專利名稱：高頻功率放大器模塊及半導體集成電路器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于高頻信號的濾波技術(shù)，更具體地涉及可以有效地應(yīng)用于除去在半導體芯片的表面上方或其它地方傳播的諧波含量的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，蜂窩電話已廣泛地用作移動通信的一種主要裝置，并且要求它們的功能更加多樣化。例如，對于蜂窩電話的高頻功率放大器模塊的尺寸減小的需求特別迫切，且為了滿足該需求，廣泛地使用在單個芯片上調(diào)節(jié)不同頻帶的通信公式(formulas)如GSM和DCS的這種模塊。
在單個芯片上調(diào)節(jié)不同頻帶的通信公式(formulas)之處從一個頻帶提供的高頻成分影響另一頻帶，由此嚴重地使所謂的交叉頻帶隔離水平降低。
為此，在高頻功率放大器模塊中高頻成分泄漏的側(cè)邊上的輸出匹配電路中提供由PIN二極管和電容器構(gòu)成的濾波電路，以當一個頻帶工作時通過過濾高頻成分處理該問題。
順便提及，某些這種高頻功率放大器在它們的輸出匹配電路中具有用于傳遞不同信號的多個輸出側(cè)微分裂(micro-split)線，且通過在輸出側(cè)微分裂線之間設(shè)置多個地線防止一個輸出側(cè)微分裂線和另一個輸出側(cè)微分裂線之間的干擾。
專利參考文獻1日本未審查的專利公開No.2002-141756

發(fā)明內(nèi)容
但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)用于改進這種高頻功率放大器模塊中的交叉頻帶隔離性能的技術(shù)涉及下列問題。
因此，由于濾波電路由分立部件構(gòu)成，因此PIN二極管和電容器占據(jù)極其大的面積，由此對高頻功率放大器模塊的尺寸減小形成一個障礙。
而且，分立部件的使用意味著相應(yīng)地增加構(gòu)成高頻功率放大器模塊的部件的數(shù)目，由此增加高頻功率放大器模塊的成本。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種高頻功率放大器模塊和半導體集成電路器件，允許除去半導體芯片的表面上方及它附近傳播的諧波含量而不使用濾波電路且由此實現(xiàn)交叉頻帶隔離性能的顯著改進。
本發(fā)明的另一目的是提供一種允許改進交叉頻帶隔離性能的高頻功率放大器模塊及半導體集成電路器件。
從下面結(jié)合附圖的說明書的描述將使本發(fā)明的上述及其他目的、以及新穎性特點變得更明顯。
下面簡要地描述本申請中公開的本發(fā)明的代表性方面。
因此，根據(jù)本發(fā)明的高頻功率放大器模塊包括在半導體芯片上方形成的、用于放大兩個不同頻帶的高頻信號的第一和第二功率放大器部分；用于匹配將進入第一和第二功率放大器部分的信號的阻抗的輸入匹配電路；用于匹配將從第一和第二功率放大器部分提供的信號的阻抗的輸出匹配電路；以及用于在其上安裝半導體芯片、輸入匹配電路以及輸出匹配電路的模塊布線板，其中在半導體芯片的主表面上方的第一功率放大器部分和第二功率放大器部分之間形成基準電位區(qū)，且該基準電位區(qū)經(jīng)由通孔連接到在半導體芯片的背面上方設(shè)置的基準電位層。
下面簡要地描述本申請公開的本發(fā)明的其他方面。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種半導體集成電路器件，該器件具有用于放大兩個不同頻帶的高頻信號的第一和第二功率放大器部分，設(shè)有布置在半導體芯片的主表面上方的第一功率放大器部分和第二功率放大器部分之間的基準電位區(qū)，其中該基準電位區(qū)經(jīng)由通孔連接到在半導體芯片的背面上方形成的基準電位層。


圖1是本發(fā)明的實施例1的雙頻帶通信終端的框圖。
