倒裝led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及倒裝LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light Emitting D1de)，發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件。LED最終能夠應(yīng)用在日常生活中，需要對LED進行封裝。對于不同的LED芯片結(jié)構(gòu)，有不同的封裝方式，倒裝LED封裝有其特定的封裝方案，
[0003]目前倒裝LED的封裝，包括LED芯片，基板，互連材料，硅膠等構(gòu)件，同時還需要多種封裝工序，例如絲網(wǎng)印刷等。在倒裝LED封裝的過程中，其中一方式是需要通過絲網(wǎng)印刷在基板的電路層涂覆焊料或?qū)щ娔z，然后倒裝LED芯片的電極通過互連材料電連接于電路層上。
[0004]然而在涂覆焊料或?qū)щ娔z的過程中，有可能由于定位精度等原因涂覆在兩銅片之間，導(dǎo)致電導(dǎo)通，焊接的時候出現(xiàn)短路，使LED芯片損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有提供一種廣品良率尚的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]一種倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括:基板，設(shè)置在所述基板上的電路層，與所述電路層連接的倒裝LED芯片以及設(shè)置在所述倒裝LED芯片上的硅膠層，與所述倒裝LED芯片的電極相連的所述電路層區(qū)域設(shè)有凸臺。
[0007]在其中一個實施例中，所述倒裝LED芯片的兩電極之間的所述電路層側(cè)面設(shè)有絕緣薄膜。
[0008]在其中一個實施例中，所述凸臺的截面積大于所對應(yīng)的所述倒裝LED芯片的電極的截面積。
[0009]在其中一個實施例中，所述凸臺上表面設(shè)置多個凸起。
[0010]在其中一個實施例中，所述倒裝LED芯片的電極的端部設(shè)置多個凸塊。
[0011]在其中一個實施例中，所述凸起與所述凸塊相連接時，且相互交錯設(shè)置。
[0012]在其中一個實施例中，所述凸臺向內(nèi)凹形成收容槽。
[0013]在其中一個實施例中，所述倒裝LED芯片的電極側(cè)面開設(shè)卡槽。
[0014]在其中一個實施例中，所述卡槽傾斜角度設(shè)置，開口朝下。
[0015]采用本方案的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，通過在電路層設(shè)有凸臺，在連接倒裝LED芯片與電路層時，一般采用導(dǎo)電膠或焊料涂覆在凸臺上，導(dǎo)電膠或焊料在凸臺上融化時其中的氣泡容易被排出。因此，倒裝LED芯片放置在凸臺上時，倒裝LED芯片的電極把導(dǎo)電膠或焊料中的氣泡擠出，減少互連空洞，降低互連的熱阻，提高了基板散熱性能，延長LED壽命，進而了提尚廣品良率。
【附圖說明】
[0016]圖1為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0017]圖2為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的分解示意圖；
[0018]圖3為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)有絕緣薄膜示意圖；
[0019]圖4為另一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)有絕緣薄膜示意圖；
[0020]圖5為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的凸臺的示意圖；
[0021]圖6為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的凸起與凸塊接合的示意圖；
[0022]圖7為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的凸起與凸塊契合的示意圖；
[0023]圖8為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖9為另一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖10為再一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖11為一實施方式的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的溝槽示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合實施方式及附圖，對倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)作進一步的詳細說明。
[0028]結(jié)合附圖1?3，一實施方式的倒裝LED芯片3封裝結(jié)構(gòu)，包括:基板1、電路層2、倒裝LED芯片3以及硅膠層4。
[0029]基板1，用于承載倒裝LED芯片3，一般采用陶瓷基板或者是玻璃基板等。
[0030]電路層2，設(shè)置在基板I上，用于與倒裝LED芯片3電連接。具體地，電路層2可以通過蒸鍍等方式鍍上電路層2。與倒裝LED芯片3的兩電極32相連的電路層2設(shè)有凸臺5。當(dāng)電路層2與外界進行金線焊接等電連接方式，即可實現(xiàn)與外界的電導(dǎo)通。
[0031]倒裝LED芯片3，倒置并與電路層2連接。在本實施例中，由于電路層2被分割為兩部分，倒裝LED芯片3的N極對應(yīng)面積較小的電路層2 —側(cè)，P極對應(yīng)面積較大的電路層2—側(cè)。
[0032]硅膠層4，設(shè)置在倒裝LED芯片3上，起到密封作用。
[0033]采用本方案的倒裝LED芯片3封裝結(jié)構(gòu)，通過在電路層2設(shè)有凸臺5，在連接倒裝LED芯片3與電路層2時，一般采用導(dǎo)電膠或焊料涂覆在凸臺5上，導(dǎo)電膠或焊料在凸臺5上融化時其中的氣泡容易被排出。因此，倒裝LED芯片3放置在凸臺5上時，倒裝LED芯片3的電極32把導(dǎo)電膠或焊料中的氣泡擠出，減少互連空洞，降低互連的熱阻，提高了基板I散熱性能，延長LED壽命，進而了提尚廣品良率。
