多晶硅樣品刻蝕裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅檢測領域，特別是涉及多晶硅檢測樣品的刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]多晶硅晶粒大小的檢測是晶化工藝的重要檢測項目，而檢測中使用的多晶硅樣品的通常需要通過刻蝕的方法來刻蝕出明顯的晶界，然后利用電子掃描顯微鏡(SEM)觀察樣品的晶粒大小。晶界刻蝕的好壞會嚴重影響檢測的結果，使工藝結果的判斷產生偏差。而晶界刻蝕對于時間的把控比較嚴格，根據不同的樣品狀況和溶液配比，有不同的時間限制，通?？刂圃趲酌氲綆资胫g。
[0003]目前通常使用鑷子夾住樣品放入溶液中進行浸泡，手動控制時間，但這種做法易出現問題:樣品通常較小，不易拿捏，容易出現掉落至盛放溶液的燒杯內的狀況，使樣品浸漬超出設定時間，造成薄膜脫落樣品損壞；由于使用的刻蝕液有強氧化性且劇毒易揮發(fā)，無保護的實驗裝置會損害操作人員的身體健康，造成嚴重實驗事故。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于避免多晶硅樣品制備過程中因刻蝕液的揮發(fā)對人體造成損害，為達到上述目的，本發(fā)明提供一種多晶硅樣品刻蝕裝置。
[0005]一種多晶硅樣品刻蝕裝置，包括密封桶體、連桿裝置、樣品支架以及樣品載臺，其特征在于，所述桶體中央設有保護塔，所述連桿裝置垂直于桶體底部可轉動地設置于所述保護塔內；所述多晶硅樣品刻蝕裝置還包括與所述保護塔的外壁連接且垂直于桶體底部的隔板，所述隔板將桶體內的空間隔開形成兩個以上的工作區(qū)域；所述連桿裝置、樣品支架以及樣品載臺依次連接，所述保護塔的外壁開設有一圈窗口，以供樣品支架從保護塔內伸進工作區(qū)域且可隨連桿裝置轉動而不會被保護塔外壁阻礙；所述隔板上開設有隔板缺口，以供樣品支架和樣品載臺隨所述連桿裝置轉動時能從一個工作區(qū)域穿過所述隔板缺口至另一個工作區(qū)域，所述連桿裝置可控制所述樣品支架升降。
[0006]在其中一個實施例中，所述工作區(qū)域的數量為三個，分別設為儲液槽，洗凈槽和干燥槽，所述儲液槽在桶體外壁上設有供溶液導入導出的通孔，所述洗凈槽側壁上設有清洗噴頭以及液體排出口，所述干燥槽上設有氣體噴頭以及排氣出口。
[0007]在其中一個實施例中，所述樣品支架包括支架前端、連接所述連桿裝置的支架后端及連接所述支架后端和支架前端的轉軸，所述樣品載臺設于所述支架前端，所述連桿裝置用于控制所述支架前端繞所述轉軸升降，所述樣品載臺與所述支架前端的夾角呈45度到60度設置。
[0008]在其中一個實施例中，所述樣品載臺與所述支架前端為可拆卸式連接，所述桶體的頂部設有開合蓋，用于取放所述樣品載臺。
[0009]在其中一個實施例中，開合蓋設于所述干燥槽的頂部。
[0010]在其中一個實施例中，還包括設于所述保護塔內的旋轉底座，所述連桿裝置設于所述旋轉底座上，所述旋轉底座用于帶動所述連桿裝置轉動。
[0011]在其中一個實施例中，所述連桿裝置頂部還設有提拉手柄，用于向上拉升所述連桿裝置帶動所述樣品支架提升以取放所述樣品載臺。
[0012]在其中一個實施例中，所述連桿裝置包括定時單元和動力機構，所述定時單元用于在到達設定的時刻時控制所述動力機構帶動所述轉軸旋轉，及控制所述旋轉底座帶動所述連桿裝置轉動。
[0013]在其中一個實施例中，所述桶體為圓柱形桶或多邊形桶。
[0014]本發(fā)明還提供另一種多晶硅樣品刻蝕裝置。
[0015]一種多晶硅樣品刻蝕裝置，包括密封桶體、連桿裝置、樣品支架以及樣品載臺，其特征在于，所述桶體中央設有保護塔，所述連桿裝置垂直于桶體底部可升降地設置于所述保護塔內；所述多晶硅樣品刻蝕裝置還包括與所述保護塔的外壁連接的隔板，所述隔板將桶體內的空間在豎直方向上隔開形成兩個以上的工作區(qū)域，所述連桿裝置、樣品支架以及樣品載臺依次連接，所述保護塔的外壁開設有向桶體底部的延伸的窗口，以供樣品支架從保護塔內伸進工作區(qū)域且可隨連桿裝置升降而不會被保護塔外壁阻礙，所述隔板上開設有隔板缺口，以供樣品支架和樣品載臺隨所述連桿裝置升降時能從一個工作區(qū)域穿過所述隔板缺口至另一個工作區(qū)域，所述隔板缺口處相應設置有可開閉的蓋板，用于在樣品載臺通過前后開閉所述隔板缺口。
