高電壓抑制方法及裝置的制造方法
【專利摘要】一種高電壓抑制裝置，與一發(fā)電機(jī)的一組三相線圈電性連接，該裝置包括：三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端互相電性連接，且其第二端是分別與該三相線圈的各相線圈電性連接；三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端互相電性連接；一控制電路用以輸出PwM信號(hào)予所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc截止，以分?jǐn)偱c吸收突涌電壓所產(chǎn)生的能量。
【專利說(shuō)明】
高電壓抑制方法及裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是與高電壓抑制裝置有關(guān)；特別是指一種適用于行動(dòng)載具的發(fā)電機(jī)高電壓抑制方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，行動(dòng)載具的發(fā)電機(jī)輸出電流有越來(lái)越大的趨勢(shì)，傳統(tǒng)上的P-N接面二極管的整流器，已無(wú)法負(fù)荷如此的電流強(qiáng)度。
[0003]目前，由于金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)除了有可快速開(kāi)/關(guān)的特性之夕卜，更具有較低的順向偏壓，因此可大幅減少熱能的產(chǎn)生。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)通電阻Rds(on)為Im Ω的MOSFET流過(guò)100A的電流時(shí)，其壓降僅有0.1V，相較于傳統(tǒng)上的二極管會(huì)有1.0V的壓降來(lái)看，光是熱能的產(chǎn)生就降低了 90%。因此，使用MOSFET整流器的發(fā)電機(jī)除了有熱消耗較低而有省能源的優(yōu)點(diǎn)之外，更可縮減發(fā)電機(jī)內(nèi)部的散熱元件的配置，使發(fā)電機(jī)的重量減輕，讓行動(dòng)載具更加省油。
[0004]然而，當(dāng)發(fā)電機(jī)應(yīng)用于配備有啟停系統(tǒng)(Start-stop system)的微混(MircoHybrid)動(dòng)力車時(shí)，通常會(huì)面臨負(fù)載突降(Load Dump)狀況而產(chǎn)生突涌電壓(SurgeVoltage)，此時(shí)，如何將突涌電壓有效地吸收，防止電子裝置受突涌電壓的沖擊而損壞，為當(dāng)前的一大課題。
[0005]傳統(tǒng)上以MOSFET整流器抑制突涌電壓的做法為，當(dāng)突涌電壓發(fā)生時(shí)，立即停止發(fā)電，并導(dǎo)通多個(gè)MOSFET以將突涌電壓的能量轉(zhuǎn)換為熱能的形式消耗。然而，由于突涌電壓的高電壓與高能量特性，將會(huì)于MOSFET流過(guò)極大的電流，即使欲通過(guò)導(dǎo)通多個(gè)MOSFET以使電流分流，但實(shí)際上，電流及熱量都將集中在某一相的單一 MOSFET中，而無(wú)法有效地平均分?jǐn)偛⑽胀挥侩妷旱哪芰?。因此，必須要采用大功率、大尺寸的芯片與熱容量大的材料與結(jié)構(gòu)來(lái)制作散熱片來(lái)作為傳統(tǒng)上的解決方案。但此一方法不但效果不彰，在此設(shè)計(jì)下的MOSFET的成本也相對(duì)的較高而不符經(jīng)濟(jì)效益。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種高電壓抑制方法及裝置，可有效地平均分?jǐn)偛⑽胀挥侩妷核鶐?lái)的高熱能，而達(dá)到抑制高壓的目的。
[0007]緣以達(dá)成上述目的，本發(fā)明所提供的高電壓抑制裝置是與一發(fā)電機(jī)的一組三相線圈電性連接，該高電壓抑制裝置包括三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及一控制電路。所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別具有一第一端以及一第二端，各該上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端互相電性連接，且其第二端是分別與該三相線圈的各相線圈電性連接；所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端互相電性連接；該控制電路與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電性連接，該控制電路用以分別輸出一 PWKPulse WidthModulat1n)信號(hào)予所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc關(guān)閉。
[0008]本發(fā)明再提供一種高電壓抑制裝置，是與一發(fā)電機(jī)的一組三相線圈電性連接，該高電壓抑制裝置包括三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及至少三個(gè)反向崩潰(reverse breakdown)效應(yīng)的二極管。所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別具有一第一端以及一第二端，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端互相電性連接，且其第二端是分別與該三相線圈的各相線圈電性連接；所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別具有一第一端以及一第二端，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端互相電性連接；所述二極管分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)、或是分別地與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)；其中，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別地由金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)所構(gòu)成。