圖2示出了圖1的雙頻帶通信終端中設(shè)置的RF功率模塊的模塊布線板的布局。
圖3示出了在圖2的RF功率模塊中設(shè)置的一個晶體管的a-a′截面。
圖4示出了在圖2的RF功率模決中設(shè)置的另一個晶體管的b-b′截面。
圖5示出了在圖2的RF功率模塊中設(shè)置的輸出匹配電路的一個實例的電路圖。
圖6示出在本發(fā)明的實施例2中的RF功率模塊中設(shè)置的半導體芯片中的凸塊的布局。
圖7示出了當向下面對模塊布線板鍵合時圖6的半導體芯片的c-c′截面。
圖8示出了當向上面對模塊布線板鍵合時圖6的半導體芯片的c-c′截面。
具體實施例方式
圖1是本發(fā)明的實施例1的雙頻帶通信終端的框圖；圖2示出了圖1的雙頻帶通信終端中設(shè)置的RF功率模塊的模塊布線板的布局；圖3示出了在圖2的RF功率模塊中設(shè)置的一個晶體管的a-a′截面；圖4示出了在圖2的RF功率模塊中設(shè)置的另一個晶體管的b-b′截面；以及圖5示出了在圖2的RF功率模塊中設(shè)置的輸出匹配電路的一個實例的電路圖。
在該實施例1中，雙頻帶通信終端1是通信系統(tǒng)，例如可以是蜂窩電話。該雙頻帶通信終端1包括用于發(fā)送/接收的天線2、前端模塊3、RF線性部分4、APC-IC控制部分5以及基帶部分6，如圖1所示。
用于發(fā)送/接收的天線2發(fā)送和接收信號波。前端模塊3分路由用于發(fā)送/接收的天線2接收的高頻信號(900MHz/1.8GHz頻帶)并放大待發(fā)送的功率高頻信號。
RF線性部分4將從麥克風進入的語音信號轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l信號。APC-IC控制部分5控制輸出信號電平?；鶐Р糠?轉(zhuǎn)換接受信號的頻率用于語音處理。
前端模塊3包括分路濾波器7、發(fā)送/接收轉(zhuǎn)換開關(guān)8和9、濾波器10和11、耦合器12和13、RF功率模塊(高頻功率放大器模塊)14、表面聲學器件(SAW)15和16等。
由用于發(fā)送/接收的天線接收的高頻信號(900MHz/1.8GHz頻帶)進入前端模塊3且在被分路濾波器7分路之后，經(jīng)由發(fā)送/接收轉(zhuǎn)換開關(guān)8和9以及SAW15和16二者之一進入RF線性部分4中設(shè)置的接收器電路。
SAW15和16通過利用壓電的彈性表面波選擇已傳播的特定頻率的信號作為高頻信號。
分路濾波器7由通過高頻帶(DCS頻帶/1.8GHz)的高通濾波器(HPF)和通過低頻帶(GSM頻帶/900MHz)的低通濾波器(LPF)構(gòu)成，分開雙頻帶的兩種頻率。由例如PIN二極管構(gòu)成的發(fā)送/接收轉(zhuǎn)換開關(guān)8和9通過控制偏壓的導通和截至在發(fā)送和接收之間轉(zhuǎn)換。
經(jīng)歷頻率變換之后進入的信號進入基帶部分6，并通過基帶部分6經(jīng)歷語音處理。
從麥克風進入的語音信號通過RF線性部分4轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l，并進入前端模塊3的RF功率模塊14。由兩個功率放大器部分14a和14b構(gòu)成的RF功率模塊14執(zhí)行用于發(fā)送/接收的天線2的發(fā)送所需的功率放大。
功率放大器部分(第二功率放大器部分)14a放大用于DCS頻帶的高頻信號的功率，而功率放大器部分(第一功率放大器部分)14b放大用于GSM頻帶的高頻信號的功率。
在該處理中，RF功率模塊14根據(jù)來自APC-IC控制部分5的控制信號放大功率。APC-IC控制部分5探測來自耦合器12和13的信號，并產(chǎn)生用于保持來自于RF功率模塊14的功率恒定的控制信號。耦合器12和13選出并反饋來自RF功率模塊14的部分輸出。
