本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種自支撐氮化鎵制備方法，特別是涉及一種利用激光空位法制備自支撐氮化鎵的方法。

背景技術(shù)：

近十年來(lái)，第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料gan及其iii/v系列氮化物取得了卓越的成就。氮化鎵及其摻雜系列化合物具有連續(xù)可變的直接帶隙的光學(xué)性質(zhì)、物理化學(xué)性能穩(wěn)定、高飽和電子遷移率等特性，使其在激光器、發(fā)光二極管、紫外探測(cè)器、電力電子功率器件等光/微電子器件領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。

然而，目前的gan基半導(dǎo)體器件，一般以藍(lán)寶石襯底、sic、si等為襯底材料進(jìn)行異質(zhì)外延。異質(zhì)外延導(dǎo)致氮化鎵外延層殘余應(yīng)力較大、位錯(cuò)密度較高等缺點(diǎn)，從而限制了其在光/微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用。gan單晶襯底(又稱自支撐襯底)同質(zhì)外延是解決異質(zhì)外延產(chǎn)生的所述問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)高性能gan器件的根本途徑。

目前幾乎所有的氮化鎵基激光器均是利用昂貴的自支撐氮化鎵襯底進(jìn)行制備，限制了其應(yīng)用范圍。主流的gan自支撐襯底制備工藝，主要采用hvpe技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上外延制備gan厚膜，然后將gan厚膜從藍(lán)寶石襯底分離。由于gan厚膜的制備還是采用異質(zhì)外延技術(shù)，而藍(lán)寶石襯底與gan材料的熱膨脹系數(shù)不同，導(dǎo)致在降溫后gan厚膜存在較大的殘余應(yīng)力，容易引起gan厚膜翹曲或者碎裂，使制備gan自支撐襯底的良率低，生產(chǎn)成本居高不下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種自支撐氮化鎵制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中制備自支撐氮化鎵質(zhì)量不佳、良率低、成本高等問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種自支撐氮化鎵制備方法，所述方法至少包括以下步驟：

s1，提供一藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)由第一緩沖層、犧牲層和第二緩沖層疊加而成的三明治結(jié)構(gòu)，并在所述三明治結(jié)構(gòu)表面形成應(yīng)力支撐層；

s2，利用激光在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)；

s3，在所述應(yīng)力支撐層表面外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層，降溫，通過(guò)空位結(jié)構(gòu)，使所述氮化鎵厚膜層與藍(lán)寶石襯底分離，從而形成自支撐氮化鎵。

優(yōu)選地，所述步驟s1至少包括如下步驟：

s11，利用mocvd工藝在所述藍(lán)寶石襯底表面外延生長(zhǎng)多層氮化鎵結(jié)構(gòu)作為第一緩沖層；

s12，利用mocvd工藝在所述第一緩沖層表面外延生長(zhǎng)厚度不小于2微米的氮化鎵，作為犧牲層；

s13，利用mocvd工藝在所述犧牲層表面外延生長(zhǎng)多層氮化鎵結(jié)構(gòu)作為第二緩沖層，進(jìn)一步降低位錯(cuò)密度。

s14，利用mocvd或者h(yuǎn)vpe工藝方法在所述第二緩沖層表面生長(zhǎng)10～40微米厚的氮化鎵作為應(yīng)力支撐層。

優(yōu)選地，所述步驟s2至少包括如下步驟：

s21，先在所述應(yīng)力支撐層表面覆蓋一保護(hù)層，將所述保護(hù)層接觸激光工作平臺(tái)，并采用真空吸附固定；

s22，采用紫外和/或深紫外線激光從所述藍(lán)寶石襯底一側(cè)進(jìn)行掃描，從而在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)；

s23，去除所述保護(hù)層；

s24，清洗所述應(yīng)力支撐層表面。

優(yōu)選地，所述空位結(jié)構(gòu)為點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)和/或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)為圓形。

優(yōu)選地，所述空位結(jié)構(gòu)形成在所述三明治結(jié)構(gòu)的犧牲層或者第一緩沖層中，所述空位結(jié)構(gòu)的厚度不超過(guò)所述犧牲層或者第一緩沖層的厚度。