[0009]本發(fā)明另提供一種適用于上述高電壓抑制裝置的高電壓抑制方法，其步驟包含有:A、偵測(cè)該三相線圈所輸出的電壓或該負(fù)載所接收的電壓是否超過(guò)該默認(rèn)值，若是，則執(zhí)行下述的步驟；若否，則重新執(zhí)行步驟A ;B、關(guān)閉該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以停止發(fā)電；C、該控制電路輸出該P(yáng)WM信號(hào)予各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ā?br>[0010]本發(fā)明的效果在于利用PWM信號(hào)控制各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的時(shí)序，以有效地分?jǐn)偱c吸收突涌電壓所產(chǎn)生的能量。
【附圖說(shuō)明】
[0011]為能更清楚地說(shuō)明本發(fā)明，以下結(jié)合較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后，其中:
[0012]圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施例高電壓抑制裝置的電路結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖2是本發(fā)明上述較佳實(shí)施例，揭示其中兩相線圈導(dǎo)通時(shí)的電流路徑。
[0014]圖3是本發(fā)明上述較佳實(shí)施例，揭示其中兩相線圈導(dǎo)通時(shí)的電流路徑。
[0015]圖4是本發(fā)明上述較佳實(shí)施例的PffM信號(hào)的波形時(shí)序圖。
[0016]圖5是本發(fā)明上述較佳實(shí)施例額外增加三個(gè)二極管分別與上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)。
[0017]圖6是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例，揭露整流電路僅使用上臂與下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。
[0018]圖7是本發(fā)明上述較佳實(shí)施例的PffM信號(hào)的波形時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]請(qǐng)參圖1所示，本發(fā)明一較佳實(shí)施例的高電壓抑制裝置，電性連接于發(fā)電機(jī)的一組三相線圈10以及一負(fù)載Z之間，其中于本實(shí)施例中，該負(fù)載Z為電池，特別是指行動(dòng)載具所裝置的電瓶。該高電壓抑制裝置包括有一整流電路20、一控制電路30以及一偵測(cè)電路
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[0020]該三相線圈10可為Y型接法或是Δ型接法的三相線圈，用以產(chǎn)生交流電能，例如:輸出一弦波電壓。而于本實(shí)施例中是以Y型接法的三相線圈10為例。
[0021]該整流電路20包含有三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a_22c、三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c以及三個(gè)具有反向崩潰效應(yīng)的二極管26。其中，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a_22c與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c于本實(shí)施例中是分別地由金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)所構(gòu)成；所述二極管26是選用雪崩二極管(Avalanche D1de)為例。
[0022]所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a_22c分別具有一第一端以及一第二端，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a-22c的第一端(漏極)互相電性連接，而其第二端(源極)是分別與該三相線圈10的各相線圈U、V、W電性連接。
[0023]所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a_24c，分別具有一第一端以及一第二端，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c的第一端(漏極)分別與各該上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端(源極)互相電性連接。
[0024]所述二極管26分別具有一正極以及一負(fù)極，所述二極管26的正極分別與各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c的第二端電性連接；所述二極管26的負(fù)極則分別地與所述下臂半導(dǎo)體24a-24c的第一端電性連接。該控制電路30分別與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a_22c以及所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c的柵極電性連接，該控制電路30用以控制所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a-22c關(guān)閉，并且分別輸出一脈沖寬度調(diào)變(Pulse Width Modulat1n, PffM)信號(hào)予所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c，以控制各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ɑ蚪刂埂?br>[0025]而當(dāng)三相線圈10輸出一弦波電壓，請(qǐng)參圖2所示，當(dāng)U相線圈輸出負(fù)電位而V相線圈輸出正電位時(shí)，將導(dǎo)通上臂二極管開(kāi)關(guān)22b，以及導(dǎo)通下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a，使得二極管26除了與下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24b并聯(lián)之外，更與上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a串聯(lián)；反之，當(dāng)U相線圈輸出正電位而V相線圈輸出負(fù)電位時(shí)，如圖3所示，導(dǎo)通下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24b，以及導(dǎo)通上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a，藉以，由該整流電路20將三相線圈所輸出的弦波電壓進(jìn)行全波整流，并將整流后的電能供應(yīng)予該負(fù)載Z。另外，當(dāng)由其他兩相線圈(U-W，V-W)組合輸出電能時(shí)，其原理與上述相同，因此，其輸出電能的路徑，于此不再贅述。
