濕法刻蝕裝置及其防爆方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種濕法刻蝕裝置及其防爆方法，利用加熱器(22)監(jiān)控儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度，當(dāng)儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)，通過(guò)控制裝置(23)自動(dòng)關(guān)閉加熱器(22)，打開(kāi)腔室清洗裝置(11)噴出清洗水，清洗水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔(1)進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)并與儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的刻蝕藥液中和，使得儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度降低，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率。
【專利說(shuō)明】
濕法刻蝕裝置及其防爆方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種濕法刻蝕裝置及其防爆方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置化iquid Crystal Display ,LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多 優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。如:液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī) 屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
[0003] 隨著薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crys1:al Display, TFT-LCD)逐漸往超大尺寸、高驅(qū)動(dòng)頻率、高分辨率等方面發(fā)展，如何有效地降低面板導(dǎo)線電 阻與寄生電容日趨重要。薄膜晶體管液晶顯示器在制作時(shí)，高質(zhì)量的導(dǎo)線制程技術(shù)已經(jīng)成 為主宰薄膜晶體管組件與面板特性的關(guān)鍵。
[0004] 薄膜晶體管陣列基板中的金屬導(dǎo)線是將瓣射在薄膜晶體管陣列基板上的金屬層 通過(guò)蝕刻工藝制成，常規(guī)應(yīng)用于薄膜晶體管陣列基板中的金屬導(dǎo)線為侶導(dǎo)線，隨著電視等 液晶顯示終端的大尺寸化、高解析度W及驅(qū)動(dòng)頻率高速化的發(fā)展趨勢(shì)及要求，液晶顯示領(lǐng) 域技術(shù)人員不得不面對(duì)薄膜晶體管陣列基板中電阻及所造成的電阻或電容時(shí)間延遲問(wèn)題， 而侶導(dǎo)線具有較高的電阻率使得薄膜晶體管陣列基板的像素電極不能夠充分充電，隨著高 頻尋址液晶顯示的廣泛應(yīng)用，運(yùn)一現(xiàn)象更加明顯。
[0005] 由于銅導(dǎo)線制程具有低電阻、低延遲現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)，可W讓訊號(hào)尋址速度更快、掃描 線更密集，顯示畫(huà)質(zhì)更清新，在銅制程良率提升之后，超高清分辨率的高畫(huà)質(zhì)面板的生產(chǎn)成 本可望進(jìn)一步降低；目前大尺寸薄膜晶體管液晶顯示器中的導(dǎo)線普遍用銅取代侶，目前的 銅導(dǎo)線刻蝕過(guò)程中，通常采用的刻蝕藥液為雙氧水系化說(shuō)2)，該刻蝕藥液在使用時(shí)會(huì)存在W 下問(wèn)題：隨著刻蝕制程的持續(xù)，刻蝕藥液中銅離子的濃度也會(huì)不斷上升，而也化在銅離子的 作用下會(huì)有加速分解的化學(xué)變化，反應(yīng)過(guò)程為：
進(jìn)一步的，隨著銅 導(dǎo)線刻蝕過(guò)程的不斷進(jìn)行，刻蝕藥液中銅離子的濃度的也不斷增加，也化的分解速率也越來(lái) 越快，也化的分解速率將急劇加大，產(chǎn)生大量氣體和熱量，極易導(dǎo)致機(jī)臺(tái)發(fā)生爆炸。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種濕法刻蝕裝置，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的 溫度，防止儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種濕法刻蝕裝置的防爆方法，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降 低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率。 [000引為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種濕法刻蝕裝置，包括:刻蝕反應(yīng)腔、設(shè)于所 述刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)的腔室清洗裝置、與刻蝕反應(yīng)腔連通的儲(chǔ)液箱、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱內(nèi)的加熱 器、設(shè)于儲(chǔ)液箱底部并與所述儲(chǔ)液箱連通的排液管、設(shè)于儲(chǔ)液箱側(cè)上方表面的溢流口、連通 所述溢流口和排液管的溢流管、W及與所述腔室清洗裝置、加熱器電性連接的控制裝置；
