專利名稱：：包括z軸導(dǎo)電膜的微電子組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及微電子器件的組件和封裝，微電子器件包括半導(dǎo)體電路芯片、印刷電路板、薄膜網(wǎng)(TFN)的多芯片電路模塊；本發(fā)明尤其涉及通過電和/或熱將這些器件和模塊互聯(lián)起來的新裝置。背景為了提供更可靠、成本更低的微電子互聯(lián)裝置，人們已經(jīng)進行了至少三十年的努力。由于長期以來趨向于采用更大的電路密度以及因此需要減小電路芯片上連接片的大小和縮小連接片之間的間隔，對互聯(lián)裝置進行改進的要求日趨強烈。事實上，所有的半導(dǎo)體器件是采用焊線來組裝的，從而在電路芯片上提供與金屬連接片的歐姆連接。現(xiàn)有的焊線要求從一個連接片的中心到相鄰連接片中心之間的間隔至少為6密耳。這一限制已經(jīng)阻礙了電路芯片尺寸的進一步減小和電路密度的進一步增大。焊線的這一和其他限制幾十年來已為人們知曉；并且很明顯，人們對能夠突破使尺寸和連接片間隔的驚人減小的焊線不抱什么希望。人們所作替代焊線的努力包括使用“高密度互聯(lián)”結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)采用合成樹脂膜，這種膜具有沿薄膜一個表面延伸并延伸穿過樹脂膜中的通孔而與電路芯片上的隱埋連接片形成歐姆接觸的金屬圖案。例如參見Gorczyca等人的美國專利5,161,093。這種現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)沒有滿足建立用于芯片封裝而這種芯片具有更大電路密度的需要，也沒有滿足在每一芯片上互聯(lián)更小連接片并且連接片間隔更小的需要；相反，它導(dǎo)向采用已知設(shè)計的芯片來進行多芯片互聯(lián)。IMB等公司采用反轉(zhuǎn)相芯片(invertedchip)的焊料焊接，作為導(dǎo)線焊接的另一種方法；但這種焊接技術(shù)沒有能夠使連接片更小且連接片之間的間隔更靠近。近年來，人們開發(fā)了具有填充了金屬的多個小孔的彈性聚合物薄膜，用于電連接，但由于金屬填充或者(1)由離散的顆粒(通常呈球形)組成，或者(2)由直徑比聚合物薄膜的厚度略大的單個球組成，因而小球很少暴露在薄膜的兩個表面上。因為薄膜內(nèi)顆粒與顆粒表面的接觸面積極其有限，從而造成每一接觸點處的電阻和熱阻過大；并且由于顆粒與連接片之間的表面接觸面積也很有限，所以這種填充有顆粒的薄膜也不能令人滿意。所有這些高阻抗接觸點的之和使得互連接具有很差的性能。單球方法也是不能令人滿意的，這是因為薄膜每一側(cè)上與小球接觸點的表面面積太??；并且由于薄膜厚度由小球的直徑而固定，因而薄膜不會變形以滿足非均勻厚度范圍的需要。人們已經(jīng)嘗試使用可變形的隨機分布在聚合物粘結(jié)劑內(nèi)的鍍金聚合物小球，但每一鍍金小球的直徑大致與單個連接片的寬度相同，因而效果不可靠。另外，相鄰小球無法分開，并且也不存在使連接片之間的間隔大體減小的潛在的可能性。采用彈性接連塊，這種連接塊包含多個層疊硅片，每一硅片的表面上淀積相互平行的金軌道(goldtrace)，這種彈性連接塊提供了具有終端墊片(terminalpad)的電路板之間的電連接，而這些終端墊片的最小寬度為15密耳，這對于集成電路芯片上的連接片太大了。至今，還沒有可以代替導(dǎo)線焊接以及可以替換電子元件相互連接的其他方法的各向異性的導(dǎo)電膜。