本公開涉及一種發(fā)光元件、包括發(fā)光元件的顯示裝置以及制造發(fā)光元件的方法。

背景技術(shù)：

1、對信息顯示的興趣持續(xù)增加。因此，不斷進行顯示裝置的研究和開發(fā)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、實施例提供了一種可以防止短路缺陷的發(fā)光元件、包括發(fā)光元件的顯示裝置以及制造發(fā)光元件的方法。

3、本發(fā)明的問題不限于上述問題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從下面的描述中清楚地理解其它未提到的問題。

4、技術(shù)方案

5、根據(jù)公開的方面，提供了一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件可以包括：第一半導(dǎo)體層；發(fā)光層，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上；第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在發(fā)光層上；電極層，設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上；以及絕緣膜，圍繞第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面，絕緣膜在設(shè)置有電極層的第一端部處圍繞電極層的一部分。電極層可以包括與第二半導(dǎo)體層相鄰的第一表面和面對第一表面的第二表面，第二表面具有比電極層的第一表面的寬度大的寬度。

6、電極層的第二表面的寬度可以比第二半導(dǎo)體層的與第一表面接觸的上表面的寬度大或與第二半導(dǎo)體層的與第一表面接觸的上表面的寬度相等。

7、電極層的第一表面的寬度可以比第二半導(dǎo)體層的上表面的寬度小或與第二半導(dǎo)體層的上表面的寬度相等。

8、電極層還可以包括從第一表面延伸到第二表面的側(cè)表面。電極層的側(cè)表面相對于第一表面可以具有與在約90度至約135度范圍內(nèi)的角度對應(yīng)的斜率。

9、絕緣膜可以在第一端部處具有變化的厚度。

10、絕緣膜可以具有隨著從電極層的第二表面變得靠近電極層的第一表面而增加的厚度。

11、凹槽可以在電極層接觸第二半導(dǎo)體層的邊界處形成在電極層中。

12、絕緣膜可以完全圍繞發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面。

13、電極層的第一表面可以直接接觸第二半導(dǎo)體層。

14、絕緣膜可以圍繞電極層的側(cè)表面的定位在電極層的第一表面的外圍處的至少一部分。絕緣膜可以使電極層的第二表面暴露。

15、絕緣膜可以使第一半導(dǎo)體層的下表面暴露。

16、第一半導(dǎo)體層可以包括與發(fā)光層相鄰的第一部分和除了第一部分之外的第二部分，并且第一部分的寬度可以比第二部分的寬度大。

17、絕緣膜可以在圍繞第一半導(dǎo)體層的第二部分的部分處具有比在圍繞第一半導(dǎo)體層的第一部分的部分處的厚度大的厚度。

18、根據(jù)公開的另一方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括像素，像素包括第一電極、第二電極以及發(fā)光元件，并且發(fā)光元件包括電連接到第一電極的第一端部和電連接到第二電極的第二端部。發(fā)光元件可以包括在從第二端部到第一端部的方向上可以順序地設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和電極層以及圍繞第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和電極層的側(cè)表面的絕緣膜。電極層可以包括與第二半導(dǎo)體層相鄰的第一表面和面對第一表面的第二表面，第二表面具有比第一表面的寬度大的寬度。

19、絕緣膜可以完全圍繞發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面。

20、電極層的第一表面可以直接接觸第二半導(dǎo)體層。絕緣膜可以圍繞電極層的側(cè)表面的可以定位在電極層的第一表面的外圍處的至少一部分。絕緣膜可以使電極層的第二表面暴露。

21、根據(jù)公開的又一方面，提供了一種制造發(fā)光元件的方法。所述方法可以包括：在基底上順序地形成第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；在第二半導(dǎo)體層上順序地形成掩模層和蝕刻圖案；通過使用掩模層和蝕刻圖案的蝕刻工藝將包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的堆疊結(jié)構(gòu)圖案化為桿狀形狀；在第二半導(dǎo)體層上形成電極層；在第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和電極層的側(cè)表面上形成絕緣膜；以及從基底分離包括堆疊結(jié)構(gòu)和設(shè)置在堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上的絕緣膜的發(fā)光元件。在形成電極層的步驟中，可以蝕刻電極層，使得電極層的側(cè)表面相對于基底具有與在約90度至約135度范圍內(nèi)的角度對應(yīng)的斜率。