[0009]所述儲(chǔ)液箱容置刻蝕藥液，所述加熱器加熱刻蝕藥液并監(jiān)控儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，所 述控制裝置在儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)關(guān)閉加熱器，打開(kāi)腔室清洗裝置噴出 清洗水，降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度。
[0010] 所述濕法刻蝕裝置用于銅金屬刻蝕制程。
[0011] 所述清洗水為去離子水。
[0012] 所述刻蝕藥液為雙氧水系刻蝕藥液。
[0013] 所述控制裝置為化C。
[0014] 本發(fā)明還提供一種濕法刻蝕裝置的防爆方法，包括如下步驟：
[0015] 步驟1、提供一濕法刻蝕裝置，包括:刻蝕反應(yīng)腔、設(shè)于所述刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)的腔室清 洗裝置、與刻蝕反應(yīng)腔連通的儲(chǔ)液箱、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱內(nèi)的加熱器、設(shè)于儲(chǔ)液箱底部并與所 述儲(chǔ)液箱連通的排液管、設(shè)于儲(chǔ)液箱側(cè)上方表面的溢流口、連通所述溢流口和排液管的溢 流管、W及與所述腔室清洗裝置、加熱器電性連接的控制裝置；
[0016] 步驟2、所述儲(chǔ)液箱內(nèi)容置刻蝕藥液，所述加熱器對(duì)所述刻蝕藥液進(jìn)行加熱，同時(shí) 所述加熱器監(jiān)控所述儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，并將溫度數(shù)據(jù)傳輸給控制裝置；
[0017] 步驟3、所述控制裝置判斷當(dāng)前儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度是否達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，若當(dāng)前 儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，則關(guān)閉加熱器，打開(kāi)腔室清洗裝置噴出清洗水，清洗 水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱內(nèi)并與儲(chǔ)液箱內(nèi)的刻蝕藥液中和，降低儲(chǔ)液箱 內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱過(guò)熱爆炸。
[0018] 所述濕法刻蝕裝置的防爆方法用于銅金屬刻蝕制程。
[0019] 所述步驟3中的清洗水為去離子水。
[0020] 所述步驟2中的刻蝕藥液為雙氧水系刻蝕藥液。
[0021] 所述步驟1中的控制裝置為化C。
[0022] 本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的濕法刻蝕裝置，利用加熱器監(jiān)控儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫 度，當(dāng)儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)，通過(guò)控制裝置自動(dòng)關(guān)閉加熱器，打開(kāi)腔室清 洗裝置噴出清洗水，清洗水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱內(nèi)并與儲(chǔ)液箱內(nèi)的刻 蝕藥液中和，使得儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度降低，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ) 液箱內(nèi)的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率，尤其適用于采用雙氧水系刻 蝕藥液進(jìn)行刻蝕的銅金屬刻蝕制程，能夠有效防止制程過(guò)程中因雙氧水分解引起的爆炸。 本發(fā)明提供的濕法刻蝕裝置的防爆方法，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，防止 儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率。
【附圖說(shuō)明】