發(fā)明概述本發(fā)明的一個方面是提供了一種兩個或更多個微電子元件的組件，其中，通過固定在絕緣膜孔隙內(nèi)的多個、離散導(dǎo)電毫微米級小纖維或小管來實現(xiàn)元件之間的電/熱互聯(lián)接?？紫锻ǔＪ谴怪庇诨虼篌w垂直于薄膜的平面的，并延伸通過薄膜的整個厚度范圍。這種薄膜被稱作為具有各向異性導(dǎo)電性，即Z軸導(dǎo)電性，沿其他方向的導(dǎo)電性極小或沒有導(dǎo)電性。組件的絕緣膜是從各種材料中選出來的，包括合成樹脂膜，也稱為聚合膜。除了熱連接和電連接以外，這種薄膜還能夠在元件之間提供結(jié)構(gòu)連接，例如，通過將元件粘結(jié)在一起，從而永久地固定與元件接觸的金屬小纖維末梢。也僅可以使用任何一種合適的緊固機構(gòu)，只用壓力使元件保持在一起，使非粘結(jié)的Z軸薄膜位于元件之間。這種方法使元件可以分離，以便進行更換或修理等工作?，F(xiàn)在采用本發(fā)明的互聯(lián)接系統(tǒng)可以封裝具有一千個以上連接片的單個集成電路芯片。同時，按照本發(fā)明，可以使兩個或更多個這樣的電路芯片相互連接起來。或者，可以將包含有源元件的一個或更多個電路芯片安裝在無源襯底上并保持歐姆接觸相互連接起來。除了無源襯底，一個或單個電路芯片可以安裝在印刷電路板或微帶線或TFN或封裝底座上，并與歐姆接觸片相互連接起來。這種變異和組合實際上是沒有窮盡的，而所有這些變異和組合都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。按照本發(fā)明的一例合適的Z軸導(dǎo)電膜是一種合成樹脂膜，這種樹脂膜具有毫微米大小的孔隙，孔隙從一個薄膜表面到另一表面穿過薄膜，并且至少有些孔隙內(nèi)填有導(dǎo)電材料或化合物，比如金或其他材料，或一種或多種導(dǎo)電材料。薄膜的厚度在約5微米到約10密耳的范圍內(nèi)。薄膜和金屬小纖維的尺寸確保在50GHz和更高的頻率下性能良好。這種薄膜內(nèi)毫微米級孔隙直徑比電路芯片上接觸片之間的最小間隔要小得多；因而無論芯片的取向如何或?qū)R與否，填有金屬的孔隙不會引起相鄰觸點之間的短路。本發(fā)明的目的是使術(shù)語“毫微米級”、“毫微孔”和“毫微米尺寸”包括約1毫微米到約10,000毫微米(10微米)的范圍，并且最好是從10毫微米大到1,000毫微米(1微米)的范圍。例如，在具有一千個接觸片的芯片上，接觸片中心之間合適的間隔是約0.5密耳，或約12.5微米(等于12,500毫微米)。所以，固定在具有10毫微米直徑的孔隙中的金屬小纖維末梢僅覆蓋或接觸連接片中心之間距離的1/1250。對于寬度為0.2密耳、中心到中心的間隔為0.3密耳的連接片，相鄰連接片邊緣之間的間隔為0.1密耳或2,500毫微米。這樣一種金屬小纖維末梢只接觸連接片邊緣之間間隔的1/250。100毫微米的小纖維末梢僅占據(jù)連接片之間間隔的1/25。按照本發(fā)明使用的較佳毫微孔薄膜是顯著特點是孔隙的縱橫比。即，對于一密耳厚的薄膜，每一孔隙長度是一密耳，或約25,000毫微米；并且因此對于10毫微米的孔隙直徑，縱橫比是2500∶1。本發(fā)明中使用的合適縱橫比范圍約10∶1至約20,000∶1，最好約100∶1至約1,000∶1。本發(fā)明的另一個優(yōu)點是這樣一個事實，即為了達到所需的歐姆接觸無需使互聯(lián)薄膜與其他部件精確對齊。當芯片上每一連接片的某一部分與襯底上對應(yīng)部分的某一部分或需要連接的其他部分對齊時，如果不允許與相鄰連接片重疊，則實現(xiàn)可接受的對齊。