當通過RF功率模塊14放大的信號達到用于輸出的規(guī)定電平時，在通過例如可以由LPF構(gòu)成的濾波器10和11清除不必要的諧波含量之后，通過發(fā)送/接收轉(zhuǎn)換開關(guān)8和9以及分路濾波器7將它們提供給用于發(fā)送/接收的天線2。
圖2示出了RF功率模塊14的模塊布線板的布局。
在模塊布線板17中設(shè)置的芯片安裝區(qū)中安裝半導體芯片18。模塊布線板17的左下角布置輸入匹配電路19以及在輸入匹配電路19之上布置輸出匹配電路20。
模塊布線板17的右下角布置輸入匹配電路21以及在輸入匹配電路21之上布置輸出匹配電路22。
這些輸入匹配電路19和21以及輸出匹配電路20和22旨在優(yōu)化與待連接的外部電路匹配的阻抗并滿足輸入/輸出性能的要求。
在半導體芯片18的左邊，從下部向上，布置晶體管T1和T2，在半導體芯片18的右邊，從下部向上布置晶體管T3和T4。
輸入匹配電路19、輸出匹配電路20以及晶體管T1和T2構(gòu)成功率放大器部分14a，以及輸入匹配電路21、輸出匹配電路22以及晶體管T3和T4構(gòu)成功率放大器部分14b。
在模塊布線板17的背面的四個拐角附近分別布置電極部分23至26。電極部分23連接到輸入匹配電路19的輸入部分，以及電極部分24連接到輸出匹配電路20的輸出部分。電極部分25連接到輸入匹配電路21的輸入部分，以及電極部分26連接到輸出匹配電路22的輸出部分。
在輸入匹配電路19的右邊設(shè)置鍵合電極27，以及在輸入匹配電路21的左邊設(shè)置鍵合電極28。在鍵合電極27和鍵合電極28之間設(shè)置鍵合電極29和30。
鍵合電極27和28連接到輸入匹配電路19和21的各個輸出部分。電源電壓Vbb提供到鍵合電極29和30。
在輸出匹配電路20的右邊設(shè)置鍵合電極31，以及在輸出匹配電路22的左邊設(shè)置鍵合電極32。這些鍵合電極31和32連接到輸出匹配電路20和22的各個輸入?yún)^(qū)。
在半導體芯片18之上從左至右布置鍵合電極33至35。電源電壓VCC提供到鍵合電極33和35，鍵合電極34連接到模塊布線板17中的接地(基準電位)布線層17。
而且在半導體芯片18中從上向下形成接地布線層(基準電位區(qū))36。該接地布線層36也由晶體管T1至晶體管T3形成并連接到晶體管T1和T3的發(fā)射極。
在從半導體芯片18的上部向下部延伸的接地布線層36上方例如以任意希望的間隔形成三個芯片電極37至39。芯片電極37至39連接到接地布線層36。
在晶體管T1和T2的左邊形成芯片電極40，以及在晶體管T3和T4的右邊形成芯片電極41。在晶體管T2和T4之上分別形成芯片電極42和43，以及在晶體管T1和T3的下面分別形成芯片電極44和45。
這些鍵合電極27至33和35經(jīng)由鍵合引線46分別連接到芯片電極40至44。鍵合電極34通過鍵合引線(用于俘獲的鍵合引線)47連接到芯片電極37至39之一(在該實例中為芯片電極38)。
該鍵合引線47是用于俘獲諧波信號的引線，俘獲從GSM側(cè)(晶體管T1和T2)朝著DCS側(cè)(晶體管T3和T4)的方向傳播到半導體芯片18的上部的諧波信號。
通過在GSM側(cè)(晶體管T1和T2)和DCS側(cè)(晶體管T3和T4)之間的邊界上方形成的接地布線層36隔離在半導體芯片18的表面上方傳播的諧波信號。
圖3示出了圖2的晶體管T3的a-a′截面。
在由砷化鎵(GaAs)等構(gòu)成的半導體襯底48的主表面上方形成的晶體管T3中依次層疊子集電極49、集電極50、基極51以及發(fā)射極52。
子集電極49、集電極50以及基極51由GaAs形成，且子集電極49具有比集電極50更高的雜質(zhì)濃度。
發(fā)射極52由磷化鎵銦(InGaP)形成。在發(fā)射極52上方形成由金(Au)形成的發(fā)射極53。
在發(fā)射極53上方形成例如由金構(gòu)成的內(nèi)層布線54，在發(fā)射極53上方的內(nèi)層布線54的表面上方形成鍍有金等的表層布線55。
