制造半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，以提供具有改善的可靠性的半導(dǎo)體器件。在通過旋涂形成層間絕緣膜的第一絕緣膜之后，使第一絕緣膜的表面受到親水性改善處理。然后通過旋涂，在第一絕緣膜上形成層間絕緣膜的第二絕緣膜。該層間絕緣膜由包括第一絕緣膜和其上的第二絕緣膜的堆疊的絕緣膜組成。因此，該層間絕緣膜可具有改善的表面平整度。
【專利說明】制造半導(dǎo)體器件的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]2015年2月27日提出的日本專利申請N0.2015-039120的公開包括說明書、附圖和摘要，通過引用的方式將其作為整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，例如，一種適用于制造具有層間絕緣膜的半導(dǎo)體器件的方法的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體器件通過在半導(dǎo)體襯底的主表面上形成半導(dǎo)體元件諸如MISFET，然后在半導(dǎo)體襯底的主表面上形成由多個層間絕緣膜和多個布線層組成的多層布線結(jié)構(gòu)來制造。
[0005]日本未審專利申請公開N0.平成9(1997)-241518(專利文獻(xiàn)I)描述了一種通過旋涂形成絕緣膜的技術(shù)。
[0006]日本未審專利申請公開N0.平成9(1997)-161330(專利文獻(xiàn)2)描述了一種通過噴涂將保護(hù)涂層材料涂覆到表面，然后通過超聲振蕩將涂覆的表面平整化的技術(shù)。
[0007]日本未審專利申請公開N0.平成8(1996)-330306(專利文獻(xiàn)3)描述了一種通過CMP處理將SOG膜的上表面平成整化的技術(shù)。
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)I]日本未審專利申請公開N0.平成9 (1997)-241518
[0010][專利文獻(xiàn)2]日本未審專利申請公開N0.平成9(1997)-161330[0011 ][專利文獻(xiàn)3]日本未審專利申請公開N0.平成8( 1996)-330306

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]甚至希望具有層間絕緣膜的半導(dǎo)體器件具有盡可能改善的可靠性，希望它以最小的成本制造，或者希望它滿足改善可靠性和降低制造成本兩者。
[0013]從本文的描述和附圖，其他目的和新的特征將變得明顯。
[0014]在一個實(shí)施例中，提供一種制造在其半導(dǎo)體襯底上具有第一層間絕緣膜的半導(dǎo)體器件的方法。用于形成第一層間絕緣膜的步驟包括(a)通過旋涂形成第一層間絕緣膜的第一絕緣膜；(b)執(zhí)行用于改善第一絕緣膜的表面的親水性的第一處理;和(C)在步驟(b)之后，通過旋涂在第一絕緣膜上形成第一層間絕緣膜的第二絕緣膜。
[0015]根據(jù)一個實(shí)施例，可提供一種具有改善的可靠性的半導(dǎo)體器件。
[0016]可以以降低的成本制造半導(dǎo)體器件。
[0017]或者，半導(dǎo)體器件可具有改善的可靠性，同時可以以降低的成本制造。
【附圖說明】
[0018]圖1是在其制造步驟期間第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0019]圖2是在圖1之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0020]圖3是在圖2之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0021]圖4是在圖3之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0022]圖5是在圖4之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0023]圖6是在圖5之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0024]圖7是在圖6之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0025]圖8是在圖7之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0026]圖9是在圖8之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0027]圖10是在圖9之后的制造期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0028]圖11是在圖10之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0029]圖12是在圖11之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0030]圖13是在圖12之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0031]圖14是在圖13之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0032]圖15是在圖14之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0033]圖16是示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一些制造步驟的工藝流程圖；
[0034]圖17是在其制造步驟期間第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0035]圖18是在圖17之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0036]圖19是在圖18之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0037]圖20是在圖19之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0038]圖21是在圖20之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0039]圖22是在圖21之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0040]圖23是在圖22之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0041]圖24是在圖23之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0042]圖25是在圖24之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0043]圖26是在圖25之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0044]圖27是在圖26之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0045]圖28是在圖27之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0046]圖29是在圖28之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0047]圖30是在圖29之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0048]圖31是在圖30之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0049]圖32是在其制造步驟期間第二研究示例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0050]圖33是在圖32之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0051]圖34是在圖33之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0052]圖35是在其制造步驟期間第三研究示例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0053]圖36是在圖35之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0054]圖37是示出第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一些制造步驟的工藝流程圖；
[0055]圖38是在其制造步驟期間第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0056]圖39是在圖38之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0057]圖40是在圖39之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0058]圖41是在圖40之后的制造步驟期間半導(dǎo)體器件的分段剖視圖；
[0059]圖42是示出另一方式的半導(dǎo)體器件的一些制造步驟的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0060]在下面的實(shí)施例中，為方便起見，如果需要可將描述分為多個部分或?qū)嵤├?。除非特別說明，這些部分或?qū)嵤├⒉皇潜舜藷o關(guān)的，而是一個可以是另一個的部分或全部的變形示例、細(xì)節(jié)、補(bǔ)充說明等。在下面的實(shí)施例中，當(dāng)提到部件的數(shù)量(包括數(shù)字、數(shù)值、量、范圍等)時，該數(shù)字不限于特定的數(shù)字，除非特別說明，或者原則上該數(shù)字明確限制于特定數(shù)字。此外，在下面的實(shí)施例中，不用說，構(gòu)成部件(包括部件步驟等)不總是必不可少的，除非特別說明，或者原則上其明確是不可缺少的。同樣，在下面的實(shí)施例中，當(dāng)提到構(gòu)成部件的形狀、位置關(guān)系等時，還包括基本上與它類似或相似的那些形狀和位置關(guān)系，除非特別說明，或者除原則上明確其不是。這同樣適用于上述的數(shù)值、范圍等。
[0061]在下文中基于附圖將詳細(xì)描述實(shí)施例。在描述該實(shí)施例的所有圖中，具有相同功能的構(gòu)件將用相同的參考數(shù)字指定，并省略重復(fù)的描述。在下面的實(shí)施例中，原則上將不重復(fù)描述相同或相似的部分，除非特別必要。
[0062]在下面實(shí)施例所使用的附圖中，為了更便于理解，有時即使橫截面圖也不畫出影線。另一方面，為了更便于理解，有時即使平面圖也畫出影線。
[0063](第一實(shí)施例)
[0064]〈半導(dǎo)體器件的制造步驟〉
[0065]參考附圖，將描述本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟。圖1至15是在其制造步驟期間的本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。
[0066]首先，如圖1所示，提供(準(zhǔn)備)一種例如由具有約I至10 Ω cm等的比電阻的p型單晶硅組成的半導(dǎo)體襯底(半導(dǎo)體晶片)SB。