[0023] 為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征W及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱W下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加 W限制。
[0024] 附圖中，
[0025] 圖1為本發(fā)明的濕法刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0026] 圖2為本發(fā)明的濕法刻蝕裝置的防爆方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，W下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028] 請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種濕法刻蝕裝置，包括:刻蝕反應(yīng)腔1、設(shè)于所述刻蝕反 應(yīng)腔1內(nèi)的腔室清洗裝置11、與刻蝕反應(yīng)腔1連通的儲(chǔ)液箱2、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱2內(nèi)的加熱器 22、設(shè)于儲(chǔ)液箱2底部并與所述儲(chǔ)液箱2連通的排液管3、設(shè)于儲(chǔ)液箱2側(cè)上方表面的溢流口 4、連通所述溢流口 4和排液管3的溢流管5、W及與所述腔室清洗裝置11、加熱器22電性連接 的控制裝置23。
[0029] 具體地，所述儲(chǔ)液箱2用于容置刻蝕藥液，所述加熱器22用于加熱刻蝕藥液并監(jiān)控 儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度，所述控制裝置23用于在儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)關(guān)閉加 熱器22,打開(kāi)腔室清洗裝置11，所述腔室清洗裝置11用于噴出清洗水來(lái)降低儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫 度，所述刻蝕反應(yīng)腔1用于進(jìn)行刻蝕反應(yīng)，所述溢流口4和溢流管5用于在儲(chǔ)液箱2內(nèi)的刻蝕 藥液過(guò)多時(shí)，將刻蝕藥液及時(shí)排出，防止溢出，所述排液管3用于排除儲(chǔ)液箱2內(nèi)的藥液。
[0030] 具體地，所述濕法刻蝕裝置適用于在濕法刻蝕過(guò)程中容易發(fā)生儲(chǔ)液箱溫度過(guò)高導(dǎo) 致爆炸的濕法刻蝕制程，例如，采用雙氧水系刻蝕藥液進(jìn)行刻蝕的銅金屬刻蝕制程。
[0031] 優(yōu)選地，所述腔室清洗裝置11噴出的清洗水為去離子水(Deionized Water，DIW)， 去離子水可W有效清除待刻蝕裝置上的膠體和懸浮物等雜質(zhì)，與過(guò)熱的刻蝕藥液進(jìn)行中 和，可W有效降低儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度。
[0032] 具體地，所述控制裝置23為可編程邏輯控制器（Programmable Logic Control Ier，PLC)，通過(guò)化C實(shí)現(xiàn)對(duì)所述加熱器22和腔室清洗裝置11的自動(dòng)控制，簡(jiǎn)化操作。
[0033] 具體地，所述濕法制程裝置檢測(cè)到儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度過(guò)高后，對(duì)其進(jìn)行降溫的工作 過(guò)程為:控制裝置23控制加熱器22自動(dòng)關(guān)閉，腔室清洗裝置11自動(dòng)打開(kāi)，噴出去離子水，對(duì) 整個(gè)刻蝕反應(yīng)腔1進(jìn)行沖洗，所述刻蝕反應(yīng)1內(nèi)殘留的刻蝕藥液和去離子水一起沿著管道回 流到儲(chǔ)液箱2中，去離子水和儲(chǔ)液箱2中過(guò)熱的刻蝕藥液中和，使得儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度逐漸降 低，儲(chǔ)液箱2中的液位逐漸升高，超過(guò)溢流口 4位置的藥液從溢流管5中排出，待儲(chǔ)液箱2的溫 度降低到室溫的時(shí)候，控制裝置23自動(dòng)關(guān)閉腔室清洗裝置11，儲(chǔ)液箱2底部的排液管打開(kāi)， 將剩余的全部藥液排放干凈，從而有效防止儲(chǔ)液箱2的溫度過(guò)高引起爆炸。
[0034] 請(qǐng)參閱圖2,基于上述濕法刻蝕裝置，本發(fā)明還提供一種濕法刻蝕裝置的防爆方 法，包括如下步驟：
[0035] 步驟1、提供一濕法刻蝕裝置，包括:刻蝕反應(yīng)腔1、設(shè)于所述刻蝕反應(yīng)腔1內(nèi)的腔室 清洗裝置11、與刻蝕反應(yīng)腔1連通的儲(chǔ)液箱2、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱2內(nèi)的加熱器22、設(shè)于儲(chǔ)液箱2 底部并與所述儲(chǔ)液箱2連通的排液管3、設(shè)于儲(chǔ)液箱2側(cè)上方表面的溢流口 4、連通所述溢流 口 4和排液管3的溢流管5、W及與所述腔室清洗裝置11、加熱器22電性連接的控制裝置23。
