一種單面受光hit太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單面受光HIT太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，市場迫切需求一種工藝流程簡單、光電轉(zhuǎn)化效率高的太陽能電池產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)來降低光伏發(fā)電成本，使光伏發(fā)電成本達到與市電同價或低于市電價格的目標。當前市場上傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池隨著技術(shù)的進步，在轉(zhuǎn)換效率提升和成本降低方面都取得了較大的進步，但受其自身材料和結(jié)構(gòu)特征的影響，電池轉(zhuǎn)換效率提升和成本降低方面面臨一個瓶頸。目前，在光伏業(yè)內(nèi)已經(jīng)提出了多種電池結(jié)構(gòu)解決方案，包括選擇性發(fā)射極太陽能電池、背接觸式太陽能電池技術(shù)、異質(zhì)結(jié)(HIT)太陽能電池技術(shù)等。同時，新技術(shù)，如激光技術(shù)、LIP技術(shù)、光刻技術(shù)等的出現(xiàn)為太陽能電池進一步轉(zhuǎn)換效率提升和成本降低提供了可能性。
[0003]在目前的高效太陽能電池領(lǐng)域中，日本三洋公司研發(fā)的HIT電池以其高效和高穩(wěn)定性一直成為太陽能電池研宄領(lǐng)域研宄和發(fā)展的熱點。傳統(tǒng)的日本三洋公司研發(fā)的雙面受光HIT太陽能電池盡管轉(zhuǎn)換效率高，但是其背面電極采用ITO透明導(dǎo)電膜加金屬柵線電極，導(dǎo)致電池工藝流程復(fù)雜、制造成本高。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有HIT太陽能電池技術(shù)中存在的問題，提供一種單面受光HIT太陽能電池，其生產(chǎn)工藝流程簡單、制造成本低。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案:
[0006]一種單面受光HIT太陽能電池，其包括:
[0007]N型單晶硅片；
[0008]設(shè)在N型單晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅鈍化層；
[0009]設(shè)在N型單晶硅片受光面本征非晶硅鈍化層上的P型摻雜非晶硅層；
[0010]設(shè)在N型單晶硅片背光面本征非晶硅鈍化層上的N型摻雜非晶硅層；
[0011]設(shè)在P型摻雜非晶硅層上的ITO透明導(dǎo)電膜層；
[0012]設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層的金屬柵線電極；
[0013]設(shè)在N型摻雜非晶硅層上的AZO透明導(dǎo)電膜層；
[0014]設(shè)在AZO透明導(dǎo)電膜層上的金屬復(fù)合電極。
[0015]優(yōu)選的，所述本征非晶娃鈍化層的厚度為Inm?1nm0
[0016]優(yōu)選的，所述P型摻雜非晶娃層的厚度為Inm?20nm。
[0017]優(yōu)選的，所述N型摻雜非晶娃層的厚度為Inm?20nm。
[0018]優(yōu)選的，所述ITO透明導(dǎo)電膜層和AZO透明導(dǎo)電膜層的厚度分別為1nm?200nmo
[0019]優(yōu)選的，所述金屬柵線電極為印刷或電鍍的Cu柵線電極。
[0020]優(yōu)選的，所述金屬復(fù)合電極為Al/Ni復(fù)合電極。
[0021]本實用新型采用以上設(shè)計方案，其與現(xiàn)有工藝相比，單面受光的HIT電池在背光面采用磁控濺射方法連續(xù)沉積AZO透明導(dǎo)電膜和金屬復(fù)合電極，金屬復(fù)合電極覆蓋在AZO透明導(dǎo)電膜整個面上，降低了電池背光面電極的接觸電阻，提升了電池的填充因子，同時，工藝流程簡化也提高了生產(chǎn)效率，降低了制造成本。
【附圖說明】
[0022]圖1為本實用新型一種單面受光HIT太陽能電池示意圖。
【具體實施方式】
[0023]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0024]如圖1所述，本實用新型公開了一種單面受光HIT太陽能電池，其包括:
[0025]N型單晶硅片I ;
[0026]設(shè)在N型單晶硅片I受光面和背光面的本征非晶硅鈍化層2 ；
[0027]設(shè)在N型單晶硅片I受光面本征非晶硅鈍化層上的P型摻雜非晶硅層3 ；
[0028]設(shè)在N型單晶硅片I背光面本征非晶硅鈍化層上的N型摻雜非晶硅層4 ；
[0029]設(shè)在P型摻雜非晶硅層3上的ITO透明導(dǎo)電膜層5 ；