[0067]接下來，在該半導(dǎo)體襯底SB的主表面上，形成半導(dǎo)體元件諸如MISFET(金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。在下文中將簡要描述形成MISFET的步驟。
[0068]首先，如圖1所示，在半導(dǎo)體襯底SB中形成元件隔離區(qū)ST。該元件隔離區(qū)ST可使用STK淺溝槽隔離)、L0C0S(硅的局部氧化)等形成。
[0069]如圖2所示，通過離子注入等在半導(dǎo)體襯底SB中形成P阱PW和η阱NW。經(jīng)由柵絕緣膜GF在P阱PW上形成η溝道MISFET10的柵電極GEl，并經(jīng)由另一柵絕緣膜GF在η阱NW上形成P溝道MISFET11的柵電極GE2。柵電極GEl和GE2和柵絕緣膜GF例如可通過在半導(dǎo)體襯底SB的主表面上依次形成用于柵絕緣膜GF的絕緣膜(例如，氧化硅膜)和用于柵電極GEl和GE2的導(dǎo)電膜(例如，摻雜多晶硅膜)，然后圖案化導(dǎo)電膜來形成。
[0070]如圖3所示，用柵電極GEl作為掩膜，然后將η型雜質(zhì)離子注入到P阱PW中，以在P阱PW中在柵電極GEl兩側(cè)上形成η—型半導(dǎo)體區(qū)ΕΧ1。另外，用柵電極GE2作為掩膜，將P型雜質(zhì)離子注入到η阱NW中，以在η阱NW中在柵電極GE2兩側(cè)上形成ρ—型半導(dǎo)體區(qū)ΕΧ2。
[0071 ]在形成絕緣膜之后，為了形成覆蓋柵電極GEl和GE2的側(cè)壁間隔物SW，將絕緣膜各向異性蝕刻，以在各個柵電極GEl和GE2的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔物(側(cè)壁絕緣膜)SW。
[0072]用柵電極GEl及其側(cè)壁上的側(cè)壁間隔物SW作為掩膜，將η型雜質(zhì)離子注入到ρ阱PW中，以在P阱PW中形成，在由柵電極GEl及其側(cè)壁上的側(cè)壁間隔物SW組成的結(jié)構(gòu)的兩側(cè)上的、雜質(zhì)濃度高于η—型半導(dǎo)體區(qū)EXl的n+型半導(dǎo)體區(qū)SDl。然后，用柵電極GE2及其側(cè)壁上的側(cè)壁間隔物SW作為掩膜，將ρ型雜質(zhì)離子注入到η阱NW中，以在η阱NW中形成，在由柵電極GE2及其偵_上的側(cè)壁間隔物SW組成的結(jié)構(gòu)的兩側(cè)上的、雜質(zhì)濃度高于ρ—型半導(dǎo)體區(qū)ΕΧ2的ρ+型半導(dǎo)體區(qū)SD2。具有LDD結(jié)構(gòu)的η溝道MISFET10的源-漏區(qū)由η—型半導(dǎo)體區(qū)EXl和η+型半導(dǎo)體區(qū)SDl形成，而具有LDD結(jié)構(gòu)的ρ溝道MISFET11的源-漏區(qū)由ρ—型半導(dǎo)體區(qū)ΕΧ2和ρ+型半導(dǎo)體區(qū)SD2形成。作為激活迄今為止引入的雜質(zhì)的熱處理，然后執(zhí)行活化退火。通過sal icide( selfaligned silicide(自對準(zhǔn)娃化物))技術(shù)等，可在柵電極GEl和GE2、n+型半導(dǎo)體區(qū)SDl和p+型半導(dǎo)體區(qū)SD2的表面(表面層部分)上，分別形成金屬硅化物層(未示出)。
[0073]如圖3所示，η溝道MISFET10和ρ溝道MISFET11可形成在半導(dǎo)體襯底SB上。形成在半導(dǎo)體襯底SB上的半導(dǎo)體元件不限于η溝道MISFET10和ρ溝道MISFET11，而在半導(dǎo)體襯底SB上可以形成各種半導(dǎo)體元件。例如，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面上可形成電容元件、電阻元件、存儲器元件和具有另一配置的晶體管。
[0074]接下來，在下文中將具體描述，在半導(dǎo)體襯底SB上形成由多個層間絕緣膜(ILl至IL5)和多個布線層(Ml至Μ5)組成的多層布線結(jié)構(gòu)。
[0075]首先，如圖4所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上形成層間絕緣膜IL1。形成層間絕緣膜ILl以覆蓋形成在半導(dǎo)體襯底SB上的元件(在這里，MISFET10和11)。這種層間絕緣膜ILl形成在半導(dǎo)體襯底SB的整個主表面上，以覆蓋柵電極GEl和GE2及側(cè)壁間隔物
Sffo
[0076]接下來，如圖5所示，用通過光刻形成在層間絕緣膜ILl上的光致抗蝕圖案(未示出)作為蝕刻掩膜，干蝕刻層間絕緣膜IL1，以在層間絕緣膜ILl中形成用通路部Vl填充的接觸孔(通孔、孔)。這種接觸孔被形成為穿過層間絕緣膜IL1。然后用導(dǎo)電膜填充該接觸孔，以在該接觸孔中形成通路部(插塞)V1。該通路部Vl也可稱為導(dǎo)電插塞。
[0077]例如，通過濺射、等離子體CVD等方法，通過在包括接觸孔的內(nèi)部(在底部部分和側(cè)壁上)的層間絕緣膜ILl上形成阻擋導(dǎo)體膜(例如，鈦膜、氮化鈦膜或其堆疊的膜)，來形成通路部VI。通過CVD等，在阻擋導(dǎo)體膜上形成由鎢膜等制成的主導(dǎo)體膜，以填充該接觸孔。通過CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)或回蝕，去除在接觸孔外部(在層間絕緣膜ILl上)的主導(dǎo)體膜和阻擋導(dǎo)體膜的不必要部分。通過該去除，暴露出層間絕緣膜ILl的上表面，并形成由阻擋導(dǎo)體膜和主導(dǎo)體膜組成的通路部VI，其被掩埋并保留在層間絕緣膜ILl中的接觸孔中。為簡化繪圖，圖5將通路部Vl的主導(dǎo)體膜和阻擋導(dǎo)體膜作為一個膜示出。
[0078]接下來，如圖6所示，在用通路部Vl填充的層間絕緣膜ILl上，形成第一布線層的布線Ml，其是最下面的布線層。在形成布線Ml時，首先，在用通路部Vl填充的層間絕緣膜ILl上，形成用于第一布線層的導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜由例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)體膜得到的膜組成，且它可使用濺射等形成。用于第一布線層的導(dǎo)電膜的阻擋導(dǎo)體膜的示例包括鈦膜、氮化鈦膜及其堆疊的膜。這將同樣適用于隨后形成的第二至第五布線層的每個導(dǎo)電膜的阻擋導(dǎo)體膜。用于第一布線層的導(dǎo)電膜的鋁膜不限于純鋁膜，且可以使用鋁作為主要成分的導(dǎo)電材料膜(但示出金屬導(dǎo)電的導(dǎo)電材料膜)。這將同樣適用于隨后形成的第二至第五布線層的導(dǎo)電膜的鋁膜。然后，使用光刻和蝕刻圖案化第一布線層的導(dǎo)電膜，以形成布線Ml。該布線Ml優(yōu)選是鋁布線。通路部Vl在其上表面接近于布線Ml以使其電耦合到布線Ml。
[0079]接下來，如圖7所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在層間絕緣膜ILl上，形成層間絕緣膜IL2，以覆蓋布線Ml。
[0080]接下來，如圖8所示，用通過光刻形成在層間絕緣膜IL2上的光致抗蝕圖案(未示出)作為蝕刻掩膜，干蝕刻層間絕緣膜IL2，以在層間絕緣膜IL2中形成用通路部V2填充的通孔(孔)。然后用導(dǎo)電膜填充該通孔，以在該通孔中形成通路部V2。該通路部V2也可稱為導(dǎo)電插塞。
[0081]通路部V2可以以與通路部Vl類似的方式形成。通路部V2和通路部Vl可使用相同的導(dǎo)電膜材料形成，但可使用各自不同的材料形成。例如，鎢膜可主要用來做通路部VI，鋁膜可主要用來做通路部V2。
[0082]接下來，在其中有通路部V2的層間絕緣膜IL2上，形成第二布線層的布線M2。布線M2以下列方式形成。首先，在其中有通路部V2的層間絕緣膜IL2上，形成第二布線層的導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜由例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)電膜得到的膜組成，且它可使用濺射等形成。然后，使用光刻和蝕刻圖案化第二布線層的這種導(dǎo)電膜，以形成布線M2。該布線M2優(yōu)選是鋁布線。通路部V2在其下表面接近于布線Ml并由此將其電耦合到布線Ml，同時通路部V2在其上表面接近于布線M2并由此將其電耦合到布線M2。這意味著通路部V2將布線Ml電耦合到布線M2。
[0083]上述的通路部V2和布線M2以各自不同的步驟形成。作為另一種方式，通路部V2和布線M2可通過同一步驟形成。在這種情況下，通路部V2和布線M2被形成為一個主體。在這種情況下，通過在層間絕緣膜IL2中形成通路部V2的通孔，在層間絕緣膜IL2上形成第二布線層的導(dǎo)電膜以填充該通孔，然后通過光刻和蝕刻圖案化作為結(jié)果的導(dǎo)電膜，來形成布線M2。結(jié)果，形成布線M2，并同時形成與布線M2集成在一起的通路部V2。
[0084]接下來，如圖9所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在層間絕緣膜IL2上，形成層間絕緣膜IL3，以覆蓋布線M2。
[0085]接下來，如圖10所示，用通過光刻形成在層間絕緣膜IL3上的光致抗蝕圖案(未示出)作為蝕刻掩膜，通過干蝕刻層間絕緣膜IL3，在層間絕緣膜IL3中形成待用通路部V3填充的通孔(孔)。然后用導(dǎo)電膜填充該通孔，以在該通孔中形成通路部V3。該通路部V3可使用如同用于形成通路部V2的導(dǎo)電材料和方法形成。通路部V3也可稱為導(dǎo)電插塞。
[0086]接下來，在用通路部V3填充的層間絕緣膜IL3上，形成第三布線層的布線M3。布線M3以下列方式形成。首先，在用通路部V3填充的層間絕緣膜IL3上，形成第三布線層的導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜由例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)電膜得到的膜組成，且它可通過濺射等形成。然后，使用光刻和蝕刻圖案化第三布線層的導(dǎo)電膜，以形成布線M3。該布線M3優(yōu)選是鋁布線。通路部V3在其下表面接近于布線M2并由此將其電耦合到布線M2，同時通路部V3在上表面接近于布線M3并由此將其電耦合到布線M3。這意味著通路部V3將布線M2電耦合到布線M3。
[0087]在以上描述中，通路部V3和布線M3以各自不同的步驟形成。在另一種方式中，通路部V3和布線M3可通過同一步驟形成。在這種情況下，通路部V3和布線M3被形成為一個主體。
[0088]接下來，如圖11所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在層間絕緣膜IL3上，形成層間絕緣膜IL4，以覆蓋布線M3。
[0089]接下來，如圖12所示，用通過光刻形成在層間絕緣膜IL4上的光致抗蝕圖案(未示出)作為蝕刻掩膜，干蝕刻層間絕緣膜IL4，以在層間絕緣膜IL4中形成待用通路部V4填充的通孔(孔)。然后用導(dǎo)電膜填充最終的通孔，以在該通孔中形成通路部V4。該通路部V4可使用與用于形成通路部V3的導(dǎo)電材料和方法相同的導(dǎo)電材料和方法形成。通路部V4也可稱為導(dǎo)電插塞。
[0090]接下來，在用通路部V4填充的層間絕緣膜IL4上，形成第四布線層的布線M4。布線M4以下列方式形成。首先，在用通路部V4填充的層間絕緣膜IL4上，形成第四布線層的導(dǎo)電膜。這種導(dǎo)電膜由以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)電膜得到的膜制成，且它可使用濺射等形成。然后，使用光刻和蝕刻圖案化第四布線層的導(dǎo)電膜，以形成布線M4。該布線M4優(yōu)選是鋁布線。通路部V4在其下表面接近于布線M3并由此將其電耦合到布線M3，同時通路部V4在其上表面接近于布線M4并由此將其電耦合到布線M4。這意味著通路部V4將布線M3電耦合到布線M4。