[0026]該偵測(cè)電路40 —側(cè)與該三相線圈10的各相線圈U、V、W電性連接，另一側(cè)與該控制電路30電性連接，該偵測(cè)電路40用以偵測(cè)該三相線圈10所輸出的弦波電壓值，當(dāng)偵測(cè)到該發(fā)電機(jī)的三相線圈10的各相線圈U、V、W的其中一相或一相以上的弦波電壓超過(guò)一默認(rèn)值時(shí)，即關(guān)閉該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以停止發(fā)電，接著，該偵測(cè)電路40則輸出一信號(hào)予該控制電路30，以控制該控制電路30輸出PffM信號(hào)。
[0027]其中，適用于上述高電壓抑制裝置的高電壓抑制方法包含有以下步驟:
[0028]A、偵測(cè)該三相線圈所輸出的電壓或該負(fù)載所接收的電壓是否超過(guò)該默認(rèn)值，若是，則執(zhí)行下述的步驟；若否，則重新執(zhí)行步驟A ;
[0029]B、關(guān)閉該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以停止發(fā)電；
[0030]C、該控制電路輸出PffM信號(hào)予各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc關(guān)閉。
[0031]舉例來(lái)說(shuō)，若該發(fā)電機(jī)的三相線圈10輸出電壓約為36V左右的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)，而其偵測(cè)負(fù)載電壓的默認(rèn)值設(shè)定為45V。當(dāng)該發(fā)電機(jī)有突涌電壓(Surge Voltage)產(chǎn)生，而該偵測(cè)電路40偵測(cè)到該三相線圈的其中一相線圈的負(fù)載電壓超過(guò)45V時(shí)，即先關(guān)閉該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以停止發(fā)電，并且控制該控制電路30輸出如圖4所示的PffM信號(hào)，其中，PffM信號(hào)S24a-S24c是分別對(duì)應(yīng)輸入予各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a_24c的柵極，以控制各該半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c依序?qū)ㄅc截止，并通過(guò)各個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a_24c將突涌電壓所產(chǎn)生的高能量吸收并消耗。值得一提的是，于一低電位時(shí)間區(qū)段Toff中，所述PffM信號(hào)S24a-S24e輸出低電位信號(hào)，而使得所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c同時(shí)處于截止區(qū)。此時(shí)，與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)24a-24c并聯(lián)的所述二極管26即導(dǎo)通，并由所述二極管26來(lái)吸收突涌電壓的能量。
[0032]而于控制電路30輸出PffM信號(hào)控制整流電路20分?jǐn)偱c吸收突涌電壓的能量時(shí)，該偵測(cè)電路40將持續(xù)偵測(cè)該三相線圈10的負(fù)載電壓是否已低于該默認(rèn)值而回到正常數(shù)值，若是，則重新啟動(dòng)該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以繼續(xù)發(fā)電，并重新持續(xù)監(jiān)測(cè)該三相線圈10所輸出的電壓；若否，則持續(xù)控制該控制電路30輸出PffM信號(hào)予整流電路20，以進(jìn)行突涌電壓抑制的動(dòng)作。
[0033]值得一提的是，針對(duì)功率較大而會(huì)產(chǎn)生更大能量的突涌電壓的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)，如輸出電壓約為48V或以上的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，可于上述實(shí)施例的整流電路20的架構(gòu)下，再于各上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)22a-22c分別并聯(lián)二極管28，以使得在低電位時(shí)間區(qū)段Toff中，讓二極管28吸收突涌電壓的能量，以增加發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的耐受度，提升高電壓抑制的效果。
[0034]除此之外，針對(duì)功率較小而突涌電壓能量較低的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)，例如輸出電壓約為24V或以下的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)，于另一實(shí)施例中，如圖6所示，可不須并聯(lián)二極管，而僅使用上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)52a-52c以及下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)54a_54c耦接而成的整流電路50，進(jìn)行高電壓的抑制。而其PWM信號(hào)的控制時(shí)序波形與前述實(shí)施例不同的地方在于，請(qǐng)配合圖7所示，PffM信號(hào)S54a-S54c分別對(duì)應(yīng)控制該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)54a_54c依序?qū)ㄅc關(guān)閉，其中，于各高電位時(shí)間區(qū)段Ton內(nèi)，具有兩個(gè)以上的下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)同時(shí)處于導(dǎo)通區(qū)，而可確保所產(chǎn)生的突涌電壓的能量，皆能有效地被抑制。
