本實(shí)用新型涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件作為電子產(chǎn)品的重要組成部分，一直是科研人員的研究重點(diǎn)，其中半導(dǎo)體器件的封裝更是成為了研究熱點(diǎn)。示例的，如圖1至圖4所示，圖1為IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管)器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖。IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)包括管蓋01和管座02，以及位于管蓋01和管座02之間的IGBT子單元03、PCB板05和柵極引出線06，其中，IGBT子單元03的爆炸圖如圖3所示，IGBT子單元03包括第一塑料框035，以及位于第一塑料框035內(nèi)，且從上到下依次壓接的集電極鉬片031，IGBT芯片032，發(fā)射極鉬片033和柵極彈簧針034。圖2為FRD(Fast Recovery Diode，快恢復(fù)二極管)器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖。FRD器件封裝結(jié)構(gòu)包括管蓋01和管座02，以及位于管蓋01和管座02之間的FRD子單元04，其中，F(xiàn)RD子單元04的爆炸圖如圖4所示，F(xiàn)RD子單元04包括第二塑料框044，以及位于第二塑料框044內(nèi)，且從上到下依次壓接的陽(yáng)極鉬片041，F(xiàn)RD芯片042和陰極鉬片043。

由上述的IGBT器件和FRD器件的封裝結(jié)構(gòu)可知，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，這樣導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率較低。同時(shí)，由于現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)中芯片與鉬片接觸，鉬片又與管蓋或管座接觸，這樣導(dǎo)致芯片與管蓋或管座之間存在多個(gè)接觸面，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的熱阻和導(dǎo)通壓降較高，不利于半導(dǎo)體器件的散熱。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，能夠降低半導(dǎo)體器件的封裝復(fù)雜度，同時(shí)降低半導(dǎo)體器件的熱阻和導(dǎo)通壓降。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括管蓋和管座，所述管蓋蓋于所述管座上，

所述管蓋的下表面焊接有多個(gè)第一電極鉬片，所述管座的上表面焊接有多個(gè)第二電極鉬片，多個(gè)所述第二電極鉬片與多個(gè)所述第一電極鉬片一一對(duì)應(yīng)；

還包括多個(gè)芯片和多個(gè)定位框架，所述定位框架用于對(duì)所述芯片進(jìn)行定位；多個(gè)所述芯片與多個(gè)所述第一電極鉬片一一對(duì)應(yīng)；

所述芯片位于所述第一電極鉬片和所述第二電極鉬片之間，且所述芯片與所述第一電極鉬片和所述第二電極鉬片均貼合。

可選的，多個(gè)所述定位框架連接形成一體結(jié)構(gòu)。

可選的，所述芯片為IGBT芯片；所述第一電極鉬片為集電極鉬片，所述第二電極鉬片為發(fā)射極鉬片。

可選的，所述芯片為FRD芯片；所述第一電極鉬片為陽(yáng)極鉬片，所述第二電極鉬片為陰極鉬片。

可選的，所述IGBT芯片與所述管座之間設(shè)置有柵極彈簧針和PCB板，所述柵極彈簧針位于所述IGBT芯片和所述PCB板之間，且與所述IGBT芯片和所述PCB板均接觸；所述PCB板上還連接有柵極引出線。

可選的，所述定位框架由絕緣材料制作而成。

可選的，所述絕緣材料為塑料王。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括管蓋和管座，管蓋蓋于管座上，管蓋的下表面焊接有多個(gè)第一電極鉬片，管座的上表面焊接有多個(gè)第二電極鉬片，多個(gè)第二電極鉬片與多個(gè)第一電極鉬片一一對(duì)應(yīng)；還包括多個(gè)芯片和多個(gè)定位框架，定位框架用于對(duì)芯片進(jìn)行定位；多個(gè)芯片與多個(gè)第一電極鉬片一一對(duì)應(yīng)；芯片位于第一電極鉬片和第二電極鉬片之間，且芯片與第一電極鉬片和第二電極鉬片均貼合。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)中通過(guò)預(yù)先將多個(gè)第一電極鉬片焊接在管蓋的下表面，將多個(gè)第二電極鉬片焊接在管座的上表面，使得第一電極鉬片和管蓋成為一個(gè)裝配整體，第二電極鉬片與管座成為一個(gè)裝配整體，這樣在封裝過(guò)程中只需安裝定位框架和芯片，再將管蓋和管座焊接即可完成器件封裝，這樣降低了半導(dǎo)體器件的封裝復(fù)雜度，提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。同時(shí)，由于第一電極鉬片與管蓋焊接，第二電極鉬片與管座焊接，這樣焊層阻斷了第一電極鉬片與管蓋，以及第二電極鉬片與管座之間的直接接觸，即減少了芯片與管蓋或管座之間的接觸面，因而降低了半導(dǎo)體器件的熱阻和導(dǎo)通壓降，提高了半導(dǎo)體器件的散熱能力。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種FRD器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種IGBT子單元結(jié)構(gòu)爆炸圖；

圖4為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種FRD子單元結(jié)構(gòu)爆炸圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種FRD器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)爆炸圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種FRD器件封裝結(jié)構(gòu)爆炸圖；