[0036] 具體地，所述儲(chǔ)液箱2用于容置刻蝕藥液，所述刻蝕反應(yīng)腔1用于進(jìn)行刻蝕反應(yīng)，所 述溢流口 4和溢流管5用于在儲(chǔ)液箱2內(nèi)的刻蝕藥液過(guò)多時(shí)，將刻蝕藥液及時(shí)排出，防止溢 出，所述排液管3用于排除儲(chǔ)液箱2內(nèi)的藥液。
[0037] 優(yōu)選地，所述控制裝置23為化C。
[0038] 步驟2、所述加熱器22對(duì)容置于儲(chǔ)液箱2內(nèi)的刻蝕藥液進(jìn)行加熱，同時(shí)所述加熱器 22監(jiān)控所述儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度，并將溫度數(shù)據(jù)傳輸給控制裝置23;
[0039] 步驟3、所述控制裝置23判斷當(dāng)前儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度是否達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，若 當(dāng)前儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，則關(guān)閉加熱器22,打開(kāi)腔室清洗裝置11噴出清 洗水，清洗水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔I進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱2內(nèi)并與儲(chǔ)液箱2內(nèi)的刻蝕藥液中 和，降低儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱2過(guò)熱爆炸。
[0040] 具體地，所述濕法刻蝕裝置適用于在濕法刻蝕過(guò)程中容易發(fā)生儲(chǔ)液箱溫度過(guò)高導(dǎo) 致爆炸的濕法刻蝕制程，例如，采用雙氧水系刻蝕藥液進(jìn)行刻蝕的銅金屬刻蝕制程。
[0041] 優(yōu)選地，所述腔室清洗裝置11噴出的清洗水為去離子水，去離子水可W有效清除 待刻蝕裝置上的膠體和懸浮物等雜質(zhì)，與過(guò)熱的刻蝕藥液進(jìn)行中和，可W有效降低儲(chǔ)液箱2 內(nèi)的溫度。
[0042] 進(jìn)一步地，所述步驟3的詳細(xì)過(guò)程為:控制裝置23控制加熱器22自動(dòng)關(guān)閉，腔室清 洗裝置11自動(dòng)打開(kāi)，噴出去離子水，對(duì)整個(gè)刻蝕反應(yīng)腔1進(jìn)行沖洗，所述刻蝕反應(yīng)1內(nèi)殘留的 刻蝕藥液和去離子水一起沿著管道回流到儲(chǔ)液箱2中，去離子水和儲(chǔ)液箱2中過(guò)熱的刻蝕藥 液中和，使得儲(chǔ)液箱2內(nèi)的溫度逐漸降低，儲(chǔ)液箱2中的液位逐漸升高，超過(guò)溢流口 4位置的 藥液從溢流管5中排出，待儲(chǔ)液箱2的溫度降低到室溫的時(shí)候，控制裝置23自動(dòng)關(guān)閉腔室清 洗裝置11，儲(chǔ)液箱2底部的排液管打開(kāi)，將剩余的全部藥液排放干凈，從而有效防止儲(chǔ)液箱2 的溫度過(guò)高引起爆炸。
[0043] 綜上所述，本發(fā)明提供的濕法刻蝕裝置，利用加熱器監(jiān)控儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，當(dāng)儲(chǔ)液 箱內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)，通過(guò)控制裝置自動(dòng)關(guān)閉加熱器，打開(kāi)腔室清洗裝置噴 出清洗水，清洗水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱內(nèi)并與儲(chǔ)液箱內(nèi)的刻蝕藥液中 和，使得儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度降低，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱內(nèi)的 溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率，尤其適用于采用雙氧水系刻蝕藥液進(jìn) 行刻蝕的銅金屬刻蝕制程，能夠有效防止制程過(guò)程中因雙氧水分解引起的爆炸。本發(fā)明提 供的濕法刻蝕裝置的防爆方法，能夠有效監(jiān)控并及時(shí)降低儲(chǔ)液箱內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱內(nèi) 的溫度過(guò)高發(fā)生爆炸，保障生產(chǎn)安全，提升生產(chǎn)稼動(dòng)率。