[0030]設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層5的金屬柵線電極6 ；
[0031]設(shè)在N型摻雜非晶硅層4上的AZO透明導(dǎo)電膜層7 ；
[0032]設(shè)在AZO透明導(dǎo)電膜層7上的金屬復(fù)合電極8。
[0033]其中，所述本征非晶硅鈍化層2的厚度為Inm?10nm，所述P型摻雜非晶硅層3的厚度為Inm?20nm，所述N型摻雜非晶娃層4的厚度為Inm?20nm，所述ITO透明導(dǎo)電膜層5和AZO透明導(dǎo)電膜層7的厚度分別為10nm-200nm，所述金屬柵線電極6為印刷或電鍍的Cu柵線電極，所述金屬復(fù)合電極8為Al電極81和Ni電極82形成的Al/Ni復(fù)合電極。
[0034]本實用新型所述的單面受光HIT太陽能電池的具體制作過程可以如下:
[0035]步驟1:先在N型單晶硅片的的受光面和背光面上分別通過PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)沉積一層本征非晶硅膜層(1-a-Si:H);
[0036]步驟2:在N型單晶硅片受光面本征非晶硅鈍化層上通過PECVD法沉積P型摻雜非晶娃層(P-a-Si:H)；
[0037]步驟3:在N型單晶硅片背光面本征非晶硅鈍化層上通過PECVD法沉積N型摻雜非晶娃層(N_a_Si:H)；
[0038]步驟4:在P型摻雜非晶硅膜層(P-a-Si:H)上通過PVD (物理氣相沉積)磁控濺射一層10nm厚的ITO透明導(dǎo)電膜。
[0039]步驟5:在N型摻雜非晶硅膜層(P-a-Si:H)上通過PVD依序磁控濺射10nm厚的AZO透明導(dǎo)電膜，以及Al/Ni金屬復(fù)合電極層。
[0040]步驟6:在ITO透明導(dǎo)電膜上采用絲網(wǎng)印刷或電鍍金屬柵線電極。
[0041]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種單面受光HIT太陽能電池，其特征在于，包括: N型單晶娃片； 設(shè)在N型單晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅鈍化層； 設(shè)在N型單晶硅片受光面本征非晶硅鈍化層上的P型摻雜非晶硅層； 設(shè)在N型單晶硅片背光面本征非晶硅鈍化層上的N型摻雜非晶硅層； 設(shè)在P型摻雜非晶硅層上的ITO透明導(dǎo)電膜層； 設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層的金屬柵線電極； 設(shè)在N型摻雜非晶硅層上的AZO透明導(dǎo)電膜層； 設(shè)在AZO透明導(dǎo)電膜層上的金屬復(fù)合電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述本征非晶硅鈍化層的厚度為Inm?1nm0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述P型摻雜非晶娃層的厚度為Inm?20nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述N型摻雜非晶娃層的厚度為Inm?20nmo
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述ITO透明導(dǎo)電膜層和AZO透明導(dǎo)電膜層的厚度分別為1nm?200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述金屬柵線電極為印刷或電鍍的Cu柵線電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單面受光HIT太陽能電池，其特征在于:所述金屬復(fù)合電極為Al/Ni復(fù)合電極。
【專利摘要】本實用新型公開了一種單面受光HIT太陽能電池，其包括：N型單晶硅片；設(shè)在N型單晶硅片受光面和背光面的本征非晶硅鈍化層；設(shè)在N型單晶硅片受光面本征非晶硅鈍化層上的P型摻雜非晶硅層；設(shè)在N型單晶硅片背光面本征非晶硅鈍化層上的N型摻雜非晶硅層；設(shè)在P型摻雜非晶硅層上的ITO透明導(dǎo)電膜層；設(shè)在ITO透明導(dǎo)電膜層的金屬柵線電極；設(shè)在N型摻雜非晶硅層上的AZO透明導(dǎo)電膜層；設(shè)在AZO透明導(dǎo)電膜層上的金屬復(fù)合電極。本實用新型降低了電池背光面電極的接觸電阻，提升了電池的填充因子，同時，工藝流程簡化也提高了生產(chǎn)效率，降低了制造成本。
【IPC分類】H01L31-0224, H01L31-04
【公開號】CN204332973
【申請?zhí)枴緾N201420719497
【發(fā)明人】楊與勝, 葛洪, 張超華
【申請人】泉州市博泰半導(dǎo)體科技有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2014年11月25日