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超材料及層疊體的制作方法

文檔序號:39526823發(fā)布日期:2024-09-27 17:03閱讀:47來源:國知局
超材料及層疊體的制作方法

本發(fā)明涉及一種超材料及層疊體。


背景技術(shù):

1、近年來,正在研究將具備基材及由導電性材料等構(gòu)成且設置于基材表面的圖案的超材料適用于頻率0.1~10thz(波長為30~3000μ同)的電磁波(以下,還記載為太赫茲頻段的電磁波。)用光學元件。

2、例如,在日本特開2021-114647號公報中,公開了一種超材料,其具備超表面基材及設置于超表面基材表面的金屬膜的圖案。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、日本特開2021-114647號公報中記載的超材料所具備的上述圖案對太赫茲頻段的電磁波發(fā)揮諧振器的作用。對太赫茲頻段的電磁波發(fā)揮諧振器的作用的部分止于從圖案的表面沿厚度方向0.5μm左右的部分,因此,在今后的開發(fā)中,從降低成本等觀點出發(fā),可預想到要減小圖案的厚度。

3、近來,本發(fā)明人得到了如下見解:當減小了圖案厚度時,圖案的剛性降低,溫濕度的變化等引起的基材變形導致產(chǎn)生內(nèi)部應力,從而有可能在圖案中產(chǎn)生裂紋。

4、本發(fā)明是根據(jù)上述見解完成的,本發(fā)明的一實施方式所要解決的課題在于提供一種超材料及層疊體,其能夠抑制裂紋的產(chǎn)生(以下,還稱為裂紋抑制性。)。

5、用于解決技術(shù)課題的手段

6、用于解決課題的具體方法如下。

7、<1>一種超材料,其具備基材及設置于上述基材表面的圖案,

8、上述圖案由導電性材料及從非導體變化成導體的材料中的至少一者構(gòu)成,上述基材的熱膨脹系數(shù)為80ppm/k以下。

9、<2>根據(jù)上述<1>所述的超材料,其中,

10、上述基材的介電損耗角正切為0.01以下。

11、<3>根據(jù)上述<1>或<2>所述的超材料,其中,

12、上述圖案的厚度小于5μm。

13、<4>根據(jù)上述<1>至<3>中任一項所述的超材料,其中,

14、上述圖案的厚度及25℃下的儲存彈性模量的乘積與上述基材的厚度及25℃下的儲存彈性模量的乘積之比小于10。

15、<5>根據(jù)上述<1>至<4>中任一項所述的超材料,其中,

16、上述圖案包含多個結(jié)構(gòu)體,且上述結(jié)構(gòu)體為開口環(huán)諧振器。

17、<6>根據(jù)上述<1>至<5>中任一項所述的超材料,其中,

18、上述圖案由上述導電性材料構(gòu)成,且上述導電性材料包含金屬。

19、<7>根據(jù)上述<1>至<6>中任一項所述的超材料,其中,

20、上述基材含有選自氟系聚合物及液晶聚合物中的至少1種。

21、<8>一種層疊體,其具備上述<1>至<7>中任一項所述的超材料及設置于上述超材料的上述圖案側(cè)表面的有機膜。

22、<9>根據(jù)上述<8>所述的層疊體,其中,

23、上述有機膜在溫度40℃、相對濕度90%的環(huán)境下的透濕度為3000g/(m2·24小時)以下。

24、<10>根據(jù)上述<8>或<9>所述的層疊體,其中,

25、上述有機膜含有紫外線吸收劑。

26、發(fā)明效果

27、根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,能夠提供一種超材料及層疊體,其能夠抑制裂紋的產(chǎn)生。



技術(shù)特征:

1.一種超材料,其具備基材及設置于所述基材表面的圖案,

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料,其中,

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料,其中,

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料,其中,

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超材料,其中,

8.一種層疊體,其具備權(quán)利要求1或2所述的超材料及設置于所述超材料的所述圖案側(cè)表面的有機膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體,其中,

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體,其中,


技術(shù)總結(jié)
一種超材料及具備上述超材料的層疊體,上述超材料具備介電損耗角正切為0.01以下的基材及由導電性材料及從非導體變化成導體的材料中的至少一者構(gòu)成且設置于上述基材表面的圖案,且上述基材的熱膨脹系數(shù)為80ppm/K以下。

技術(shù)研發(fā)人員:佐佐田泰行
受保護的技術(shù)使用者:富士膠片株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/9/26
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