一種倒裝組件結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利說(shuō)明】
[0001 ] 技術(shù)領(lǐng)域：
[0002]本實(shí)用新型屬于倒裝元件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種倒裝組件結(jié)構(gòu)。
[0003]【背景技術(shù)】：
[0004]在倒裝芯片封裝中，常使用的是傳統(tǒng)的金錫合金封裝工藝，一般先將金錫合金預(yù)成型片放置于需要封裝的區(qū)域，然后在金錫預(yù)成型片上放置元件，最后加熱到280?320°C之間使金錫合金預(yù)成型片熔化，當(dāng)溫度降到熔點(diǎn)以下（如室溫)便完成封裝過程。使用金錫預(yù)成型片進(jìn)行封裝，容易出現(xiàn)空洞、浮高現(xiàn)象，成本較高且不容易匹配物料。
[0005]【實(shí)用新型內(nèi)容】：
[0006]針對(duì)上述問題，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種倒裝組件結(jié)構(gòu)。
[0007]本實(shí)用新型的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，包括基板支架、固晶錫膏和倒裝芯片，所述基板支架上部左右兩側(cè)設(shè)有基板功能區(qū)，左側(cè)為負(fù)極功能區(qū)，右側(cè)為正極功能區(qū)，所述基板支架上部中央位置為基板固晶區(qū)，所述基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)均相交，所述固晶錫膏點(diǎn)涂于基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)相交處表面形成錫膏層，所述倒裝芯片上設(shè)有P型電極和N型電極，所述倒裝芯片放于基板固晶區(qū)上，P型電極和N型電極分別與錫膏層粘接。
[0008]優(yōu)選的，所述基板支架為EMC支架。
[0009]優(yōu)選的，所述倒裝芯片為L(zhǎng)ED芯片。
[0010]優(yōu)選的，所述負(fù)極功能區(qū)外側(cè)設(shè)有一缺口。
[0011]優(yōu)選的，所述基板支架上部還設(shè)有防焊層，所述防焊層設(shè)于基板功能區(qū)外圍。
[0012]優(yōu)選的，所述基板支架側(cè)面還設(shè)有若干個(gè)pin外部電連接件。
[0013]本實(shí)用新型有益效果:增加錫膏與基板接觸面積，減少熱阻，提高錫膏與基板支架面的結(jié)合度，有利于減少空洞、浮高現(xiàn)象，使用錫膏此可取代金錫共晶制程，減少成本，更容易匹配物料;無(wú)金線，節(jié)省金線材料成本，節(jié)省設(shè)備投資成本，人工成本;有利于集成COB光源制作，單獨(dú)組件不亮不會(huì)影響整體;散熱面積大，熱阻低有良好的散熱功能;導(dǎo)熱速度快，倒裝芯片的熱電屬于同一通路，熱量更快從芯片內(nèi)部導(dǎo)出；電流分布更加均勻，有利于有源層面發(fā)光亮度提高，避免局部電流過大;適合熒光粉噴涂工藝，獲得更短距離的二次進(jìn)場(chǎng)激發(fā)和更少的能量散射，獲得更好的光色離散性分布。
[0014]【附圖說(shuō)明】：
[0015]為了易于說(shuō)明，本實(shí)用新型由下述的具體實(shí)施及附圖作以詳細(xì)描述。
[0016]圖I是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是倒裝芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖中：I-基板固晶區(qū)；2_正極功能區(qū)；3_負(fù)極功能區(qū)；4_固晶錫霄;5_防焊層;6-pin外部電連接件;7-倒裝芯片;8-P型電極;9-N型電極;I O-錫膏層。
[0019]【具體實(shí)施方式】：
[0020]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面通過附圖中示出的具體實(shí)施例來(lái)描述本實(shí)用新型。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本實(shí)用新型的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本實(shí)用新型的概念。
[0021]如圖1-2所示，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，包括基板支架、固晶錫霄4和倒裝芯片7，基板支架上部左右兩側(cè)設(shè)有基板功能區(qū)，左側(cè)為負(fù)極功能區(qū)3，右側(cè)為正極功能區(qū)2，基板支架上部中央位置為基板固晶區(qū)I，基板固晶區(qū)I與正、負(fù)極功能區(qū)均相交，固晶錫膏4點(diǎn)涂于基板固晶區(qū)I與正、負(fù)極功能區(qū)相交處表面形成錫膏層10，倒裝芯片7上設(shè)有P型電極8和N型電極9，倒裝芯片7放于基板固晶區(qū)I上，P型電極8和N型電極9分別與錫膏層10粘接。
[0022]具體地，基板支架為EMC支架，倒裝芯片7為L(zhǎng)ED芯片；負(fù)極功能區(qū)3外側(cè)設(shè)有一缺口，基板支架面上還包括有防焊層5，所述防焊層5設(shè)于基板功能區(qū)外圍；基板支架側(cè)面還設(shè)有若干個(gè)P in外部電連接件6。
[0023]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括基板支架、固晶錫膏和倒裝芯片，所述基板支架上部左右兩側(cè)設(shè)有基板功能區(qū)，左側(cè)為負(fù)極功能區(qū)，右側(cè)為正極功能區(qū)，所述基板支架上部中央位置為基板固晶區(qū)，所述基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)均相交，所述固晶錫膏點(diǎn)涂于基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)相交處表面形成錫膏層，所述倒裝芯片上設(shè)有P型電極和N型電極，所述倒裝芯片放于基板固晶區(qū)上，P型電極和N型電極分別與錫膏層粘接。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板支架為EMC支架。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述倒裝芯片為L(zhǎng)ED芯片。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述負(fù)極功能區(qū)外側(cè)設(shè)有一缺口。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板支架上部還設(shè)有防焊層，所述防焊層設(shè)于基板功能區(qū)外圍。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板支架側(cè)面還設(shè)有若干個(gè)pin外部電連接件。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種倒裝組件結(jié)構(gòu)，包括基板支架、固晶錫膏和倒裝芯片，所述基板支架上部左右兩側(cè)設(shè)有基板功能區(qū)，所述基板支架上部中央位置為基板固晶區(qū)，所述基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)均相交，所述固晶錫膏點(diǎn)涂于基板固晶區(qū)與正、負(fù)極功能區(qū)相交處表面形成錫膏層，所述倒裝芯片放于基板固晶區(qū)上，倒裝芯片P型電極和N型電極分別與錫膏層粘接，本實(shí)用新型使用錫膏此可取代金錫共晶制程，減少成本，提高錫膏與基板支架面的結(jié)合度，減少熱阻。
【IPC分類】H01L23/31
【公開號(hào)】CN205159305
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521008318
【發(fā)明人】李海龍
【申請(qǐng)人】揚(yáng)州艾笛森光電有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年12月8日