電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種像OLED的電壓?光轉(zhuǎn)換裝置(1)，包括在襯底(2)上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)和另外的層(60)，該另外的層(60)是封裝的一部分且其包括層邊緣(63)。導(dǎo)電層包括在邊緣區(qū)域(70)中接近于層邊緣的結(jié)構(gòu)邊緣(10)，其中結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣。由于在邊緣區(qū)域中，結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣，所以在用于產(chǎn)生另外的層的產(chǎn)生工藝期間，最初液體層材料沿著結(jié)構(gòu)邊緣的可能的流動可被指引，使得液體材料保持相對接近于期望的層邊緣，即液體材料可以被更好地局部限制。
【專利說明】
電壓-光轉(zhuǎn)換裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及像有機(jī)光發(fā)射裝置(OLED)或有機(jī)光伏裝置(OPVD)的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置。本發(fā)明進(jìn)一步涉及電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED通常包括在玻璃襯底上的結(jié)構(gòu)化ITO層，其中ITO層形成第一電極，且其中OLED進(jìn)一步包括第二電極和布置在第一和第二電極之間的有機(jī)光發(fā)射材料。此外，OLED可包括用于至少密封有機(jī)光發(fā)射材料的通過不同層的堆疊形成的薄膜封裝，其中薄膜封裝的堆疊可包括無機(jī)層，例如，SiN層和聚合物層，且其中在OLED的制造工藝期間，無機(jī)層可以以化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝施加，并且聚合物層可以以像噴墨印刷的濕化學(xué)工藝局部施加到無機(jī)層上。在濕化學(xué)工藝期間，聚合物層可能不保持局部限制在其中應(yīng)該形成聚合物層的邊緣的邊緣區(qū)域內(nèi)，即它可能不期望地展開。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其可以被制造成使得由在用于制造電壓_光轉(zhuǎn)換裝置的制造工藝期間為液體的材料制成的層可以被更好地局部限制在邊緣區(qū)域內(nèi)，在所述邊緣區(qū)域中應(yīng)該形成該層的邊緣。本發(fā)明進(jìn)一步的目的是提供電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的襯底、用于制造電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的制造設(shè)備和方法、以及用于制造襯底的制造設(shè)備和方法。
[0004]在本發(fā)明的第一方面中，提出了一種電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中該電壓-光轉(zhuǎn)換裝置包括第一電極、第二電極、適于執(zhí)行電壓-光轉(zhuǎn)換并布置在第一電極和第二電極之間的電壓-光轉(zhuǎn)換材料、和用于至少封裝電壓-光轉(zhuǎn)換材料的封裝，其中該封裝包括具有層邊緣的另外的層，該另外的層由在用于制造電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的工藝期間為液體的材料制成。電壓-光轉(zhuǎn)換裝置進(jìn)一步包括在襯底上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層，其中第一和第二電極的至少一個(gè)由結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層形成或電連接到結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層。該結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層包括在邊緣區(qū)域中的結(jié)構(gòu)邊緣，其中該邊緣區(qū)域也包括在封裝中包括的該另外的層的層邊緣。在邊緣區(qū)域中，結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于包括在該封裝中的另外的層的層邊緣。