[0034]結(jié)合附圖3?4，在一實施例中，在倒裝LED芯片3的兩電極32之間的電路層2側(cè)面上設(shè)有絕緣薄膜6，該絕緣薄膜6可以通過傳統(tǒng)的鍍膜工藝實現(xiàn)。當(dāng)然，也可以在倒裝LED芯片3的兩電極32之間的基板I上設(shè)置絕緣薄膜6，即電路層之間設(shè)置絕緣薄膜6，防止電路層2電導(dǎo)通。
[0035]當(dāng)?shù)寡bLED芯片3放置在凸臺5上時，把涂覆在凸臺5上的導(dǎo)電膠或焊料擠出，被擠出的導(dǎo)電膠或焊料流入到倒裝LED芯片3之間的基板I表面，由于設(shè)有絕緣薄膜6，可以避免分設(shè)兩部分的導(dǎo)電層導(dǎo)通，進而避免倒裝LED芯片3的短路。
[0036]結(jié)合附圖2，在一實施例中，凸臺5的截面積略大于所對應(yīng)的倒裝LED芯片3的電極32的截面積，此設(shè)計可以使得倒裝LED芯片3的電極32對位凸臺5準確。另外，在凸臺5上設(shè)置多個凸起51，可增加擠壓導(dǎo)電膠或金屬焊料的概率，進一步的把導(dǎo)電膠或金屬焊料中的氣泡擠走，減少空洞，降低熱阻，提高基板I的散熱性。
[0037]結(jié)合附圖6，在其它實施例中，倒裝LED芯片3的電極32的端部設(shè)置多個凸塊31，凸起51與凸塊31相連接時(即倒裝LED芯片3放置在凸臺5上時)，凸起51與凸塊31相互交錯設(shè)置，該設(shè)計可以增加擠壓導(dǎo)電膠或金屬焊料的面積，擠出氣泡的效果更佳?？梢岳斫?，凸起51和凸塊31可以是圓形、方形等不規(guī)則的結(jié)構(gòu)。
[0038]結(jié)合附圖7，進一步地，凸塊31和凸起51可以設(shè)置為楔形，當(dāng)?shù)寡bLED芯片3的電極32放置在凸臺5上，互為楔形的凸塊31和凸起51相契合，起到定位及卡合的作用。
[0039]結(jié)合附圖5，在一實施例中，凸臺5向內(nèi)凹形成收容槽，該收容槽呈U型，倒裝LED芯片3的電極32放置在該凸臺5上定位更快速、便捷。另外，由于收容槽呈U型，即四周高中間低，未溢流出來的導(dǎo)電膠或焊料回流填充滿收容槽，使得倒裝LED芯片3與凸臺5的連接更佳牢固。
[0040]結(jié)合附圖8?10，在其它實施例中，倒裝LED芯片3的電極32側(cè)面開設(shè)卡槽33，該卡槽33可以通過激光進行切割，可以在做到微處理。進一步地，還可以把卡槽33傾斜一定的角度設(shè)置，開口朝下?？梢岳斫?，該卡槽33可以根據(jù)需要切割成多種形狀，例如倒“7”型。當(dāng)把開設(shè)有卡槽33的倒裝LED芯片3插入收容槽內(nèi)，熔融狀態(tài)的導(dǎo)電膠或焊料把卡槽33填充滿，當(dāng)導(dǎo)電膠或焊料固化時，倒裝LED芯片3被牢固的連接在凸臺5上，即固接在基板I上。
[0041]在一實施例中，結(jié)合附圖11，在倒裝LED芯片3的兩電極32之間的基板I上開設(shè)溝槽7，該溝槽7可以為水平溝槽或斜溝槽7，在本實施例中為斜溝槽7。該斜溝槽7帶有一定角度的斜溝槽7，在倒裝LED芯片3連接在凸臺5上，無論是焊料或者是導(dǎo)電膠，在連接的過程中，都有可能出現(xiàn)焊料溢流或者溢膠的情況。若有溢出，焊料或者是導(dǎo)電膠就會流到溝槽7內(nèi)，由于重力的作用，焊料或者是導(dǎo)電膠就會沿斜溝槽7流出，起到了自清理的作用；與此同時，斜溝槽7巧妙的設(shè)計避免溢流的焊料或者是導(dǎo)電膠較多，再多的溢出的焊料或者是導(dǎo)電膠也可以清理，斜溝槽7的設(shè)計實用性較高。
[0042]可以理解，根據(jù)基板I的厚度，以及設(shè)計的需要，斜溝槽7與基板I表面呈I?40°設(shè)置，以便溢流出的連接料更為便捷的流出和清理。
[0043]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:基板，設(shè)置在所述基板上的電路層，與所述電路層連接的倒裝LED芯片以及設(shè)置在所述倒裝LED芯片上的硅膠層，與倒裝LED芯片的電極相連的電路層區(qū)域設(shè)有凸臺。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒裝LED芯片的兩電極之間的所述電路層側(cè)面設(shè)有絕緣薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺的截面積大于所對應(yīng)的所述倒裝LED芯片的電極的截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺上表面設(shè)置多個凸起。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒裝LED芯片的電極的端部設(shè)置多個凸塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸起與所述凸塊相連接時，且相互交錯設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸臺向內(nèi)凹形成收容槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒裝LED芯片的電極側(cè)面開設(shè)卡槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述卡槽傾斜角度設(shè)置，開口朝下。
【專利摘要】本發(fā)明的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板，設(shè)置在所述基板上的電路層，與所述電路層連接的倒裝LED芯片以及設(shè)置在所述倒裝LED芯片上的硅膠層，與倒裝LED芯片的電極相連的電路層區(qū)域設(shè)有凸臺。采用本方案的倒裝LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，通過在電路層設(shè)有凸臺，在連接倒裝LED芯片與電路層時，一般采用導(dǎo)電膠或焊料涂覆在凸臺上，導(dǎo)電膠或焊料在凸臺上融化時其中的氣泡容易被排出。因此，倒裝LED芯片放置在凸臺上時，倒裝LED芯片的電極把導(dǎo)電膠或焊料中的氣泡擠出，減少互連空洞，降低互連的熱阻，提高了基板散熱性能，延長LED壽命，進而了提高產(chǎn)品良率。
【IPC分類】H01L33-62
【公開號】CN104576907
【申請?zhí)枴緾N201410806022
【發(fā)明人】張建華, 殷錄橋, 張金龍, 南婷婷
【申請人】上海大學(xué)
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月18日