[0035]綜上所述，本發(fā)明的高電壓抑制方法及裝置，通過(guò)PffM信號(hào)可有效地控制下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通以及關(guān)閉時(shí)序，而可有效地平均分?jǐn)偼挥侩妷核a(chǎn)生的能量，因此，可承受突涌電壓的高能量沖擊，并可降低發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的熱消耗及節(jié)省能源。
[0036]以上所述僅為本發(fā)明較佳可行實(shí)施例而已，其中，控制電路可整合于電壓調(diào)整的線路或是發(fā)電機(jī)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中，而能節(jié)省電路成本；另外，上述的該偵測(cè)電路40除了耦接于三相線圈10與整流電路20之間用以偵測(cè)各相線圈的相電壓之外，亦可改為分別與整流電路20、負(fù)載Z以及控制電路30電性連接，用以偵測(cè)該負(fù)載Z所接收的電壓是否超過(guò)默認(rèn)值，同樣地可實(shí)現(xiàn)偵測(cè)是否產(chǎn)生突涌電壓的效果；此外，為因應(yīng)大能量的突涌電壓，上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可分別地由兩個(gè)以上的金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管所構(gòu)成，而可分?jǐn)偢嗟耐挥侩妷耗芰?，而不以上述?shí)施例為限。
[0037]于上述的架構(gòu)底下，于一更小功率的發(fā)電機(jī)系統(tǒng)中，亦可不需連接控制電路，不需輸出PWM信號(hào)，而僅通過(guò)至少三個(gè)反向崩潰二極管(如雪崩二極管)，分別與上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)，且分別地與下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)串聯(lián)；或是通過(guò)至少三個(gè)雪崩二極管分別與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)，且分別地與上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)串聯(lián)。是以，當(dāng)系統(tǒng)產(chǎn)生突涌電壓時(shí)，其所產(chǎn)生的高壓能量則可經(jīng)由所并聯(lián)的雪崩二極管吸收。如此一來(lái)，各上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及各下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)不需負(fù)責(zé)吸收能量，就可選用功率較小的M0SFET，因此，可降低設(shè)計(jì)的成本與整流電路的空間。而視系統(tǒng)所產(chǎn)生的突涌電壓的大小，亦可設(shè)置六個(gè)雪崩二極管分別地與上臂、下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)，同樣地可通過(guò)所并聯(lián)的雪崩二極管來(lái)吸收突涌電壓產(chǎn)生的高壓能量。
[0038]凡是應(yīng)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及申請(qǐng)專利范圍所為的等效變化，理應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高電壓抑制裝置，與一發(fā)電機(jī)的一組三相線圈電性連接，該高電壓抑制裝置包括: 三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端互相電性連接，且其第二端分別與該三相線圈的各相線圈電性連接； 三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端分別與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端互相電性連接； 一控制電路，與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電性連接，該控制電路用以輸出脈沖寬度調(diào)變信號(hào)予所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc截止。2.如權(quán)利要求1所述的高電壓抑制裝置，其中于控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc截止時(shí)，于一高電位時(shí)間區(qū)段，具有兩個(gè)以上的下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)同處于導(dǎo)通區(qū)。3.如權(quán)利要求1所述的高電壓抑制裝置，其中所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別地由金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管所構(gòu)成。4.如權(quán)利要求1或3所述的高電壓抑制裝置，還包含有三個(gè)具有反向崩潰效應(yīng)的二極管，各具有一正極以及一負(fù)極；所述二極管的正極分別與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接；所述二極管的負(fù)極則分別與各該下臂半導(dǎo)體的第一端電性連接。5.如權(quán)利要求4所述的高電壓抑制裝置，還包含有另外三個(gè)具有反向崩潰效應(yīng)的二極管，且分別具有一正極以及一負(fù)極，而其正極分別與各該上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，其負(fù)極分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端電性連接。