一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種顯示基板及其制作方法和顯示裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有源矩陣（Active Matrix)型顯示裝置是利用薄膜晶體管（Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱TFT)進(jìn)行像素顯示驅(qū)動(dòng)的一種顯示裝置，具有輕薄、低功耗、低福射、低成 本等諸多優(yōu)點(diǎn)，是目前最為主流的顯示技術(shù)。有源矩陣型顯示裝置均包含有TFT陣列基板， 根據(jù)TFT有源層的形成材料的不同，TFT陣列基板可分為非晶娃(a-Si:H)、低溫多晶娃化OW Temperature Pol}f-Silicon，簡(jiǎn)稱LTPS)、高溫多晶娃巧igh Tempera1:ure Pol}f-Silicon， 簡(jiǎn)稱HTPS)、氧化物半導(dǎo)體等多種類型。
[0003] 其中，低溫多晶娃(簡(jiǎn)稱LTPS)薄膜由于其原子排列規(guī)則、載流子遷移率高等特性， 可形成較高的驅(qū)動(dòng)電流，有利于加快液晶分子的反應(yīng)時(shí)間，縮小薄膜晶體管的體積，增加像 素單元中的透過(guò)面積，使顯示裝置具有更高的亮度、分辨率和開口率，因此，薄膜晶體管的 制作工藝中廣泛采用LTPS薄膜制備有源層。但由于非晶娃結(jié)構(gòu)具有不穩(wěn)定性，因此在制備 薄膜晶體管時(shí)需要將非晶娃材料晶化。傳統(tǒng)的晶化技術(shù)的不足之處在于晶化后晶粒尺寸受 限，其產(chǎn)品性能的均勻性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置，用W解決現(xiàn)有技術(shù) 中形成的晶粒尺寸受限、產(chǎn)品均勻性差的問題。
[0005] -種顯示基板的制作方法，所述方法包括：
[0006] 采用非晶娃材料在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括至少一個(gè) 高厚膜區(qū)域，所述高厚膜區(qū)域的膜層厚度大于所述有源層其它區(qū)域的膜層厚度；
[0007] 使所述有源層中的非晶娃材料晶化成多晶娃材料。
[000引本發(fā)明實(shí)施例提供的方法中，利用非晶娃材料形成的有源層包括至少一個(gè)高厚膜 區(qū)域，所述高厚膜區(qū)域的膜層厚度大于所述有源層其它區(qū)域的膜層厚度。利用不同厚度膜 厚區(qū)域的能量密度差異，在晶化的過(guò)程中使高膜厚區(qū)域的非晶娃材料處于不完全烙融狀 態(tài)，而其它有源層層區(qū)域的非晶娃材料則處于完全烙融狀態(tài)，然后再W未完全烙融的非晶 娃部分可W作為晶化過(guò)程的形核中屯、進(jìn)行晶化。在后續(xù)晶化的過(guò)程中，由于晶核存在，能夠 形成尺寸較大的晶體顆粒，提供產(chǎn)品的均勻性。
[0009] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，采用非晶娃材料在 襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括至少一個(gè)高厚膜區(qū)域，包括：
[0010] 在所述襯底基板上形成非晶娃材料層；
[0011] 利用退火工藝，去除非晶娃材料中的氨；
[0012] 利用半色調(diào)掩膜板，在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括多個(gè) 規(guī)則排列的高厚膜區(qū)域。
[0013] 在所述襯底基板上形成非晶娃材料層后，通過(guò)退火工藝去除非晶娃材料中的氨， 使非晶娃材料中的氨含量下降，防止氨爆現(xiàn)象的產(chǎn)生。而在所述有源層中的多個(gè)高厚膜區(qū) 域規(guī)則排列時(shí)，則可W形成規(guī)則排列的晶核，有利于進(jìn)一步提高產(chǎn)品的均勻性。
[0014] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，使所述有源層中的 非晶娃材料晶化成多晶娃材料，包括：
[0015] 利用激光照射所述有源層，使所述有源層中的非晶娃材料晶化成多晶娃材料。
[0016] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述利用激光照射 所述有源層，使所述有源層中的非晶娃材料晶化成多晶娃材料，包括：
[0017] 利用準(zhǔn)分子激光照射所述有源層，使所述有源層中的非晶娃材料晶化成多晶娃材 料。
[0018] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述利用準(zhǔn)分子激 光照射所述有源層，使所述有源層中的非晶娃材料晶化成多晶娃材料，包括：
[0019] 利用準(zhǔn)分子激光照射所述有源層，使所述有源層的高厚膜區(qū)域的非晶娃材料呈不 完全烙融狀態(tài)，除所述高厚膜區(qū)域W外的其它區(qū)域的非晶娃材料呈完全烙融狀態(tài)，晶化后 形成W所述高厚膜區(qū)域的不完全烙融狀態(tài)的非晶娃材料為晶核的多晶體材料。