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種管蓋結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種管座結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體器件封裝方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，如圖5至圖10所示，包括管蓋11和管座12，管蓋11蓋于管座12上，管蓋11的下表面焊接有多個(gè)第一電極鉬片13，管座12的上表面焊接有多個(gè)第二電極鉬片14，多個(gè)第二電極鉬片14與多個(gè)第一電極鉬片13一一對(duì)應(yīng)；還包括多個(gè)芯片15和多個(gè)定位框架16，定位框架16用于對(duì)芯片15進(jìn)行定位；多個(gè)芯片15與多個(gè)第一電極鉬片13一一對(duì)應(yīng)；芯片15位于第一電極鉬片13和第二電極鉬片14之間，且芯片15與第一電極鉬片13和第二電極鉬片14均貼合。

本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)于第一電極鉬片、第二電極鉬片、芯片和定位框架的設(shè)置數(shù)量均不做限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。需要說(shuō)明的是，由于多個(gè)第二電極鉬片14與多個(gè)第一電極鉬片13一一對(duì)應(yīng)，多個(gè)芯片15與多個(gè)第一電極鉬片13一一對(duì)應(yīng)，定位框架16用于放置芯片15，對(duì)芯片15進(jìn)行定位，因而第一電極鉬片、第二電極鉬片、芯片和定位框架設(shè)置數(shù)量均相等。

所述芯片可以為IGBT芯片、FRD芯片或是其他半導(dǎo)體芯片，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此亦不做限定。參考圖5和圖7所示，當(dāng)芯片15為IGBT芯片；第一電極鉬片13為集電極鉬片，第二電極鉬片14為發(fā)射極鉬片。進(jìn)一步的，所述IGBT芯片與管座12之間設(shè)置有柵極彈簧針17和PCB板18，柵極彈簧針17位于所述IGBT芯片和PCB板18之間，且與所述IGBT芯片和PCB板18均接觸；PCB板18上還連接有柵極引出線19。參考圖6和圖8所示，當(dāng)芯片15為FRD芯片；第一電極鉬片13為陽(yáng)極鉬片，第二電極鉬片14為陰極鉬片。

這樣一來(lái)，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)中通過(guò)預(yù)先將多個(gè)第一電極鉬片焊接在管蓋的下表面，將多個(gè)第二電極鉬片焊接在管座的上表面，使得第一電極鉬片和管蓋成為一個(gè)裝配整體，第二電極鉬片與管座成為一個(gè)裝配整體，這樣在封裝過(guò)程中只需安裝定位框架和芯片，再將管蓋和管座焊接即可完成器件封裝，這樣降低了半導(dǎo)體器件的封裝復(fù)雜度，提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。同時(shí)，由于第一電極鉬片與管蓋焊接，第二電極鉬片與管座焊接，這樣焊層阻斷了第一電極鉬片與管蓋，以及第二電極鉬片與管座之間的直接接觸，即減少了芯片與管蓋或管座之間的接觸面，因而降低了半導(dǎo)體器件的熱阻和導(dǎo)通壓降，提高了半導(dǎo)體器件的散熱能力。

較佳的，參考圖5至圖8所示，將多個(gè)定位框架16連接形成一體結(jié)構(gòu)，這樣可以減少半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的零件數(shù)量，降低封裝工藝復(fù)雜度，并且提高半導(dǎo)體器件的可靠性。其中，定位框架16由絕緣材料制作而成。在實(shí)際應(yīng)用中，一般選用塑料王來(lái)制作定位框架16。

本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供一種用于上述封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，如圖11所示，所述封裝方法包括：

步驟111、將多個(gè)第一電極鉬片焊接在管蓋的下表面上，將多個(gè)第二電極鉬片焊接在管座的上表面上。

步驟112、將多個(gè)定位框架安裝在管座內(nèi)。

其中，所述定位框架一般由絕緣材料制作而成。在實(shí)際應(yīng)用中，可以將多個(gè)所述定位框架連接形成一體結(jié)構(gòu)，這樣可以減少半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的零件數(shù)量，降低封裝工藝復(fù)雜度，并且提高半導(dǎo)體器件的可靠性。

步驟113、將多個(gè)芯片分別安裝在對(duì)應(yīng)的定位框架中。

所述芯片為IGBT芯片、FRD芯片或是其他半導(dǎo)體芯片。

步驟114、將管蓋和管座冷壓焊接。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包括首先將多個(gè)第一電極鉬片焊接在管蓋的下表面上，將多個(gè)第二電極鉬片焊接在管座的上表面上；然后將多個(gè)定位框架安裝在所述管座內(nèi)；接著將多個(gè)芯片分別安裝在對(duì)應(yīng)的所述定位框架中；最后將所述管蓋和所述管座冷壓焊接。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法中通過(guò)預(yù)先將多個(gè)第一電極鉬片焊接在管蓋的下表面，將多個(gè)第二電極鉬片焊接在管座的上表面，使得第一電極鉬片和管蓋成為一個(gè)裝配整體，第二電極鉬片與管座成為一個(gè)裝配整體，這樣在封裝過(guò)程中只需安裝定位框架和芯片，再將管蓋和管座焊接即可完成器件封裝，這樣降低了半導(dǎo)體器件的封裝復(fù)雜度，提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。同時(shí)，由于第一電極鉬片與管蓋焊接，第二電極鉬片與管座焊接，這樣焊層阻斷了第一電極鉬片與管蓋，以及第二電極鉬片與管座之間的直接接觸，即減少了芯片與管蓋或管座之間的接觸面，因而降低了半導(dǎo)體器件的熱阻和導(dǎo)通壓降，提高了半導(dǎo)體器件的散熱能力。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。