一種led倒裝晶片及l(fā)ed倒裝晶片組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED倒裝晶片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前有一種LED倒裝晶片如圖1所示，包括N層1、P層2、N極連接層3、電極4、第三絕緣層5、藍(lán)寶石襯底6。P層2設(shè)在N層I的底面，在N層I與P層2之間具有第一絕緣層，防止N層I與P層2短路，N層I的兩端均凸出P層1，且N層I 一端的凸出長度大于N層I另一端的凸出長度；N極連接層3連接在N層的底面；在P層2的底面上連接有電極，在N極連接層3的底面設(shè)有電極。在電極4與N層I和P層2之間設(shè)有所述的第三絕緣層5，第三絕緣層5優(yōu)選二氧化硅絕緣層；所述的藍(lán)寶石襯底6設(shè)在N層I上。
[0003]如圖2所示，如需要在基板9上固晶，首先需要在基板9上對(duì)于電極的位置點(diǎn)錫膏10，然后將上述LED倒裝晶片壓裝到基板9上，讓電極與錫膏對(duì)應(yīng)，在壓裝LED倒裝晶片時(shí)，如果錫膏用量過少，則固晶不牢固、不可靠，如果錫膏用量過大，如圖3所示，會(huì)導(dǎo)致錫膏從LED倒裝晶片的邊緣爬升到端部致使P極與N極導(dǎo)通而會(huì)產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種LED倒裝晶片及LED倒裝晶片組。
[0005]解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案是:一種LED倒裝晶片，包括N層、設(shè)在N層上的P層及分別與N層底部和P層底部連接的電極；在N層與P層之間形成有第一絕緣層，N層與P層之間形成有臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層端面和N層端面的第二絕緣層。
[0006]一種LED倒裝晶片組，由二個(gè)以上的LED倒裝晶片組成；LED倒裝晶片包括N層、設(shè)在N層上的P層及分別與N層底部和P層底部連接的電極；在N層與P層之間形成有第一絕緣層，N層與P層之間形成有臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層端面和N層端面的第二絕緣層；相鄰LED倒裝晶片之間形成有貫通N層和P層的蝕刻槽，在蝕刻槽內(nèi)填充有第二絕緣層。
[0007]進(jìn)一步的，P層位于N層的下方，在與臺(tái)階相對(duì)的一端，P層與N層的端面平齊，在與臺(tái)階相同的一端，N層凸出P層；在與臺(tái)階相同的一端的N層端面上覆蓋有第二絕緣層。
[0008]進(jìn)一步的，與N層連接的電極與N層之間設(shè)有N極連接層；在電極與N層和P層之間設(shè)有第三絕緣層，在N層上設(shè)有藍(lán)寶石襯底；第二絕緣層與第三絕緣層連為一體。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:由于設(shè)置了第二絕緣層，這樣，即使在固晶過程中出現(xiàn)錫膏爬升的現(xiàn)象，也不會(huì)讓N層與P層連通短路。由于通過蝕刻的工藝形成了蝕刻槽，這樣，既能使其中一端的N層與P層的端面平齊，又能在蝕刻槽內(nèi)填充第二絕緣層，然后經(jīng)切割形成LED倒裝晶片，在LED倒裝晶片的端部形成第二絕緣層，因此，制造方便，成本低。
【附圖說明】
[0010]圖1為【背景技術(shù)】中LED倒裝晶片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為【背景技術(shù)】中LED倒裝晶片固晶的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為【背景技術(shù)】中LED倒裝晶片固晶時(shí)錫膏出現(xiàn)爬升現(xiàn)象的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4為本實(shí)用新型LED倒裝晶片的示意圖。
[0014]圖5為LED倒裝晶片組的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0016]實(shí)施例1。
[0017]如圖4所示，LED倒裝晶片包括N層1、P層2、N極連接層3、電極4、第三絕緣層5、藍(lán)寶石襯底6。P層2設(shè)在N層I的底面，在N層I與P層2之間具有第一絕緣層，防止N層I與P層2短路，N層I的一端均凸出P層I在N層與P層之間形成臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端，P層2與N層I的端面平齊；N極連接層3連接在N層的底面；在P層2的底面上連接有電極，在N極連接層3的底面設(shè)有電極。在電極4與N層I和P層2之間設(shè)有所述的第三絕緣層5，第三絕緣層5優(yōu)選二氧化硅絕緣層；所述的藍(lán)寶石襯底6設(shè)在N層I上。在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層2端面和N層I端面的第二絕緣層7，第二絕緣層7優(yōu)選二氧化硅絕緣層，第二絕緣層7與第三絕緣層5為一體。
[0018]本實(shí)施方式的LED倒裝晶片，在固晶過程中，點(diǎn)在基板9上的錫膏10即使出現(xiàn)錫膏爬升的現(xiàn)象，也不會(huì)讓N層與P層連通短路。
[0019]在本實(shí)施方式中，作為對(duì)上述LED倒裝晶片的改進(jìn)，在與臺(tái)階相同的一端的N層端面上也可覆蓋第二絕緣層。
[0020]實(shí)施例2。