[0005]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將用于產(chǎn)生具有層邊緣的層的液體材料局部限制在其中應(yīng)該形成層邊緣的邊緣區(qū)域內(nèi)的困難是由液體材料沿著整體為直線的并垂直于層邊緣的直線結(jié)構(gòu)邊緣的流動引起的。如果在邊緣區(qū)域中，結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣，則液體材料沿著結(jié)構(gòu)邊緣的流動可被改變方向，使得液體材料保持更接近于期望的層邊緣。在該方式下，液體材料可被更好地局部限制在邊緣區(qū)域內(nèi)。
[0006]整個(gè)結(jié)構(gòu)邊緣或結(jié)構(gòu)邊緣的僅一部分可以不垂直于在邊緣區(qū)域中的層邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中，邊緣區(qū)域可被限定為有邊界，其不被層覆蓋且其平行于層邊緣，其中這個(gè)邊界和層邊緣之間的距離優(yōu)先等于或小于4mm，進(jìn)一步優(yōu)選等于或小于3mm，并且甚至進(jìn)一步優(yōu)選等于或小于2mm。結(jié)構(gòu)邊緣的不垂直于層邊緣的一部分優(yōu)先至少部分地位于層邊緣和邊緣區(qū)域的平行邊界之間。
[0007]在結(jié)構(gòu)邊緣的位置處，基本上規(guī)則的層邊緣可仍然由不想要的固化層材料輕微擾亂，其可能在制造工藝期間已經(jīng)沿著結(jié)構(gòu)邊緣流動，盡管這種不利影響由結(jié)構(gòu)邊緣的形狀強(qiáng)烈地減小。應(yīng)該注意的是，如果情況是這樣，則術(shù)語“不垂直于層邊緣”應(yīng)該指代規(guī)則的層邊緣而不指代在結(jié)構(gòu)邊緣的位置處層邊緣的輕微擾亂。
[0008]電壓-光轉(zhuǎn)換材料可適于將電壓轉(zhuǎn)換為光或?qū)⒐廪D(zhuǎn)換為電壓。在第一種情況下，電壓-光轉(zhuǎn)換裝置可以是例如0LED，而在第二種情況下，電壓-光轉(zhuǎn)換裝置可以是例如OPVDt^g構(gòu)化導(dǎo)電層優(yōu)先是在襯底上的氧化銦錫(ITO)層，所述襯底優(yōu)先是玻璃襯底。
[0009]優(yōu)先地，在邊緣區(qū)域中，結(jié)構(gòu)邊緣包括不垂直于層邊緣的第一部分和與第一部分圍住在45至135度的范圍內(nèi)的角度的鄰近的第二部分。結(jié)構(gòu)邊緣的第一部分比第二部分優(yōu)先更接近于層邊緣。被第一部分和第二部分圍住的角度例如是90度。這樣的結(jié)構(gòu)邊緣在制造工藝期間非常有效地將用于形成層的液體材料限制在邊緣區(qū)域內(nèi)。
[0010]優(yōu)先地，結(jié)構(gòu)邊緣是曲折型邊緣，使得結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣，SP優(yōu)先地，曲折型邊緣用作結(jié)構(gòu)邊緣，其包括不垂直于層邊緣的至少一部分。優(yōu)選的是，曲折型邊緣包括至少一個(gè)90度的位置，在其處邊緣的鄰近部分圍住90度的角度。該邊緣可包括若干90度位置，以便形成曲折型。因此，邊緣可包括90度的拐角或90度的彎曲，其非常有效地使液體的流動改變方向，使得它被更好地限制在邊緣區(qū)域內(nèi)。然而，曲折型邊緣也可以以另一種方式來定形狀。例如，曲折型邊緣可以由半圓部分形成。
[0011]封裝優(yōu)先是包括若干層的薄膜封裝。它優(yōu)先包括聚合物層和無機(jī)層。特別地，它可包括在兩個(gè)無機(jī)層之間的聚合物層，所述無機(jī)層可以是AI2O3，、3;^(^，、3;^隊(duì)、1';[02、21'02等層，其中層邊緣可以由聚合物層形成。然而，它也可以由另一個(gè)層形成，例如由另一個(gè)聚合物層和/或電壓-光轉(zhuǎn)換材料的層形成。電壓-光轉(zhuǎn)換材料優(yōu)先包括有機(jī)電壓-光轉(zhuǎn)換材料。它可包括不同層的堆疊。例如，如果電壓-光轉(zhuǎn)換裝置是0LED，該電壓-光轉(zhuǎn)換材料可以包括可發(fā)射不同的顏色的若干發(fā)射層，且可選地包括用于以合適的能級(即以生成光所要求的能級)提供電子和空穴的另外的層。
[0012]結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層優(yōu)先由包括結(jié)構(gòu)邊緣的槽進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。槽的寬度可沿著槽的走向變化。特別地，槽可包括具有較大寬度的較寬部分和具有較小寬度的較窄部分。較窄部分的序列可布置在兩個(gè)較寬部分之間，其中較窄部分可包括曲折型邊緣。較寬部分可具有3_的寬度，并且較窄部分可具有0.25mm的寬度。槽可包括三個(gè)平行于層邊緣的較窄平行部分和兩個(gè)垂直于層邊緣的較窄垂直部分的交替序列。
