整流器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子器件領(lǐng)域，特別是涉及一種整流器件。
【背景技術(shù)】
[0002]肖特基勢(shì)皇二極管，其特點(diǎn)如下:反向恢復(fù)時(shí)間小到可以忽略不計(jì)，正向壓降小(VF值均分布在IV以?xún)?nèi))，電流大(正向不重復(fù)峰值電流IFSM可達(dá)500A)，因具備上述特點(diǎn)現(xiàn)被廣泛應(yīng)用于PC電源及伺配器。
[0003]目前市場(chǎng)上用于開(kāi)關(guān)電源上的整流器件，大部分為肖特基勢(shì)皇二極管，其封裝形式為T(mén)0-220，在封裝時(shí)內(nèi)部芯片為兩粒單切芯片復(fù)合為共陰極對(duì)管。以16S45芯片為例，其單粒芯片面積為1.83*1.83 = 3.3489 (單位為毫米)，芯片總面積為6.6978平方毫米，成品測(cè)試VF08A值分布較離散，其值分布在0.52?0.57V之間，VFM值分布在O?45mV之間。因此于客戶(hù)端使用時(shí)，則會(huì)發(fā)生因器件兩邊VF值較離散，VF值較大的一邊會(huì)造成功耗大、溫升偏高，器件損壞比率偏高。而且，在粘片作業(yè)時(shí)，邦頭需要兩次動(dòng)作才能完成作業(yè)，生產(chǎn)效率較為低下。兩粒單切芯片，面積較大也導(dǎo)致成本過(guò)高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]基于此，有必要提供一種整流器件，該整流器件能夠解決器件損壞比率偏高、生產(chǎn)效率較為低下和成本過(guò)高中至少一種的缺點(diǎn)。
[0005]—種整流器件，包括載片、第一芯片、第二芯片、第一連接線(xiàn)、第二連接線(xiàn)、第一引腳、第二引腳和第三引腳；
[0006]所述第一芯片和第二芯片為晶圓片上相鄰的兩個(gè)芯片，所述第一芯片和第二芯片貼合在所述載片上并均與所述載片形成電性連接；所述第一芯片通過(guò)所述第一連接線(xiàn)與所述第一引腳電連接，所述第二芯片通過(guò)所述第二連接線(xiàn)與所述第二引腳電連接，所述載片與所述第三引腳電連接。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一芯片和第二芯片均為肖特基勢(shì)皇二極管，所述第一芯片的陰極和第二芯片的陰極均與所述載片電連接，所述第一芯片的陽(yáng)極與所述第一引腳電連接，所述第二芯片的陽(yáng)極與所述第二引腳電連接。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一連接線(xiàn)和第二連接線(xiàn)的材料包括金屬或金屬合金。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬或金屬合金包括硅、鋁、銅、金和銀中的至少一種。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一連接線(xiàn)和第二連接線(xiàn)的材料為鋁或硅鋁合金。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均經(jīng)過(guò)電鍍處理。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均鍍錫處理。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳的表面均鍍上厚6微米以上的錫。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述整流器件還包括封裝外殼，所述封裝外殼封裝所述載片、第一芯片、第二芯片、第一連接線(xiàn)和第二連接線(xiàn)。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝外殼的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂。
[0016]上述整流器件，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片為晶圓片上相鄰的兩粒芯片(連體芯片)，相鄰位置的兩粒芯片電學(xué)參數(shù)差異往往很小。相對(duì)于傳統(tǒng)的整流器件而言，上述整流器件的兩粒芯片的VF值相差不大更為集中，不會(huì)出現(xiàn)VF值較大的一邊功耗大、溫升偏高的現(xiàn)象，有效提高產(chǎn)品可靠性，使得器件損壞比率降低。