優(yōu)選地，所述激光的能量密度不低于400mj/cm²。

優(yōu)選地，所述空位結(jié)構(gòu)占犧牲層或者第一緩沖層的面積為10％至70％之間。

優(yōu)選地，所述步驟s3至少包括如下步驟：

s31，利用hvpe設(shè)備在所述應(yīng)力支撐層上外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層；

s32，生長(zhǎng)結(jié)束后降溫，利用異質(zhì)襯底熱膨脹系數(shù)失配使氮化鎵厚膜層與藍(lán)寶石襯底通過(guò)空位結(jié)構(gòu)相分離，形成自支撐氮化鎵；

s33，清洗所述自支撐氮化鎵。

優(yōu)選地，所述氮化鎵厚膜層的厚度超過(guò)300微米。

優(yōu)選地，所述氮化鎵厚膜層的厚度差異度在50％以內(nèi)。

如上所述，本發(fā)明的自支撐氮化鎵制備方法，所述制備方法包括：首先，提供一藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)由第一緩沖層、犧牲層和第二緩沖層疊加而成的三明治結(jié)構(gòu)，并在所述三明治結(jié)構(gòu)表面形成應(yīng)力支撐層；然后，利用激光在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)；最后，在所述應(yīng)力支撐層表面外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層，降溫，通過(guò)空位結(jié)構(gòu)，使所述氮化鎵厚膜層與藍(lán)寶石襯底分離，從而形成自支撐氮化鎵。本發(fā)明的制備方法可以獲得高質(zhì)量的自支撐氮化鎵，優(yōu)化制備流程，降低制備成本，提高產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明自支撐氮化鎵制備方法的工藝示意圖。

圖2～圖3為本發(fā)明自支撐氮化鎵制備方法的步驟s1的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4～圖6為本發(fā)明自支撐氮化鎵制備方法的步驟s2的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7～圖8為本發(fā)明自支撐氮化鎵制備方法的步驟s3的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1藍(lán)寶石襯底

2第一緩沖層

3犧牲層

4第二緩沖層

5應(yīng)力支撐層

6保護(hù)層

7激光

8空位結(jié)構(gòu)

9氮化鎵厚膜層

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱附圖。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖1所示，本發(fā)明提供一種自支撐氮化鎵的制備方法，所述制備方法至少包括如下步驟：

s1，提供一藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)由第一緩沖層、犧牲層和第二緩沖層疊加而成的三明治結(jié)構(gòu)，并在所述三明治結(jié)構(gòu)表面形成應(yīng)力支撐層；

s2，利用激光在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)；

s3，在所述應(yīng)力支撐層表面外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層，降溫，通過(guò)空位結(jié)構(gòu)，使所述氮化鎵厚膜層與藍(lán)寶石襯底分離，從而形成自支撐氮化鎵。

下面通過(guò)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的自支撐氮化鎵制備方法。

首先執(zhí)行步驟s1，如圖2～圖3所示，提供一藍(lán)寶石襯底1，在所述藍(lán)寶石襯底1上外延生長(zhǎng)由第一緩沖層2、犧牲層3和第二緩沖層4疊加而成的三明治結(jié)構(gòu)，并在所述三明治結(jié)構(gòu)表面形成應(yīng)力支撐層5。

該步驟中，所述三明治結(jié)構(gòu)的制備具體包括如下步驟：

s11，利用mocvd工藝在所述藍(lán)寶石襯底1表面外延生長(zhǎng)氮化鎵結(jié)構(gòu)作為第一緩沖層2，所述第一緩沖層2的位錯(cuò)密度控制在10⁸/cm²以內(nèi)。該氮化鎵第一緩沖層2的作用是為了匹配藍(lán)寶石襯底的晶格，將襯底材料與氮化鎵材料之間的晶格失配降低，提高氮化鎵晶體的質(zhì)量。所述第一緩沖層2的厚度不超過(guò)20微米，優(yōu)選地厚度為5至15微米，更優(yōu)地，厚度為5微米。

s12，利用mocvd工藝在所述第一緩沖層2表面外延生長(zhǎng)厚度不小于2微米的氮化鎵，作為犧牲層3。本步驟形成的犧牲層3也為氮化鎵構(gòu)造，性質(zhì)與第一緩沖層2類似，后續(xù)空位結(jié)構(gòu)可以形成在犧牲層3或者第一緩沖層2中。優(yōu)選地，空位結(jié)構(gòu)形成在犧牲層3中。

s13，利用mocvd工藝在所述犧牲層3表面外延生長(zhǎng)氮化鎵結(jié)構(gòu)作為第二緩沖層4，其作用是進(jìn)一步降低氮化鎵的位錯(cuò)密度，阻止后續(xù)空位結(jié)構(gòu)制備過(guò)程中的光、電、機(jī)械作用對(duì)表面結(jié)構(gòu)的影響和破壞。