發(fā)射極52通過內(nèi)層布線54連接到通孔56。通孔56是電連接半導體襯底48的主表面和背面的穿通孔。
在該通孔56之上和內(nèi)層布線54上方的部分中形成鍍有金等的表層布線57。表層布線57構(gòu)成接地布線層36(圖2)。
遍布半導體襯底48的整個背側(cè)面形成背面布線(基準電位層)58。該背面布線58構(gòu)成例如鍍有金的接地布線層。
通孔56連接到背面布線58，以及晶體管T3中的發(fā)射極52通過內(nèi)層布線54、通孔56以及背面布線58接地。
圖4示出了圖2的晶體管T4的b-b′截面。
在半導體襯底48的主表面上方形成的晶體管T4中，依次層疊子集電極60、集電極61、基極62以及發(fā)射極63。
在晶體管T4中同樣層疊由砷化鎵形成的子集電極60、集電極61以及基極62，且子集電極60具有比集電極61更高的雜質(zhì)濃度。
發(fā)射極63由InGaP形成。在該發(fā)射極6上方形成例如由金(Au)構(gòu)成的發(fā)射極64。
在發(fā)射極64上方是例如由金構(gòu)成的內(nèi)層布線65和基極電極66。在基極電極66上形成由金等構(gòu)成的內(nèi)部布線67。
在子集電極60上方形成集電極68，以及在集電極68上方形成由金等構(gòu)成的內(nèi)層布線69。
在這些內(nèi)層布線65、67以及69上方分別形成鍍有Au等的表面布線層70至72，且表面布線層70至72分別構(gòu)成晶體管T4的發(fā)射極、基極以及集電極。
在晶體管T4左邊的部分半導體襯底48中形成連接到在半導體襯底48的背面上方形成的背面布線58的通孔73。
在該通孔73上方形成圖3所示的內(nèi)層布線54。在內(nèi)層布線54上方形成將構(gòu)成圖3中所示的接地布線層36(圖2)的表層布線57。
圖5示出了輸出匹配電路20(或22)的結(jié)構(gòu)的一個實例。
輸出匹配電路20(或22)由電容器74至77、線圈78以及傳輸路由79至81構(gòu)成。傳輸路由79至81是感應(yīng)器，每個由在模塊布線板17上方形成的布線圖形構(gòu)成。
晶體管T2(或T4)的集電極連接到將構(gòu)成輸出匹配電路20(或22)的輸入部分的傳輸路由79。傳輸路由79的輸出部分連接到線圈78的另一連接部分、電容器75的一個連接部分以及傳輸路由80的輸入部分。
電源電壓VCC連接到線圈78的一個連接部分以及電容器74的一個連接部分。電容器76的一個連接部分和傳輸路由81的輸入部分連接到傳輸路由80的輸出部分。基準電位(VSS)連接到電容器74至76的另一連接部分。
傳輸路由81的輸出部分連接到連接電容器77的一個連接部分，以及電容器77的另一連接部分構(gòu)成輸出匹配電路20的輸出部分RFout。
在該實施例1中，因為鍵合引線47和接地線層36的存在，因此使在半導體芯片18的表面上和之上傳播的諧波信號的捕獲成為可能，所以可以提高RF功率模塊14的交叉頻帶隔離性能。
而且，因為在輸出匹配電路20和22中不需要防止交叉頻帶隔離的電路，如PIN二極管或電容器，因此可以顯著地減小RF功率模塊14的尺寸。
(實施例2)圖6示出了在本發(fā)明的實施例2的RF功率模塊中設(shè)置的半導體芯片中的凸塊的布局。圖7是當向下面對模塊布線板鍵合時圖6的半導體芯片的c-c′截面。圖8是當向上面對模塊布線板鍵合時圖6的半導體芯片的c-c′截面。
在該實施例2中，與上述實施例1中的相應(yīng)部分相同的RF功率模塊，包括由輸入匹配電路、輸出匹配電路以及兩個晶體管構(gòu)成的功率放大器部分14a(圖1)以及由輸入匹配電路、輸出匹配電路以及兩個晶體管構(gòu)成的功率放大器部分14b(圖1)。
這些晶體管的布局與如上所述的實施例1的半導體芯片18中的相同。在半導體芯片18a的主面上方，在半導體芯片18a的左邊從下部向上布置晶體管T1和T2(圖2)，在半導體芯片18a的右邊從下部向上布置晶體管T3和T4。