22、形成電極層的步驟可以包括：在基底的其上可以形成有堆疊結(jié)構(gòu)的表面上整體地形成電極層；對電極層進行熱處理；以及蝕刻經(jīng)熱處理的電極層。

23、可以通過熱處理以不同的速率蝕刻電極層的可以與第二半導(dǎo)體層相鄰的第一表面和電極層的面對第一表面的第二表面。

24、電極層的第二表面的寬度可以比第二半導(dǎo)體層的與第一表面接觸的上表面的寬度大或與第二半導(dǎo)體層的與第一表面接觸的上表面的寬度相等。

25、其它實施例的具體細節(jié)包括在詳細描述和附圖中。

26、有益效果

27、根據(jù)公開，提供了一種發(fā)光元件，發(fā)光元件包括可以沿著一方向順序地設(shè)置和/或彼此堆疊的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和電極層以及圍繞第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和電極層的側(cè)表面的絕緣膜。電極層的側(cè)表面可以具有與在約90度至約135度范圍內(nèi)的角度對應(yīng)的斜率。根據(jù)公開，可以提供包括發(fā)光元件的顯示裝置和制造發(fā)光元件的方法。

28、根據(jù)公開，絕緣膜可以形成為即使在電極層的外圍處也具有足夠的厚度。例如，絕緣膜可以形成為具有足夠的厚度，以足以在電極層和與電極層相鄰的第二半導(dǎo)體層的外圍處包括用于在后續(xù)工藝中可能發(fā)生的過蝕刻的余量。

29、因此，盡管發(fā)光元件的絕緣膜可能在像素工藝等中被部分蝕刻，但是絕緣膜可以保留在發(fā)光元件的表面上，同時穩(wěn)定地圍繞第二半導(dǎo)體層。因此，可以防止通過發(fā)光元件的短路缺陷。

30、根據(jù)實施例的效果不限于上面例示的內(nèi)容，并且在本說明書中還包括各種效果。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述電極層的所述第二表面的寬度比所述第二半導(dǎo)體層的與所述電極層的所述第一表面接觸的上表面的寬度大或與所述第二半導(dǎo)體層的與所述電極層的所述第一表面接觸的所述上表面的寬度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其中，所述電極層的所述第一表面的寬度比所述第二半導(dǎo)體層的所述上表面的寬度小或與所述第二半導(dǎo)體層的所述上表面的寬度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述絕緣膜在所述第一端部處具有變化的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述絕緣膜具有隨著從所述電極層的所述第二表面變得靠近所述電極層的所述第一表面而增加的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，凹槽在所述電極層接觸所述第二半導(dǎo)體層的邊界處形成在所述電極層中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述絕緣膜完全圍繞所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述電極層的所述第一表面直接接觸所述第二半導(dǎo)體層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述絕緣膜使所述第一半導(dǎo)體層的下表面暴露。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中，所述絕緣膜在圍繞所述第一半導(dǎo)體層的所述第二部分的部分處具有比在圍繞所述第一半導(dǎo)體層的所述第一部分的部分處的厚度大的厚度。

14.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述絕緣膜完全圍繞所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，

17.一種制造發(fā)光元件的方法，所述方法包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述電極層的步驟包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，通過所述熱處理以不同的速率蝕刻所述電極層的與所述第二半導(dǎo)體層相鄰的第一表面和所述電極層的面對所述第一表面的第二表面。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述電極層的所述第二表面的寬度比所述第二半導(dǎo)體層的與所述第一表面接觸的上表面的寬度大或與所述第二半導(dǎo)體層的與所述第一表面接觸的所述上表面的寬度相等。

技術(shù)總結(jié)
該發(fā)光元件包括：第一半導(dǎo)體層；發(fā)光層，布置在第一半導(dǎo)體層上；第二半導(dǎo)體層，布置在發(fā)光層上；電極層，布置在第二半導(dǎo)體層上；以及絕緣涂膜。絕緣涂膜圍繞第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的側(cè)表面，并且在其上布置有電極層的第一端部處圍繞電極層的一部分。電極層包括與第二半導(dǎo)體層相鄰的第一表面和面對第一表面的第二表面，并且第二表面具有比第一表面的寬度大的寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：姜慧林,金詩圣,金炯碩,李東彥,李種琎
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21