一種遮擋盤及反應腔室的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體設備制造技術領域，具體涉及一種遮擋盤及反應腔室。
【背景技術】
[0002]物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n,以下簡稱PVD)設備是應用比較廣泛的等離子體加工設備，主要用于在基片等被加工工件的表面上沉積薄膜。PVD方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜和電弧等離子體鍍膜，并且，到目前為止，PVD方法不僅可以沉積金屬薄膜，而且可以沉積合金薄膜、化合物薄膜、陶瓷薄膜、半導體薄膜等。
[0003]在實際應用中，通常在沉積工藝進行之前，需要對暴露在大氣環(huán)境中或者停用一段時間的靶材進行清洗工藝(即，將靶材表面上形成的氧化物或者其他雜質清洗掉)，以及在完成預設數(shù)量的被加工工件之后，需要對反應腔室內的其他部件進行涂覆工藝(即，對反應腔室內其他部件上沉積一層覆蓋物)，為了防止在清洗工藝和涂覆工藝過程中污染承載被加工工件的承載裝置的表面，通常采用遮擋盤對該承載裝置的表面進行遮擋。圖1為具有遮擋盤的反應腔室的結構示意圖。請參閱圖1，反應腔室10包括承載裝置11、用于驅動承載裝置11升降的第一驅動單元12、至少三個頂針13、用于驅動至少三個頂針13升降的第二驅動單元14、用于放置遮擋盤15的車庫16、遮擋盤傳輸裝置和遮擋盤檢測裝置。其中，承載裝置11設置在反應腔室10內，用于承載被加工工件或遮擋盤15，每個頂針13自承載裝置11的下表面貫穿至承載裝置11的上表面，并可在承載裝置11內升降；遮擋盤傳輸裝置包括用于承載遮擋盤15的旋轉臂17和第三驅動單元18，第三驅動單元18的驅動軸19與旋轉臂17的一端相連接，用以驅動該旋轉臂17圍繞該驅動軸19旋轉；遮擋盤檢測裝置包括四個激光對射傳感器(I?4)，在該車庫16的上下表面相對位置處設置有觀察窗20，該四對激光對射傳感器(I?4)分別設置在該觀察窗20上，具體設置位置如圖2所示，每個激光對射傳感器具有分別設置在車庫16上下表面的觀察窗20上的接收端和發(fā)射端，當發(fā)射端發(fā)出的激光束能夠到達接收端時，該激光對射傳感器不發(fā)出信號；當發(fā)射端與接收端之間的激光傳輸路徑被物體遮擋時，發(fā)射端發(fā)出的激光束不能夠到達接收端，該激光對射傳感器發(fā)出信號。
[0004]下面詳細地介紹該反應腔室的工作過程，具體地，包括以下步驟:步驟SI，當進行清洗工藝或涂覆工藝時，第三驅動單元18驅動旋轉臂17旋轉，以帶動位于旋轉臂17上的遮擋盤15旋轉至承載裝置11的正上方，第二驅動單元14驅動頂針13上升，將位于旋轉臂17上的遮擋盤15頂起；步驟S2，第三驅動單元18驅動空載的旋轉臂17回轉至車庫16，且當激光對射傳感器I發(fā)出信號且激光對射傳感器2不發(fā)出信號時，則旋轉臂17到達安全位置，此時第一驅動單元12驅動承載裝置11上升，使得位于頂針13上的遮擋盤15位于承載裝置11的上表面上，此時實現(xiàn)遮擋盤15將承載裝置11遮擋，因此可以進行清洗工藝或涂覆工藝；步驟S3，在清洗工藝或涂覆工藝完成之后，第一驅動單元12驅動承載裝置11下降，使得頂針13將位于承載裝置11上表面的遮擋盤15頂起，第三驅動單元18驅動空載的旋轉臂17旋轉至位于遮擋盤15下方且位于承載裝置11上表面上方的位置，第二驅動單元14驅動頂針13下降，使得遮擋盤15位于該旋轉臂17上；步驟S4，第三驅動單元18驅動承載有遮擋盤15的旋轉臂17回轉至車庫16，當激光對射傳感器(1，2，4)發(fā)出信號且激光對射傳感器4不發(fā)出信號時，則遮擋環(huán)15和旋轉臂17到達安全位置，此時，第三驅動單元18停止驅動，并可以在該工藝腔室內進行沉積工藝。
[0005]然而，采用上述的反應腔室在實際應用中不可避免的會存在以下技術問題:由于遮擋盤15為平板式結構，且尺寸較大，這就需要在反應腔室內設計尺寸較大的車庫放置該遮擋盤，因而會導致反應腔室的腔室成本過高。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題，提供了一種遮擋盤及反應腔室，該遮擋盤在存放時的尺寸較小，因而不需要在反應腔室內設置車庫放置該遮擋盤，從而可以降低反應腔室的腔室成本，進而可以提高經濟效益。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種遮擋盤，所述遮擋盤包括旋轉分部和本體，所述旋轉分部包括固定端和活動端，所述固定端與所述本體的外周壁相連接，且所述旋轉分部沿所述本體的周向設置，所述旋轉分部的活動端在其自身重力的作用下位于原始位置，所述原始位置定義為所述旋轉分部的下表面與所述本體的下表面之間夾角為預設鈍角時所述活動端所在的位置，在使用所述遮擋盤遮擋被遮擋物時，通過將所述旋轉分部的活動端自所述原始位置頂起至預設最高位置，以使所述旋轉分部與所述本體形成可遮擋所述被遮擋物的遮擋盤。