[0021]如圖5所示，LED倒裝晶片組由二個(gè)以上的LED倒裝晶片100組成。
[0022]相鄰LED倒裝晶片100之間形成有貫通N層和P層的蝕刻槽11，在蝕刻槽11內(nèi)填充有第二絕緣層。經(jīng)蝕刻槽11切割后，形成如圖4所示的LED倒裝晶片。
[0023]如圖4所示，LED倒裝晶片包括N層1、P層2、N極連接層3、電極4、第三絕緣層5、藍(lán)寶石襯底6。P層2設(shè)在N層I的底面，在N層I與P層2之間具有第一絕緣層，防止N層I與P層2短路，N層I的一端均凸出P層I在N層與P層之間形成臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端，P層2與N層I的端面平齊；N極連接層3連接在N層的底面；在P層2的底面上連接有電極，在N極連接層3的底面設(shè)有電極。在電極4與N層I和P層2之間設(shè)有所述的第三絕緣層5，第三絕緣層5優(yōu)選二氧化硅絕緣層；所述的藍(lán)寶石襯底6設(shè)在N層I上。在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層2端面和N層I端面的第二絕緣層7，第二絕緣層7優(yōu)選二氧化硅絕緣層，第二絕緣層7與第三絕緣層5為一體。
[0024]本實(shí)施方式的LED倒裝晶片，在固晶過程中，點(diǎn)在基板9上的錫膏10即使出現(xiàn)錫膏爬升的現(xiàn)象，也不會(huì)讓N層與P層連通短路。由于通過蝕刻的工藝形成了蝕刻槽，這樣，既能使其中一端的N層與P層的端面平齊，又能在蝕刻槽內(nèi)填充第二絕緣層，然后經(jīng)切割形成LED倒裝晶片，在LED倒裝晶片的端部形成第二絕緣層，因此，制造方便，成本低。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED倒裝晶片，包括N層、設(shè)在N層上的P層及分別與N層底部和P層底部連接的電極；在N層與P層之間形成有第一絕緣層，N層與P層之間形成有臺(tái)階，其特征在于:在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層端面和N層端面的第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝晶片，其特征在于:P層位于N層的下方，在與臺(tái)階相對(duì)的一端，P層與N層的端面平齊，在與臺(tái)階相同的一端，N層凸出P層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED倒裝晶片，其特征在于:在與臺(tái)階相同的一端的N層端面上覆蓋有第二絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED倒裝晶片，其特征在于:與N層連接的電極與N層之間設(shè)有N極連接層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝晶片，其特征在于:在電極與N層和P層之間設(shè)有第三絕緣層，在N層上設(shè)有藍(lán)寶石襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED倒裝晶片，其特征在于:第二絕緣層與第三絕緣層連為一體。
7.—種LED倒裝晶片組，由二個(gè)以上的LED倒裝晶片組成；LED倒裝晶片包括N層、設(shè)在N層上的P層及分別與N層底部和P層底部連接的電極；在N層與P層之間形成有第一絕緣層，N層與P層之間形成有臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層端面和N層端面的第二絕緣層；其特征在于:相鄰LED倒裝晶片之間形成有貫通N層和P層的蝕刻槽，在蝕刻槽內(nèi)填充有第二絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED倒裝晶片組，其特征在于:P層位于N層的下方，在與臺(tái)階相對(duì)的一端，P層與N層的端面平齊，在與臺(tái)階相同的一端，N層凸出P層；在與臺(tái)階相同的一端的N層端面上覆蓋有第二絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED倒裝晶片組，其特征在于:與N層連接的電極與N層之間設(shè)有N極連接層；在電極與N層和P層之間設(shè)有第三絕緣層，在N層上設(shè)有藍(lán)寶石襯底；第二絕緣層與第三絕緣層連為一體。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種LED倒裝晶片及LED倒裝晶片組，LED倒裝晶片包括N層、設(shè)在N層上的P層及分別與N層底部和P層底部連接的電極；在N層與P層之間形成有第一絕緣層，N層與P層之間形成有臺(tái)階，在與臺(tái)階相對(duì)的一端設(shè)有覆蓋P層端面和N層端面的第二絕緣層。LED倒裝晶片組由二個(gè)以上的LED倒裝晶片組成，相鄰LED倒裝晶片之間形成有貫通N層和P層的蝕刻槽，在蝕刻槽內(nèi)填充有第二絕緣層。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)，即使在固晶過程中出現(xiàn)錫膏爬升的現(xiàn)象，也不會(huì)讓N層與P層連通短路。
【IPC分類】H01L33-48
【公開號(hào)】CN204315628
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420853537
【發(fā)明人】熊毅, 曾榮昌, 杜金晟, 王躍飛, 李坤錐
【申請(qǐng)人】廣州市鴻利光電股份有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月30日