一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法，其中，包括步驟，在具有TFT陣列的基板的像素發(fā)光區(qū)制作凸面結(jié)構(gòu)；在凸面結(jié)構(gòu)上沉積反射像素電極；在相鄰的反射像素電極周邊區(qū)域制作像素bank，并依次在反射像素電極上沉積發(fā)光層和透明電極，所述發(fā)光層和透明電極形成發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度；在透明電極上制作凸透鏡結(jié)構(gòu)，制得顯示面板。本發(fā)明通過(guò)將平面狀的發(fā)光元件制作成凸面狀，同時(shí)在發(fā)光元件的出光端引入凸透鏡結(jié)構(gòu)，凸面狀發(fā)光元件發(fā)射的發(fā)射狀的光經(jīng)凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后變成平行狀光，從而增大像素的開(kāi)口率，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來(lái)占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)由于其具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，其潛在的市場(chǎng)前景被業(yè)界看好。量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)由于其光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)成了OLED的有力競(jìng)爭(zhēng)者。因此，這兩種顯示技術(shù)是目前顯示領(lǐng)域發(fā)展的兩個(gè)主要方向。
[0004]OLED和QLED相對(duì)于傳統(tǒng)的液晶顯示，需要更為復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)由于蒸鍍、打印對(duì)位等因素，平面結(jié)構(gòu)的發(fā)光像素單元的開(kāi)口率很小，如圖1所示，I為開(kāi)口區(qū)域，開(kāi)口區(qū)域I較小，一般小于40%，嚴(yán)重影響了顯示面板的顯示效果。
[0005]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法，旨在解決現(xiàn)有顯示面板開(kāi)口率小，嚴(yán)重影響了顯示面板的顯示效果的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，包括步驟:
A、在具有TFT陣列的基板的像素發(fā)光區(qū)制作凸面結(jié)構(gòu)；
B、在凸面結(jié)構(gòu)上沉積反射像素電極；
C、在相鄰的反射像素電極周邊區(qū)域制作像素bank，并依次在反射像素電極上沉積發(fā)光層和透明電極，所述發(fā)光層和透明電極形成發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度；
D、在透明電極上制作凸透鏡結(jié)構(gòu)，制得顯示面板。
[0008]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟A中，所述TFT陣列為硅基TFT陣列或金屬氧化物TFT陣列。
[0009]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟A中，凸面結(jié)構(gòu)的焦距為0.1-
0.5mm ο
[0010]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟B中，所述反射像素電極與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度和焦距。
[0011]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟B中，所述反射像素電極通過(guò)連接孔與TFT陣列的S/D電極相連。
[0012]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟B中，所述反射像素電極為Al、Ag、Mo或它們的疊層結(jié)構(gòu)或合金。
[0013]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟C中，所述發(fā)光層為空穴注入層、空穴傳輸層、光發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的一層或多層。
[0014]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟C中，所述透明電極為導(dǎo)電金屬氧化物或金屬薄膜。
[0015]所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其中，步驟C中，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的焦距。
[0016]一種高開(kāi)口率的顯示面板，其中，采用如上任一所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法制作而成。
[0017]有益效果:本發(fā)明通過(guò)將平面狀的發(fā)光元件制作成凸面狀，同時(shí)在發(fā)光元件的出光端引入凸透鏡結(jié)構(gòu)，凸面狀發(fā)光元件發(fā)射的發(fā)射狀的光經(jīng)凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后變成平行狀光，從而增大像素的開(kāi)口率，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為現(xiàn)有顯示面板的截面示意圖。
[0019]圖2為本發(fā)明一種高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法較佳實(shí)施例的流程圖。
[0020]圖3為圖2中步驟SlOO后得到的截面示意圖。
[0021]圖4為圖2中步驟S200后得到的截面示意圖。
[0022]圖5為圖2中步驟S300制作像素bank后得到的截面示意圖。
[0023]圖6為圖2中步驟S300沉積發(fā)光層和透明電極后得到的截面示意圖。
[0024]圖7為圖2中步驟S400后得到的截面示意圖。
[0025]圖8為本發(fā)明一種高開(kāi)口率的顯示面板較佳實(shí)施例的截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]本發(fā)明提供一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0027]請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明一種高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟:
S100、在具有TFT陣列的基板的像素發(fā)光區(qū)制作凸面結(jié)構(gòu)；
S200、在凸面結(jié)構(gòu)上沉積反射像素電極；
S300、在相鄰的反射像素電極周邊區(qū)域制作像素bank，并依次在反射像素電極上沉積發(fā)光層和透明電極，所述發(fā)光層和透明電極形成發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度；
S400、在透明電極上制作凸透鏡結(jié)構(gòu)，制得顯示面板。