[0091]在以上描述中，通路部V4和布線M4以各自不同的步驟形成。作為另一種方式，通路部V4和布線M4可通過同一步驟形成。在這種情況下，通路部V4和布線M4被形成為一個主體。
[0092]接下來，如圖13所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在層間絕緣膜IL4上，形成層間絕緣膜IL5，以覆蓋布線M4。
[0093]接下來，如圖14所示，用通過光刻形成在層間絕緣膜IL5上的光致抗蝕圖案(未示出)作為蝕刻掩膜，干蝕刻層間絕緣膜IL5，以在層間絕緣膜IL5中形成待用通路部V5填充的通孔(孔)。然后用導(dǎo)電膜填充該通孔，以在該通孔中形成通路部V5。該通路部V5可使用與用于形成通路部V4的導(dǎo)電材料和方法相同的導(dǎo)電材料和方法形成。通路部V5也可稱為導(dǎo)電插塞。
[0094]在用通路部V5填充的層間絕緣膜IL5上，形成第五布線層的布線M5和墊H)。布線M5和墊PD以下列方式形成。首先，在用通路部V5填充的層間絕緣膜IL5上，形成第五布線層的導(dǎo)電膜。這種導(dǎo)電膜是例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)體膜得到的膜，且它可使用濺射等形成。然后，使用光刻和蝕刻圖案化第五布線層的導(dǎo)電膜，以形成布線M5和墊H)。該布線M5優(yōu)選是鋁布線，且該墊H)優(yōu)選是鋁墊。通路部V5在其下表面接近于布線M4并由此將其電耦合到布線M4，同時通路部V5在其上表面接近于布線M5或墊H)并由此將其電耦合到布線M5或墊PD。這意味著通路部V5將布線M4電耦合到布線M5，或者將布線M4電耦合到墊H)。該墊H)可具有例如邊大于布線M5的布線寬度的基本上矩形的平面形狀。
[0095]在以上描述中，通路部V5和布線M5以各自不同的步驟形成。在另一種方式中，通路部V5和布線M5可在一個步驟中形成。在這種情況下，通路部V5和布線M5或墊PD被形成為一個主體。在這種情況下，通過在層間絕緣膜IL5中形成通孔，在層間絕緣膜IL5上形成第五布線層的導(dǎo)電膜以填充該通孔，并且然后通過光刻和蝕刻圖案化該導(dǎo)電膜，來形成布線M5和墊ro ο結(jié)果，形成布線M5并形成墊ro，且同時整體形成通路部V5和布線M5或墊ro。
[0096]在以上描述中，墊ro和布線M5形成在同一層中。還存在墊PD和布線不形成在同一層中的方式。
[0097]接下來，如圖15所示，在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上形成，即在層間絕緣膜IL5上形成絕緣膜(保護(hù)膜、保護(hù)絕緣膜)PA，以覆蓋布線M5和墊H)。
[0098]作為絕緣膜PA，可使用通過疊置多個絕緣膜得到的單層絕緣膜或堆疊的絕緣膜。例如，可使用氧化硅膜、氮化硅膜或其堆疊的膜(例如，氧化硅膜和氧化硅膜上的氮化硅膜的堆疊的膜)作為絕緣膜PA?？蛇x擇地，也可使用由聚酰亞胺樹脂等制成的樹脂膜(有機(jī)絕緣膜)作為絕緣膜PA。
[0099]接下來，在絕緣膜PA中形成開口部0P。該開口部OP通過選擇性去除墊PD上的絕緣膜PA形成。該開口部OP被形成為在平面圖中包括在墊ro中。從絕緣膜PA的開口部OP來看，暴露了墊ro的表面。即使形成了開口部OP，由于布線M5仍用絕緣膜PA覆蓋，所以沒有暴露布線M5o
[0100]開口部OP例如可以以下列方式形成。在形成絕緣膜PA之后，通過光刻在絕緣膜PA上形成光致抗蝕圖案(未示出)。然后，用該光致抗蝕圖案作為蝕刻掩膜，蝕刻(干蝕刻)絕緣膜PA，以在絕緣膜PA中形成開口部OP。當(dāng)絕緣膜PA由光敏樹脂制成時，曝光并顯影由光敏樹脂制成的絕緣膜PA，以在絕緣膜PA中形成開口部0P。另外，可電鍍從開口部OP暴露出來的墊PD。
[0101]然后執(zhí)行切割(劃片)半導(dǎo)體襯底SB的劃片步驟，并將其分成(使個體化)多個半導(dǎo)體芯片。以這種方式，可以制造半導(dǎo)體器件。
[0102]〈層間絕緣膜形成步驟〉
[0103]接下來，參考圖16至27，將描述本實(shí)施例的形成層間絕緣膜的步驟。圖16是示出本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一些制造步驟的工藝流程圖。圖17至27是在制造步驟期間本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。圖17至27不包括在層間絕緣膜IL7下面的結(jié)構(gòu)。
[0104]布線M7對應(yīng)于布線肌、]?2、]\0和]\14中的任一布線。這意味著當(dāng)布線17對應(yīng)于布線肌時，層間絕緣膜IL7對應(yīng)于層間絕緣膜ILl，層間絕緣膜IL8對應(yīng)于層間絕緣膜IL2，通路部V8對應(yīng)于通路部V2，布線M8對應(yīng)于布線M2。當(dāng)布線M7對應(yīng)于布線M2時，層間絕緣膜IL7對應(yīng)于層間絕緣膜IL2，層間絕緣膜IL8對應(yīng)于層間絕緣膜IL3，通路部V8對應(yīng)于通路部V3，布線M8對應(yīng)于布線M3。當(dāng)布線M7對應(yīng)于布線M3時，層間絕緣膜IL7對應(yīng)于層間絕緣膜IL3，層間絕緣膜IL8對應(yīng)于層間絕緣膜IL4，通路部V8對應(yīng)于通路部V4，布線M8對應(yīng)于布線M4。當(dāng)布線M7對應(yīng)于布線M4時，層間絕緣膜IL7對應(yīng)于層間絕緣膜IL4，層間絕緣膜IL8對應(yīng)于層間絕緣膜IL5，通路部V8對應(yīng)于通路部V5，布線M8對應(yīng)于布線M5或墊H)。
[0105]圖17示出了直接在層間絕緣膜IL7上形成布線M7之前的階段。雖然層間絕緣膜IL7用通路部填充(對應(yīng)于通路部V1、V2、V3和V4中的任一通路部)，但從圖上看省略了掩埋在層間絕緣膜IL7中的通路部。
[0106]在層間絕緣膜IL7上形成布線M7(圖16的步驟SI)。具體地，可如下形成布線M7(圖18和圖19)。
[0107]具體來說，如圖18所示，在層間絕緣膜IL7上形成用于形成布線M7的導(dǎo)電膜(金屬膜)CD1。該導(dǎo)電膜CDl由例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)體膜得到的膜組成，且它可使用濺射等形成。然后，通過光刻在該導(dǎo)電膜CDl上形成光致抗蝕圖案PR1。用該光致抗蝕圖案PRl作為蝕刻掩膜，然后蝕刻(干蝕刻)該導(dǎo)電膜CD1。通過這種蝕刻，圖案化導(dǎo)電膜CD1，并形成由圖案化的導(dǎo)電膜CDl組成的布線M7，如圖19所示。然后去除光致抗蝕圖案PR1。圖19示出了去除后的階段。以這種方式，可在步驟SI中形成布線M7。在層間絕緣膜IL7上形成多個布線M7。
[0108]在以上描述中，以各自不同的步驟形成掩埋在層間絕緣膜IL7中的通路部(未示出)和布線M7。掩埋在層間絕緣膜IL7中的通路部(未示出)和布線M7可在一個步驟中形成，且在這種情況下，掩埋在層間絕緣膜IL7中的通路部(未示出)和布線M7被形成為一個主體。
[0109]在步驟SI中形成布線M7之后，在層間絕緣膜IL7上形成層間絕緣膜IL8以覆蓋布線M7。形成層間絕緣膜IL8的步驟包括圖16中的每一個步驟S2(形成絕緣膜IL8a的步驟)、步驟S3(氧等離子體處理)和步驟S4(形成絕緣膜ILSb的步驟)。在下文中將具體描述形成層間絕緣膜IL8的步驟。
[0110]具體來說，在步驟SI中形成布線M7之后，通過旋涂在半導(dǎo)體襯底的主表面(整個主表面)上，即在層間絕緣膜IL7上，形成絕緣膜IL8a以覆蓋布線M7，如圖20所示(圖16的步驟S2)。
[0111]絕緣膜ILSa是使用旋涂形成的絕緣膜，優(yōu)選是使用旋涂形成的氧化硅膜。作為絕緣膜I L8a，可優(yōu)選使用SOG (旋涂玻璃)膜。
[0112]在旋涂(旋涂步驟)中，通過將作為形成薄膜(在這里，絕緣膜IL8a)的材料的化學(xué)溶液供應(yīng)(滴加)到半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上并高速旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片將其涂覆到半導(dǎo)體晶片上。通過烘烤處理(熱處理)使涂覆的溶液(通過涂覆形成的膜)中的溶劑蒸發(fā)，并使涂覆的溶液(通過涂覆形成的膜)變硬或固化以形成薄膜(在這里，絕緣膜IL8a)。作為烘烤處理，例如，可執(zhí)行在氮?dú)庵谢蛟诳諝庵袕募s300 °C的溫度到500 °C的溫度的熱處理。
[0113]接下來，如圖21所示，使絕緣膜ILSa的表面受到氧等離子體處理(圖16的步驟S3)。
[0114]在步驟S3中執(zhí)行的處理(在這里，氧等離子體處理)是絕緣膜ILSa的表面的親水性改善處理。更具體地，在步驟S3中執(zhí)行的處理(在這里，氧等離子體處理)是用于改善絕緣膜ILSa對于隨后執(zhí)行的步驟S4中使用的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)的潤濕性的處理。將執(zhí)行步驟S3時與不執(zhí)行步驟S3時進(jìn)行比較，絕緣膜ILSa示出了對于步驟S4中的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)的更高潤濕性，這將在隨后描述。換句話說，將執(zhí)行步驟S3時與不執(zhí)行步驟S3時進(jìn)行比較，絕緣膜ILSa更易于用步驟S4中的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)潤濕，這將在隨后描述。
[0115]在步驟S3的氧等離子體處理期間，將絕緣膜ILSa的表面暴露到氧等離子體。當(dāng)將絕緣膜IL8a的表面暴露到氧等離子體時，絕緣膜IL8a的表面就會被改性，并通過氧等離子體將有機(jī)物或碳從絕緣膜ILSa的表面去除。這導(dǎo)致改善了絕緣膜ILSa的表面的親水性，并改善了絕緣膜ILSa對于在步驟S4中使用的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)的潤濕性。由此，將氧等離子體處理適用為絕緣膜ILSa的表面的親水性改善處理。通過將化學(xué)溶液滴加到絕緣膜ILSa上所形成的液滴的接觸角，可判定絕緣膜ILSa對于化學(xué)溶液的潤濕性是高還是低。將接觸角的減小判定為改善潤濕性(容易潤濕)。改善潤濕性意味著改善親水性，結(jié)果可將步驟S3的處理稱為絕緣膜IL8a的表面的親水性改善處理。
[0116]作為步驟S3的絕緣膜ILSa的表面的親水性改善處理，氧等離子體處理可用在臭氧
(O3)氣氛中半導(dǎo)體襯底SB的熱處理代替。
[0117]接下來，如圖22所示，通過旋涂在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，S卩在絕緣膜IL8a上，形成絕緣膜IL8b(圖16的步驟S4)。
[0118]絕緣膜ILSb是使用旋涂形成的絕緣膜，優(yōu)選是使用旋涂形成的氧化硅膜。作為絕緣膜I L8b，可優(yōu)選使用SOG。
[0119]絕緣膜ILSb形成在絕緣膜ILSa上，以使其接近于絕緣膜ILSa。在步驟S2之后而在步驟S4之前執(zhí)行步驟S3的處理，以便通過步驟S3的處理形成通過改變絕緣膜ILSa的表面(表面層部分)而產(chǎn)生的改性層，且該改性層可出現(xiàn)在絕緣膜ILSa和絕緣膜ILSb之間的界面上。
[0120]在類似于步驟S2的步驟S4中，通過旋涂(旋涂步驟)形成絕緣膜IL8b，以便將作為形成薄膜(在這里，絕緣膜IL8b)的材料的化學(xué)溶液供應(yīng)(滴加)到半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上并通過高速旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片將其涂覆到半導(dǎo)體晶片上。然后通過烘烤處理(熱處理)使涂覆的溶液(通過涂覆形成的膜)中的溶劑蒸發(fā)，并使涂覆的溶液(通過涂覆形成的膜)變硬或固化以形成薄膜(在這里，絕緣膜IL8b)。作為烘烤處理，例如，可執(zhí)行在氮?dú)庵谢蛟诳諝庵袕募s300 0C的溫度到500 0C的溫度的熱處理。