上述制備的第一緩沖層/犧牲層/第二緩沖層的三明治結(jié)構(gòu)，其作用在于提供優(yōu)質(zhì)的生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，以便后續(xù)制造空位結(jié)構(gòu)8。制備好三明治結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行步驟s14應(yīng)力支撐層5的制備：利用mocvd或者h(yuǎn)vpe工藝方法在所述第二緩沖層4表面生長(zhǎng)10～40微米厚的氮化鎵作為應(yīng)力支撐層5。優(yōu)選地，所述應(yīng)力支撐層5為10至30微米厚。更優(yōu)地，所述應(yīng)力支撐層5為20至25微米厚。所述應(yīng)力支撐層5的作用用于支撐所述三明治結(jié)構(gòu)，防止在空位結(jié)構(gòu)8制備過(guò)程中三明治結(jié)構(gòu)破裂。

然后執(zhí)行步驟s2，利用激光在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)。

該步驟中，具體包括如下步驟：

s21，如圖4所示，先在所述應(yīng)力支撐層5表面覆蓋一保護(hù)層6，并將所述保護(hù)層6接觸激光工作平臺(tái)，并采用真空吸附固定。

覆蓋的所述保護(hù)層6的作用在于保護(hù)氮化鎵應(yīng)力支撐層5表面不被破壞。所述保護(hù)層6可以選擇工業(yè)蠟、藍(lán)膜或者光刻膠等易處理的材料，便于后續(xù)操作去除。本實(shí)施例中，暫選為藍(lán)膜作為保護(hù)層6。

s22，如圖5所示，采用紫外和/或深紫外線激光7從所述藍(lán)寶石襯底1一側(cè)進(jìn)行掃描，從而在所述三明治結(jié)構(gòu)中形成空位結(jié)構(gòu)8。

本步驟中，激光的焦點(diǎn)擇優(yōu)聚焦在氮化鎵犧牲層3上，形成的所述空位結(jié)構(gòu)8的厚度不超過(guò)所述犧牲層3的厚度。由于氮化鎵犧牲層3強(qiáng)烈吸收紫外及深紫外線，分解為金屬鎵和氮?dú)?，在空位結(jié)構(gòu)內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生較大的氣壓。由于三明治結(jié)構(gòu)上形成有應(yīng)力支撐層5，藉由所述應(yīng)力支撐層5，可以有效防止因空位結(jié)構(gòu)8中存在的較大氣壓所引起的破碎。

此外，激光7的能量值也需要控制，基本上是略超過(guò)氮化鎵分解的闕值，可以有效控制其受損區(qū)域在2微米內(nèi)。優(yōu)選地，所述激光7的能量密度不低于400mj/cm²，形成的空位結(jié)構(gòu)8占犧牲層3或者第一緩沖層2的面積為10％至70％之間。更優(yōu)地，形成的空位結(jié)構(gòu)8占犧牲層3或者第一緩沖層2的面積為30％至70％。最優(yōu)地，形成的空位結(jié)構(gòu)8占犧牲層3或者第一緩沖層2的面積為50％至70％。本實(shí)施例中，采用krf235nm深紫外激光束作為入射激光，形成的空位結(jié)構(gòu)8占犧牲層3的面積為50％。

激光7在所述犧牲層3上進(jìn)行圖形構(gòu)造，形成的空位結(jié)構(gòu)8原則上可以是任意有序圖形，但是由于激光的限制，空位結(jié)構(gòu)8的圖形常為點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圓形)，或者是進(jìn)行劃線構(gòu)造溝道結(jié)構(gòu)(網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))。有序圖形的優(yōu)點(diǎn)在于，在制備過(guò)程中，空位結(jié)構(gòu)8附近的受力均勻，在后續(xù)生長(zhǎng)自支撐氮化鎵厚膜后的降溫過(guò)程中，在熱失配的作用下三明治結(jié)構(gòu)中的空位結(jié)構(gòu)均勻撕裂，降低對(duì)氮化鎵厚膜的損傷。

形成空位結(jié)構(gòu)后，進(jìn)行步驟s23，如圖6所示，去除所述保護(hù)層6。

s24，清洗所述應(yīng)力支撐層5表面。去除保護(hù)層6后需要對(duì)表面進(jìn)行清洗，清洗步驟如下：先采用去離子清洗，并用氮?dú)廨o助甩干；隨后進(jìn)行等離子體(如o2等離子)表面清洗，去除表面有機(jī)物殘留；最后再次進(jìn)行去離子水清洗以及氮?dú)廨o助甩干。