[0013]在本發(fā)明的第二方面中，提出了一種用于制造根據(jù)第一方面的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的襯底，其中該襯底包括結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層，并且其中結(jié)構(gòu)邊緣是曲折型邊緣。
[0014]將理解的是，根據(jù)第一方面的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置和根據(jù)第二方面的襯底具有相似和/或相同的優(yōu)選實(shí)施例，特別是，如在從屬權(quán)利要求中限定的。
[0015]將理解的是，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例也可以是從屬權(quán)利要求或上面的實(shí)施例與各自的獨(dú)立權(quán)利要求的的任何組合。
[0016]本發(fā)明的這些和其它方面根據(jù)后文中描述的實(shí)施例將是明顯的并且參考其進(jìn)行闡明。
【附圖說明】
[0017]在下面的附圖中:
[0018]圖1示意性且示例性示出OLED，
[0019]圖2示意性且示例性示出圖1中示出的OLED的截面圖，
[0020]圖3示意性且示例性示出OLED的一部分，
[0021]圖4示意性且示例性示出圖3中示出的OLED的一部分的截面圖，
[°022 ]圖5示意性且示例性示出根據(jù)本發(fā)明的OLED的實(shí)施例，
[0023]圖6示意性且示例性示出圖5中示出的實(shí)施例的一部分，
[0024]圖7示意性且示例性示出根據(jù)本發(fā)明的OLED的另一個(gè)實(shí)施例的一部分，
[0025]圖8示意性且示例性示出用于制造OLED的制造設(shè)備，
[0026]圖9示出示例性圖示用于制造OLED的制造方法的實(shí)施例的流程圖，以及
[0027]圖10示意性且示例性示出不同的曲折型邊緣。
【具體實(shí)施方式】
[0028]圖1示意性且示例性示出OLED的實(shí)施例。圖2示意性且示例性示出這個(gè)OLED的沿著由A-A指示的線的截面圖。OLED 101包括具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層3的襯底2，所述結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層3優(yōu)先是ITO層。
[0029]導(dǎo)電層3形成第一電極。OLEDI進(jìn)一步包括第二電極5，該電極可以是金屬電極，其中有機(jī)光發(fā)射材料4布置在第一和第二電極3、5之間。電壓源8經(jīng)由電連接7連接到第一和第二電極3、5，其中有機(jī)光發(fā)射材料4適于如果電壓施加到第一和第二電極3、5，則發(fā)射光。
[0030]OLED I進(jìn)一步包括薄膜封裝以用于至少封裝有機(jī)光發(fā)射材料4，以便保護(hù)有機(jī)光發(fā)射材料4免受濕氣和其它環(huán)境影響。薄膜封裝由不同層6、60、61的堆疊形成。在這個(gè)實(shí)施例中，薄膜封裝由第一阻擋層6、中間層60和第二阻擋層7形成。第一和第二阻擋層6、61可以是無機(jī)層。中間層60可以是聚合物層。它可適于保護(hù)第二電極5和無機(jī)層6，所述第二電極5可被認(rèn)為是陰極層。中間層60可以是用來避免水進(jìn)入有機(jī)光發(fā)射材料4中的水排斥層。它可以是水清除層。中間層60可以進(jìn)一步適于提供刮擦保護(hù)，以提供光輸入耦合(incoupling)功能和/或提供光輸出親合(outcoupling)功能。
[0031]圖3示意性且示例性示出在圖1和2中示出的OLED的一部分。如可以在圖3中看到的，在包括中間層60的層邊緣63的邊緣區(qū)域70內(nèi)，形成具有直線結(jié)構(gòu)邊緣110的直線槽109，所述直線結(jié)構(gòu)邊緣110垂直于層邊緣63。在用于制造OLED 101的制造工藝期間，已經(jīng)使用液體中間層材料，以便產(chǎn)生中間層60，其中液體中間層材料沿著直線結(jié)構(gòu)邊緣110在指向遠(yuǎn)離層邊緣63的方向上流動。這導(dǎo)致在中間層60的層邊緣63處的不期望的流出部件69。
[0032]圖4示意性且示例性示出在已經(jīng)施加第一阻擋層6和中間層60之后的襯底2的截面圖，該襯底2具有包括槽109的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層3。如在圖4中圖示的，第一阻擋層6非常好地遵循槽109的輪廓。因此，如果中間層60被施加到第一阻擋層6上，則ITO層3的結(jié)構(gòu)仍然是可見的并導(dǎo)致不想要的流出。
[0033]因?yàn)檫@個(gè)原因，根據(jù)本發(fā)明的OLED包括具有中間層的不垂直于層邊緣63的在邊緣區(qū)域70中的一部分的結(jié)構(gòu)邊緣，如在圖5和6中示意性且示例性示出的。
