本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件,尤其是一種LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
隨著LED 技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展不斷的發(fā)展,對(duì)散熱的要求也越來(lái)越高,如若封裝結(jié)構(gòu)的散熱不良將導(dǎo)致器件性能惡化、結(jié)構(gòu)損壞、分層乃至燒毀。在環(huán)境溫度和發(fā)熱功率相同的時(shí)候,系統(tǒng)的總的熱阻越高,芯片的溫度就越高,器件的散熱性能也就越差,為了使得LED器件具有良好的熱特性,就必須對(duì)器件的整體機(jī)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,目前的封裝結(jié)構(gòu)依然存在散熱性差,封裝結(jié)構(gòu)的總體熱阻高的缺陷,上述問題亟需解決。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)采用高散熱的封裝材料和封裝結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的封裝結(jié)構(gòu)的散熱性效率低的關(guān)鍵問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案:
一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括密封層和散熱裝置,所述密封層和散熱裝置13中設(shè)置有基板,所述基板下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層,所述密封層中間隔設(shè)置有LED芯片,所述LED芯片通過(guò)下端設(shè)置的固晶膠與所述基板相接觸,所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm。進(jìn)一步地,所述基板包括第一金屬層、絕緣層和第二金屬層,所述絕緣層設(shè)置于第一金屬層與絕緣層之間。進(jìn)一步地,所述基板為陶瓷基板或金屬?gòu)?fù)合基板。進(jìn)一步地,所述固晶層厚度為0.08~0.1mm。進(jìn)一步地,所述密封層材料為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層。進(jìn)一步地,所述LED芯片為3~6個(gè)。進(jìn)一步地,所述LED芯片之間為等間距排布。
本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu),包括密封層和散熱裝置,還在它們中設(shè)置有基板,基板下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層,密封層中間隔設(shè)置有LED芯片, LED芯片通過(guò)下端設(shè)置的固晶膠與所述基板相接觸,所述固晶膠厚度為0.05~0.1mm,器件的溫度與固晶膠厚度關(guān)系密切其厚度設(shè)置在此范圍內(nèi)有利于降低大功率的LED工作時(shí)候得溫度,而且降低了此類材質(zhì)的使用量,進(jìn)一步降低了成本?;逡彩侨龑咏Y(jié)構(gòu),基板的熱導(dǎo)率越高,熱量的傳導(dǎo)才會(huì)越快,在封裝結(jié)構(gòu)工作過(guò)程中芯片底部的溫度變化幅度才會(huì)小,所以基板層為第一金屬層、第二金屬層和置于中間的絕緣層,其中優(yōu)選陶瓷基板或者金屬?gòu)?fù)合基板,兩者的熱導(dǎo)率較高。密封層材料優(yōu)選為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層,其中有機(jī)硅樹脂不僅導(dǎo)熱能力強(qiáng),而且耐老化性能好折射率高。LED芯片為3~6個(gè),等間距排布的模式有利于LED封裝結(jié)構(gòu)工作時(shí)候的散熱。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型的基板材結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖標(biāo)記說(shuō)明:11-密封層,12-基板,13-散熱裝置,14-導(dǎo)熱樹脂層,111-LED芯片,112-固晶膠層,121-第一金屬層, 122-絕緣層,123-第二金屬層,散熱裝置13。
具體實(shí)施方式
為了進(jìn)一步理解本實(shí)用新型,下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述,但是應(yīng)當(dāng)理解,這些描述只是為進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的特征和優(yōu)點(diǎn),而不是對(duì)本實(shí)用新型權(quán)利要求的限制。
本實(shí)用新型提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu),如圖1~2所示,LED封裝結(jié)構(gòu)包括密封層11和散熱裝置13,密封層11和散熱裝置13中設(shè)置有基板12,基板12下側(cè)設(shè)置有導(dǎo)熱樹脂層14,密封層11中間隔設(shè)置有LED芯片111,LED芯片111通過(guò)下端設(shè)置的固晶膠112與基板12相接觸,所述固晶膠112厚度為0.05~0.1mm。此封裝器件的熱阻主要有兩部分,LED芯片111到基板12的熱阻和基板12到散熱裝置的熱阻,本實(shí)用新型采用固晶膠焊接工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)的固晶膠粘接工藝,此時(shí)LED芯片111與基板12之間的連接不僅機(jī)械性能好而且導(dǎo)熱性強(qiáng),系統(tǒng)的總熱阻變下,器件的散熱性能也變好。固晶膠的厚度選擇0.05~0.1mm,能使在熱應(yīng)力適當(dāng)?shù)那闆r下,LED芯片處于最佳溫度。
基板12包括第一金屬層121、絕緣層122和第二金屬層123,絕緣層122設(shè)置于第一金屬層121與絕緣層122之間?;?2優(yōu)選為陶瓷基板或金屬?gòu)?fù)合基板,陶瓷基板或金屬?gòu)?fù)合基板兩者的熱導(dǎo)率較高,易于LED封裝結(jié)構(gòu)的散熱。
固晶膠厚112度為0.08~0.1mm,密封層11材料為環(huán)氧樹脂層或有機(jī)硅樹脂層,有機(jī)硅樹脂不僅導(dǎo)熱能力強(qiáng),而且耐老化性能好折射率高。LED芯片111為3~6個(gè),LED芯片111之間為等間距排布,等間距排布的模式有利于LED封裝結(jié)構(gòu)工作時(shí)候的散熱。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比LED封裝結(jié)構(gòu)的總體熱阻降低,散熱性能改善。
以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾,這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。