[0121]絕緣膜IL8b和絕緣膜IL8a優(yōu)選由同一材料制成，更優(yōu)選是氧化硅。步驟S4中使用的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)和步驟S2中使用的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSa的化學(xué)溶液)是相同的(同一種)化學(xué)溶液。
[0122]在通過旋涂形成絕緣膜時，位于下面的膜的親水性是重要的。當(dāng)下面的膜是使用CVD(化學(xué)氣相沉積)形成的膜時(其在下文中稱為“CVD膜”)，由于CVD膜的表面的相對較高的親水性，通過旋涂能使絕緣膜容易并精確地形成在CVD膜上。另一方面，當(dāng)下面的膜是通過旋涂形成的膜時(其在下文中將稱為“旋涂膜”)，由于旋涂膜的表面可能具有降低的親水性，所以不容易在旋涂膜上精確地形成另一絕緣膜。
[0123]另一方面，在本實(shí)施例中，在步驟S2中通過旋涂形成絕緣膜IL8a之后且在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜IL8a上形成絕緣膜IL8b之前，步驟S3中執(zhí)行絕緣膜IL8a的表面的親水性改善處理。這使得它能夠改善絕緣膜ILSa對于用于形成步驟S4的絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液的潤濕性，從而通過旋涂在絕緣膜ILSa上能容易且精確地形成作為旋涂膜的絕緣膜IL8b。
[0124]通過以這種方式執(zhí)行步驟S2、S3和S4，形成了由絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8a上的絕緣膜ILSb的堆疊的膜(堆疊的絕緣膜)組成的層間絕緣膜IL8。因此，步驟S2、S3和S4也可稱為形成層間絕緣膜IL8的步驟。堆疊的絕緣膜對應(yīng)于由多個絕緣膜組成的堆疊的膜。層間絕緣膜IL8形成在層間絕緣膜IL7上以便覆蓋布線M7。
[0125]當(dāng)不同于本實(shí)施例時，布線M7是通過鑲嵌工藝形成的掩埋布線，布線M7掩埋在層間絕緣膜IL7中，使得很可能會使形成在層間絕緣膜IL7上的層間絕緣膜變平。然而，在本實(shí)施例中，布線M7是通過圖案化導(dǎo)電膜形成的布線，且其優(yōu)選是鋁布線。在這種情況下，布線M7不掩埋在層間絕緣膜IL7中并從層間絕緣膜IL7的上表面突出。當(dāng)層間絕緣膜IL8形成在層間絕緣膜IL7上以覆蓋布線M7時，存在由布線M7從層間絕緣膜IL8的表面出現(xiàn)而引起的階梯差或不平坦的擔(dān)憂。然而，通過本實(shí)施例的方法形成的層間絕緣膜IL8的表面(上表面)，具有高平坦度且?guī)缀鯖]有隨后將描述的由于布線M7出現(xiàn)在層間絕緣膜IL8的表面上而引起的階梯差或不平坦。因此，通過步驟S2、S3和S4形成層間絕緣膜IL8之后，為了增強(qiáng)層間絕緣膜IL8的平坦度，將不使層間絕緣膜IL8受到CMP處理(拋光處理)。
[0126]在通過步驟S2、S3和S4形成層間絕緣膜IL8之后，在層間絕緣膜IL8中形成通孔(孔)SH(圖16的步驟S5)。
[0127]更具體地，如圖23所示，通過光刻在層間絕緣膜IL8上形成光致抗蝕圖案PR2之后，用該光致抗蝕圖案PR2作為蝕刻掩膜，干蝕刻層間絕緣膜IL8，然后在層間絕緣膜IL8中形成通孔SH，如圖24所示。然后去除光致抗蝕圖案PR2。圖24示出了去除之后的階段。通孔SH穿過層間絕緣膜IL8，并在通孔SH的底部部分暴露布線M7的上表面。
[0128]接下來，如圖25所示，通過用導(dǎo)電膜填充通孔SH在通孔SH中形成通路部V8(圖16的步驟36)。通路部￥8可稱為導(dǎo)電插塞。上面已經(jīng)描述了各個通路部￥1、￥2、￥3、￥4和￥5的形成步驟，所以在這里省略了對步驟S6中形成通路部V8的步驟的描述。通路部V8在其下表面接近于布線M7，并由此使其電耦合到布線M7。
[0129]然后，在用通路部V8填充的層間絕緣膜IL8上形成布線M8(圖16的步驟S7)。
[0130]形成布線M8的方法基本上類似于形成布線M7的方法。具體來說，如圖26所示，在層間絕緣膜IL8上形成用于形成布線M8的導(dǎo)電膜(金屬膜)CD2。該導(dǎo)電膜CD2由例如以提到的順序依次疊置阻擋導(dǎo)體膜、鋁膜和另一阻擋導(dǎo)體膜得到的膜組成，且它可使用濺射形成。然后，通過光刻在該導(dǎo)電膜CD2上形成光致抗蝕圖案(未示出)，并用該光致抗蝕圖案作為蝕刻掩膜，通過蝕刻(干蝕刻)圖案化導(dǎo)電膜CD2。因此，如圖27所示，可以形成布線M8。以這種方式，可在步驟S7中形成布線M8 ο在層間絕緣膜IL8上形成多個布線M8。
[0131]在圖中示出了通過各自不同的步驟形成的通路部V8和布線M8。通路部V8和布線M8被分開地形成。在另一方式中，通路部V8和布線M8可在一個步驟中形成。在這種情況下，通路部V8和布線M8被形成為一個主體。
[0132](研究示例)
[0133]接下來，將描述本發(fā)明人研究的示例。圖28至31是在制造步驟期間的本發(fā)明人研究的第一研究示例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。圖32至34是在制造步驟期間的本發(fā)明人研究的第二研究示例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。圖35和36是在制造步驟期間的本發(fā)明人研究的第三研究示例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。
[0134]類似于圖19，圖28和32示出了形成在層間絕緣膜IL7上的布線M7。圖35示出了形成在層間絕緣膜IL7上的布線M7和虛設(shè)布線DM。類似于圖17至27，圖28至35同樣沒有示出在層間絕緣膜IL7下面的結(jié)構(gòu)。
[0135]本實(shí)施例、第一研究示例和第二研究示例在形成層間絕緣膜的方法方面彼此不同。首先，參考圖28至31，將具體描述第一研究示例的制造步驟。
[0136]具體來說，如圖28所示，在第一研究示例中，在層間絕緣膜IL7上形成布線M7，然后，如圖29所示，使用CVD在層間絕緣膜IL7上形成層間絕緣膜IL108以覆蓋布線M7。層間絕緣膜IL108是使用CVD形成的絕緣膜，且其優(yōu)選是使用CVD形成的氧化硅膜。
[0137]接下來，如圖30所示，使用CMP拋光層間絕緣膜IL108的上表面以使其平整。結(jié)果，形成具有幾乎平坦上表面的層間絕緣膜IL108。層間絕緣膜IL108形成在層間絕緣膜IL7上以覆蓋布線M7。
[0138]然后，如圖31所示，通過光刻和干蝕刻在層間絕緣膜IL108中形成通孔SH之后，用導(dǎo)電膜填充該通孔SH以在通孔SH中形成通路部V8。然后，在層間絕緣膜IL108上形成布線M8o
[0139]接下來，參考圖32至34，將具體描述第二研究示例的制造步驟。
[0140]具體來說，如圖32所示，在層間絕緣膜IL7上形成布線M7。在第二研究示例中，如圖33所示，通過旋涂在層間絕緣膜IL7上形成層間絕緣膜IL208以覆蓋布線M7。層間絕緣膜IL208是使用旋涂形成的絕緣膜，且其優(yōu)選是使用旋涂形成的氧化硅膜。
[0141]如圖34所示，然后，通過光刻和干蝕刻在層間絕緣膜IL208中形成通孔SH，然后用導(dǎo)電膜填充該通孔SH以在通孔SH中形成通路部V8。然后，在層間絕緣膜IL208上形成布線M8o
[0142]在第二研究示例中，層間絕緣膜IL208在對應(yīng)于步驟S2的步驟中通過旋涂形成。由此形成的層間絕緣膜IL208的厚度大于本實(shí)施例的絕緣膜IL8a的厚度，并與絕緣膜IL8a的厚度和本實(shí)施例中形成的絕緣膜ILSb的厚度的總和幾乎一致。在第二研究示例中，不同于本實(shí)施例，既不執(zhí)行對應(yīng)于步驟S3的步驟也不執(zhí)行對應(yīng)于步驟S4的步驟。這意味著層間絕緣膜IL208通過單一的旋涂步驟形成。
[0143]換句話說，在本實(shí)施例中，層間絕緣膜IL8包括通過旋涂形成的多個絕緣膜(在這里，絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8b)，而在第二研究示例中，層間絕緣膜IL208由通過旋涂形成的單層絕緣膜組成。
[0144]首先，將描述第一研究示例。
[0145]第一研究示例中的層間絕緣膜IL108是使用CVD形成的絕緣膜。使用CVD形成的絕緣膜具有與下面的形狀共形的特性。如圖29所示，使用CVD形成的層間絕緣膜IL108與布線M7是共形的，因此層間絕緣膜IL108在其上表面具有反映布線M7的形狀的階梯差(或不平坦)。
[0146]在第一研究示例中，在通過CVD形成層間絕緣膜IL108之后，將要執(zhí)行通過CMP拋光層間絕緣膜IL108的上表面的拋光步驟。通過該CMP步驟，使層間絕緣膜IL108的上表面變平整，如圖30所示。
[0147]當(dāng)在不執(zhí)行使層間絕緣膜IL108受到CMP處理的步驟的情況下，在層間絕緣膜IL108的上表面上具有反映布線M7的形狀的階梯差(或不平坦)的同時，執(zhí)行隨后的制造步驟時，存在出現(xiàn)如下的不便的擔(dān)憂。
[0148]具體來說，層間絕緣膜IL108的上表面上的階梯差(或不平坦)，使得難以通過光刻在層間絕緣膜IL108上精確地形成光致抗蝕圖案。例如，在層間絕緣膜IL108中形成通孔SH時，通過光刻在層間絕緣膜IL108上形成對應(yīng)于光致抗蝕圖案PR2的光致抗蝕圖案，并用該光致抗蝕圖案作為蝕刻掩膜蝕刻層間絕緣膜IL108，來形成通孔SH。層間絕緣膜IL108的上表面上的階梯差，防礙了對應(yīng)于光致抗蝕圖案PR2的光致抗蝕圖案的精確形成。層間絕緣膜IL108的上表面上的階梯差，使得難以通過光刻在曝光時調(diào)整曝光的焦點(diǎn)，并存在由此形成的光致抗蝕圖案的位置和形狀偏離設(shè)計(jì)的位置和形狀的擔(dān)憂。這可能會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性劣化。因此，必須增加層間絕緣膜IL108的上表面的平整度。
[0149]另外，層間絕緣膜IL108的上表面上的階梯差，在鄰近階梯差的位置可能會引起蝕刻殘留物，且可能會出現(xiàn)由這種蝕刻殘留物引起的不便。例如，通過在層間絕緣膜IL108上形成對應(yīng)于導(dǎo)電膜CD2的導(dǎo)電膜，然后通過光刻圖案化導(dǎo)電膜和蝕刻，來形成布線M8。在圖案化時的干蝕刻步驟中，存在在鄰近層間絕緣膜IL108的上表面上的階梯差的位置殘留導(dǎo)電膜的蝕刻殘留物的擔(dān)憂。導(dǎo)電膜的蝕刻殘留物可能會成為短路或漏電的原因，且它會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性劣化。因此，必須盡可能地防止導(dǎo)電膜的蝕刻殘留物殘留在層間絕緣膜IL108上。因此，層間絕緣膜IL108的上表面將具有改善的平整度。
[0150]由于應(yīng)使層間絕緣膜IL108的上表面變平整，所以使用CVD形成層間絕緣膜IL108，然后通過CMP處理使層間絕緣膜IL108的上表面變平整。
[0151]然而，在形成層間絕緣膜IL108之后引入CMP步驟可能會使半導(dǎo)體器件的制造步驟復(fù)雜化，并增加制造成本。為了減少半導(dǎo)體器件的制造成本，希望省略拋光步驟。尤其是，當(dāng)不使用鑲嵌工藝形成布線時，換句話說，通過光刻圖案化導(dǎo)電膜和蝕刻形成布線，布線形成步驟不需要CMP處理，結(jié)果，添加層間絕緣膜IL108的CMP處理往往會增加半導(dǎo)體器件的制造成本。