[0034]如在圖5和6中示意性且示例性示出的根據(jù)本發(fā)明的OLED的實(shí)施例1也包括具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電材料3，有機(jī)光發(fā)射材料4，第二電極5和封裝6、60、61的襯底2。然而，在實(shí)施例1中，根據(jù)本發(fā)明，導(dǎo)電層3的結(jié)構(gòu)包括在其中布置中間層60的層邊緣63的邊緣區(qū)域70中的曲折型邊緣10。在這個(gè)邊緣區(qū)域中，封裝達(dá)到結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層3。
[0035]曲折型邊緣10包括至少一個(gè)90度的位置11，在其處，垂直于封裝邊的邊緣10的垂直部分和平行于封裝邊的邊緣10的平行部分圍住90度的角度。邊緣10包括若干90度的位置11，以便形成曲折型。邊緣1是槽9的邊緣，其中在這個(gè)實(shí)施例中，槽9的寬度沿著槽9的走向變化。特別地，槽9包括具有較大寬度的較寬部分12和具有較小寬度的較窄部分13。
[0036]圖7示意性且示例性圖示了由導(dǎo)電材料的邊緣23形成的曲折型結(jié)構(gòu)的另外的實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，曲折型結(jié)構(gòu)包括在槽209的兩個(gè)較寬部分212、214之間的槽209的較窄部分213的序列，其中較窄部分213的序列包括曲折型邊緣210。此外，較寬部分214布置在較窄部分213的序列和另外的較窄部分225之間。較寬部分212、214可具有3mm的寬度24，并且較窄部分213可具有0.25mm的寬度18。在較寬部分212、214之間的槽的兩個(gè)較窄平行部分之間的距離15可以是1mm。此外，中間層60的邊緣20與最近的較窄平行部分之間的距離16可以是0.3mm。在其它的實(shí)施例中，曲折型結(jié)構(gòu)可包括其它尺寸。圖7進(jìn)一步示出陰極層5的邊緣19和阻擋層6、60的邊緣21。
[0037]圖8示意性且示例性示出用于制造OLEDI的制造設(shè)備。制造設(shè)備30包括用于提供具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底2的襯底提供單元31，其中結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層包括曲折型邊緣。在這個(gè)實(shí)施例中，襯底提供單元31適于在襯底2上提供結(jié)構(gòu)化ITO層，其中結(jié)構(gòu)化ITO層包括具有曲折型邊緣的槽。在圖8中，所得到的具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底由參考數(shù)字40指示。襯底提供單元31可適于將消減技術(shù)應(yīng)用于完全I(xiàn)TO覆蓋的襯底(所述襯底可以是玻璃或聚合物襯底)，以便生成在ITO層中的結(jié)構(gòu)。消減技術(shù)可以是例如激光消融、邊緣膏印刷、光刻等等。在另一個(gè)實(shí)施例中，襯底提供單元31可適于通過以結(jié)構(gòu)化的方式在襯底上施加導(dǎo)電層(例如通過穿過蔭罩濺射導(dǎo)電材料，通過諸如照相凹版印刷、柔性版印刷、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷等等的印刷)來創(chuàng)建具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底。
[0038]制造設(shè)備30進(jìn)一步包括電壓-光轉(zhuǎn)換材料和電極提供單元32以用于在第一和第二電極之間布置有機(jī)光發(fā)射材料，其中第一電極由結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層形成。在這個(gè)實(shí)施例中，電壓-光轉(zhuǎn)換材料和電極提供單元32適于在結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層上沉積有機(jī)光發(fā)射材料和用于形成第二電極的金屬材料，以便提供其中在第一和第二電極之間布置有機(jī)光發(fā)射材料的結(jié)構(gòu)。所得到的具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層、有機(jī)光發(fā)射材料和第二電極的襯底由參考數(shù)字41指示。電壓-光轉(zhuǎn)換材料和電極提供單元32可適于例如通過真空沉積來沉積有機(jī)光發(fā)射材料并且通過真空濺射來沉積第二電極，所述第二電極優(yōu)先形成陰極。然而，有機(jī)光發(fā)射材料和形成第二電極的金屬材料也可以通過使用其它技術(shù)來沉積。