6.如權(quán)利要求4所述的高電壓抑制裝置，其中于一低電位時(shí)間區(qū)段，脈沖寬度調(diào)變信號(hào)輸出低電位信號(hào)，而使所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)同時(shí)處于截止區(qū)，所述二極管導(dǎo)通。7.如權(quán)利要求1所述的高電壓抑制裝置，用以接收該三相線圈所輸出的一交流電能，并將該交流電能轉(zhuǎn)換后供應(yīng)予一負(fù)載；該高電壓抑制裝置還包含有一偵測(cè)電路，該偵測(cè)電路一側(cè)與該三相線圈連接或與該負(fù)載連接，另一側(cè)則與該控制電路連接，當(dāng)該偵測(cè)電路偵測(cè)到該三相線圈所輸出的電壓或該負(fù)載所接收的電壓超過(guò)一默認(rèn)值時(shí)，該偵測(cè)電路輸出一信號(hào)予該控制電路，以控制該控制電路輸出該脈沖寬度調(diào)變信號(hào)予所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc關(guān)閉。8.一種高電壓抑制裝置，是與一發(fā)電機(jī)的一組三相線圈電性連接，該高電壓抑制裝置包括: 三個(gè)上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端互相電性連接，且其第二端分別與該三相線圈的各相線圈電性連接； 三個(gè)下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，分別具有一第一端以及一第二端，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第一端分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端電性連接，且所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的第二端互相電性連接； 至少三個(gè)反向崩潰效應(yīng)的二極管，分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)、或是分別地與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)； 其中，所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別地由金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管所構(gòu)成。9.如權(quán)利要求8所述的高電壓抑制裝置，其中所述二極管分別與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)，且分別地與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)串聯(lián)。10.如權(quán)利要求8所述的高電壓抑制裝置，其中所述二極管分別與所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)，且分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)串聯(lián)。11.如權(quán)利要求8所述的高電壓抑制裝置，其中該至少三個(gè)反向崩潰效應(yīng)的二極管的數(shù)量為六個(gè)，且分別地與所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)以及所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)并聯(lián)。12.—種適用于權(quán)利要求7的高電壓抑制裝置的高電壓抑制方法，該高電壓抑制方法包含步驟如下: A、偵測(cè)該三相線圈所輸出的電壓或該負(fù)載所接收的電壓是否超過(guò)該默認(rèn)值，若是，則執(zhí)行下述的步驟；若否，則重新執(zhí)行步驟A ; B、關(guān)閉該發(fā)電機(jī)的激磁電流，以停止發(fā)電； C、該控制電路輸出該脈沖寬度調(diào)變信號(hào)予各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，以控制所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc關(guān)閉。13.如權(quán)利要求12所述的高電壓抑制方法，其中于步驟C中，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)依序?qū)ㄅc關(guān)閉時(shí)，于一高電位時(shí)間區(qū)段，具有兩個(gè)以上的下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)同處于導(dǎo)通區(qū)。14.如權(quán)利要求12所述的高電壓抑制方法，其中所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別并聯(lián)具有反向崩潰效應(yīng)的一二極管；當(dāng)該控制電路輸出予脈沖寬度調(diào)變信號(hào)信號(hào)各該下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)時(shí)，于一低電位時(shí)間區(qū)段，所述下臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)同時(shí)處于截止區(qū)，且所述二極管導(dǎo)通。15.如權(quán)利要求14所述的高電壓抑制方法，其中所述上臂半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)分別并聯(lián)具有反向崩潰效應(yīng)的另一二極管。16.如權(quán)利要求12所述的高電壓抑制方法，于步驟C之后還包含有一步驟D，偵測(cè)該三相線圈的負(fù)載電壓是否低于該默認(rèn)值，若是，則開(kāi)啟該發(fā)電機(jī)的激磁電流以繼續(xù)發(fā)電；若否，則執(zhí)行步驟C。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK105846413SQ201510014323
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日
【發(fā)明人】魏成榖
【申請(qǐng)人】車王電子(寧波)有限公司