一種高亮度led水平結構電極制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種材料的制備方法，具體涉及一種高亮度LED水平結構電極制造方法。
【背景技術】
[0002]為了提高GaN基發(fā)光二極管的輸出功率，必須改善LED光提取效率和內(nèi)部量子效率。Aligner曝光3um級線寬,掩模和襯底間隙需要控制在1um級別,掩模和襯底接觸可能性很高，造成合格率很低，但投影光刻機可通過逐場調(diào)平曝光解決翹曲問題，因此，業(yè)界逐步采用步進投影光刻機生產(chǎn)PSS，具有線寬均勻性好、良率高等一系列優(yōu)勢，此外，在LED的電極關鍵層，如P / N PAD Finger曝光中，業(yè)界也正逐步采用投影光刻機替換Aligner以縮小電極的線寬，并提高生產(chǎn)能力。然而，截止到目前，全球尚無可以實現(xiàn)2umX Ium規(guī)格的專門用于制備圖形化藍寶石襯底的新款步進光刻機面市，從而導致高亮度LED生產(chǎn)商長期以來只能依賴IC前道的二手設備來制備2umX Ium規(guī)格的PSS或者采用性能比較低端的光刻設備來制備3umX 2um規(guī)格的PSS。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提出一種簡單實用的高亮度LED水平結構電極制造方法。
[0004]本發(fā)明的技術方案在于:
一種高亮度LED水平結構電極制造方法，由4層光刻工藝組成，分別為ITO層、MESA層、PAD層以及S12層，分別采用如下步驟:
步驟1:制作ITO層時，直接曝光9個T標記；
步驟2:制作MESA層時，采用2個T標記進行對準，然后曝光，曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞；
步驟3:在制作PAD層時，利用9個T標記中的若干標記進行對準，然后曝光，同樣曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞；
步驟4:曝光后，ITO層原T標記仍舊存在，S12層直接采用T標記進行對準，并曝光。
[0005]優(yōu)選地，所述采用2個T標記進行對準時，再通過對任意大小的LED電極圖形進行精匹配，對視場內(nèi)的重復圖形進行匹配和精確定位。
[0006]或者優(yōu)選地，所述曝光時，在ITO層、MESA層和S12層采用Aligner進行曝光，在PAD層采用Stepper曝光。
[0007]本發(fā)明的技術效果在于:
本發(fā)明提供的方法簡單實用、由提供的方法制得的高亮度LED水平結構電極不易損壞且LED適用范圍廣，亮度強，本發(fā)明操作簡單，易于推廣，適合大范圍使用。
【具體實施方式】
[0008]一種高亮度LED水平結構電極制造方法，由4層光刻工藝組成，分別為ITO層、MESA層、PAD層以及S12層，分別采用如下步驟:
步驟1:制作ITO層時，直接曝光9個T標記；
步驟2:制作MESA層時，采用2個T標記進行對準，然后曝光，曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞；
步驟3:在制作PAD層時，利用9個T標記中的若干標記進行對準，然后曝光，同樣曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞；
步驟4:曝光后，ITO層原T標記仍舊存在，S12層直接采用T標記進行對準，并曝光。
[0009]其中，所述采用2個T標記進行對準時，再通過對任意大小的LED電極圖形進行精匹配，對視場內(nèi)的重復圖形進行匹配和精確定位。
[0010]所述曝光時，在ITO層、MESA層和S12層采用Aligner進行曝光，在PAD層采用Stepper 曝光。
【主權項】
1.一種高亮度LED水平結構電極制造方法，其特征在于:由4層光刻工藝組成，分別為ITO層、MESA層、PAD層以及S12層，分別采用如下步驟: 步驟1:制作ITO層時，直接曝光9個T標記； 步驟2:制作MESA層時，采用2個T標記進行對準，然后曝光，曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞； 步驟3:在制作PAD層時，利用9個T標記中的若干標記進行對準，然后曝光，同樣曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來，保證標記不被破壞； 步驟4:曝光后，ITO層原T標記仍舊存在，S12層直接采用T標記進行對準，并曝光。2.如權利要求1一種高亮度LED水平結構電極制造方法，其特征在于:所述采用2個T標記進行對準時，再通過對任意大小的LED電極圖形進行精匹配，對視場內(nèi)的重復圖形進行匹配和精確定位。3.如權利要求1一種高亮度LED水平結構電極制造方法，其特征在于:所述曝光時，在ITO層、MESA層和S12層采用Aligner進行曝光，在PAD層采用St印per曝光。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種材料的制備方法，具體涉及一種高亮度LED水平結構電極制造方法。一種高亮度LED水平結構電極制造方法，由4層光刻工藝組成，分別為ITO層、MESA層、PAD層以及SiO2層，分別采用如下步驟：ITO層時，直接曝光9個T標記；MESA層時，采用2個T標記進行對準，然后曝光，曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來；PAD層時，利用9個T標記中的若干標記進行對準，然后曝光，同樣曝光時不再曝光任何標記，并將9個T標記對應的區(qū)域空出來；ITO層原T標記仍舊存在，SiO2層直接采用T標記進行對準，并曝光。本發(fā)明提供的方法簡單實用、操作簡單，易于推廣，適合大范圍使用。
【IPC分類】H01L33/36, H01L33/00
【公開號】CN105633221
【申請?zhí)枴緾N201410600065
【發(fā)明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月31日