[0039]制造設(shè)備進(jìn)一步包括用于提供薄膜封裝的封裝提供單元33。特別地，封裝提供單元33適于提供薄膜封裝的不同層。例如，無機(jī)層可通過CVD工藝或原子層沉積(ALD)工藝來施加，并且聚合物層可以以像噴墨印刷的濕化學(xué)工藝局部施加到無機(jī)層上。CVD工藝生成無機(jī)層，其遵循結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的輪廓。因?yàn)榫酆衔飳涌梢酝ㄟ^使用像噴墨打印的濕化學(xué)工藝來施加，所以對應(yīng)的施加的液體材料可能沿著結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的直線邊緣流到襯底上的非期望區(qū)域中。然而，由于導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)的曲折型邊緣，液體材料的這種流動被改變方向，使得它被更好被限制到邊緣區(qū)域，聚合物層的期望的邊緣應(yīng)該最終存在于所述邊緣區(qū)域中。因?yàn)榉庋b提供單元33提供在邊緣區(qū)域中最終形成層邊緣的聚合物層，所以封裝提供單元33可以被認(rèn)為是層提供單元以用于提供OLED的層，使得層邊緣形成在邊緣區(qū)域中。
[0040]封裝提供單元33可適于通過CVD、物理氣相沉積(PVD)、ALD等等來提供無機(jī)層，以及通過像照相凹版印刷、柔性版印刷、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷等等的印刷或涂敷來提供聚合物層。封裝提供單元33可適于執(zhí)行化學(xué)氣相沉積和涂敷或印刷的序列若干次，以便形成由若干層制成的封裝。
[0041 ]通過在制造工藝期間更好地局部限制液體材料，施加液體材料的質(zhì)量，特別是施加液體材料的空間精確性可被改善，且在由液體材料形成的該層的頂部上的另外的層的施加可被簡化。
[0042]制造設(shè)備30可包括另外的單元以用于提供具有像另外的層的另外的部件、用于提供到電壓源的電連接的電線等等的0LED。襯底提供單元31可被認(rèn)為是處理設(shè)備以用于提供在襯底上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層，使得結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層包括曲折型邊緣。
[0043]在下面，用于制造OLED的制造方法的實(shí)施例將參考圖9中示出的流程圖被示例性描述。
[0044]在步驟101，提供具有結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底，其中該結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層包括曲折型邊緣。特別地，ITO層可被提供在玻璃襯底上，使得ITO層包括曲折型邊緣。在步驟102，有機(jī)光發(fā)射材料和金屬材料被施加到結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層，以便生成包括在形成第一電極的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層和通過施加的金屬材料形成的第二電極之間的有機(jī)光發(fā)射材料的結(jié)構(gòu)。在步驟103，提供薄膜封裝，使得它至少封裝有機(jī)光發(fā)射材料。在步驟104，第一和第二電極被提供有電連接，以便連接這些電極與電壓源。
[0045]步驟101可被認(rèn)為是用于處理襯底的處理方法的步驟，使得包括曲折型邊緣的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層被提供在襯底上。制造方法的步驟可由上面參考圖8描述的制造設(shè)備來執(zhí)行，特別地自動化地執(zhí)行，或它們可以至少部分地手動執(zhí)行。
[0046]在結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電材料中的槽可被用作電極間隔，特別地，用作陽極-陰極間隔，其中第一電極可由結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的第一部分形成，而第二部分可用于電連接第二電極到電壓源。液體材料的流出可由毛細(xì)作用力引起，其中這種流出可通過槽的曲折結(jié)構(gòu)和槽的邊緣的對應(yīng)曲折結(jié)構(gòu)被最小化。
[0047]當(dāng)薄膜封裝的聚合物層被施加時(shí)，導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)的曲折型邊緣是特別有幫助的。如果在一個(gè)實(shí)施例中，OLED包括ITO/無機(jī)/聚合物/無機(jī)結(jié)構(gòu)，則曲折型邊緣優(yōu)先布置在包括這種結(jié)構(gòu)的邊緣區(qū)域中，以便在期望的封裝邊處減小在制造工藝期間的聚合物材料的可能的流出。如果沒有曲折結(jié)構(gòu)將被使用，則流出將是更寬的，即將必須使用更寬的邊。
