本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

背景技術(shù)：

目前55納米半導(dǎo)體集成電路制造工藝后段金屬間電介質(zhì)層一般有三到五層，每層的薄膜堆積模式為：碳化硅阻擋層/低介電常數(shù)二氧化硅層/二氧化硅掩模/金屬氮化鈦掩模/二氧化硅覆蓋，五層薄膜沉積中的任何一個(gè)站點(diǎn)都有可能會(huì)產(chǎn)生顆粒缺陷問(wèn)題，如果在沉積當(dāng)站發(fā)現(xiàn)表面缺陷，可以通過(guò)洗滌器的方法進(jìn)行返工，將晶圓表面顆粒沖洗掉，但是如果是埋入型顆粒缺陷，顆粒的一部分深埋在薄膜中間，如圖1所示，這種情況洗滌器不能發(fā)揮作用，則只能直接釋放該批次或者報(bào)廢晶圓，沒(méi)有任何其他返工流程。這樣就造成了極大的產(chǎn)品良率損失和成本提升。

由此，希望能夠提供一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，包括：

第一步驟：在二氧化硅覆蓋層上形成金屬氮化鈦掩模的工藝之后檢測(cè)到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：通過(guò)刻蝕去除金屬氮化鈦掩模；

第三步驟：使得二氧化硅覆蓋層平坦化；

第四步驟：對(duì)平坦化的二氧化硅覆蓋層進(jìn)行二氧化硅生長(zhǎng)，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度。

優(yōu)選地，第三步驟通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨使得二氧化硅覆蓋層平坦化。

優(yōu)選地，第三步驟使得二氧化硅覆蓋層的厚度減薄。

優(yōu)選地，目標(biāo)厚度是化學(xué)機(jī)械研磨之前的二氧化硅覆蓋層的厚度。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，包括：

第一步驟：在形成二氧化硅覆蓋層的工藝之后檢測(cè)到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：使得二氧化硅覆蓋層平坦化；

第三步驟：對(duì)平坦化的二氧化硅覆蓋層進(jìn)行二氧化硅生長(zhǎng)，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度。

優(yōu)選地，第二步驟通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨使得二氧化硅覆蓋層平坦化。

優(yōu)選地，第二步驟使得二氧化硅覆蓋層的厚度減薄。

優(yōu)選地，目標(biāo)厚度是化學(xué)機(jī)械研磨之前的二氧化硅覆蓋層的厚度。

本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了埋入型顆粒缺陷的顯微示圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第一步驟。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第二步驟。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第三步驟。

圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第四步驟。

圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第一步驟。

圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第二步驟。

圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的第三步驟。

需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的發(fā)明人分析金屬間電介質(zhì)層的埋入型顆粒缺陷造成的良率降低的原因，基本是由于埋入型顆粒缺陷的突起影響到后續(xù)光刻的圖形曝光，最終導(dǎo)致銅線斷開(kāi)，如果在晶圓存在埋入型顆粒缺陷后能將金屬間電介質(zhì)層表面磨平，再按照原工藝堆疊方式進(jìn)行返工，則不會(huì)有此問(wèn)題。

下面將具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。

<第一優(yōu)選實(shí)施例>

圖2至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的各個(gè)步驟。

如圖2至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法包括：

第一步驟：在二氧化硅覆蓋層20上形成金屬氮化鈦掩模30的工藝之后檢測(cè)到埋入型顆粒缺陷10；

第二步驟：通過(guò)刻蝕去除金屬氮化鈦掩模30；

第三步驟：使得二氧化硅覆蓋層20平坦化；

一般，第三步驟通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨使得二氧化硅覆蓋層20平坦化。

其中，第三步驟使得二氧化硅覆蓋層20的厚度減薄。

第四步驟：對(duì)平坦化的二氧化硅覆蓋層20進(jìn)行二氧化硅生長(zhǎng)，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層20的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度。

例如，目標(biāo)厚度是化學(xué)機(jī)械研磨之前的二氧化硅覆蓋層20的厚度。

由此，本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問(wèn)題。

<第二優(yōu)選實(shí)施例>

圖6至圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法的各個(gè)步驟。

如圖6至圖8所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法包括：

第一步驟：在形成二氧化硅覆蓋層的工藝之后檢測(cè)到埋入型顆粒缺陷；

第二步驟：使得二氧化硅覆蓋層20平坦化；

一般，第二步驟通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨使得二氧化硅覆蓋層20平坦化。

其中，第二步驟使得二氧化硅覆蓋層20的厚度減薄。

第三步驟：對(duì)平坦化的二氧化硅覆蓋層20進(jìn)行二氧化硅生長(zhǎng)，使得平坦化的二氧化硅覆蓋層20的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度。

例如，目標(biāo)厚度是化學(xué)機(jī)械研磨之前的二氧化硅覆蓋層20的厚度。

同樣，由此，本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問(wèn)題。

本發(fā)明提供了一種解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷的返工方法，能夠解決后段金屬間電介質(zhì)層埋入型顆粒缺陷造成的良率降低問(wèn)題。

此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

而且還應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術(shù)、用法和應(yīng)用，它們可以變化。還應(yīng)該理解的是，此處描述的術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)描述特定實(shí)施例，而不是用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權(quán)利要求中使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”以及“該”包括復(fù)數(shù)基準(zhǔn)，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對(duì)“一個(gè)元素”的引述意味著對(duì)一個(gè)或多個(gè)元素的引述，并且包括本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的它的等價(jià)物。類(lèi)似地，作為另一示例，對(duì)“一個(gè)步驟”或“一個(gè)裝置”的引述意味著對(duì)一個(gè)或多個(gè)步驟或裝置的引述，并且可能包括次級(jí)步驟以及次級(jí)裝置。應(yīng)該以最廣義的含義來(lái)理解使用的所有連詞。因此，詞語(yǔ)“或”應(yīng)該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結(jié)構(gòu)將被理解為還引述該結(jié)構(gòu)的功能等效物。可被解釋為近似的語(yǔ)言應(yīng)該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。

而且，本發(fā)明實(shí)施例的方法和/或系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)可包括手動(dòng)、自動(dòng)或組合地執(zhí)行所選任務(wù)。而且，根據(jù)本發(fā)明的方法和/或系統(tǒng)的實(shí)施例的實(shí)際器械和設(shè)備，可利用操作系統(tǒng)通過(guò)硬件、軟件或其組合實(shí)現(xiàn)幾個(gè)所選任務(wù)。