圖6示出了凸塊的布局，該凸塊將構(gòu)成半導體芯片18a中的外部端子。
在半導體芯片18a的主面上方形成由Au等構(gòu)成的凸塊82至94。在半導體芯片的左側(cè)附近例如以等間隔形成五個凸塊82。這些凸塊82連接到晶體管T2的集電極。
在半導體芯片的右側(cè)附近例如形成五個凸塊83，五個凸塊83連接到晶體管T4的集電極。這些凸塊82和83構(gòu)成晶體管T2和T4的輸出部分RFout。
在半導體芯片18a的上部的左側(cè)和右側(cè)形成兩個凸塊84，兩個凸塊84連接到源電壓Vcc，在半導體芯片18a的下部從左至右形成凸塊85至88。
連接到晶體管T1和T3的基極的凸塊85和88是前級，構(gòu)成輸入匹配電路的RF信號中的輸入部分RFin。凸塊86和87連接到源電壓Vbb。
在半導體芯片18a的中心部分從上部向下例如以等間隔形成五個凸塊(用于捕獲的凸塊)89至93，這些凸塊89至93通常連接到在半導體芯片18a的布線層中形成的接地布線層36a。
在多個凸塊82和凸塊89至93之間以及在多個凸塊83和凸塊89至93之間形成陣列形狀的多個凸塊94。這些凸塊94用于接地(基準電位)和連接到模塊布線板17a的接地布線層(圖7)。
在此情況下，在半導體芯片18a上方從GSM側(cè)(晶體管T1和T2)傳播到DCS側(cè)(晶體管T3和T4)的諧波信號被凸塊89至93捕獲，以及在半導體芯片18a的表面上方傳播的諧波信號被接地布線層36a隔離。
圖7示出了當向下面對模塊布線板17a鍵合時圖6的半導體芯片18a的c-c′截面。
半導體芯片18a的凸塊89至93連接到在模塊布線板17a的主面上方形成的電極部分。這些電極部分經(jīng)由通孔94連接到在模塊布線板17a的背面上方形成的接地布線層。
在模塊布線板17a的主面上方形成電極部分，電極部分連接到其他凸塊82至88以及94。這些電極部分經(jīng)由通孔和在模塊布線板17a的背面上方形成的構(gòu)圖布線連接到也形成在模塊布線板17a的背面上方的電極部分。
在模塊布線板17a的背面上形成的電極部分上方形成焊劑凸塊等且通過這些焊劑凸塊將電極部分安裝在印刷電路板上方。
圖8示出了當向上面對模塊布線板17b鍵合時圖6的半導體芯片18a的c-c′截面。
半導體芯片18a的凸塊89至93連接到在模塊布線板17b的背面上方的芯片安裝部分中形成的電極部分。這些電極部分經(jīng)由通孔94a連接到在模塊布線板17b的主面上方形成的接地布線層。
在模塊布線板17b的背面上方形成電極部分，電極部分連接到凸塊82至88以及94(圖6)。這些電極部分經(jīng)由通孔和在模塊布線板17b的主面上方形成的構(gòu)圖布線連接到也形成在模塊布線板17b的主面上方的電極部分。
在模塊布線板17b的背面上方形成的電極部分中例如形成焊劑凸塊等，通過這些焊劑凸塊將電極部分安裝在印刷電路板上方。在該安裝工序中，通過例如金膏95等也將半導體芯片18a的背面安裝在印刷電路板上方。
此外，在該實施例2中，由于在半導體芯片18a的表面上和之上傳播的諧波信號被凸塊89至93以及接地布線層36a捕獲，因此可以提高RF功率模塊的交叉頻帶隔離性能。
而且，因為輸出匹配電路中不需要防止交叉頻帶隔離的電路，如PIN二極管或電容器，因此可以顯著地減小RF功率模塊的尺寸。
盡管至此已參考其具體實施例描述了通過本發(fā)明實現(xiàn)的發(fā)明，但是本發(fā)明不局限于這些實施例。在不背離其要領(lǐng)的情況下顯然可以以各種其他方式體現(xiàn)本發(fā)明。
下面簡要地描述通過在本申請中公開的本發(fā)明的大多數(shù)代表性方面的一些實現(xiàn)的優(yōu)點。
(1)可以改進用于放大不同頻帶的高頻信號的半導體芯片中的交叉頻帶隔離性能。
(2)此外，由于輸出匹配電路不需阻止交叉頻帶隔離的外部電路，因此可以顯著地減小半導體集成電路器件和高頻功率放大器模塊的尺寸。
權(quán)利要求