[0152]因此，為了消除層間絕緣膜的上表面的CMP處理的必要性，本發(fā)明人研究通過旋涂形成層間絕緣膜。
[0153]通過CVD形成的絕緣膜具有與下面的形狀共形的特性，使得絕緣膜在其表面上很可能會具有反映下面的布線的形狀的階梯差(或不平坦)。在通過旋涂形成的絕緣膜的情況下，由于用于通過涂覆形成膜的化學(xué)溶液具有流動性，所以它不會與下面的形狀共形的形成，且在其上表面上不大可能具有反映下面的布線的形狀的階梯差(或不平坦)。
[0154]假設(shè)使用通過旋涂形成的絕緣膜作為層間絕緣膜，以便在膜形成之后在沒有CMP處理的情況下，允許層間絕緣膜具有平坦表面。
[0155]在參考圖32至34描述的第二研究示例中，絕緣膜IL208使用旋涂形成。第二研究示例中的絕緣膜IL208的表面，即層間絕緣膜IL208的表面，比在第一研究示例的CMP處理之前的層間絕緣膜IL108的表面更平坦。
[0156]與通過CVD形成的絕緣膜相比，通過旋涂形成的絕緣膜具有平坦的表面。然而，SP使使用旋涂，也難以完全消除下面布線的不平坦造成的影響，并形成具有完全平坦表面的絕緣膜。甚至在第二研究示例中，層間絕緣膜IL208在其表面上不可避免地會具有反映布線M7的形狀的階梯差DS。
[0157]層間絕緣膜IL208的表面上的階梯差不大可能出現(xiàn)在其中密集地布置有布線M7的區(qū)域中，它可能出現(xiàn)在其中密集地布置有布線M7的區(qū)域和其中稀疏地布置有布線M7的區(qū)域之間的邊界附近。
[0158]在旋涂時，通過將用于形成薄膜(在這里，層間絕緣膜IL208)的材料的化學(xué)溶液供應(yīng)(滴加)到半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上，通過高速旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片將它涂覆到半導(dǎo)體晶片上，然后執(zhí)行烘烤處理(熱處理)，來形成薄膜(在這里，層間絕緣膜IL208)?；瘜W(xué)溶液通過離心力向半導(dǎo)體晶片的外側(cè)轉(zhuǎn)移，但是，當(dāng)半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)時，布線M7會阻止化學(xué)溶液的轉(zhuǎn)移。在從半導(dǎo)體晶片中心向半導(dǎo)體晶片外圍的方向上的、其中密集地布置有布線M7的區(qū)域的下游，不太可能傳送化學(xué)溶液，且化學(xué)溶液(通過涂覆形成的膜)的厚度變得相對較薄。簡而言之，在那里會出現(xiàn)通過將化學(xué)溶液涂覆到半導(dǎo)體晶片的主表面上形成的膜的厚度的不平坦。因此，在其中密集地布置有布線M7的區(qū)域和其中稀疏地布置有布線M7的區(qū)域之間的邊界附近，在層間絕緣膜IL208的表面上不可避免地會出現(xiàn)階梯差DS。
[0159]鑒于要形成的絕緣膜的厚度，確定供應(yīng)到半導(dǎo)體晶片上的用于通過旋涂形成絕緣膜的化學(xué)溶液的粘度?；瘜W(xué)溶液的粘度的增加會導(dǎo)致，在使半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)時通過涂覆留在半導(dǎo)體晶片上的化學(xué)溶液形成的膜的厚度增加，而化學(xué)溶液的粘度的降低會導(dǎo)致，在使半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)時通過涂覆留在半導(dǎo)體晶片上的化學(xué)溶液形成的膜的厚度減小。這意味著通過增加化學(xué)溶液的粘度能在半導(dǎo)體晶片上形成厚絕緣膜，而通過降低化學(xué)溶液的粘度能使形成在半導(dǎo)體晶片上的絕緣膜的厚度減小。
[0160]當(dāng)化學(xué)溶液具有高粘度時，在其中密集地布置有布線M7的區(qū)域和其中稀疏地布置有布線M7的區(qū)域之間的邊界附近的層間絕緣膜IL208的表面上，很可能會出現(xiàn)階梯差DS13S一方面，具有低粘度的化學(xué)溶液容易鋪展在半導(dǎo)體晶片上方，結(jié)果，在層間絕緣膜IL208的表面上不大可能出現(xiàn)階梯差DS。
[0161]當(dāng)用于形成層間絕緣膜IL208的化學(xué)溶液具有高粘度時，由此形成的層間絕緣膜IL208具有增加的厚度，但相反，階梯差DS很可能會出現(xiàn)在層間絕緣膜IL208的表面上。當(dāng)化學(xué)溶液具有低粘度時，由此形成的層間絕緣膜IL208具有減小的厚度，但相反，階梯差DS不大可能會出現(xiàn)在層間絕緣膜IL208的表面上。
[0162]然而，減小層間絕緣膜IL208的厚度會增加上層布線(在這里，布線M8)和下層布線(在這里，布線M7)之間的寄生電容，上層布線(在這里，布線M8)和下層布線(在這里，布線M7)關(guān)于其之間的層間絕緣膜IL208相互垂直面對，使得層間絕緣膜IL208需要具有一定厚度。因此，在第二研究示例中，難以使層間絕緣膜IL208變薄，因此，難以降低用于通過旋涂形成層間絕緣膜IL208的化學(xué)溶液的粘度。這意味著為了確保某一厚度的層間絕緣膜IL208，必須增加用于通過旋涂形成層間絕緣膜IL208的化學(xué)溶液的粘度。這不可避免地會在層間絕緣膜IL208的表面上引起階梯差DS。
[0163]如上結(jié)合第一研究示例所述，當(dāng)通過光刻在層間絕緣膜IL208上形成光致抗蝕圖案時，層間絕緣膜IL208的表面上的階梯差會使得難以精確地形成光致抗蝕圖案。另外，由于階梯差，如果在層間絕緣膜IL208的表面上真有不必要的蝕刻殘留物(導(dǎo)電膜的蝕刻殘留物)殘留在鄰近階梯差的位置，它可能會導(dǎo)致由蝕刻殘留物引起的不便。由此得到的半導(dǎo)體器件可能會具有由這種不便引起的劣化的可靠性。
[0164]因此，作為第三研究示例，在其中有布線M7的層中形成虛設(shè)布線，并研究增強(qiáng)層間絕緣膜的表面平坦度。參考圖35和36，在下文中將具體描述第三研究示例的制造步驟。
[0165]在第三研究示例中，如圖35所示，在層間絕緣膜IL7上形成布線M7和虛設(shè)布線DM。更具體地，通過在層間絕緣膜IL7上形成對應(yīng)于導(dǎo)電膜CDl的導(dǎo)電膜，然后圖案化導(dǎo)電膜，來形成布線M7和虛設(shè)布線DM。通過使用他們共用的導(dǎo)電膜在同一步驟中形成布線M7和虛設(shè)布線DM。隨后執(zhí)行的第三研究示例的步驟類似于第二研究示例的步驟。具體來說，如圖36所示，通過使用旋涂在層間絕緣膜IL7上形成層間絕緣膜IL308以覆蓋布線M7和虛設(shè)布線DM。層間絕緣膜IL308是使用旋涂形成的絕緣膜，且其優(yōu)選是使用旋涂形成的氧化硅膜。然后，形成通孔SH、通路部V8和布線M8，但在這里省略了它們的說明和描述。
[0166]在第三研究示例中，虛設(shè)布線DM布置在其中未布置有布線M7的未用空間中。因此，在那里大部分區(qū)域都有布線M7或虛設(shè)布線DM，這使得它難以引起階梯差，諸如通過旋涂形成的層間絕緣膜IL308的表面上的階梯差DS。
[0167]然而，在第三研究示例中，虛設(shè)布線DM應(yīng)該形成在其中有布線M7的層中。換句話說，當(dāng)存在其中沒有形成布線M7的未用空間時，在那里應(yīng)該布置虛設(shè)布線DM。這需要重新設(shè)計(jì)包括布線M7和虛設(shè)布線DM的布線層。這導(dǎo)致了半導(dǎo)體器件的整個設(shè)計(jì)的變化，且其應(yīng)用造成了大的負(fù)擔(dān)。即使當(dāng)重新設(shè)計(jì)包括布線M7和虛設(shè)布線DM的布線層時，布線的布局也會變得困難。鑒于重新設(shè)計(jì)的勞動力和半導(dǎo)體器件的制造成本，選擇其中提供虛設(shè)布線DM的第三研究示例是不可取的。
[0168](主要特征和優(yōu)勢)
[0169]因此，在本實(shí)施例中，通過疊置每個都通過旋涂形成的多個絕緣膜來形成層間絕緣膜。
[0170]在本實(shí)施例中，在步驟S2中使用旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8a，在步驟S3中使絕緣膜IL8a受到親水性改善處理(第一處理)，然后在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜IL8a上形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8b。層間絕緣膜IL8由包括絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8b的堆疊的絕緣膜組成。
[0171]本實(shí)施例的一個主要特征是，在步驟S2中通過旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8a，且在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜IL8a上形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8b。這意味著在本實(shí)施例中，通過疊置多個絕緣膜，即每個都通過旋涂形成的絕緣膜ILSa和IL8b，來形成層間絕緣膜IL8。因此，層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度，這將在隨后具體描述。
[0172]如上所述，當(dāng)通過旋涂形成絕緣膜時，為了增加絕緣膜的厚度，應(yīng)該增加供應(yīng)到半導(dǎo)體晶片上的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜的化學(xué)溶液)的粘度。然而這可能會導(dǎo)致產(chǎn)生階梯差，諸如由此形成在絕緣膜的表面上的階梯差DS。當(dāng)通過旋涂形成絕緣膜且由此形成的絕緣膜具有小的厚度時，可以減小供應(yīng)到半導(dǎo)體晶片上的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜的化學(xué)溶液)的粘度。這使得難以產(chǎn)生階梯差，諸如由此形成在絕緣膜的表面上的階梯差DS。
[0173]在本實(shí)施例中，通過疊置多個絕緣膜，即每個都通過旋涂形成的絕緣膜ILSa和IL8b，來形成層間絕緣膜IL8，使得通過旋涂形成的絕緣膜IL8a和IL8b可具有薄(小)的厚度。這使得能夠減小用于通過旋涂形成各個絕緣膜ILSa和ILSb的化學(xué)溶液的粘度，并由此使得能夠抑制或防止產(chǎn)生由此形成在絕緣膜I L8a和I L8b的表面上的階梯差。
[0174]假設(shè)本實(shí)施例的層間絕緣膜IL8的厚度和第二研究示例的層間絕緣膜IL208的厚度彼此相等，則本實(shí)施例的絕緣膜IL8a和IL8b都具有小于層間絕緣膜IL208的厚度。在第二研究示例中，厚層間絕緣膜IL208通過單一旋涂步驟形成，使得由此使用的化學(xué)溶液應(yīng)具有高粘度，因此層間絕緣膜IL208在其表面上很可能會具有階梯差DS。另一方面，在本示例中，厚層間絕緣膜IL8通過多個旋涂步驟形成，使得可使用具有低粘度的化學(xué)溶液，并可以防止階梯差諸如上述階梯差DS出現(xiàn)在層間絕緣膜IL8的表面上。結(jié)果，層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度。
[0175]與在單一旋涂步驟中形成厚層間絕緣膜的第二研究示例相比，在通過疊置分別用多個旋涂步驟形成的多個絕緣膜形成厚層間絕緣膜的本實(shí)施例中，通過單一旋涂步驟形成的絕緣膜的厚度較小，以便可以在旋涂步驟中使用具有低粘度的化學(xué)溶液，因此能夠抑制在層間絕緣膜的表面上產(chǎn)生階梯差。這導(dǎo)致了由此形成的絕緣膜的表面平整度的改善。