[0048]襯底優(yōu)先包括具有曲折型邊緣的ITO區(qū)，代替具有直線邊緣的ITO區(qū)，其中曲折型邊緣可具有大約90度的彎曲。具有帶有這樣的曲折型邊緣的ITO層強(qiáng)烈地限制其中像聚合物層的液體材料的流出可能出現(xiàn)的區(qū)。結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電材料可包括一個(gè)或若干曲折型邊緣和對應(yīng)的槽。特別地，在襯底上可以存在若干邊緣區(qū)，其中每個(gè)邊緣區(qū)可包括一個(gè)或若干曲折型邊緣。
[0049]盡管在上面描述的實(shí)施例中，具有包括曲折型邊緣的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底用于制造0LED，但在另一個(gè)實(shí)施例中，具有包括曲折型邊緣的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層的襯底也可用于制造像OPVD的另一個(gè)電壓-光轉(zhuǎn)換裝置。
[0050]盡管在上面描述的實(shí)施例中，曲折型邊緣導(dǎo)致液體封裝材料的減少的流出，但是在其它實(shí)施例中，曲折型邊緣也可減少其它液體材料的流出，特別地，減少像聚合物空穴注入層材料的其它液體聚合物材料的流出。
[0051]盡管在上面描述的實(shí)施例中，位于各自的邊緣區(qū)域(其中存在結(jié)構(gòu)邊緣)中的層邊緣基本上是直線的，但是在其它實(shí)施例中，層邊緣也可以具有另一個(gè)形狀，例如它可以是彎曲的。
[0052]盡管在上面描述的實(shí)施例中，導(dǎo)電層包括具有特定結(jié)構(gòu)邊緣的特定結(jié)構(gòu)，但是在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電層可包括具有另一個(gè)結(jié)構(gòu)邊緣的另一個(gè)結(jié)構(gòu)。例如，導(dǎo)電層可具有在圖10中示意性且示例性示出的曲折型結(jié)構(gòu)309、409、509中的一個(gè)或若干個(gè)。結(jié)構(gòu)邊緣也可以是L型邊緣。
[0053]根據(jù)對附圖、公開內(nèi)容和從屬權(quán)利要求的研究，對于所公開的實(shí)施例的其它變化可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)踐所要求保護(hù)的發(fā)明中理解和實(shí)現(xiàn)。
[0054]在權(quán)利要求中，詞語“包括”并不排除其它元件或步驟，且不定冠詞“一”或“一個(gè)”不排除復(fù)數(shù)。
[0055]單個(gè)單元或裝置可實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求中敘述的若干項(xiàng)的功能。特定的措施在相互不同的從屬權(quán)利要求中敘述的僅僅事實(shí)不指示這些措施的組合不可以被加以利用。
[0056]由一個(gè)或若干單元或裝置執(zhí)行的像提供在襯底上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層、提供電壓-光轉(zhuǎn)換材料、提供電極、提供封裝等等的程序也可通過任何其它數(shù)量的單元或裝置來執(zhí)行。例如，步驟101到104可通過單個(gè)單元或通過任何其它數(shù)量的不同單元來執(zhí)行。這些程序和/或?qū)τ糜诟鶕?jù)用于制造電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的制造方法制造電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的制造設(shè)備的控制，和/或?qū)τ糜诟鶕?jù)用于處理襯底的處理方法處理襯底的處理設(shè)備的控制可被實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序的程序代碼裝置和/或?qū)崿F(xiàn)為專用硬件。
[0057]計(jì)算機(jī)程序可被存儲/分布在與其它硬件一起供應(yīng)或作為其它硬件的一部分的合適的介質(zhì)(例如光學(xué)存儲介質(zhì)或固態(tài)介質(zhì))上，但是也可以以其它形式分布，例如經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)或其它有線或無線電信系統(tǒng)分布。
[0058]權(quán)利要求中的任何參考標(biāo)記不應(yīng)該被解釋為限制范圍。
