本公開涉及一種用于將管芯與半導(dǎo)體襯底分離的方法，特別地涉及一種用于沿著由半導(dǎo)體襯底的變型定義的分離區(qū)域?qū)⒐苄颈舜朔蛛x的方法。

背景技術(shù)：

1、晶片成本構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的總生產(chǎn)成本的顯著比例。減小這些成本產(chǎn)生競爭優(yōu)勢。減小晶片成本的一種方式是使用半導(dǎo)體襯底(例如，晶片)至少兩次——在生產(chǎn)裝置結(jié)構(gòu)之后，半導(dǎo)體襯底被分割，并且不包括裝置結(jié)構(gòu)的回收的晶片部分被重新使用以形成另外的裝置結(jié)構(gòu)。將半導(dǎo)體襯底分割集成在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)過程中是錯綜而復(fù)雜的，并且需要對生產(chǎn)過程的改變/變型以從半導(dǎo)體襯底產(chǎn)生管芯的高效生產(chǎn)。

2、因此，存在如下需要：按照高效且成本敏感的方式將管芯與半導(dǎo)體襯底分離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的示例涉及一種用于將管芯與半導(dǎo)體襯底分離的方法。所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括與半導(dǎo)體襯底的第一表面鄰接的管芯。所述方法還包括：經(jīng)第一表面，將半導(dǎo)體襯底附接到載體。所述方法還包括：通過經(jīng)半導(dǎo)體襯底的第二表面將激光輻射引入到半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部，在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生第一變型，第二表面與第一表面相對。第一變型在第一表面和半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部的垂直水平之間延伸。所述垂直水平與第二表面分隔開。第一變型沿側(cè)向包圍管芯。所述方法還包括：通過經(jīng)半導(dǎo)體襯底的第二表面將激光輻射引入到半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部，在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生第二變型。第二變型將半導(dǎo)體襯底細(xì)分成第一表面和第二變型之間的第一部分以及第二表面和第二變型之間的第二部分。所述方法還包括：沿著由第二變型定義的第一分離區(qū)域，將半導(dǎo)體襯底的第一部分與半導(dǎo)體襯底的第二部分分離。所述方法還包括：沿著由第一變型定義的第二分離區(qū)域，將管芯彼此分離。

2、本領(lǐng)域技術(shù)人員將會在閱讀下面的詳細(xì)描述時并且在觀看附圖時意識到另外的特征和優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種用于將管芯(104)與半導(dǎo)體襯底(102)分離的方法，包括：

2.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中在產(chǎn)生所述第一變型(1101)之后，產(chǎn)生所述第二變型(1102)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在產(chǎn)生所述第二變型(1102)之后，產(chǎn)生所述第一變型(1101)。

4.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中經(jīng)所述第一表面(105)將所述半導(dǎo)體襯底(102)附接到所述載體(108)包括通過布置在所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一表面(105)和所述載體(108)之間的粘膠來將所述半導(dǎo)體襯底(102)附接到所述載體(108)，并且所述載體(108)的至少一部分被整形為網(wǎng)格，其中所述網(wǎng)格的網(wǎng)格線和所述第一變型在平面圖中彼此對準(zhǔn)。

5.如前一權(quán)利要求所述的方法，還包括：在將所述管芯(104)彼此分離之前，通過經(jīng)所述網(wǎng)格中的開口利用測試裝備(12)訪問所述管芯來測試所述管芯。

6.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：沿著所述網(wǎng)格線切穿所述載體(108)。

7.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述載體(108)是玻璃載體。

8.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在相對于所述第一變型(1101)的垂直距離(d)產(chǎn)生所述第二變型(1102)。

9.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中所述垂直距離(d)大于5μm。

10.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一分離區(qū)域是布置為平行于所述第二表面(106)的分離區(qū)域。

11.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中從所述第二表面(106)到所述第一分離區(qū)域的垂直距離(d1)是從所述第一表面(105)到所述第一分離區(qū)域的垂直距離(d2)的1.5倍至30倍。

12.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一變型(1101)的布置在平面圖中是網(wǎng)格，并且所述第一變型的組的第一變型沿著垂直方向(y)彼此分隔開。

13.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中在將所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)與所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第二部分(1022)分離之后并且在將所述管芯(104)彼此分離之前，導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)(118)被形成在所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)的分離表面(1061)上，所述分離表面(1061)是所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)的與所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)附接到所述載體(108)的表面相對的表面。

14.如前一權(quán)利要求所述的方法，還包括：在形成所述導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)(118)之前，將所述分離表面(1061)平面化，其中將所述分離表面(1061)平面化包括機(jī)械加工。

15.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中將所述分離表面(1061)平面化包括去除所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)的材料至少直至所述第一變型(1021)。

16.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)與所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第二部分(1022)分離包括將外力應(yīng)用于所述半導(dǎo)體襯底(102)，以使得至少一個裂縫沿著所述第一分離區(qū)域傳播并且將所述半導(dǎo)體襯底(102)分割成所述第一部分(1021)和所述第二部分(1022)。

17.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中將所述外力應(yīng)用于所述半導(dǎo)體襯底(102)包括：

18.如前面兩個權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述半導(dǎo)體襯底(102)是sic晶片，并且所述分離表面(1061)具有鋸齒圖案。

19.如前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中將所述管芯(104)彼此分離包括經(jīng)所述分離表面(1061)將所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)附接到帶子(114)并且使所述帶子(114)沿著側(cè)向方向(x)膨脹。

20.如前一權(quán)利要求所述的方法，其中使所述帶子(114)沿著所述側(cè)向方向(x)膨脹將拉應(yīng)力施加于所述半導(dǎo)體襯底(102)的所述第一部分(1021)。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及用于將管芯與半導(dǎo)體襯底分離的方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，其包括與半導(dǎo)體襯底的第一表面鄰接的管芯；經(jīng)第一表面，將半導(dǎo)體襯底附接到載體；通過經(jīng)半導(dǎo)體襯底的第二表面將激光照射引入到半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部，在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生第一變型，第一變型在第一表面和半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部的垂直水平之間延伸；通過經(jīng)半導(dǎo)體襯底的第二表面將激光照射引入到半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部，在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生第二變型，其將半導(dǎo)體襯底細(xì)分成第一表面和第二變型之間的第一部分以及第二表面和第二變型之間的第二部分；沿著由第二變型定義的第一分離區(qū)域，將半導(dǎo)體襯底的第一部分與半導(dǎo)體襯底的第二部分分離；沿著由第一變型定義的第二分離區(qū)域，將管芯彼此分離。

技術(shù)研發(fā)人員：F-J·皮克勒,B·伯納德,M·斯蒂芬內(nèi)利
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/17