至于熱耗散，除了毫微孔是用具有高熱導(dǎo)率的材料填充以外，部件之間的熱連接是用與上述用于電連接相同的方式來實現(xiàn)的。另外，為了使熱導(dǎo)率最大，增大孔隙的數(shù)量和尺寸，從而使薄膜體積中由高百分比的填充孔隙組成。例如，由體積占20％的金組成的薄膜具有接近60W/M攝氏度的Z軸熱導(dǎo)率，而設(shè)計用于熱耗散的市售粘結(jié)劑僅具有5W/M攝氏度的熱導(dǎo)率。如果不需要電連接，除了熱耗散以外，孔隙中的材料是從具有高熱導(dǎo)率的非導(dǎo)電材料(例如鉆石、碳或氮化硼)中選擇出來的。用于實施本發(fā)明的這種類型的毫微孔薄膜有市售，用于毫微米級過濾(nanofiltration)薄膜。它們是這樣制造的，即，使無孔隙的樹脂膜暴露在具有足夠高能量的加速核粒子下，，使其透過薄膜的整個厚度，，隨后進行選擇性化學蝕刻，去除由粒子損傷的軌道，從而產(chǎn)生穿過整個薄膜厚度的毫微孔。蝕刻步驟也會去除少量周圍未損傷的薄膜。這些方法生產(chǎn)的薄膜具有直徑為10毫微米的小孔隙，并且孔隙密度接近每平方厘米為10的9次方。具有這種孔隙特征的聚碳酸脂和聚酯樹脂膜可從NucleporeInc.和PoreticesCorp購得。一個例子是從Poretices購得的聚碳酸脂篩選膜，目錄號為19368PCTE。生產(chǎn)這種毫微孔薄膜的其他方法包括采用激光束、x射線、伽瑪射線或電子束在薄膜中燒出毫微米損傷軌跡和/或燒孔。隨后用選擇性化學蝕刻產(chǎn)生毫微米孔隙，或用來放大薄膜中的孔。隨后通過電鍍、化學鍍或蒸氣淀積將金屬或其他導(dǎo)體填充到孔隙中。隨后再去除薄膜一個表面或多個表面上形成的多余金屬，從而只在孔隙中含有金屬。隨后，如果需要，再將薄膜暴露在不腐蝕金屬的蝕刻劑中，從而去除金屬小纖維末梢周圍的少量薄膜表面，使末梢略微延伸到剩余薄膜表面之上。隨后，如果需要，可以用焊料使暴露的末梢變窄，以實現(xiàn)焊料與電路芯片或襯底等的連接片的接觸。但是，實踐表明，可靠的電連接只是由觸點實現(xiàn)的，而按照本發(fā)明，金屬小纖維末梢上不能有焊料或其他形式的固定附著物。在這種毫微孔的內(nèi)部進行電鍍或填充的方法見CharlesR.Martin博士等人在下述論文中的報告“NanomaterialsMembrane-BasedSyntheticApproach，”Science，Vol266，Pages1961-6，Dec.23，1994，“TemplateSynthesisofMetalMicrotubuleEnsemblesUtilizingChemical，Electrochemical，andVacuumDepositionTechniques，”J.Mater.Res.，Vol9，No.5，Pages1174-83，May1994，“FabricationandEvaluationofNanoelectrodeEnsembles”，AnalyticalChemistry，April15，1995“MetalNanotubleMembranesWithElectrochemicallySwitchableIon-TransportSelectivity”，Science，Vol268，May5，1995“PreparationandElectrochemicalCharacterizationofUltramicroelectrodeEnsembles，”AnalyticalChemistry，Vol59，No.21，Page2625-30，Nov1，1987。