發(fā)光裝置、發(fā)光元件安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使用發(fā)光元件的發(fā)光裝置、用于安裝該發(fā)光裝置的發(fā)光元件的發(fā)光元件安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，使用半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光裝置構(gòu)成為在基板上安裝有半導(dǎo)體發(fā)光元件。另外，對于安裝發(fā)光元件的安裝方法也提出有各種方案。作為一個例子，在安裝方法中，在先行的工序中通過分配器等將粘合劑涂敷于基板的元件搭載部，在接下來的工序中將半導(dǎo)體發(fā)光元件粘合安裝在基板的元件搭載部(參照專利文獻I)。在安裝這樣的半導(dǎo)體發(fā)光元件時，通常利用吸附墊、開口夾對半導(dǎo)體發(fā)光元件的上表面進行吸附，將其搬運并搭載到涂敷于基板的粘合劑上。
[0003]近年來，作為發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的一個例子，公知有將熒光體層安裝于LED芯片的一端側(cè)的結(jié)構(gòu)(參照專利文獻2)。該發(fā)光元件被稱作芯片尺寸封裝等，在搭載于基板之前已經(jīng)在LED芯片上設(shè)有熒光體層、光反射構(gòu)件層。
[0004]上述情況使得發(fā)光元件的電極與基板以對置的方式安裝(倒裝安裝)，作為安裝時的粘合劑，使用將基板與發(fā)光元件在高溫下接合的焊料等材料。
[0005]在先技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2011-243666號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2011-009572號公報
[0009]但是，在上述的現(xiàn)有的發(fā)光裝置、發(fā)光元件的安裝裝置以及安裝方法中，存在以下所示的問題點。
[0010]由于現(xiàn)有的發(fā)光裝置在將發(fā)光元件安裝于基板的情況下通過在高溫下使用的焊料等進行安裝，因此作為發(fā)光裝置的基板，需要使用可承受安裝時的高溫等的材料，基板的材料的選擇方面的自由度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的課題
[0012]本申請是鑒于上述的問題點而完成的，其課題在于，提供在低溫下進行發(fā)光元件與基板的連接(粘合)的發(fā)光裝置、發(fā)光元件用安裝裝置以及發(fā)光元件安裝方法。
[0013]用于解決課題的手段
[0014]在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，為了解決上述課題，采用以下所示的發(fā)光裝置、發(fā)光元件用安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置。
[0015]S卩，發(fā)光裝置構(gòu)成為具備:發(fā)光元件，其具備LED芯片與在所述LED芯片的光射出側(cè)設(shè)置的熒光體層；以及基板，其通過粘合材料來粘合所述發(fā)光元件，所述粘合材料為各向異性導(dǎo)電材料。
[0016]另外，在發(fā)光裝置中，與所述課題一并存在有以下這樣的迫切期望。S卩，在安裝發(fā)光元件的情況下，由于對發(fā)光元件的上表面進行吸附并施加負(fù)載，因此發(fā)光元件有可能發(fā)生形狀變化。由此，發(fā)光裝置可能發(fā)生配光偏移、顏色不均、明亮度降低等。因而，期望防止發(fā)光裝置的發(fā)光元件的變形、并且發(fā)光裝置的出光效率也良好的發(fā)光元件安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置。
[0017]針對所述的迫切期望，本發(fā)明的另一技術(shù)方案采用下述的發(fā)光元件安裝方法。即，一種在基板上安裝發(fā)光元件的發(fā)光元件安裝方法，包含如下工序:將具備LED芯片與在該LED芯片的光射出側(cè)設(shè)置的熒光體層的所述發(fā)光元件經(jīng)由設(shè)于所述基板上的各向異性導(dǎo)電材料的粘合材料載置；在使引導(dǎo)機構(gòu)與載置后的所述發(fā)光元件的熒光體層的側(cè)面抵接的狀態(tài)下，使所述粘合材料固化。
[0018]另外，針對所述的迫切期望，本發(fā)明的又一個技術(shù)方案涉及下述發(fā)光元件用安裝裝置。換句話說，在發(fā)光元件用安裝裝置中，通過隔著設(shè)于基板上的各向異性導(dǎo)電材料的粘合材料接合具備LED芯片與在該LED芯片的光射出側(cè)設(shè)置的熒光體層的發(fā)光元件，由此將所述發(fā)光元件安裝于基板，其中，所述發(fā)光元件用安裝裝置具備與所述熒光體層的側(cè)面抵接并保持所述熒光體層的引導(dǎo)機構(gòu)、以及在所述引導(dǎo)機構(gòu)保持有所述熒光體層的狀態(tài)下使所述粘合材料進行固化的固化機構(gòu)。
[0019]發(fā)明效果
[0020]在本發(fā)明的發(fā)光裝置、發(fā)光元件安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置中，實現(xiàn)以下所示的效果。
[0021]由于發(fā)光裝置將各向異性導(dǎo)電材料用作粘合材料而安裝基板與LED芯片，因此能夠在比焊料低的溫度下進行安裝，能夠確保電路等的可靠性。
[0022]在發(fā)光元件安裝方法中，能夠在比焊料低的溫度下將發(fā)光元件安裝于基板，能夠確保電路等的可靠性，并且確保出光效率。
[0023]在發(fā)光元件用安裝裝置中，能夠防止安裝后的發(fā)光元件發(fā)生配光偏移、顏色不均、明亮度的降低，出光效率也變好。
【附圖說明】