[0059]本發(fā)明涉及像OLED的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，包括在襯底上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層和另外的層，其可以是封裝的層并且其包括層邊緣。導(dǎo)電層包括在邊緣區(qū)域中接近于層邊緣的結(jié)構(gòu)邊緣，其中結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣。因?yàn)樵谶吘墔^(qū)域中，結(jié)構(gòu)邊緣的至少一部分不垂直于層邊緣，所以在用于產(chǎn)生另外的層的產(chǎn)生工藝期間，最初液體層材料沿著結(jié)構(gòu)邊緣的可能的流動可被指引，使得液體材料保持相對接近于期望的層邊緣，即液體材料可被更好地局部限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，包括: -第一電極(3)， -第二電極(5)， -電壓-光轉(zhuǎn)換材料(4)，適于執(zhí)行電壓-光轉(zhuǎn)換并被布置在第一電極(3)和第二電極(5)之間，和 -用于至少封裝電壓-光轉(zhuǎn)換材料(4)的封裝(6，60，61)，封裝(6，60，61)包括具有層邊緣(63)的另外的層(60)，其中另外的層(60)由在用于制造電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的工藝期間為液體的材料制成， 其中該電壓-光轉(zhuǎn)換裝置進(jìn)一步包括在襯底(2)上的結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)，第一和第二電極(3，5)的至少一個(gè)由結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)形成或電連接到結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)， 其中結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)包括在邊緣區(qū)域(70)中的結(jié)構(gòu)邊緣(10)，邊緣區(qū)域(70)也包括另外的層(6)的層邊緣(63)，和 其中在邊緣區(qū)域(70)中，結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)的結(jié)構(gòu)邊緣(10)的至少一部分不垂直于另外的層(6)的層邊緣(63)。2.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中結(jié)構(gòu)邊緣(10)是曲折型邊緣，使得結(jié)構(gòu)邊緣(10)的至少一部分不垂直于層邊緣(63)。3.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中在邊緣區(qū)域(70)中，結(jié)構(gòu)邊緣(1)包括不垂直于層邊緣(63)的第一部分和與第一部分圍住在45至135度的范圍內(nèi)的角度的鄰近的第二部分。4.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中該電壓-光轉(zhuǎn)換材料(4)包括有機(jī)電壓-光轉(zhuǎn)換材料(4)。5.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中該層邊緣(63)是聚合物層(60)的邊緣。6.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中該結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)通過包括結(jié)構(gòu)邊緣(1)的槽(9)來進(jìn)行結(jié)構(gòu)化，并且其中槽(9)的寬度沿著槽(9)的走向變化。7.如權(quán)利要求6所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中槽(9)包括具有較大寬度的較寬部分和具有較小寬度的較窄部分，其中較窄部分的序列布置在兩個(gè)較寬部分之間，且其中結(jié)構(gòu)邊緣是由較窄部分形成的曲折型邊緣。8.如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置，其中該導(dǎo)電層(3)是ITO層。9.一種用于制造如權(quán)利要求1所限定的電壓-光轉(zhuǎn)換裝置的襯底，其中襯底(2)包括結(jié)構(gòu)化導(dǎo)電層(3)，且其中結(jié)構(gòu)邊緣(1)是曲折型邊緣(10)。
【文檔編號】H01L51/52GK105874627SQ201480054851
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年9月25日
【發(fā)明人】S·哈特曼, M·雷基特克, P·G·M·克呂特
【申請人】Oled工廠有限責(zé)任公司