[0176]本實(shí)施例的另一主要特征是，在步驟S2中通過旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8a之后，但在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜IL8a上形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8b之前，使絕緣膜IL8a在步驟S3中受到親水性改善處理。因此，層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度，這將在下面具體描述。
[0177]假定在步驟S2中通過旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜ILSa之后，在不執(zhí)行步驟S3的情況下，在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜ILSa上形成絕緣膜IL8b，這將稱為“第四研究示例”。在第四研究示例中，由于在旋涂步驟中通過烘烤處理凝固(固化)之后得到的絕緣膜ILSa的表面具有低親水性(潤濕性)，所以在用于形成絕緣膜ILSb的旋涂步驟中絕緣膜ILSa對于用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液的潤濕性變低了。這可能會妨礙絕緣膜ILSb的精確形成。
[0178]換句話說，在用于形成絕緣膜ILSb的旋涂步驟中，將用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液供應(yīng)(滴加)到半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上，并通過高速旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片將其涂覆到半導(dǎo)體晶片上。要涂覆化學(xué)溶液的下層絕緣膜ILSa對于化學(xué)溶液的低潤濕性，會阻止化學(xué)溶液在半導(dǎo)體晶片上的平滑的潤濕和鋪展。這可能會導(dǎo)致形成具有不均勻厚度的涂覆膜。結(jié)果，在其上不期望地形成的絕緣膜ILSb具有不均勻的膜厚度并使由此得到的層間絕緣膜IL8的表面平整度劣化。這意味著在執(zhí)行旋涂步驟中位于要形成的膜(絕緣膜IL8b)的下面的低親水性膜(在這里，絕緣膜IL8a)不是優(yōu)選的。因此，在絕緣膜IL8a具有低親水性時，不必執(zhí)行用于形成絕緣膜ILSb的旋涂步驟。
[0179]通過旋涂步驟、隨后通過烘烤處理形成的絕緣膜不可避免地具有低親水性(潤濕性)的表面。在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a具有較低的親水性，使得在沒有步驟S3的情況下，作為第四研究示例，不能在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜ILSa上容易地形成絕緣膜IL8b。這可能會導(dǎo)致不能精確形成絕緣膜IL8b。例如，在旋涂步驟中，阻止將用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液在整個半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上的平滑的潤濕和鋪展，化學(xué)溶液不能被均勻涂覆，由此形成的絕緣膜ILSb可能具有不均勻的厚度。這會導(dǎo)致形成具有劣化的表面平整度的層間絕緣膜IL8。
[0180]另一方面，在本實(shí)施例中，在步驟S2中通過旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8a之后，在步驟S3中執(zhí)行絕緣膜IL8a的親水性改善處理，然后在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜IL8a上形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8b。通過步驟S3的絕緣膜IL8a的親水性改善處理，在步驟S4的用于形成絕緣膜ILSb的旋涂步驟中，絕緣膜IL8可對于用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液具有改善的潤濕性。這促進(jìn)了形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液在整個半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上的潤濕和鋪展，使得能精確地形成絕緣膜IL8b。例如，由于用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液容易潤濕和鋪展在整個半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底SB)上方，可以防止不均勻涂覆，通過涂覆得到的膜可具有更均勻的厚度，結(jié)果，由此形成的絕緣膜ILSb具有更均勻的厚度。這也有助于形成具有改善的表面平整度的層間絕緣膜IL8。
[0181]在本實(shí)施例中，在步驟S2中通過旋涂形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8a，在步驟S3中執(zhí)行絕緣膜ILSa的親水性改善處理，在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜ILSa上形成層間絕緣膜IL8的絕緣膜IL8b。由于通過疊置每個都由旋涂形成的絕緣膜IL8a和IL8b來形成層間絕緣膜IL8，所以可以減小通過單個旋涂步驟形成的絕緣膜的厚度。因此，可減小旋涂步驟中所使用的化學(xué)溶液的粘度，結(jié)果，由此形成的層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度。另夕卜，在步驟S3中，即在通過旋涂形成絕緣膜ILSa之后且在通過旋涂在絕緣膜ILSa上形成絕緣膜ILSb之前，執(zhí)行絕緣膜ILSa的親水性改善處理，以便可以改善絕緣膜ILSa對于用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液的潤濕性，并使由此得到的層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度。結(jié)果，由包括絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8a上的絕緣膜IL8b的堆疊的絕緣膜組成的層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度。
[0182]本實(shí)施例可提供具有高平整度的層間絕緣膜IL8，以便能夠抑制或防止在層間絕緣膜是劣等平整度時將要出現(xiàn)的不便。例如，當(dāng)通過光刻在層間絕緣膜IL8上形成光致抗蝕圖案(例如，光致抗蝕圖案PR2)時，能夠精確地形成該光致抗蝕圖案。另外，能夠抑制或防止在層間絕緣膜IL8上殘留不必要的蝕刻殘留物(例如，導(dǎo)電膜CD2的蝕刻殘留物)。由此制造的半導(dǎo)體器件可具有改善的可靠性。另外，可以以改善的產(chǎn)量制造半導(dǎo)體器件。此外，本實(shí)施例促進(jìn)了半導(dǎo)體器件的制造步驟的管理，結(jié)果，能夠容易地執(zhí)行半導(dǎo)體器件的制造步驟。
[0183]在本實(shí)施例中形成的層間絕緣膜IL8可具有高平整度。因此，在形成層間絕緣膜IL8之后，層間絕緣膜IL8的CMP處理(拋光處理)不是必須的。這可以降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
[0184]本實(shí)施例不需要形成對應(yīng)于虛設(shè)布線DM的構(gòu)件。這可使布線M7的設(shè)計(jì)變得容易?？稍诓挥弥匦略O(shè)計(jì)布線布局的情況下執(zhí)行本實(shí)施例，使得可以在不增加負(fù)擔(dān)的情況下執(zhí)行本實(shí)施例，并能夠以降低的成本制造半導(dǎo)體器件。
[0185]在步驟S3中，執(zhí)行絕緣膜IL8a的表面的親水性改善處理。作為這種處理，最優(yōu)選執(zhí)行氧等離子體處理。更具體地，在步驟S2中通過旋涂形成絕緣膜ILSa之后且在步驟S4中通過旋涂在絕緣膜ILSa上形成絕緣膜ILSb之前，優(yōu)選在步驟S3中執(zhí)行氧等離子體處理。
[0186]在這種氧等離子體處理中，使絕緣膜ILSa的表面暴露于氧等離子體。通過這種處理，用氧等離子體去除絕緣膜IL8a的表面上的有機(jī)物和碳，絕緣膜IL8a的表面具有改善的親水性，并改善了絕緣膜ILSa對于步驟S4所使用的化學(xué)溶液(用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液)的潤濕性。這使得能夠通過步驟S4中的旋涂，在通過旋涂形成的絕緣膜ILSa上精確地形成絕緣膜IL8b。
[0187]步驟S3中的氧等離子體處理優(yōu)選在170°C或更低的溫度加以執(zhí)行，因?yàn)樵谶^高的氧等離子體處理溫度下，由于絕緣膜ILSa的表面改性而引起的應(yīng)力可能會出現(xiàn)在絕緣膜ILSa中，且可能會使絕緣膜ILSa破裂。為了避免這個，優(yōu)選將步驟S3中的氧等離子體處理溫度減小到某種程度。根據(jù)本發(fā)明人的研究，該溫度優(yōu)選在170°C或更低。通過在170°C或更低的溫度執(zhí)行步驟S3中的氧等離子體處理，絕緣膜ILSa的表面可具有改善的親水性，同時在不失敗的情況下，可防止由于氧等離子體處理而產(chǎn)生的絕緣膜ILSa的破裂。更優(yōu)選將步驟S3中的氧等離子體處理溫度設(shè)置在從室溫到170°C之間，因此等離子體處理設(shè)備不需要有半導(dǎo)體襯底SB的冷卻機(jī)制。
[0188]氧等離子體處理溫度對應(yīng)于當(dāng)受到氧等離子體處理時的半導(dǎo)體襯底SB的溫度(加熱溫度)。因此在步驟S3中，優(yōu)選在將半導(dǎo)體襯底SB的溫度(加熱溫度)調(diào)整在170°C或更低時執(zhí)行氧等離子體處理并將絕緣膜ILSa的表面暴露于氧等離子體。
[0189]在步驟S3中，作為絕緣膜IL8a的表面的親水性改善處理，最優(yōu)選氧等離子體處理，然而，包含臭氧(O3)的氣氛中的熱處理可替換它。這意味著在步驟S3中，代替氧等離子體處理，可在臭氧(O3)氣氛中執(zhí)行半導(dǎo)體襯底SB的熱處理。在包含臭氧(O3)的氣氛中的熱處理溫度(半導(dǎo)體襯底SB的溫度)優(yōu)選從大約200 0C到400 0C。
[0190]由于與包含臭氧(O3)的氣氛中的熱處理相比，在氧等離子體處理中絕緣膜ILSa的表面上的親水性改善效果更好，因此在步驟S3中最優(yōu)選執(zhí)行氧等離子體處理。
[0191]為了通過在氧(O2)氣氛中的熱處理實(shí)現(xiàn)絕緣膜IL8a的表面上的親水性改善效果，熱處理溫度應(yīng)該設(shè)置得非常高。在如此高溫度下的熱處理可能會有各種有害影響(例如，對布線的有害影響)，因此希望避免它。另一方面，氧等離子體處理或在包含臭氧(O3)的氣氛中的熱處理，即使在沒有將熱處理溫度設(shè)置得高于在氧(O2)氣氛中的熱處理溫度的情況下，也能在絕緣膜ILSa的表面上產(chǎn)生親水性改善效果。因此，在本實(shí)施例中，優(yōu)選采用氧等離子體處理或在包含臭氧(O3)的氣氛中的熱處理，最優(yōu)選用氧等離子體處理，作為絕緣膜IL8a的表面上的親水性改善處理。
