形成mosfet結(jié)構(gòu)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，更具體地，涉及形成MOSFET結(jié)構(gòu)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在形成FinFET結(jié)構(gòu)期間，若干個蝕刻工藝可能破壞包括覆蓋層和外延層的源極/漏極部分。如果破壞了源極/漏極部分，則在FinFET結(jié)構(gòu)內(nèi)形成柵極金屬層之后，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)的硅鰭可能與鰭結(jié)構(gòu)的外延硅限定層直接接觸。從而，可能會引起柵極金屬層的泄露，并且由于該泄露可能會發(fā)生操作失敗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種形成MOSFET結(jié)構(gòu)的方法，包括:形成外延層；在所述外延層之上形成覆蓋層；在所述外延層之上形成第一溝槽；以及在所述第一溝槽內(nèi)沉積保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層的材料選自由鍺和硅鍺組成的組。
[0004]在上述方法中，還包括:對所述保護(hù)層實施化學(xué)機械拋光(CMP)工藝。
[0005]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽。
[0006]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層。
[0007]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽。
[0008]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成所述第二溝槽的步驟包括:使用選自由N2/H2混合氣體、O2氣體、和CO2氣體組成的組的氣體，基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成所述第二溝槽。
[0009]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽。
[0010]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分、和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽的步驟包括:使用CF4/CHF3-合氣體，基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成所述第三溝槽。
[0011 ] 在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層。
[0012]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層的步驟包括:使用O2氣體、或N2/H2混合氣體、CO2氣體、CO氣體、SO2氣體等基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層。
[0013]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分。
[0014]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分的步驟包括:使用干蝕刻基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分。
[0015]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分的步驟包括:使用濕蝕刻基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分。
[0016]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分的步驟包括:使用過氧化硫混合物(SPM)，基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分。
[0017]在上述方法中，其中，在所述外延層之上形成所述第一溝槽的步驟包括:圖案化所述MOSFET結(jié)構(gòu)的層間介電(LED)層以形成所述第一溝槽；在所述保護(hù)層和所述ILD層之上形成底部光刻膠層；在所述底部光刻膠層之上形成第一光刻膠層；以及在所述第一光刻膠層之上形成第二光刻膠層；基本上蝕刻掉所述第二光刻膠層以圖案化所述底部光刻膠層和所述第一光刻膠層，從而形成第二溝槽；基本上蝕刻掉所述第一光刻膠層、所述ILD層的第一部分和所述保護(hù)層的第一部分以形成第三溝槽；基本上蝕刻掉所述底部光刻膠層；基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分；使用過氧化氨混合物(APM)基本上蝕刻掉所述保護(hù)層的第二部分。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種MOSFET結(jié)構(gòu)，包括:外延層；覆蓋層；形成在所述外延層之上；以及保護(hù)層，沉積在所述外延層之上的所述MOSFET結(jié)構(gòu)的第一溝槽內(nèi)，其中，所述保護(hù)層的材料選自由鍺和硅鍺組成的組
[0019]在上述MOSFET結(jié)構(gòu)中，還包括:層間介電(ILD)層，在所述MOSFET結(jié)構(gòu)上圖案化以形成所述第一溝槽；底部光刻膠層，形成在所述保護(hù)層和所