一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體的是涉及一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電勢誘導(dǎo)衰減(PID)是指在高溫、高濕和高電壓的作用下，太陽能電池組件出現(xiàn)功率下降的現(xiàn)象。太陽能電池組件在發(fā)電狀態(tài)下五年左右會出現(xiàn)不同程度的電勢誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象，這成為目前光伏發(fā)電領(lǐng)域面臨的一個重大問題。
[0003]目前電池端的抗PID技術(shù)主要集中在二氧化硅/氮化硅疊層技術(shù)上，這種復(fù)合膜的抗PID性能已經(jīng)得到行業(yè)的高度認可。在二氧化硅/氮化硅疊層的制備上，二氧化硅層是重點，其直接影響到組件的抗PID性能，電池外觀和轉(zhuǎn)換效率。二氧化硅層的制備有兩種方法:一種是利用PECVD技術(shù)，對N20/SiH4電離沉積出二氧化硅層，但這種技術(shù)的二氧化硅層致密性差，對石墨舟和爐管損傷嚴重，還會降低電池的轉(zhuǎn)換效率；一種是在去PSG設(shè)備中增加臭氧氧化裝置，對硅片表面進行氧化，形成二氧化硅層，這種技術(shù)成本低，工藝簡單，還可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率，是目前抗PID技術(shù)的重中之重。
[0004]臭氧抗PID技術(shù)也存在一些弊端，如電池外觀不良比例高，二氧化硅層的致密性有待提高等，也在制約著該技術(shù)的更大范圍推廣，因此，急需對臭氧抗PID技術(shù)進行改良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)之不足而提供的一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0007]一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:a)在硅片表面形成絨面；b)將硅片熱擴散制備p-n結(jié)；c)將擴散后的硅片去磷硅玻璃；d)將硅片進行臭氧氧化處理；e)在硅片正面制備氮化硅減反膜；f)利用絲網(wǎng)印刷在硅片正背面制備金屬電極。
[0008]優(yōu)選的，所述步驟d)的具體方法步驟如下:1)將去磷硅玻璃后的硅片進行水蒸氣清洗；2)清洗后的硅片干燥處理；3)干燥后的硅片表面進行臭氧氧化處理；4)最后將硅片退火處理。
[0009]優(yōu)選的，所述水蒸氣清洗硅片時間為10-40S。
[0010]優(yōu)選的，所述硅片干燥處理為采用氮氣或者過濾空氣的熱風(fēng)；所述熱風(fēng)噴灑在硅片上，蒸發(fā)硅片表面水分。
[0011]優(yōu)選的，所述熱風(fēng)溫度為80-150°C，所述硅片干燥時間為5-10S。
[0012]優(yōu)選的，所述臭氧氧化處理為臭氧和氮氣進行混合，通過對臭氧和氮氣混合氣體進行加熱，將加熱后的臭氧和氮氣混合氣體噴在硅片表面上，硅片表面被氧化。
[0013]優(yōu)選的，所述加熱溫度為100_150°C，所述硅片表面被氧化的時間為20-80s。
[0014]優(yōu)選的，所述退火處理為熱輻射處理。
[0015]優(yōu)選的，所述退火處理的時間為20-100S，退火溫度為150_250°C。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法的有益效果為:本發(fā)明通過PSG設(shè)備上集成臭氧機來制備二氧化硅層，制備的方法加入了對流過的硅片進行清洗、干燥、氧化和退火處理，硅片放置在輸送帶上，經(jīng)過水蒸氣清洗去除硅片表面的臟污，然后進行干燥，為臭氧氧化提供了一個非常潔凈的基底，這樣可以防止直接氧化導(dǎo)致的硅片表面臟污，印記和劃傷等問題，可以大大提高電池的良品率；臭氧的氧化反應(yīng)在高溫下完成，使得形成的二氧化硅層致密性大大提高；退火箱對對二氧化硅進一步退火，二氧化硅的致密性進一步提高，電池的抗PID性能大大提高。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的去PSG設(shè)備簡圖；
[0018]圖2為本發(fā)明實施方式的去PSG和臭氧機集成設(shè)備簡圖；
[0019]圖3為抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法的流程圖；
[0020]圖4為本發(fā)明實施方式的臭氧機結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖5為臭氧氧化處理方法的流程圖。
[0022]圖6為本發(fā)明實施方式的水蒸氣清洗箱結(jié)構(gòu)圖；
[0023]圖7為本發(fā)明實施方式的干燥箱結(jié)構(gòu)圖；
[0024]圖8為本發(fā)明實施方式的臭氧氧化箱結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖9為本發(fā)明實施方式的退火箱結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0026]下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0027]下面結(jié)合附圖具體描述根據(jù)本發(fā)明實施例的抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的生產(chǎn)設(shè)備。
[0028]現(xiàn)有技術(shù)的去PSG設(shè)備如圖1所示，硅片3經(jīng)歷依次排列連接的上料區(qū)、刻蝕槽、第一水槽、堿槽、第二水槽、HF酸槽、第三水槽、烘干槽和下料臺，將硅片3正背面的PSG去除，將娃片3周邊的p-n結(jié)層去除。
[0029]本發(fā)明是在所述烘干槽與下料臺之間加入臭氧機100，其集成在所述烘干槽所用設(shè)備中，集成后的設(shè)備簡圖如圖2和圖4所示，即在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，在烘干槽和下料臺中間安裝臭氧機100。
[0030]本發(fā)明是在所述烘干槽與下料臺之間加入臭氧機100，所述臭氧機100包括水蒸氣清洗箱4、干燥箱5、臭氧氧化箱6和退火箱7，所述水蒸氣清洗箱4、干燥箱5、臭氧氧化箱6和退火箱7依次排列連接，在所述臭氧機100下方設(shè)有輸送帶2，所述水蒸氣清洗箱4、干燥箱5和臭氧氧化箱6上連接有排氣管，排氣管(圖中未視出)是為水蒸氣清洗箱4、干燥箱5和臭氧氧化箱6補充或者增加一定的氣體，使硅片3在經(jīng)過上述水蒸氣清洗箱4、干燥箱5和臭氧氧化箱6時，能快速和有效地噴曬在硅片3表面且作臭氧氧化處理。本臭氧機100的結(jié)構(gòu)合理、性能穩(wěn)定，硅片3在同一生產(chǎn)線上依次完成制備工藝，不但可以提高抗PID電池的良品率，還能提升電池的抗PID性能，此外，致密的二氧化硅層優(yōu)異的鈍化作用還能提高電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0031]如圖3所示，本發(fā)明實施方式的一種抗電勢誘導(dǎo)衰減太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:a)制絨:在硅片3表面形成絨面，降低太陽光的反射率；b)熱擴散