[0024]圖1是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光裝置的整體的剖視圖。
[0025]圖2是示意性示出作為本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光裝置而將三個發(fā)光元件安裝于實施基板的結(jié)構(gòu)的一個例子的俯視圖。
[0026]圖3是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的整體的俯視圖。
[0027]圖4是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的整體的側(cè)視圖。
[0028]圖5是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的引導(dǎo)機構(gòu)的圖，且是從下方向上觀察第一抵接引導(dǎo)部的狀態(tài)的立體圖。
[0029]圖6是從下方示意性示出在本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置中的第一抵接引導(dǎo)部以及第二抵接引導(dǎo)部保持發(fā)光元件的熒光體層的狀態(tài)的仰視圖。
[0030]圖7(a)?(e)是示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的安裝工序的流程的示意圖。
[0031]圖8(a)?(d)是示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的安裝工序的流程的示意圖。
[0032]圖9(a)是將本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件的安裝工序中的安裝前的狀態(tài)局部剖切放大并示意性示出的圖，圖9(b)是將本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件的安裝工序中的安裝后的狀態(tài)局部剖切放大并示意性示出的圖。
[0033]圖10是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的其他結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0034]圖11(a)?(C)是示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的其他結(jié)構(gòu)中的安裝順序的示意圖。
[0035]圖12是示意性示出本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光元件用安裝裝置的其他水平搬運裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0036]圖13是將本發(fā)明的一個實施方式的發(fā)光裝置的其他結(jié)構(gòu)剖切并示意性示出的剖視圖。
【具體實施方式】
[0037]以下，參照附圖對使用本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光裝置、用于安裝該發(fā)光裝置的發(fā)光元件的發(fā)光元件安裝方法以及發(fā)光元件用安裝裝置進行說明。需要說明的是，首先對發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的一個例子進行說明，之后對發(fā)光裝置的發(fā)光元件用安裝裝置的結(jié)構(gòu)、發(fā)光元件的安裝方法的一個例子進行說明。另外，在說明的附圖中，有時對各結(jié)構(gòu)等局部或者整體夸張地記載。另外，在各圖中示出剖面的情況下，為了易于觀察，有時也將省略表示剖面部分的斜線(陰影)。
[0038]如圖1以及圖2所示，本實施方式的發(fā)光裝置I具備形成有電路等的安裝基板(基板)2、以及隔著作為各向異性導(dǎo)電材料的粘合材料3設(shè)于該安裝基板2的發(fā)光元件4。
[0039]該發(fā)光元件4可以為大致長方體形狀，構(gòu)成為具備:LED芯片6，其具備在藍寶石基板6a上層疊的半導(dǎo)體發(fā)光元件構(gòu)造體6A，且俯視時呈矩形；熒光體層5，其設(shè)置在LED芯片6的成為出光面?zhèn)鹊纳媳砻?藍寶石基板6a側(cè));以及光反射性構(gòu)件層7，其覆蓋LED芯片6的側(cè)面(即藍寶石基板6a的側(cè)面以及半導(dǎo)體發(fā)光元件構(gòu)造體6A的側(cè)面)。
[0040]需要說明的是，LED芯片6的側(cè)面也可以不設(shè)置光反射性構(gòu)件層7，例如也可以露出?；蛘?，所述的熒光體層5也可以設(shè)于LED芯片6的側(cè)面(參照圖13)。
[0041 ] 作為層疊于透光性的藍寶石基板6a而形成的半導(dǎo)體發(fā)光元件構(gòu)造體6A，LED芯片6具備η層(η型半導(dǎo)體層)6b、形成在該η層6b上的P層(P型半導(dǎo)體層)6d、形成在η層6b與P層6d之間的活性層6c、形成在η層6b的未層疊有p層的部分之上的η側(cè)焊盤電極6e、形成在P層6d上的P側(cè)焊盤電極6f、以及設(shè)置為使η側(cè)焊盤電極6e的端面?zhèn)燃皃側(cè)焊盤電極6f的端面?zhèn)嚷冻龅谋Ｗo膜6g。
[0042]作為該LED芯片6的半導(dǎo)體發(fā)光元件構(gòu)造體6A的一個例子，優(yōu)選使用GaN系氮化物半導(dǎo)體，具體來說，可以采用將InxGa1 χΝ(0<χ< I)用于活性層6c的構(gòu)造。若半導(dǎo)體發(fā)光元件構(gòu)造體6A采用上述結(jié)構(gòu)，能夠形成在365nm以上、優(yōu)選為380nm以上、進一步優(yōu)選為400nm?680nm的波長范圍內(nèi)發(fā)光效率優(yōu)異的LED芯片6。
[0043]另外，優(yōu)選LED芯片6設(shè)為，與η層6b電連接的η側(cè)焊盤電極6