上述論文在此引述供參考。使用單個核粒子槍激光束、x射線或電子束來產(chǎn)生損傷軌跡或孔可以方便地形成孔隙位置的圖形。例如，孔隙可以排列成矩形或三角形；另外，可以提供沒有孔隙的選擇表面區(qū)域，從而導(dǎo)電薄膜圖形可以制作在這樣的薄膜表面區(qū)域上，用于沿x-y方向與同一薄膜其他區(qū)域上的z軸導(dǎo)電方向一起的電流傳播。通過在蝕刻或電鍍期間有選擇地使薄膜表面一部分掩蓋起來，從孔隙的隨機分布開始，可以實現(xiàn)相同的結(jié)果。按照本發(fā)明的聚合薄膜包括熱塑聚合膜和熱固聚合膜。例如，在加熱電子器件組合物使與填充有金屬的毫微孔熱塑薄膜接觸后，塑料的軟化使器件粘結(jié)到薄膜上，從而使金屬小纖維的末梢保持與器件接觸。除了加熱步驟引起薄膜的永久固化(凝固)以外，填充有金屬的熱固性聚合薄膜還用于同一目的，從而將器件連接到薄膜的表面上，并將小纖維末梢保持在其位置上。在某些應(yīng)用場合下，最好采用彈性薄膜結(jié)構(gòu)。這種薄膜的表面將完全與電路表面的微觀不規(guī)則性一致，從而形成與每一薄膜表面和每一電路表面或襯底表面的最大接觸面積。這種薄膜界面還實際上使所有的金屬小纖維末梢與電路表面(包括每一連接片)在薄膜兩面上的良好接觸。凈結(jié)果是很低的阻抗互聯(lián)接。例如，在具有高孔隙密度的薄膜中，經(jīng)填充的孔隙代表20％以上的合成薄膜體積。所以，至少20％的每一連接片區(qū)域與金屬接觸，確保了很低的電阻連接。同時，壓敏粘結(jié)表面可以采用壓敏粘結(jié)薄膜或者用增粘劑(如硅聚合物)涂覆薄膜來制備。這樣一種膠粘表面使電路芯片保持在薄膜表面上。本發(fā)明的Z軸導(dǎo)電膜還具有另外一個優(yōu)點，它能使形成不完全為平面的部件的可靠互連接。即，通常將裝置表面上的所有接觸片設(shè)計成精確位于同一表面內(nèi)。但如果有一個或多個接觸片偏離該平面，那么就會形成缺陷或使連接不可靠。現(xiàn)在，由于本發(fā)明的薄膜能夠形成充分的塑料“流”而使所有的接觸片嚙合起來，所以這些非平面的接觸片也能被可靠連接起來。因此，當薄膜變形時，金屬小纖維也會出現(xiàn)一些變形。由于金屬小纖維具有高的縱橫比，所以這種變形不會引入負面效應(yīng)。為了進一步增強薄膜流動，大量孔隙可以保持開放，即，不填充。這使薄膜能夠具有壓縮性，這不是正常聚合物薄膜的特征。另外，通過仔細選擇聚合物的組分，薄膜熱膨脹(CTE)的x-y和/或z系數(shù)可以近似與與其連接的部件的CTE匹配。更具體地說，CTE可以與比如用于微電子半導(dǎo)體器件的制造的硅、金屬和陶瓷匹配，以提供改進的可靠性。液晶聚合物和剛性棒聚合物特別適用于該用途，這些材料包括Hoechst的Vectra，AMOCO的xyDAR，MaxDern的PolyXDOW的POBO和Dupont的聚酰亞胺。下述聚合物組分適用于本發(fā)明用于互聯(lián)接的熱塑膜熱固板和連接膜<tablesid="table3"num="003"><tablewidth="870">塑料TgCTETm損耗％H2O說明苯乙烯R04000BDN28013.002.06PWB不久將上市的Rogers&TI粘結(jié)膜薄膜聚酰亞胺4003.002.6自旋(spinon)PIBO(DOW)＞4005薄膜，自旋(spin)Speedbord黏合劑(Gore)C級粘結(jié)膜</table></tables>附圖簡述圖1是現(xiàn)有技術(shù)各向異性導(dǎo)電微電子連接的放大截面圖，它采用的聚合物粘結(jié)膜中分布有40微米金屬球。