一種用于平行束離子源的陽極裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于平行束離子源的陽極裝置，尤其適用于離子束刻蝕設(shè)備大口徑平行束離子源作為陽極使用。
【背景技術(shù)】
[0002]離子束刻蝕是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特點(diǎn)，并且可以對(duì)絕大部分材料進(jìn)行刻蝕，例如:金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等材料。
[0003]目前現(xiàn)有的離子源陽極基本均為板狀結(jié)構(gòu)，由于陽極中心與放電室距離增大，造成放電室內(nèi)電場(chǎng)不均勻，放電室出口邊緣位置電場(chǎng)較弱，最終影響放電室內(nèi)的放電均勻性，從而造成離子束周邊的束流較小。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)離子束刻蝕設(shè)備的刻蝕均勻性要求，本實(shí)用新型旨在提供一種用于平行束離子源的陽極裝置，該陽極裝置可以提高離子源出口離子束均勻性，從而提高刻蝕工藝均勻性。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種用于平行束離子源的陽極裝置，包括陽極底板，在陽極底板上表面固定裝設(shè)有多個(gè)金屬環(huán)；相鄰兩個(gè)金屬環(huán)中，一個(gè)金屬環(huán)位于另一個(gè)金屬環(huán)內(nèi)，且相鄰兩個(gè)金屬環(huán)之間具有間隙。
[0007]由此，金屬環(huán)改變了離子源放電室內(nèi)的電場(chǎng)分布，從而提高了放電室內(nèi)電場(chǎng)的均勻性。
[0008]以下為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案:
[0009]為了進(jìn)一步提高放電室內(nèi)電場(chǎng)的均勻性，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，多個(gè)金屬環(huán)中，位于外側(cè)的金屬環(huán)垂直于陽極底板的高度低于位于內(nèi)側(cè)的金屬環(huán)，換句話說，金屬環(huán)的高度由中心向外呈降低趨勢(shì)。
[0010]所述陽極底板上設(shè)有減少其在離子源放電室內(nèi)徑向方向表面積的結(jié)構(gòu)，由此可以減少電子對(duì)陽極的轟擊，提高電子使用壽命。
[0011]所述陽極底板優(yōu)選為三叉結(jié)構(gòu)或具有多個(gè)開孔的鏤空板。
[0012]所述金屬環(huán)為圓環(huán)，且同心布置。
[0013]所述金屬環(huán)有3-6個(gè)。
[0014]所述金屬環(huán)為耐高溫且不導(dǎo)磁材料制成的環(huán)。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本發(fā)明提高了離子源放電室內(nèi)的電場(chǎng)均勻性，從而提高離子源離子束均勻度，最終實(shí)現(xiàn)離子束刻蝕設(shè)備高均勻度刻蝕工藝要求的目的。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]在圖中
[0019]1-陽極底板；2-金屬圓環(huán)。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。需要說明的是附圖序號(hào)只表示本實(shí)施例的主要零部件，其它沒有一一列出。
[0021]—種用于平行束離子源的陽極裝置，如圖1所示，由陽極底板I和若干金屬圓環(huán)2組成。所述陽極底板I及金屬圓環(huán)2均為耐高溫且不導(dǎo)磁材料。所述陽極底板I為三叉結(jié)構(gòu)或板面鏤空狀，上面設(shè)計(jì)有若干金屬圓環(huán)2安裝孔及本陽極裝置安裝孔。陽極底板I為三叉結(jié)構(gòu)或板面鏤空狀的目的是為了減少陽極在離子源放電室內(nèi)徑向方向的表面積，從而減少電子對(duì)陽極的轟擊，提高電子使用壽命，減少因電子對(duì)陽極的轟擊引起的溫升。陽極底板I的結(jié)構(gòu)形式可多樣化，不僅限于如圖1所示的三叉結(jié)構(gòu)或如圖2所示的板面鏤空結(jié)構(gòu)，其他形狀亦可。
[0022]所述金屬圓環(huán)2安裝在陽極底板I上，各金屬圓環(huán)2同心安裝，高度由中心向外呈降低趨勢(shì)，具體數(shù)量及高度根據(jù)實(shí)際仿真計(jì)算獲取，本實(shí)施例為四個(gè)。若干金屬圓環(huán)2的作用是改變離子源放電室內(nèi)的電場(chǎng)分布，提高放電室內(nèi)電場(chǎng)的均勻性，從而提高等離子體分布密度，最終實(shí)現(xiàn)高均勻度的離子束流。
[0023]上述實(shí)施例闡明的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)理解為這些實(shí)施例僅用于更清楚地說明本實(shí)用新型，而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于平行束離子源的陽極裝置，包括陽極底板(1)，其特征在于，在陽極底板(I)上表面固定裝設(shè)有多個(gè)金屬環(huán)(2);相鄰兩個(gè)金屬環(huán)(2)中，一個(gè)金屬環(huán)位于另一個(gè)金屬環(huán)內(nèi)，且相鄰兩個(gè)金屬環(huán)(2 )之間具有間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，多個(gè)金屬環(huán)(2)中，位于外側(cè)的金屬環(huán)垂直于陽極底板(I)的高度低于位于內(nèi)側(cè)的金屬環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，所述陽極底板(I)上設(shè)有減少其在離子源放電室內(nèi)徑向方向表面積的結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，所述陽極底板(I)為三叉結(jié)構(gòu)或具有多個(gè)開孔的鏤空板。
5.根據(jù)權(quán)利要求f3之一所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，所述金屬環(huán)(2)為圓環(huán)，且同心布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求f3之一所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，所述金屬環(huán)(2)有3-6個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求f3之一所述的用于平行束離子源的陽極裝置，其特征在于，所述金屬環(huán)(2)為耐高溫且不導(dǎo)磁材料制成的環(huán)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于平行束離子源的陽極裝置。為了提高離子源放電室內(nèi)的電場(chǎng)分布均勻性，所述用于平行束離子源的陽極裝置包括陽極底板，在陽極底板上表面固定裝設(shè)有多個(gè)金屬環(huán)，相鄰兩個(gè)金屬環(huán)中，一個(gè)金屬環(huán)位于另一個(gè)金屬環(huán)內(nèi)，且相鄰兩個(gè)金屬環(huán)之間具有間隙。本實(shí)用新型的陽極裝置提高了離子源出口離子束均勻性，從而提高了刻蝕工藝均勻性。
【IPC分類】H01J37-08
【公開號(hào)】CN204289360
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420615653
【發(fā)明人】孫雪平, 佘鵬程, 彭立波, 陳特超, 劉欣, 廖煥金
【申請(qǐng)人】中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年10月23日