[0008]優(yōu)選地，在所述旋轉分部的下表面上設置有溝槽。
[0009]優(yōu)選地，所述溝槽靠近所述旋轉分部的活動端的深度大于靠近所述旋轉分部的固定端的深度。
[0010]其中，所述溝槽在其所在的所述旋轉分部所在平面上的輪廓形狀為橢圓形、圓形、四邊形或者三角形。
[0011]其中，所述旋轉分部與所述本體的外周壁通過門栓相連接。
[0012]其中，所述預設鈍角的范圍在120?180度。
[0013]本發(fā)明還提供一種反應腔室，所述反應腔室內設置有遮擋盤、存放位置、工藝位置、傳輸裝置和檢測裝置，所述遮擋盤放置在所述存放位置處，所述傳輸裝置用于將所述遮擋盤傳輸至所述工藝位置或所述存放位置，所述檢測裝置用于檢測所述遮擋盤是否傳輸至所述存放位置，所述遮擋盤采用本發(fā)明提供的上述遮擋盤。
[0014]其中，所述檢測裝置包括第一距離傳感器和第二距離傳感器，所述第一距離傳感器的檢測路徑包括位于所述存放位置的所述遮擋盤的邊界之內的位置；所述第二距離傳感器的檢測路徑包括位于所述存放位置時的所述遮擋盤的邊界之外且靠近其邊界的位置；所述第一距離傳感器和所述第二距離傳感器設置為:僅在所述遮擋盤位于預設距離范圍內時發(fā)出或者不發(fā)出信號；所述第一距離傳感器或所述第二距離傳感器的所述預設距離范圍為不小于所述第一距離傳感器或所述第二距離傳感器與位于所述存放位置的所述遮擋盤之間的距離。
[0015]其中，所述傳輸裝置包括承載部和旋轉驅動機構，所述承載部用于承載所述遮擋盤，所述旋轉驅動機構用于驅動所述承載部圍繞其旋轉軸旋轉，以帶動所述遮擋盤旋轉至所述工藝位置或所述存放位置。
[0016]其中，所述檢測裝置還包括第三距離傳感器，所述第三距離傳感器的檢測路徑上包括位于所述存放位置的遮擋盤外側的承載該遮擋盤的部分承載部的位置；所述第三距離傳感器設置為:僅在部分所述承載部位于預設距離范圍內時發(fā)出或者不發(fā)出信號；所述第三距離傳感器的預設距離范圍不小于其與位于所述存放位置的遮擋盤外側的承載所述遮擋盤的部分承載部之間的距離。
[0017]其中，所述第一距離傳感器、所述第二距離傳感器或者所述第三距離傳感器為漫反射距離傳感器。
[0018]其中，還設置有頂針升降裝置，所述頂針升降裝置包括至少三個頂針和頂針升降單元，所述至少三個頂針用于承載所述遮擋盤；所述頂針升降單元用于驅動所述頂針升降，以使所述頂針將與所述遮擋盤的旋轉分部的活動端自所述原始位置頂起至所述預設最高位置，以使所述旋轉分部與所述本體形成可遮擋所述被遮擋物的遮擋盤。
[0019]其中，在所述旋轉分部的下表面上設置有溝槽，所述溝槽的數(shù)量和位置與所述頂針的數(shù)量和位置一一對應。
[0020]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0021]本發(fā)明提供的遮擋盤，其包括旋轉分部和本體，旋轉分部包括固定端和活動端，固定端與本體的外周壁相連接，且旋轉分部沿本體的周向設置，旋轉分部的活動端在其自身重力的作用下位于原始位置，原始位置定義為該旋轉分部的下表面與本體的下表面之間夾角為預設鈍角時活動端所在的位置，在使用遮擋盤遮擋被遮擋物時，通過將旋轉分部的活動端自原始位置頂起至預設最高位置，以使旋轉分部與本體形成可遮擋被遮擋物的遮擋盤。由上可知，該遮擋盤在存放時(即，未被使用時)的尺寸較小，且可實現(xiàn)在不影響遮擋盤使用的前提下可以減小遮擋盤的存放尺寸，因而不需要在反應腔室內設置車庫放置該遮擋盤，從而可以降低反應腔室的腔室成本，進而可以提高經濟效益。
[0022]本發(fā)明提供的反應腔室，其采用本發(fā)明提供的遮擋盤，可以降低反應腔室的腔室成本，從而可以提高經濟效益。
【附圖說明】
[0023]圖1為具有遮擋盤的反應腔室的結構示意圖；
[0024]圖2為圖1所示的反應腔室的俯視圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實施例提供的遮擋盤在使用時的結構示意圖；
[0026]圖4為圖3所示的遮擋盤的仰視圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實施例提供的遮擋盤在存放時的正視圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實施例提供反應腔室的結構示意圖；以及
[0029]圖7為圖6所示的反應腔室的俯視圖。
【具體實施方式】
[0030]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術