最后執(zhí)行步驟s3，在所述應(yīng)力支撐層5表面外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層9，降溫，通過(guò)空位結(jié)構(gòu)8，使所述氮化鎵厚膜層9與藍(lán)寶石襯底1分離，從而形成自支撐氮化鎵。

具體步驟如下：

s31，如圖7所示，利用hvpe設(shè)備在所述應(yīng)力支撐層5上外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜層9。該氮化鎵厚膜層9通過(guò)快速外延生長(zhǎng)，其厚度一般超過(guò)300微米，不小于藍(lán)寶石襯底1的厚度。優(yōu)選地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度超過(guò)400微米。更優(yōu)地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度為500微米。最優(yōu)地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度為550微米。另外，所述氮化鎵厚膜層9的厚度差異度在500％以內(nèi)。優(yōu)選地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度差異度在40％以內(nèi)。更優(yōu)地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度差異度在30％以內(nèi)。最優(yōu)地，所述氮化鎵厚膜層9的厚度差異度在20％以內(nèi)。一般定義厚度差異度：t＝(|1a-b|/a+|a-c|/a)*100％，其中a為厚度平均值，b為最大厚度，c為最小厚度。

s32，生長(zhǎng)結(jié)束后降溫，利用異質(zhì)襯底熱膨脹系數(shù)失配使氮化鎵厚膜層9與藍(lán)寶石襯底1通過(guò)空位結(jié)構(gòu)8相分離，形成自支撐氮化鎵，如圖8所示。

本步驟中完成氮化鎵厚膜層9生長(zhǎng)后，均勻降溫樣品，在熱適配的作用下，隨著溫度的降低，氮化鎵厚膜層9收縮和藍(lán)寶石襯底1的收縮不一致，在橫向上，空位結(jié)構(gòu)8受到應(yīng)力作用而被破壞，從而導(dǎo)致氮化鎵厚膜層9和藍(lán)寶石襯底1分離，獲得自支撐氮化鎵。

s33，清洗所述自支撐氮化鎵。具體為：先采用氯化氫清洗，去除表面殘留的金屬鎵和其他雜質(zhì)；然后采用氫氧化鉀清洗；最后用去離子水清洗，并用氮?dú)廨o助甩干。

清洗完畢的自支撐氮化鎵送入研磨拋光工序進(jìn)行拋光，形成表面平坦光滑的自支撐氮化鎵。

綜上所述，本發(fā)明通過(guò)激光手段在氮化鎵厚膜與襯底之間制造空位，利用氮化鎵厚膜與襯底之間的熱膨脹差異性，在氮化鎵厚膜生長(zhǎng)后的降溫過(guò)程中完成氮化鎵厚膜與襯底之間的分離。由于異質(zhì)襯底材料的晶格系數(shù)常常與氮化鎵的晶體系數(shù)存在差異，在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵厚膜晶體就會(huì)存在晶格不匹配而存在內(nèi)部應(yīng)力。通常氮化鎵厚膜晶體與襯底材料的分離是通過(guò)激光剝離技術(shù)，側(cè)向腐蝕技術(shù)和機(jī)械研磨技術(shù)，以上技術(shù)都要求外延生長(zhǎng)的氮化鎵晶體具有較小的翹曲度，消耗材料多，良率低，工序時(shí)間長(zhǎng)，使得自支撐氮化鎵襯底的市場(chǎng)價(jià)格居高不下。本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)在于：1.自剝離技術(shù)。在氮化鎵生長(zhǎng)后的降溫過(guò)程中，利用熱膨脹系數(shù)的差異和晶格系數(shù)不匹配導(dǎo)致的內(nèi)部應(yīng)力，完成氮化鎵晶體與襯底的分離；2.空位制造。在氮化鎵晶體與襯底之間的空位有利于自剝離過(guò)程的完成，利用激光制造空位，工序簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率高，有利于降低生產(chǎn)成本。為激光空位技術(shù)發(fā)展的三明治結(jié)構(gòu)，可以控制激光制造空位工藝中所造成的區(qū)域損傷和應(yīng)力破壞，并且該結(jié)構(gòu)也具有緩沖層的作用，極大降低了氮化鎵晶體的位錯(cuò)密度，提高了晶體質(zhì)量。所以，本發(fā)明創(chuàng)新性地解決了自支撐氮化鎵晶體的制備和分離難題，具有高度的產(chǎn)業(yè)價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。