(dǎo)體直線地連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2 4中任一項所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述返回線部，多個所述通路孔導(dǎo)體未以一直線狀地連結(jié)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項所述的SAW分波器，其特征在于， 在構(gòu)成所述橋接電感器的各配線與安裝第一 SAW濾波器芯片的多層封裝基板部分之間配置有與接地電位連接的通路孔導(dǎo)體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項所述的SAW分波器，其特征在于， 在所述第二 SAW濾波器中，與連接所述橋接電感器的串聯(lián)臂共振子的端子相連接的、所述封裝的電連接部分位于所述橋接電感器的線圈巻繞 部的內(nèi)側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種SAW分波器，其能夠不使封裝基板的面積增大地構(gòu)成橋接電感器，且不僅濾波器特性良好，還可促進小型化。該SAW分波器(1)具有通頻帶的頻率相對低的第一SAW濾波器及相對高的第二SAW濾波器，第一、第二SAW濾波器具有梯型回路結(jié)構(gòu)，并在第二SAW濾波器的至少一個串聯(lián)臂共振子上并聯(lián)地連接橋接電感器，該橋接電感器具有構(gòu)成在多層封裝基板上的線圈卷繞部，且該線圈卷繞部通過形成在第一層～第三層上的第一～第三配線(23、26、29)由通路孔導(dǎo)體連接而構(gòu)成，并在該線圈卷繞部的內(nèi)側(cè)配置構(gòu)成線圈的返回線部的第一、第三、第五通路孔導(dǎo)體(24、27、30)。
文檔編號H03H9/72GK101180795SQ200680017689
公開日2008年5月14日 申請日期2006年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月21日
發(fā)明者大村正志, 谷口典生 申請人:株式會社村田制作所