[0020] 通過(guò)利用未完全烙融的高厚膜區(qū)域材料作為晶核進(jìn)行晶化時(shí)，由于晶核的存在， 可有效增大晶化成的多晶娃晶粒的尺寸。
[0021] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，在襯底基板上形成 包括有源層的圖形之前，所述方法還包括:在所述襯底基板上形成緩沖層，所述緩沖層位于 所述襯底基板與所述有源層之間。
[0022] 通過(guò)在襯底基板與有源層之間設(shè)置緩沖層，可通過(guò)該緩沖層阻擋后續(xù)工藝中襯底 基板中所含的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管的有源層，防止對(duì)薄膜晶體管的闊值電壓和漏電流 等特性產(chǎn)生影響。同時(shí)，由于所述有源層采用低溫多晶娃材料，而低溫多晶娃通常是用準(zhǔn)分 子激光退火的方法進(jìn)行晶化，因此該緩沖層還能夠起到防止準(zhǔn)分子激光退火造成的雜質(zhì)的 擴(kuò)散的作用，有利于進(jìn)一步提高低溫多晶娃形成的薄膜晶體管的質(zhì)量。
[0023] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，還包括:采用離子注 入的方式，在所述有源層中形成源漏滲雜區(qū)。
[0024] 通過(guò)在有源層中注入離子，W提高有源層中的載流子濃度，有利于提高薄膜晶體 管的特性。
[0025] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，在對(duì)所述有源層進(jìn) 行離子注入之前，所述方法還包括：
[0026] 在所述有源層的基板上形成柵絕緣層；
[0027] 在包括所述柵絕緣層的基板上形成包括柵極的圖形。
[0028] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述方法還包括：
[0029] 從所述襯底基板背向有源層的一側(cè)采用激光對(duì)所述有源層進(jìn)行照射，使所述源漏 滲雜區(qū)的離子活化。
[0030] 通過(guò)采用激光對(duì)所述有源層進(jìn)行照射，使所述源漏滲雜區(qū)的離子活化，有利于提 高薄膜晶體管的特性。
[0031] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述方法還包括：
[0032] 采用激光對(duì)所述有源層進(jìn)行照射，使所述源漏滲雜區(qū)的離子活化；
[0033] 在所述有源層的上方形成柵絕緣層；
[0034] 在所述柵絕緣層的上方形成柵極。
[0035] 該方法中還可W利用激光照射有源層上使所述源漏滲雜區(qū)的離子活化，提高薄膜 晶體管的特征;然后再在所述有源層的上方依次形成柵絕緣層和柵極，用于構(gòu)建完整的薄 膜晶體管結(jié)構(gòu)。
[0036] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述激光為準(zhǔn)分子 激光。
[0037] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述方法還包括：
[0038] 在所述柵極的上方形成純化層，W及貫穿所述柵絕緣層和純化層的第一過(guò)孔和第 二過(guò)孔；
[0039] 在所述純化層的上方形成源極和漏極；其中，所述源極通過(guò)得到第一過(guò)孔與所述 有源層電連接，所述漏極與所述第二過(guò)孔與所述有源層電連接；
[0040] 在所述源極和漏極的上方形成平坦層，W及貫穿所述平坦層的第=過(guò)孔；
[0041] 在所述平坦層的上方形成像素電極，且使得所述像素電極通過(guò)所述第=過(guò)孔與所 述漏極電連接。
[0042] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，所述方法還包括在 所述像素電極的上方形成配向膜層。
[0043] 通過(guò)在所述像素電極上形成配向膜，使得與之對(duì)應(yīng)的液晶分子形成一定的取向， 從而控制光的通過(guò)。
[0044] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，所述顯示基板采用上 述方法制作。
[0045] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如 上所述的顯示基板。
【附圖說(shuō)明】
[0046] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法；
[0047] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作顯示基板的步驟示意圖；
[0048] 圖3-14為本發(fā)明實(shí)施提供的顯示基板的制作方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種