[0192]在本實(shí)施例中，在步驟S2中通過旋涂形成的絕緣膜IL8a和在步驟S4中通過旋涂形成的絕緣膜IL8b優(yōu)選由同一材料制成，更優(yōu)選由氧化硅制成。當(dāng)絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8b由同一材料制成時，從盡可能多地減少制造步驟的數(shù)量的觀點(diǎn)看，不僅可采用本實(shí)施例的技術(shù)概念，其中絕緣膜ILSa和絕緣膜ILSb通過各自不同的旋涂步驟形成，而且可以采用上述的第二研究示例，其中具有絕緣膜IL8a的厚度和絕緣膜IL8b的厚度之和的層間絕緣膜通過單個旋涂步驟形成。發(fā)現(xiàn)問題是，第二研究示例的層間絕緣膜IL208在其表面上很可能會具有階梯差DS，本發(fā)明人研究了如何通過旋涂形成高度平坦的層間絕緣膜。結(jié)果，他們不僅完成了通過單個旋涂步驟形成厚層間絕緣膜的技術(shù)，而且完成了通過疊置每個都用旋涂步驟形成的多個絕緣膜ILSa和絕緣膜ILSb來形成層間絕緣膜IL8，并在絕緣膜ILSa形成步驟和絕緣膜IL8b形成步驟之間執(zhí)行絕緣膜IL8a的親水性改善處理的技術(shù)。
[0193]在步驟S2中形成的絕緣膜ILSa的厚度Tl優(yōu)選等于或大于在步驟S4中形成的絕緣膜IL8b的厚度T2(T1 > Τ2)。優(yōu)選滿足Tl > Τ2，其中Tl表示在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a的厚度，T2表示在步驟S4中形成的絕緣膜ILSb的厚度。接下來將描述其原因。
[0194]當(dāng)在步驟S2中形成絕緣膜ILSa時，下面的膜的階梯差幾乎對應(yīng)于布線M7的厚度，意思是階梯差是相當(dāng)大的。當(dāng)在具有這種階梯差時將用于形成絕緣膜ILSa的化學(xué)溶液供應(yīng)到半導(dǎo)體晶片的主表面時，在布線M7上通過涂覆形成的結(jié)果膜的厚度變得非常薄。然后執(zhí)行其后的烘烤處理以完成絕緣膜ILSa的形成。與其中沒有布線M7的區(qū)域中的絕緣膜ILSa的厚度相比，在布線M7上的絕緣膜ILSa的厚度是相當(dāng)薄的。另一方面，當(dāng)在步驟S4中形成絕緣膜ILSb時，由于絕緣膜ILSa通過旋涂形成，所以位于下面的絕緣膜ILSa的階梯差小于布線M7的厚度。與在步驟S2中形成絕緣膜IL8a時相比，在步驟S4中形成絕緣膜IL8b時，下面的膜的階梯差變得非常小。當(dāng)在這種狀態(tài)下通過涂覆用于形成絕緣膜ILSb的化學(xué)溶液在半導(dǎo)體晶片的主表面上形成膜時，由此產(chǎn)生的膜即使在布線M7上也往往會厚到某種程度。然后執(zhí)行烘烤處理以完成絕緣膜ILSb的形成，然而，絕緣膜ILSb即使在布線M7上也往往會厚到某種程度。
[0195]為了在保持層間絕緣膜IL8的平整度的同時減小布線M7上的層間絕緣膜IL8的厚度，因此，增加在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a的厚度比增加在步驟S4中形成的絕緣膜IL8b的厚度更有利。另外，由于層間絕緣膜IL8中的通孔SH形成在布線M7上，所以為了便于形成通孔SH，減小布線M7上的層間絕緣膜IL8的厚度是有利的。在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a的厚度Tl優(yōu)選等于或大于在步驟S4中形成的絕緣膜IL8b的厚度T2(T1 2 T2)。更優(yōu)選的是在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a的厚度Tl大于在步驟S4中形成的絕緣膜IL8b的厚度Τ2(Τ1>Τ2)。在保持層間絕緣膜IL8的平整度的同時，這使得能夠減小布線層Μ7上的層間絕緣膜IL8的厚度。為了便于在層間絕緣膜IL8中形成通孔SH，可以減小布線Μ7上的層間絕緣膜IL8的厚度。
[0196]在步驟S2中形成的絕緣膜IL8a的厚度Tl對應(yīng)于在其中沒有布線Μ7的區(qū)域中的絕緣膜IL8a的厚度，并在圖20和22中示出。在步驟S4中形成的絕緣膜IL8b的厚度T2對應(yīng)于在其中沒有布線M7的區(qū)域中的絕緣膜IL8b的厚度，并在圖22中示出。
[0197]在本實(shí)施例中描述的或在后面的第二實(shí)施例中描述的形成層間絕緣膜IL8的方法可應(yīng)用于層間絕緣膜11^1、11^、11^3、11^4和11^5中的至少任一個。這意味著在本實(shí)施例中描述的或在后面的第二實(shí)施例中描述的形成層間絕緣膜IL8的方法可應(yīng)用于五個層間絕緣膜IL1、IL2、IL3、IL4和IL5中的任何一個、任何兩個、任何三個、任何四個或全部層間絕緣膜。
[0198]當(dāng)層間絕緣膜IL8是層間絕緣膜IL2、IL3、IL4和IL5中的任何一個時，層間絕緣膜IL8形成在下面的層間絕緣膜IL7上以覆蓋布線M7(參考圖7、9、11、13和22)。在這種情況下，存在由布線M7(M1、M2、M3或M4)出現(xiàn)在層間絕緣膜IL8(IL2、IL3、IL4或IL5)的表面上而引起階梯差或不平坦的擔(dān)憂。然而，通過本實(shí)施例中描述的或后面的第二實(shí)施例中描述的方法形成層間絕緣膜IL8，可以抑制或防止由布線M7形成在層間絕緣膜IL8的表面(上表面)上而引起的階梯差或不平坦。因此，形成的覆蓋布線M7(M1、M2、M3或M4)的層間絕緣膜IL8(IL2、IL3、IL4或IL5)可具有改善的表面平整度。因此，可以形成具有平坦表面的層間絕緣膜IL8(IL2、IL3、IL4或IL5)。
[0199]當(dāng)層間絕緣膜IL8是層間絕緣膜ILl時，層間絕緣膜IL8(IL1)形成在半導(dǎo)體襯底SB上以覆蓋柵電極(GEl、GE2)(參考圖4和圖22)。在這種情況下，在圖19至27中示出了上述情況，圖38至41示出了下面的情況和與此相關(guān)的描述，層間絕緣膜IL7用半導(dǎo)體襯底SB代替，布線M7用柵電極(GEl、GE2)代替，通路部V8對應(yīng)于通路部Vl，以及布線M8對應(yīng)于布線Ml。然而柵電極(GE1、GE2)經(jīng)由柵絕緣膜(GF)形成在半導(dǎo)體襯底SB上。當(dāng)層間絕緣膜IL8是層間絕緣膜ILl時，存在由柵電極(GE1、GE2)出現(xiàn)在層間絕緣膜IL8(IL1)的表面上而引起階梯差或不平坦的擔(dān)憂。通過使用本實(shí)施例中以上描述的或在后面的第二實(shí)施例中描述的方法形成層間絕緣膜ILS(ILl)，能夠抑制或防止由柵電極(GE1、GE2)引起的階梯差或不平坦形成在層間絕緣膜IL8(IL1)的表面(上表面)上。形成的覆蓋柵電極(GE1、GE2)的層間絕緣膜IL8(ILl)可具有改善的表面平整度，并可以形成具有改善平整度的表面的層間絕緣膜IL8(ILl)0
[°20°]在本實(shí)施例中，關(guān)于形成在半導(dǎo)體襯底SB上的布線結(jié)構(gòu)(多層布線結(jié)構(gòu))，作為示例給出了包括五層布線層的布線結(jié)構(gòu)。該布線結(jié)構(gòu)不限于此，而是它可以是包括六層或六層以上布線層或四層或四層以下布線層的布線結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中描述的或在后面的第二實(shí)施例中描述的形成層間絕緣膜IL8的方法可應(yīng)用于形成在半導(dǎo)體襯底SB上的多個層間絕緣膜中的至少任一個層間絕緣膜。
[0201](第二實(shí)施例)
[0202]參考圖37至41，將描述根據(jù)第二實(shí)施例的形成層間絕緣膜的步驟。圖37是示出第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一些制造步驟的工藝流程圖。圖38至41是在其制造步驟期間第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的分段剖視圖。同時在圖38至39中，如圖17至26所示，從這些附圖來看，省略了在層間絕緣膜IL7下面的結(jié)構(gòu)。
[0203]第二實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，在步驟S2之前通過CVD形成絕緣膜IL8c之后，在步驟S2中通過旋涂在由此產(chǎn)生的膜IL8c(CVD膜)上形成絕緣膜IL8a。除上述差異之夕卜，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟基本類似于根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟。在下文中將主要描述第二實(shí)施例和第一實(shí)施例的差異，并省略對它們共有構(gòu)件的描述。
[0204]在得到圖19示出的結(jié)構(gòu)之前，第二實(shí)施例的制造步驟類似于第一實(shí)施例的制造步驟。換句話說，同樣在第二實(shí)施例中，通過如在第一實(shí)施例的步驟SI中在層間絕緣膜IL7上形成布線M7，得到圖19示出的結(jié)構(gòu)。
[0205]在第二實(shí)施例中，在得到圖19示出的結(jié)構(gòu)之后，使用CVD在層間絕緣膜IL7上形成絕緣膜IL8c以覆蓋布線M7，如圖38所示(圖37的步驟Sll)。
[0206]絕緣膜ILSc優(yōu)選由氧化硅膜制成，且優(yōu)選通過CVD形成，更優(yōu)選通過等離子體CVD形成。
[0207]使用CVD形成的絕緣膜具有與下面的形狀共形的特性。由于絕緣膜ILSc使用CVD形成，所以它與布線M7共形。因此絕緣膜ILSc具有反映布線M7的形狀的階梯差或不平坦。在其中沒有布線M7的區(qū)域中形成在層間絕緣膜IL7上的絕緣膜ILSc的部分的厚度，形成在布線M7的上表面上的絕緣膜IL8c的部分的厚度，以及形成在布線M7的側(cè)表面上的絕緣膜IL8c的部分的厚度，幾乎彼此相等。
[0208]使用CVD形成的絕緣膜在膜質(zhì)量方面較好于使用旋涂形成的絕緣膜。例如，使用CVD形成的絕緣膜是致密的，比使用旋涂形成的絕緣膜具有較低的吸濕性，并具較高的機(jī)械強(qiáng)度。通過用使用CVD形成的絕緣膜ILSc覆蓋布線M7，因此，布線M7可具有改善的可靠性，由此得到的半導(dǎo)體器件可具有改善的可靠性。
[0209]上述步驟之后的步驟基本上類似于第一實(shí)施例的步驟。
[0210]同樣在第二實(shí)施例中，如圖39所示，在步驟S2中通過旋涂在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在絕緣膜ILSc上，形成絕緣膜IL8a。
[0211]在沒有絕緣膜IL8c的第一實(shí)施例中，在步驟S2中將絕緣膜IL8a形成在層間絕緣膜IL7上以覆蓋布線M7，而在有絕緣膜IL8c的第二實(shí)施例中，在步驟S2中將絕緣膜IL8a形成在絕緣膜IL8c上。絕緣膜IL8a在其下表面接近于絕緣膜IL8c的上表面。除上述差異之外第二實(shí)施例類似于第一實(shí)施例。因此，在絕緣膜IL8a的形成方法或材料方面，第二實(shí)施例也類似于第一實(shí)施例。
[0212]在通過旋涂形成絕緣膜時，位于絕緣膜下面的膜的親水性是重要的。當(dāng)下面的膜是CVD膜時，由于CVD膜的表面的相對高親水性，通過旋涂能容易且精確地在CVD膜上形成絕緣膜。在步驟Sll中通過CVD形成絕緣膜ILSc之后，在步驟S2中能夠通過旋涂形成絕緣膜IL8a，而不需要執(zhí)行步驟S3的諸如氧等離子體處理的處理。這有助于減少制造步驟的數(shù)目。
[0213]在步驟S2中形成絕緣膜IL8a之后，與第一實(shí)施例相同，在第二實(shí)施例中也執(zhí)行步驟S3的處理。具體來說，如圖40所示，使絕緣膜ILSa的表面受到氧等離子體處理。步驟S3中的這種處理是如上第一實(shí)施例所述的絕緣膜IL8a的親水性改善處理。
[0214]第二實(shí)施例的步驟S3類似于第一實(shí)施例的步驟S3，因此在包括步驟S3的方法或意義的各種要點(diǎn)，或用在臭氧(O3)氣氛中的熱處理代替氧等離子體處理方面，第二實(shí)施例同樣類似于第一實(shí)施例。