[0017]由于第一芯片和第二芯片形成一體貼合在載片，因此在粘片作業(yè)時(shí)邦頭只用一次動(dòng)作便可完成作業(yè)，相對(duì)于傳統(tǒng)的整流器件而言提高了生產(chǎn)效率。而且，由于第一芯片和第二芯片形成一體，體積相對(duì)于兩粒單切芯片的總面積來(lái)說(shuō)要小，而芯片單價(jià)均依芯片面積大小訂定，芯片面積小則單價(jià)相對(duì)較低，因而可以降低產(chǎn)品成本。
【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例的附圖。
[0019]圖1為一個(gè)實(shí)施例的整流器件示意圖；
[0020]圖2為貼合于載片上的第一芯片和第二芯片的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0022]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0023]在晶圓片的不同位置，其材料特性有所差異，由此會(huì)造成同一晶圓片不同位置的芯片，其電參數(shù)特性也有所差異，非相鄰位置的芯片電學(xué)參數(shù)差異往往比較大，而同一批不同晶圓片之間存在差異性則更明顯。而在封裝過(guò)程中不可能避免換行或者更換晶圓片，也就是不能有效保證每一個(gè)整流器件中的兩粒芯片為同一晶圓片相鄰的兩芯片。不相鄰的兩芯片本身VF值存在差異性，經(jīng)封裝后器件兩邊VF值離散性較高，VFM差值得不到有效控制。于客戶(hù)端使用時(shí)，則會(huì)發(fā)生因兩邊VF值差值較大，瞬間電流亦存在較大差異性，即VF值較大一邊瞬間電流大、功耗較大、溫升偏高，繼而出現(xiàn)器件損壞。
[0024]目前市場(chǎng)上用于功率200W開(kāi)關(guān)電源上的整流器件(例如整流二極管16S45)，因芯片面積大以及粘片效率低而造成生產(chǎn)成本偏高。(a).單芯片面積=1.83*1.83 =3.3489(單位為毫米)，共陰對(duì)管芯片面積6.696平方毫米。(b).粘片作業(yè)時(shí)生產(chǎn)效率低，完成一只整流器件時(shí)邦頭要兩次動(dòng)作。
[0025]因此，如果整流器件中的兩粒芯片為同一晶圓片相鄰的連體芯片(連體芯片復(fù)合共陰/共陽(yáng)極對(duì)管)，則上述問(wèn)題便會(huì)得到解決。
[0026]圖1為一個(gè)實(shí)施例的整流器件示意圖。
[0027]—種整流器件，包括載片100、第一芯片200、第二芯片300、第一連接線(xiàn)400、第二連接線(xiàn)500、第一引腳600、第二引腳700和第三引腳800。
[0028]載片100主要起到的是承載作用，承載第一芯片200和第二芯片300。載片100可以理解是在晶圓片切下第一芯片200和第二芯片300兩個(gè)芯片(連體芯片)時(shí)所附帶的部分晶圓片，也可以理解是額外增加的承載片。載片100還起到電連接作用，因而載片100應(yīng)該具備可導(dǎo)性。圖2為貼合于載片上的第一芯片和第二芯片的示意圖。
[0029]第一芯片200和第二芯片300為晶圓片上相鄰的兩個(gè)芯片(連體芯片)，第一芯片200和第二芯片300貼合在載片100上并均與載片100形成電性連接。第一芯片200通過(guò)第一連接線(xiàn)400與第一引腳600電連接，第二芯片300通過(guò)第二連接線(xiàn)500與第二引腳700電連接，載片100與第三引腳800電連接。
[0030]第一芯片200和第二芯片300均可以為肖特基勢(shì)皇二極管，第一芯片200的陰極和第二芯片300的陰極均與載片1000電連接，第一芯片200的陽(yáng)極與第一引腳600電連接，第二芯片300的陽(yáng)極與第二引腳700電連接，即連體芯片復(fù)合對(duì)管且共陰極(共陰對(duì)管)。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，還可以是第一芯片200的陽(yáng)極和第二芯片300的陽(yáng)極均與載片1000電連接，第一芯片200的陰極與第一引腳600電連接，第二芯片300的陰極與第二引腳700電連接，即共陽(yáng)對(duì)管。
[0031]第一芯片200和第二芯片300為晶圓片上相鄰的連體芯片，保證器件兩芯片VF值一致性，不會(huì)出現(xiàn)因器件兩邊VF值差異性大而造成功耗較大、溫升偏高，可有效地提高產(chǎn)品可靠性。以16S45芯