圖2是按照本發(fā)明的微電子連接界面的放大截面圖，它采用的微孔聚合物Z軸導(dǎo)電膜具有固定在每一薄膜孔隙中的5微米直徑的金小纖維。圖3是按照本發(fā)明的微電子連接界面的放大截面圖，它采用的毫微孔聚合物Z軸導(dǎo)電膜具有固定在每一薄膜孔隙中0.375微米直徑的金小纖維。圖4是按照本發(fā)明的微電子連接界面的放大截面圖，它采用的毫微孔聚合物Z軸導(dǎo)電膜具有固定在每一薄膜孔隙中25毫微米直徑的金小纖維。圖5是按照本發(fā)明的多個微電子互連接放大截面圖，它采用的毫微孔聚合物Z軸導(dǎo)電膜具有固定在每一薄膜孔隙中25毫微米直徑的金小纖維。圖6是毫微孔樹脂膜的截面圖，毫微孔樹脂膜中的某些正交孔隙中填充有金小纖維。圖7是毫微孔樹脂薄膜的截面圖，毫微孔樹脂膜中的斜孔隙和正交孔隙中填充有金小纖維。圖8是毫微孔樹脂膜的截面圖，樹脂膜中一些選擇的孔隙中填充有金，其他一些孔隙中填充有導(dǎo)熱介電材料。圖9是按照本發(fā)明的封殼底座和安裝在其上面的集成電路芯片的俯視圖。圖10是兩個按照本發(fā)明相互連接在一起的集成電路芯片的截面圖。圖11是組件的放大截面圖，該組件中包含了多個按照本發(fā)明的與Z軸膜互聯(lián)的印刷電路板。圖12是用以形成按照本發(fā)明互聯(lián)接的Z軸導(dǎo)電膜透視圖。圖13是用于按照本發(fā)明Z軸導(dǎo)電膜的原理性合成透視圖，描述了許多孔隙變化和組合。詳細描述如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)在聚合物粘結(jié)薄膜中使用40微米金屬球11是不能令人滿意的，這是因為小球與連接片12和13的薄膜接觸面積很小。盡管連接片具有經(jīng)拋光的表面，但仍然保留有毫微數(shù)量級的不規(guī)則性，從而很難使小球具有良好的表面接觸。因為接觸面積很小，所以就不可能具有低阻抗接觸。即使每一接觸片采用三個或更多個小球，也不能解決這一問題。接觸片的大小還不足以能夠與比三個或更多個這樣的小球接觸。另外，小球還不能夠使非平面表面具有恰當?shù)呐浜瞎罨蜻M行恰當?shù)恼{(diào)整。如圖2所示，本發(fā)明的一個實施例包括在每一薄膜孔16中使用5微米直徑的金屬小纖維15，從而多個小纖維與接觸片17接觸。盡管單個小纖維末梢不會提供比小球11更多的與接觸片的表面接觸面積，但主要差別在于230個小纖維末梢將在僅容納三個小球的同一接觸片面積中配合。所以，圖2中觸點的總阻抗大體小于圖1中觸點的總阻抗；并且其大小僅為1/50或1/100。如圖3所示，本發(fā)明的另一個實施例包括薄膜22的孔隙內(nèi)使用0.375微米直徑金屬小纖維21，用來形成與連接片23的電接觸。盡管每一小纖維僅接觸連接片23上的一個點，但接觸單個連接片的小纖維末梢的數(shù)量卻超過40,000。因此，圖2所示觸點的總阻抗比圖3所示觸點的總阻抗要大得多。如圖4所示，聚合物薄膜27中毫微米數(shù)量級的金屬小纖維26的直徑僅為25毫微米，從而末梢能夠進入連接片28中每一谷槽27。該緊密觸點與接觸每一連接片的大量小纖維組合在一起，提供比圖3所示實施例更低的阻抗接觸，并可以與合金導(dǎo)線連接的阻抗特征相比。再有，由于更大的薄膜孔隙縱橫比和孔隙中的金屬小纖維更大的可變形度，所以薄膜的動態(tài)厚度范圍更大。實際的接觸阻抗是幾個參數(shù)(包括小纖維偏轉(zhuǎn)力、金屬的韌性、表面粗糙度、部件的平面性等等)的函數(shù)。