[0016]上述多晶硅樣品刻蝕裝置，通過連桿裝置控制樣品支架升降，從而控制樣品載臺上的樣品是否浸漬于刻蝕液中，當連桿裝置抬升樣品支架時，樣品即離開刻蝕液，完成樣品刻蝕。樣品刻蝕過程發(fā)生在由密封桶體提供的全密封環(huán)境下，避免刻蝕液揮發(fā)等原因損害操作人員的人身健康，消除發(fā)生事故的風險。
【附圖說明】
[0017]通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將變得更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分，且并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
[0018]圖1為本發(fā)明實施例1中多晶硅樣品刻蝕裝置的結構示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例1中多晶硅樣品刻蝕裝置的結構俯視圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實施例1中多晶硅樣品刻蝕裝置的隔板結構示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實施例1中樣品支架的結構示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實施例2中多晶硅樣品刻蝕裝置的俯視圖；
[0023]圖6為本發(fā)明實施例3中多晶硅樣品刻蝕裝置的結構示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明實施例3中多晶硅樣品刻蝕裝置的俯視圖；
[0025]圖8為本發(fā)明實施例3中多晶硅樣品刻蝕裝置的隔板結構示意圖；
[0026]圖9為本發(fā)明實施例4中多晶硅樣品刻蝕裝置的俯視圖。
【具體實施方式】
[0027]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容更加透徹全面。
[0028]需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件并與之結合為一體，或者可能同時存在居中元件。當一個元件被認為是與另一個元件“相連通”，它可以是與另一元件在空間上看是彼此相通的。本文所使用的術語“設于”、“內”、“外”、“上下”以及類似的表述只是為了說明的目的。
[0029]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0030]實施例1:
[0031]圖1為實施例1中多晶硅樣品刻蝕裝置的結構示意圖，如圖1所示，多晶硅樣品刻蝕裝置包括密封桶體100、連桿裝置110、樣品支架130以及樣品載臺140，桶體100中央設有保護塔120，連桿裝置110垂直于桶體100底部可轉動地設置于保護塔120內。
[0032]如圖2所示，多晶硅樣品刻蝕裝置還包括與保護塔120的外壁連接且垂直于桶體100底部的隔板300，將桶體100內的空間隔開形成兩個以上的工作區(qū)域。在本實施例中，工作區(qū)域的數量為三個，分別設為儲液槽400，洗凈槽500和干燥槽600，儲液槽400的在桶體外壁上開設有用于溶液導入導出的通孔410，洗凈槽500內設有清洗噴頭510以及液體排出口 520，干燥槽600內設有氣體噴頭610以及排氣出口 620。參見圖1，連桿裝置110、樣品支架130以及樣品載臺140依次連接，保護塔120的外壁開設有一圈窗口 170，以供樣品支架130從保護塔120內伸進工作區(qū)域且可隨連桿裝置110轉動而不會被保護塔120外壁阻礙。參見圖3，隔板300上開設有隔板缺口 50，以供樣品支架130和樣品載臺140隨連桿裝置110轉動時能從一個工作區(qū)域穿過隔板缺口 50到達另一個工作區(qū)域。
[0033]請參照圖4，樣品支架130包括連接連桿裝置110的支架后端136、支架前端132及連接支架后端136和支架前端132的轉軸134。樣品載臺140設于支架前端132上，連桿裝置110可控制支架前端132繞轉軸134升降，從而控制樣品載臺140上的樣品20是否位于刻蝕液液位線30之下(各工作區(qū)域溶液的液位要低于液位線30，防止液體溢出到其他工作區(qū)域中造成污染)，樣品支架130調整為平直狀態(tài)時，樣品載臺140即離開刻蝕液，完成樣