[0215]在類似于第一實(shí)施例的第二實(shí)施例中，然后在步驟S4中通過旋涂在半導(dǎo)體襯底SB的主表面(整個主表面)上，即在絕緣膜IL8a上形成絕緣膜IL8b。
[0216]對于步驟S4，第二實(shí)施例類似于第一實(shí)施例。因此，同樣對于絕緣膜ILSb的形成方法或材料，第二實(shí)施例也類似于第一實(shí)施例。
[0217]通過執(zhí)行上述的步驟SI 1、S2、S3和S4，形成了由通過疊置絕緣膜IL8c、絕緣膜IL8c上的絕緣膜ILSa以及絕緣膜ILSa上的絕緣膜ILSb得到的膜(堆疊的絕緣膜)組成的層間絕緣膜IL8。因此，步驟SI 1、S2、S3和S4也稱為形成層間絕緣膜IL8的步驟。
[0218]在第一實(shí)施例中，層間絕緣膜IL8沒有通過CVD形成的絕緣膜IL8c，且由絕緣膜IL8a和絕緣膜IL8a上的絕緣膜IL8b的堆疊的膜組成。在第二實(shí)施例中，層間絕緣膜IL8具有作為其最下層的通過CVD形成的絕緣膜IL8c，且由絕緣膜IL8c、絕緣膜IL8c上的絕緣膜IL8a以及絕緣膜ILSa上的絕緣膜ILSb的堆疊的膜組成。層間絕緣膜IL8形成在層間絕緣膜IL7上以覆蓋布線M7。
[0219]在具有通過CVD形成的整個層間絕緣膜的上述第一研究示例中，在形成層間絕緣膜之后需要執(zhí)行CMP處理。在第二實(shí)施例中，由于絕緣膜IL8a和IL8b通過旋涂形成并依次疊置在通過CVD形成的絕緣膜ILSc上，所以在形成層間絕緣膜IL8之后不需要執(zhí)行層間絕緣膜IL8的CMP處理(拋光處理)。絕緣膜IL8c在其表面上具有下面的布線M7的形狀的階梯差或不平坦，但層間絕緣膜IL8通過步驟S2、S3和S4形成，因此由于類似于上述第一實(shí)施例的原因，層間絕緣膜IL8可具有改善的表面平整度，并由此可形成具有平坦表面的層間絕緣膜IL8。
[0220]在那之后，第二實(shí)施例同樣類似于第一實(shí)施例，在步驟S5中在層間絕緣膜IL8中形成通孔SH，在步驟S6中在該通孔SH中形成通路部V8，以及在步驟S7中形成布線M8。在這里將省略對他們的說明和描述。該通孔SH被形成為穿過層間絕緣膜IL8并暴露布線M7的部分。因此，在第二實(shí)施例中，通孔SH穿過絕緣膜IL8b、絕緣膜IL8a以及絕緣膜IL8c。
[0221]除了由第一實(shí)施例得到的優(yōu)勢之外，第二實(shí)施例可產(chǎn)生下列優(yōu)勢。
[0222]具體來說，通過CVD形成的絕緣膜具有優(yōu)于通過旋涂形成的絕緣膜的膜質(zhì)量。在本實(shí)施例中，由使用CVD形成的絕緣膜ILSc覆蓋的布線M7可具有改善的可靠性。結(jié)果，由此得到的半導(dǎo)體器件可具有進(jìn)一步改善的可靠性。
[0223]第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的技術(shù)概念是，為形成層間絕緣膜依次疊置每個都使用旋涂形成的兩個或兩個以上的絕緣膜，以及在通過旋涂在使用旋涂形成的絕緣膜上形成絕緣膜之前，使下面的絕緣膜(使用旋涂已形成的絕緣膜)的表面受到親水性改善處理(對應(yīng)于步驟S3的處理)。
[0224]在第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中，在每次執(zhí)行一次步驟S2和步驟S3之后，執(zhí)行步驟S4。作為另一種方式，在執(zhí)行步驟S2和步驟S3的多個循環(huán)之后，可執(zhí)行步驟S4。這意味著在重復(fù)多個循環(huán)之后，其中一個循環(huán)由步驟S2和步驟S3組成，可執(zhí)行步驟S4。在這種情況下，疊置每個都通過旋涂形成的多個絕緣膜IL8a，并通過旋涂在由多個絕緣膜ILSa組成的堆疊的膜上形成絕緣膜IL8b。該旋涂步驟和下一個旋涂步驟之間有步驟S3的處理。
[0225]在每次執(zhí)行一次步驟S2和步驟S3之后執(zhí)行步驟S4時，將疊置通過各個旋涂步驟形成的兩層絕緣膜。當(dāng)每個循環(huán)都由步驟S2和步驟S3組成的多個循環(huán)跟隨有步驟S4時，將依次疊置每個都通過旋涂步驟形成的三層或三層以上絕緣膜。在任何情況下，旋涂步驟和下一個旋涂步驟之間都有步驟S3的處理。
[0226]作為一個示例，在圖42中示出了在執(zhí)行步驟S2和步驟S3的三個循環(huán)時的步驟流程。在圖42示出的示例中，在步驟SI中形成布線M7，在步驟SI I中使用CVD形成絕緣膜IL8c，然后執(zhí)行步驟S2和步驟S3的三個循環(huán)。第一循環(huán)的步驟S2將稱為“步驟S2a”，第一循環(huán)的步驟S3將稱為“步驟S3a”，第二循環(huán)的步驟S2將稱為“步驟S2b”，第二循環(huán)的步驟S3將稱為“步驟S3b”，第三循環(huán)的步驟S2將稱為“步驟S2c”，第三循環(huán)的步驟S3將稱為“步驟S3c”。
[0227]在圖42示出的示例中，在步驟Sll中通過CVD形成絕緣膜IL8c之后，在步驟S2a中通過旋涂在絕緣膜IL8c上形成絕緣膜(IL8a)，并使在步驟S2a中形成的絕緣膜(IL8a)的表面在步驟S3a中受到氧等離子體處理。然后在步驟S2b中通過旋涂在受到氧等離子體處理的絕緣膜(IL8a)上形成絕緣膜(IL8a)，并使在步驟S2b中形成的絕緣膜(IL8a)的表面在步驟S3b中受到氧等離子體處理。在步驟S2c中，通過旋涂在受到氧等離子體處理的絕緣膜(ILSa)上形成絕緣膜(ILSa)，并使在步驟S2c中形成的絕緣膜(ILSa)的表面在步驟S3c中受到氧等離子體處理。然后在步驟S4中通過旋涂在受到氧等離子體處理的絕緣膜(ILSa)上形成絕緣膜IL8b。結(jié)果，形成了由絕緣膜IL8c、其上的三層絕緣膜IL8a、和其上的絕緣膜IL8b的堆疊的膜組成的層間絕緣膜。第二實(shí)施例適用于圖42示出的示例以便執(zhí)行步驟S11。當(dāng)應(yīng)用于第一實(shí)施例時，將從圖42省略步驟Sll。
[0228]與執(zhí)行步驟S2和步驟S3的單個循環(huán)進(jìn)行比較，當(dāng)執(zhí)行步驟S2和步驟S3的多個循環(huán)時，可以減小通過單一旋涂步驟形成的絕緣膜的厚度。通過在步驟S2和步驟S3的多個循環(huán)之后執(zhí)行步驟S4，最終形成的層間絕緣膜(IL8)可具有更加增強(qiáng)的表面平整度。
[0229]另一方面，步驟S2和步驟S3的循環(huán)數(shù)目的增加，會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的制造步驟數(shù)目的增加。通過在每執(zhí)行一次步驟S2和步驟S3之后執(zhí)行步驟S4，能在增加層間絕緣膜(IL8)的表面平整度的同時，減少半導(dǎo)體器件的制造步驟的數(shù)目。
[0230]基于本發(fā)明的實(shí)施例，具體描述了本發(fā)明人作出的發(fā)明。不用說，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，而在不偏離本發(fā)明的精神的情況下可以以各種方式改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件具有形成在半導(dǎo)體襯底上的第一層間絕緣膜，所述方法包括以下步驟: (a)通過旋涂形成第一絕緣膜； (b)使所述第一絕緣膜的表面受到用于改善親水性的第一處理;并且 (c)在步驟(b)之后，通過旋涂在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，其中所述第一層間絕緣膜具有包括所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的堆疊的絕緣膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(b)中執(zhí)行的所述第一處理是氧等離子體處理。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在170°C或更低的溫度執(zhí)行所述氧等離子體處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(b)中執(zhí)行的所述第一處理是在含臭氧的氣氛中的熱處理。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中滿足下面的公式:T1 2 T2，其中Tl表示在步驟(a)中形成的所述第一絕緣膜的厚度，T2表示在步驟(c)中形成的所述第二絕緣膜的厚度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜包括相同的材料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜每個都包括氧化硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(a)和步驟(b)的多個循環(huán)之后，執(zhí)行步驟(C)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，在步驟(a)之前，還包括以下步驟: (al)通過CVD形成第三絕緣膜， 其中在步驟(a)中，通過旋涂在所述第三絕緣膜上形成所述第一絕緣膜，并且其中所述第一層間絕緣膜具有包括所述第三絕緣膜、所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的堆疊的絕緣膜。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中通過在步驟(b)中執(zhí)行的所述第一處理，對于將用于在步驟(C)中形成所述第二絕緣膜的化學(xué)溶液，所述第一絕緣膜具有改善的潤濕性。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，在步驟(a)之前，還包括以下步驟: (a2)提供所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的主表面上，所述半導(dǎo)體襯底具有第二層間絕緣膜和在所述第二層間絕緣膜上的布線， 其中所述第一層間絕緣膜形成在所述第二層間絕緣膜上以便覆蓋所述布線。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述布線是鋁布線。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，在步驟(a)之前，還包括以下步驟: (a3)提供所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的主表面上，所述半導(dǎo)體襯底具有柵電極， 其中所述第一層間絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體襯底上以便覆蓋所述柵電極。14.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件具有形成在半導(dǎo)體襯底上的第一層間絕緣膜，所述方法包括以下步驟: (a)通過旋涂形成第一絕緣膜； (b)使所述第一絕緣膜的表面受到氧等離子體處理;并且 (c)在步驟(b)之后，通過旋涂在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜， 其中所述第一層間絕緣膜包括具有所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的堆疊的絕緣膜。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(b)中的所述氧等離子體處理的溫度為170°C或更低。
【文檔編號】H01L21/3105GK105931984SQ201610109515
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年2月26日
【發(fā)明人】塙利和, 深谷和秀
【申請人】瑞薩電子株式會社