如圖5所示，按照本發(fā)明使用的薄膜能夠在壓力下變形，以填充電路部件之間的整個空間。因此，由于連接片32和33之間的薄膜壓縮，毫微數(shù)量級的小纖維31產(chǎn)生變形。與此類似，由于連接片35和36之間薄膜壓縮，小纖維34也產(chǎn)生變形。其余的小纖維37沒有被壓縮，并且它們無電接觸，但它們卻用來導(dǎo)熱。如圖6所示，一例本發(fā)明的互聯(lián)裝置包含合成聚碳酸脂樹脂膜41，該薄膜41具有1密耳的厚度，以及高達1百萬或更高的平行毫微數(shù)量級的孔隙42，每一孔隙具有約30nm的直徑，并且至少一些孔隙中填充有金毫微小纖維43。按照本發(fā)明可以使用許多其他薄膜組分以及許多其他尺寸特征。至于導(dǎo)電性，可以采用其他的金屬或其他的導(dǎo)電材料(例如銅、鉑、鎳和銀)來代替金。導(dǎo)電聚合物(例如乙炔聚合物(polyacetylene)，吡咯聚合物(polypyrrole)，噻吩聚合物(polythiophene)，和苯胺聚合物(polyaniline))對于某些應(yīng)用場合也是有用的毫微小纖維。有機硅聚合物薄膜特別有用，這是因為它們具有低彈性膜量，使得薄膜能夠容納與將接觸片粘結(jié)到非平面表面上相關(guān)的偏差或變形；并且使具有不同熱膨脹系數(shù)的部件互聯(lián)能夠有更大的容限。如圖7所示，本發(fā)明的另一例互聯(lián)裝置包含具有厚度為1密耳的合成聚合物薄膜44，與薄膜表面正交的第一種多個平行毫微米數(shù)量級孔隙45，以與孔隙45成一定角度傾斜的第二種多個平行毫微米數(shù)量級孔隙46，并且最好還含有與孔隙45和46都成一定的角度傾斜的第三種多個毫米微數(shù)量級孔隙47。例如，孔隙15中填充有金，用于導(dǎo)電，而其他孔隙中填充有具有比金更大導(dǎo)熱率但不導(dǎo)電的材料，例如鉆石，從而實現(xiàn)更大的熱耗散，特別是與圖1所示例子相比在沿x-y方向上。如圖8所示，互聯(lián)表面的另一個變異包含的合成樹脂膜48中具有填充有金的孔隙49，孔隙50中填充的材料具有比金更大的導(dǎo)熱率，孔隙51開口，用于使薄膜具有壓縮性，并且具有更低的表面彈性膜量是具有相同組分的無孔隙薄膜的特征。如圖9所示，單個電路芯片52在封裝底座53內(nèi)倒置，從而芯片表面上的接觸片通過薄膜41，芯片表面上的接觸片與底座53的接觸片54電連接，這在圖1中單獨示出。除了覆蓋所有的接觸片54以外，由于所有的部分包括有填充有金的孔隙，所以不需要對薄膜41進行調(diào)整。需要對芯片進行近似調(diào)整，這只是為了確保使每一接觸片的某些部分縱向定向在底座53相應(yīng)接觸片的某些部分上。當完全組裝封殼時，芯片保持在封殼的頂部位置上(未示出)，這樣的設(shè)計用來向芯片施加壓力?；蛘哌x擇薄膜41，使之通過首先加熱或不加熱而使薄膜表面軟化而用作粘結(jié)劑，從而使薄膜和芯片以及封殼底座形成永久的化學連接。如圖10所示，通過毫微孔隙各向異性導(dǎo)電膜63，使兩個電路芯片61和62互聯(lián)起來，毫微孔隙各向異性導(dǎo)電膜63中的至少一些孔隙中填充有金或其他導(dǎo)體。芯片通過毫微孔隙各向異性導(dǎo)電膜65與襯底64互聯(lián)。如圖11所示，具有接觸片72的多個電路板71通過Z軸導(dǎo)電膜73和74分別互聯(lián)。如圖12所示，Z軸薄膜81包括大量的填充有金屬的孔隙82，大量未填充的孔隙83和沒有孔隙的區(qū)域84，區(qū)域84是在孔隙形成過程中通過對該區(qū)域進行掩膜處理而得到的。