1.一種高頻功率放大器模塊，包括在半導體芯片上方形成的、用于放大兩個不同頻帶的高頻信號的第一和第二功率放大器部分；用于匹配待進入所述第一和第二功率放大器部分的信號的阻抗的輸入匹配電路；用于匹配待從所述第一和第二功率放大器部分提供的信號的阻抗的輸出匹配電路；以及用于在其上方安裝所述半導體芯片、所述輸入匹配電路以及所述輸出匹配電路的模塊布線板，其中，在所述半導體芯片的主表面上方的所述第一功率放大器部分和所述第二功率放大器部分之間形成基準電位區(qū)，以及其中，所述基準電位區(qū)通過通孔連接到遍布所述半導體芯片的背面設(shè)置的基準電位層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的高頻功率放大器模塊，其中，在所述半導體芯片的所述主表面上方形成的基準電位區(qū)中形成用于俘獲的多個凸塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的高頻功率放大器模塊，其中用于俘獲的鍵合引線連接到在所述半導體芯片的所述主表面上方形成的所述基準電位區(qū)，以及其中，所述基準電位區(qū)經(jīng)由用于俘獲的所述鍵合引線連接到在所述模塊布線板上方形成的基準電位布線層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的高頻功率放大器模塊，其中鄰近所述第一功率放大器部分設(shè)置的末級的晶體管放置用于俘獲的所述鍵合引線，所述第一功率放大器部分用于放大兩個不同頻帶的低頻帶的高頻信號。
5.一種半導體集成電路器件，具有用于放大兩個不同頻帶的高頻信號的第一和第二功率放大器部分，所述半導體集成電路器件包括在半導體芯片的主表面上方的所述第一功率放大器部分和所述第二功率放大器部分之間布置的基準電位區(qū)，其中，所述基準電位區(qū)通過通孔連接到遍布所述半導體芯片的背面形成的基準電位層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導體集成電路器件，其中在所述半導體芯片的所述主表面上方形成的基準電位區(qū)中形成用于俘獲的多個凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的半導體集成電路器件，其中，用于俘獲的鍵合引線連接到在所述半導體芯片的所述主表面上方形成的基準電位區(qū)，以及其中，所述基準電位區(qū)經(jīng)由用于俘獲的所述鍵合引線連接到在所述模塊布線板上方形成的基準電位布線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導體集成電路器件，其中，鄰近所述第一功率放大器部分中設(shè)置的末級的晶體管放置用于俘獲的所述鍵合引線，所述第一功率放大器部分用于放大兩個不同頻帶的低頻帶的高頻信號。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻功率放大器模塊和半導體集成電路器件，其顯著地提高交叉頻帶隔離性能而不使用任何濾波電路。在RF電源模塊中設(shè)置的半導體芯片的中心部分中從上部向下形成接地線層。該接地線層形成在用于放大不同頻帶的GSM側(cè)晶體管和DCS側(cè)晶體管之間的邊界上。在接地布線層上以相等的間隔形成芯片電極，且芯片電極的任意一個通過鍵合線連接到鍵合電極。在將安裝半導體芯片的模塊布線板上形成鍵合電極，且接地布線層連接到鍵合電極。通過接地布線層和鍵合引線俘獲諧波信號。
文檔編號H03F3/60GK1577853SQ20041005943
公開日2005年2月9日 申請日期2004年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月9日
發(fā)明者今井俊, 佐佐木聰, 中澤克也, 安達徹朗 申請人:株式會社瑞薩科技, 日立超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)株式會社