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一種帶溫控的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器的制作方法

文檔序號(hào):7406578閱讀:285來源:國(guó)知局
專利名稱:一種帶溫控的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電氣安全保護(hù)裝置,特別是涉及一種帶溫度控制的漏電電流 動(dòng)作保護(hù)器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的帶溫控的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器利用原有的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器電路,如一 種帶傳感器的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器,包括由零序互感器LLH、斷路器ZK、放大 器、試驗(yàn)回路組成的漏電保護(hù)器,安裝在電器或設(shè)備上的至少一只傳感器與零序互感 器上的試驗(yàn)回路及電阻串接后接于供電回路上,并且在說明書中公開了安裝在插頭內(nèi) 的傳感器的兩端并聯(lián)在漏電保護(hù)插頭的試驗(yàn)按鈕兩端。這種漏電電流動(dòng)作保護(hù)器雖能 在插頭超溫時(shí)斷路,啟動(dòng)漏電保護(hù)插頭動(dòng)作,切斷工作電源,防止發(fā)生意外,但只能 在原漏電保護(hù)電路零序互感器、放大器正常的情況下才能實(shí)現(xiàn), 一旦原漏電保護(hù)電路 中的零序互感器、放大器不正常,就不能實(shí)現(xiàn)超溫保護(hù)。還有其他的帶超溫保護(hù)的漏 電插頭,由插頭和漏電保護(hù)電路組成,它是由互感器,脫扣線圈,可控硅沖擊吸收元 件,漏電保護(hù)電路組成,在漏電保護(hù)電路中設(shè)置溫度控制保護(hù)電路,溫度控制保護(hù)電 路仍利用原漏電保護(hù)電路的零序互感器、放大器原件,仍然不能克服原漏電保護(hù)電路 中的零序互感器、放大器不正常、就不能實(shí)現(xiàn)超溫保護(hù)的缺點(diǎn),而且現(xiàn)有的帶溫控的 漏電電流動(dòng)作保護(hù)器的成本也較高。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是在于克服目前帶超溫控制的漏電電流動(dòng)作器只 能利用原有漏電電流動(dòng)作保護(hù)器的原件而可靠性不高的缺點(diǎn),而提供一種帶獨(dú)立溫控 電路的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器,而且節(jié)省成本。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為一種帶溫控的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器,包括由零序電流互感器、脫扣線圈,放大 器、整流器,試驗(yàn)回路組成的漏電保護(hù)器,其特征在于電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后 的一端與漏電放大電路IC的電源連接;電阻R3或電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的另一端 與電阻R4、電容C4、 C5的一端以及二極管D6的正極連接;電阻R4、電容C5的另一端 與整流器DC的負(fù)極連接;電容C4的另一端和二極管D6的負(fù)極連接漏電保護(hù)電路內(nèi)可 控硅SCR的觸發(fā)極;漏電保護(hù)器放大電路IC的輸出端與可控硅SCR觸發(fā)極之間增加電容C2、 二極管D5,電容C2和二極D5并聯(lián),并聯(lián)后二極管D5的正極與放大電路IC的正 極連接;二極管D5的負(fù)極與可控硅SCR的觸發(fā)極連接,可控硅SCR的觸發(fā)極與整流器 DC的負(fù)極之間連接電容C3。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于-1、 改進(jìn)了超溫控制方法,通過外加的溫度控制電路,使其更加可靠安全,防止因 插頭、插座高溫而損壞插頭、插座,造成斷路或火災(zāi),從而避免發(fā)生毀壞電器或插 頭、插座高溫?zé)龎那敖拥鼐€帶電引起人身傷亡事故,確保電器、使用者和環(huán)境的安 全。2、 整個(gè)漏電電流動(dòng)作保護(hù)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低。


圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路示意圖。 圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電路示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。如圖1所示,現(xiàn)有漏電保護(hù)器由脫扣線圈ZR、零互感器LLH、 IC放大器、整流器 Dl-D4、帶電阻R2和開關(guān)SW的試驗(yàn)回路組成,本實(shí)用新型在原有漏電電流保護(hù)器上增 加漏電保護(hù)器自身超溫控制電路,電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的一端與漏電放大電路 IC的電源(電阻R1、電解電容C1正極與IC電源的連接點(diǎn))連接;電阻R3和熱敏電阻R 串聯(lián)后的另一端與電阻R4、電容C4、 C5的一端以及二極管D6的正極連接;電阻R4、 電容C5的另一端與整流器DC的負(fù)極連接;電容C4的另一端和二極管D6的負(fù)極連接漏 電保護(hù)電路內(nèi)可控硅SCR的觸發(fā)極;漏電保護(hù)器放大電路IC的輸出端與可控硅SCR觸 發(fā)極之間增加電容C2、 二極管D5,電容C2和二極D5并聯(lián),并聯(lián)后二極管D5的正極與 放大電路IC的正極連接;二極管D5的負(fù)極與可控硅SCR的觸發(fā)極連接,可控硅SCR的 觸發(fā)極與整流器DC的負(fù)極之間連接電容C3。上述熱敏電阻R安裝在漏電保護(hù)插頭內(nèi)火線L和零線N極的插腳之間。 當(dāng)漏電保護(hù)插頭的負(fù)載功率很大時(shí),若漏電保護(hù)插頭的火線L插腳或零線N插腳與 電源插座的火線L極或零線N極接觸不良,此時(shí)火線L^或零線N極會(huì)迅速發(fā)熱而導(dǎo)致溫 度急劇升高,安裝在漏電保護(hù)插頭內(nèi)火線L和零線N極的插腳之間的熱敏電阻R溫度也 隨之升高,使熱敏電PflR的電阻值迅速變小(熱敏電阻為負(fù)溫度系數(shù)),放大器IC的電 源電壓經(jīng)電阻R3和熱敏電阻R與電阻R4的分壓后的電壓也隨著熱敏電阻R的電阻值變 小而升高,分壓后的電壓經(jīng)二極管D6到達(dá)可控硅SCR的觸發(fā)極,當(dāng)可控硅SCR觸發(fā)極 的電壓升高至其觸發(fā)電壓值時(shí),可控硅SCR被觸發(fā)導(dǎo)通,漏電保護(hù)器跳閘斷電,從而保證漏電保護(hù)器的插腳不會(huì)因溫度過高而損壞。上述二極管D5、 D6的作用是控制漏電保護(hù)器集成電路IC的輸出電壓和超溫保護(hù)電 路的輸出電壓之間不相互倒輸,從而避免影響觸發(fā)電壓;電容C2、 C3、 C4、 C5的作 用是提高產(chǎn)品抗干擾能力,使產(chǎn)品的穩(wěn)定性得到有效保障。如果實(shí)際情況發(fā)生變化,熱敏元件R接入二極管D6的位置可變化,如圖2所示。
權(quán)利要求1、帶溫控的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器,包括由零序電流互感器、脫扣線圈,放大器、整流器,試驗(yàn)回路組成的漏電保護(hù)器,其特征在于電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的一端與漏電放大電路IC的電源連接;電阻R3或電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的另一端與電阻R4、電容C4、C5的一端以及二極管D6的正極連接;電阻R4、電容C5的另一端與整流器DC的負(fù)極連接;電容C4的另一端和二極管D6的負(fù)極連接漏電保護(hù)電路內(nèi)可控硅SCR的觸發(fā)極;漏電保護(hù)器放大電路IC的輸出端與可控硅SCR觸發(fā)極之間增加電容C2、二極管D5,電容C2和二極D5并聯(lián),并聯(lián)后二極管D5的正極與放大電路IC的正極連接;二極管D5的負(fù)極與可控硅SCR的觸發(fā)極連接,可控硅SCR的觸發(fā)極與整流器DC的負(fù)極之間連接電容C3。
專利摘要一種帶溫度控制的漏電電流動(dòng)作保護(hù)器,包括由零序電流互感器、脫扣線圈,放大器、整流器,試驗(yàn)回路組成的漏電保護(hù)器,電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的一端與漏電放大電路IC的電源連接,電阻R3或電阻R3和熱敏電阻R串聯(lián)后的另一端與電阻R4、一端以及二極管D6的正極連接;電阻R4、電容C5的另一端與整流器DC的負(fù)極連接;電容C4的另一端和二極管D6的負(fù)極連接漏電保護(hù)電路內(nèi)可控硅SCR的觸發(fā)極;電容C2和二極D5并聯(lián),并聯(lián)后二極管D5的正極與放大電路IC的正極連接;二極管D5的負(fù)極與可控硅SCR的觸發(fā)極連接,可控硅SCR的觸發(fā)極與整流器DC的負(fù)極之間連接電容C3。其優(yōu)點(diǎn)在于安全性好,結(jié)構(gòu)合理,成本低。
文檔編號(hào)H02H5/00GK201222644SQ200820120350
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日
發(fā)明者錢加燦 申請(qǐng)人:錢加燦
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