[0028]本發(fā)明通過(guò)將平面狀的發(fā)光元件制作成凸面狀，同時(shí)在發(fā)光元件的出光端引入凸透鏡結(jié)構(gòu)，凸面狀發(fā)光元件發(fā)射的發(fā)射狀的光經(jīng)凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后變成平行狀光，從而增大像素的開(kāi)口率，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。
[0029]圖3?圖7為圖2中各步驟后得到的截面示意圖。下面對(duì)上述各步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，步驟SlOO為，如圖3所示，一具有TFT陣列的基板2，在具有TFT陣列的基板2的像素發(fā)光區(qū)制作凸面結(jié)構(gòu)3。即所述凸面結(jié)構(gòu)3設(shè)置在具有TFT陣列的基板2上，與像素開(kāi)口區(qū)一一對(duì)應(yīng)，所述凸面結(jié)構(gòu)3的焦距為0.1-0.5mm。其中，所述TFT陣列能夠驅(qū)動(dòng)發(fā)光像素，所述TFT陣列可以為硅基TFT陣列或金屬氧化物TFT陣列。
[0030]步驟S200為，如圖4所示，在凸面結(jié)構(gòu)3上沉積反射像素電極4。即所述反射像素電極4設(shè)置在凸面結(jié)構(gòu)3上，所述反射像素電極4與凸面結(jié)構(gòu)3具有相同的弧度和焦距。且所述反射像素電極4通過(guò)連接孔與TFT陣列的S/D電極相連。優(yōu)選地，所述反射像素電極4為高電導(dǎo)高反射率的金屬電極，例如反射像素電極4可以為Al、Ag、Mo或它們的疊層結(jié)構(gòu)或合金。其中，所述反射像素電極4的厚度優(yōu)選為30-100nm。
[0031]為了防止反射像素電極4的邊緣處在制備器件的過(guò)程中發(fā)生短路，因此本發(fā)明額夕卜制作一層像素界定層(像素bank)，覆蓋反射像素電極4的邊緣部分。步驟S300為，如圖5所示，在反射像素電極4周邊區(qū)域制作像素bank5。然后依次在反射像素電極4上沉積發(fā)光層6和透明電極7，所述發(fā)光層6和透明電極7形成發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)3具有相同的弧度和焦距，如圖6所示。優(yōu)選地，所述發(fā)光層6為空穴注入層、空穴傳輸層、光發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的一層或多層。其中，所述光發(fā)射層可以是有機(jī)發(fā)光層或量子點(diǎn)發(fā)光層或有機(jī)/量子點(diǎn)雜化發(fā)光層。所述透明電極7可以為導(dǎo)電金屬氧化物(如ΙΤ0、ΙΖ0等)或金屬薄膜(如41)8等)。優(yōu)選地，所述金屬薄膜的厚度為5_20nmo
[0032]步驟S400為，如圖7所示，在透明電極7上制作凸透鏡結(jié)構(gòu)8，制得顯示面板。所述凸透鏡結(jié)構(gòu)8位于發(fā)光元件的出光側(cè)，與發(fā)光元件一一對(duì)應(yīng)，凸透鏡結(jié)構(gòu)8和所述凸面狀發(fā)光元件的中心線的間距為所述凸面狀發(fā)光元件的焦距和所述凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距之和。最后，對(duì)上述制作而成的整個(gè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，得到顯示面板。如圖8所示，本發(fā)明的顯示面板從下而上依次包括:基板2、凸面結(jié)構(gòu)3、反射像素電極4、bank5、發(fā)光層6、透明電極7以及凸透鏡結(jié)構(gòu)8。由圖可知，與原始區(qū)域9相比，本發(fā)明改進(jìn)后開(kāi)口區(qū)域10具有更大的開(kāi)口率，從而提高了顯示面板的顯示效果。另外，凸面狀發(fā)光元件的發(fā)射狀光經(jīng)過(guò)凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后呈平行狀，從而增大像素的發(fā)光開(kāi)口率，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。
[0033]基于上述制備方法，本發(fā)明還提供一種高開(kāi)口率的顯示面板，其采用如上任一所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法制作而成。由于采用開(kāi)口率增大結(jié)構(gòu)，使得本發(fā)明顯不面板具有尚的開(kāi)口率，從而提尚了其顯不效果。
[0034]綜上所述，本發(fā)明提供的一種高開(kāi)口率的顯示面板及其制作方法，通過(guò)將平面狀的發(fā)光元件制作成凸面狀，同時(shí)在發(fā)光元件的出光端引入凸透鏡結(jié)構(gòu)，凸面狀發(fā)光元件發(fā)射的發(fā)射狀的光經(jīng)凸透鏡結(jié)構(gòu)折射后變成平行狀光，從而增大像素的開(kāi)口率，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，包括步驟: A、在具有TFT陣列的基板的像素發(fā)光區(qū)制作凸面結(jié)構(gòu)； B、在凸面結(jié)構(gòu)上沉積反射像素電極； C、在相鄰的反射像素電極周邊區(qū)域制作像素bank，并依次在反射像素電極上沉積發(fā)光層和透明電極，所述發(fā)光層和透明電極形成發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度； D、在透明電極上制作凸透鏡結(jié)構(gòu)，制得顯示面板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟A中，所述TFT陣列為硅基TFT陣列或金屬氧化物TFT陣列。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟A中，凸面結(jié)構(gòu)的焦距為0.1-0.5mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟B中，所述反射像素電極與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的弧度和焦距。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟B中，所述反射像素電極通過(guò)連接孔與TFT陣列的S/D電極相連。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟B中，所述反射像素電極為Al、Ag、Mo或它們的疊層結(jié)構(gòu)或合金。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟C中，所述發(fā)光層為空穴注入層、空穴傳輸層、光發(fā)射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的一層或多層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟C中，所述透明電極為導(dǎo)電金屬氧化物或金屬薄膜。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法，其特征在于，步驟C中，所述發(fā)光元件與凸面結(jié)構(gòu)具有相同的焦距。10.—種高開(kāi)口率的顯示面板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1?9任一所述的高開(kāi)口率的顯示面板的制作方法制作而成。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105826356SQ201610287980
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月4日
【發(fā)明人】陳亞文
【申請(qǐng)人】Tcl集團(tuán)股份有限公司