[0044] W上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可W根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有運(yùn)些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種濕法刻蝕裝置，其特征在于，包括:刻蝕反應(yīng)腔（1)、設(shè)于所述刻蝕反應(yīng)腔（1)內(nèi) 的腔室清洗裝置(11)、與刻蝕反應(yīng)腔(1)連通的儲(chǔ)液箱(2)、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的加熱器 (22)、設(shè)于儲(chǔ)液箱(2)底部并與所述儲(chǔ)液箱(2)連通的排液管(3)、設(shè)于儲(chǔ)液箱(2)側(cè)上方表 面的溢流口（4)、連通所述溢流口（4)和排液管(3)的溢流管(5)、以及與所述腔室清洗裝置 (11)、加熱器(22)電性連接的控制裝置(23); 所述儲(chǔ)液箱(2)容置刻蝕藥液，所述加熱器(22)加熱刻蝕藥液并監(jiān)控儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫 度，所述控制裝置(23)在儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限時(shí)關(guān)閉加熱器(22)，打開(kāi) 腔室清洗裝置(11)噴出清洗水，降低儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度。2. 如權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述濕法刻蝕裝置用于銅金屬刻蝕 制程。3. 如權(quán)利要求2所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述清洗水為去離子水。4. 如權(quán)利要求2所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕藥液為雙氧水系刻蝕藥 液。5. 如權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述控制裝置(23)為PLC。6. -種濕法刻蝕裝置的防爆方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一濕法刻蝕裝置，包括:刻蝕反應(yīng)腔（1 )、設(shè)于所述刻蝕反應(yīng)腔（1)內(nèi)的腔室 清洗裝置（11)、與刻蝕反應(yīng)腔（1)連通的儲(chǔ)液箱(2)、設(shè)于所述儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的加熱器(22)、 設(shè)于儲(chǔ)液箱(2)底部并與所述儲(chǔ)液箱(2)連通的排液管(3)、設(shè)于儲(chǔ)液箱(2)側(cè)上方表面的溢 流口（4)、連通所述溢流口（4)和排液管(3)的溢流管(5)、以及與所述腔室清洗裝置(11)、加 熱器(22)電性連接的控制裝置(23); 步驟2、所述加熱器(22)對(duì)容置于儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的刻蝕藥液進(jìn)行加熱，同時(shí)所述加熱器 (22)監(jiān)控所述儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度，并將溫度數(shù)據(jù)傳輸給控制裝置(23); 步驟3、所述控制裝置(23)判斷當(dāng)前儲(chǔ)液箱（2)內(nèi)的溫度是否達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，若 當(dāng)前儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的溫度上限，則關(guān)閉加熱器(22)，打開(kāi)腔室清洗裝置(11) 噴出清洗水，清洗水對(duì)刻蝕反應(yīng)腔（1)進(jìn)行沖洗后，回流至儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)并與儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的 刻蝕藥液中和，降低儲(chǔ)液箱(2)內(nèi)的溫度，防止儲(chǔ)液箱(2)過(guò)熱爆炸。7. 如權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕裝置的防爆方法，其特征在于，所述濕法刻蝕裝置的防 爆方法用于銅金屬刻蝕制程。8. 如權(quán)利要求7所述的濕法刻蝕裝置的防爆方法，其特征在于，所述步驟3中的清洗水 為去離子水。9. 如權(quán)利要求7所述的濕法刻蝕裝置的防爆方法，其特征在于，所述步驟2中的刻蝕藥 液為雙氧水系刻蝕藥液。10. 如權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕裝置的防爆方法，其特征在于，所述步驟1中的控制裝 置(23)為PLC。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK105977186SQ201610307235
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年5月10日
【發(fā)明人】李嘉
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司