如圖13所示，Z軸導(dǎo)電膜91包括各種孔隙結(jié)構(gòu)和各種孔隙填充物。具體說來，薄膜91包括隨機的孔隙分布，填充有金屬的孔隙矩形網(wǎng)格陣列，填充有金屬的孔隙三角形網(wǎng)格陣列，填充有半導(dǎo)體的正方形圖形孔隙，數(shù)個未填充的孔隙和數(shù)個部分填充的孔隙，圖中示意示出了也是本發(fā)明范圍內(nèi)的多種組合和置換。權(quán)利要求1.由非導(dǎo)電毫微孔薄膜互聯(lián)起來的第一和第二電子部件，其特征在于，所述薄膜具有穿過薄膜厚度并填充有金屬的孔隙，從而每一上述裝置與至少幾個孔隙中的金屬接觸。2.一種部件組件，其特征在于，它包含毫微孔薄膜，所述薄膜在選擇的孔中填充有金屬；第一電子部件，它具有在薄膜的一個表面上接觸所述金屬的第一歐姆觸點；第二電子部件，它在所述薄膜的相對表面上具有接觸所述金屬的第二歐姆觸點。3.由非導(dǎo)電毫微孔薄膜互聯(lián)起來的第一和第二電子部件，其特征在于，所述薄膜具有穿過薄膜厚度并填充有金屬的孔隙，從而每一上述裝置與至少幾個孔隙中的金屬接觸，而所述表面的其他一些孔隙中未被填充，以便提高所述薄膜的壓縮性。4.由具有第一和第二平行表面的非導(dǎo)電毫微孔薄膜互聯(lián)起來的第一和第二電子部件，所述薄膜具有穿過所述薄膜厚度并填充有金屬的孔隙，從而每一所述部與與至少幾個孔隙中的金屬接觸，幾個所述孔隙與薄膜的表面垂直，而其他的孔隙傾斜于所述薄膜的表面，從而增強了薄膜平面的熱耗散。5.由非導(dǎo)電毫微孔薄膜互聯(lián)起來的第一和第二電子器件，其特征在于，所述薄膜具有穿過所述薄膜厚度并填充有金屬的孔隙，從而每一所述器件與至少幾個孔隙中的金屬接觸，其中，所述薄膜包含一硅聚合物。6.由非導(dǎo)電毫微孔薄膜互聯(lián)起來的第一和第二電子器件，其特征在于，所述薄膜具有穿過所述薄膜厚度并填充有金屬的孔隙，從而每一所述器件與至少幾個孔隙中的金屬接觸，其中，所述薄膜包含一液晶薄膜和剛性棒聚合物薄膜。7.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，相鄰歐姆觸點之間的間隔比被金屬填充的最大孔隙的直徑大。8.如權(quán)利要求2所述的組件，其特征在于，相鄰歐姆觸點之間的間隔比被金屬填充的最大孔隙的直徑大。9.如權(quán)利要求3所述的組件，其特征在于，相鄰歐姆觸點之間的間隔比被金屬填充的最大孔隙的直徑大。10.如權(quán)利要求4所述的組件，其特征在于，相鄰歐姆觸點之間的間隔比被金屬填充的最大孔隙的直徑大。11.如權(quán)利要求5所述的組件，其特征在于，相鄰歐姆觸點之間的間隔比被金屬填充的最大孔隙的直徑大。全文摘要一種兩個或多個微電子部件的組件，通過多個離散固定在絕緣膜(16)孔隙中的導(dǎo)電毫微米數(shù)量級的小纖維(15)或小導(dǎo)管(15)，實現(xiàn)部件之間的電和/或熱互聯(lián)。這樣一種薄膜具有各向異性的導(dǎo)電性，即沿Z軸有足夠的導(dǎo)電性，而沿其他方向的導(dǎo)電性很小或者根本就沒有導(dǎo)電性。文檔編號H01L25/065GK1165584SQ96191124公開日1997年11月19日申請日期1996年9月27日優(yōu)先權(quán)日1995年9月27日發(fā)明者羅伯特·K·彼得森,唐納德·L·普里頓,戈登·D·梅里特,比利·D·埃布爾斯申請人:德克薩斯儀器股份有限公司