本公開(kāi)涉及電感器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，已知用于各種電子裝置的高頻電路等的電感器件。該電感器件的結(jié)構(gòu)包括纏繞電線的繞線型、在平面上形成螺旋形線圈導(dǎo)體的平面型等。

[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)公開(kāi)第2015-32625A號(hào)

[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請(qǐng)公開(kāi)第2015-32626A號(hào)

[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)公開(kāi)第2015-76597A號(hào)

如稍后在引文段落中描述的那樣，在電感器件中，在絕緣層的兩面上形成的由銅箔制成的金屬層經(jīng)由在該絕緣層的過(guò)孔中形成的金屬鍍層而彼此連接。

在該過(guò)孔結(jié)構(gòu)中，當(dāng)產(chǎn)生熱應(yīng)力時(shí)，該應(yīng)力易于集中在絕緣層的在過(guò)孔上端處的部位。由于這個(gè)原因，在絕緣層中易于產(chǎn)生裂紋并且無(wú)法獲得足夠的過(guò)孔連接的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種用于確保電感器件中的過(guò)孔連接的高可靠性的新結(jié)構(gòu)及其制造方法，該電感器件中上下金屬層經(jīng)由過(guò)孔中的金屬鍍層而彼此連接。

根據(jù)示例性實(shí)施例的電感器件，包括：

第一絕緣層，其具有第一過(guò)孔；

第一金屬層，其形成在所述第一絕緣層的上表面上并且在所述第一過(guò)孔的上端側(cè)處具有下垂部分；

第二金屬層，其形成在所述第一絕緣層的下表面上并且具有暴露于所述第一過(guò)孔的底表面的第一連接部；和

第一金屬鍍層，其形成在所述第一過(guò)孔中并且構(gòu)造為將所述第一連接部與所述第一金屬層的所述下垂部分連接。

根據(jù)示例性實(shí)施例的一種制造電感器件的方法，包括：

制備堆疊的基底材料，其具有第一金屬層和形成在所述第一金屬層的下表面上的第一絕緣層；

通過(guò)沖壓件對(duì)所述堆疊的基底材料進(jìn)行沖壓，從而在所述第一絕緣層中形成第一過(guò)孔并且在所述第一過(guò)孔的上端側(cè)處獲得所述第一金屬層的下垂部分；

在所述第一絕緣層的下表面上形成第二金屬層，所述第二金屬層具有暴露于所述第一過(guò)孔的底表面的第一連接部；和

通過(guò)其中將所述第二金屬層用作電鍍的饋電路徑的電鍍?cè)谒龅谝贿^(guò)孔中形成第一金屬鍍層，所述第一金屬鍍層被構(gòu)造為將所述第一連接部與所述第一金屬層的所述下垂部分連接。

根據(jù)以下公開(kāi)內(nèi)容，在所述電感器件中，在具有第一過(guò)孔的第一絕緣層的上表面上形成在第一過(guò)孔的上端側(cè)處具有下垂部分的第一金屬層。此外，在第一絕緣層的下表面上形成具有暴露于第一過(guò)孔的底表面的第一連接部的第二金屬層。

在第一過(guò)孔中，形成有被構(gòu)造為將第一連接部分與第一金屬層的下垂部分連接的第一金屬鍍層。

通過(guò)采用該過(guò)孔結(jié)構(gòu)，即使當(dāng)產(chǎn)生熱應(yīng)力時(shí)，也減輕了第一絕緣層的在第一過(guò)孔的上端處的部位集中的應(yīng)力，從而可以防止從第一過(guò)孔的上端向第一絕緣層中產(chǎn)生裂紋。

因此，能夠提高電感器件的上金屬層和下金屬層的過(guò)孔連接的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1C是用于示出與引文(引文1)相關(guān)的電感器件的問(wèn)題的截面圖。

圖2A和圖2B是用于示出與引文(引文2)相關(guān)的電感器件的問(wèn)題的截面圖。

圖3A至圖3D是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其1)。

圖4A和圖4B是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其2)。

圖5是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其3)。

圖6A和圖6B是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其4)。

圖7A至圖7C是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其5)。

圖8是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其6)。

圖9A和圖9B是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其7)。

圖10是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其8)。

圖11是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其9)。

圖12是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其10)。

圖13是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其11)。

圖14是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的截面圖。

圖15是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其1)。

圖16是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其2)。

圖17是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法的截面圖(其3)。

圖18是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的電感器件的截面圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖描述示例性實(shí)施例。

在描述示例性實(shí)施例之前，首先描述作為本公開(kāi)的基礎(chǔ)的引文。應(yīng)當(dāng)注意的是，引文包括發(fā)明人的個(gè)人調(diào)查研究?jī)?nèi)容并且不是已知技術(shù)。

圖1A至圖2B示出了與引文相關(guān)的電感器件的問(wèn)題。

如圖1A所示，在與引文相關(guān)的電感器件的制造方法中，首先制備絕緣層100，其具有在上表面上形成的金屬層200和在下表面上形成的金屬層220。在必要時(shí)機(jī)對(duì)金屬層200和金屬層220進(jìn)行構(gòu)圖并且其作為線圈工作。

隨后，如圖1B所示，在金屬層200上形成具有孔狀開(kāi)口240x的阻擋層240。

隨后，如圖1C所示，通過(guò)阻擋層240的開(kāi)口240X濕法刻蝕金屬層200。隨后，移除阻擋層240。由此，金屬層200形成有開(kāi)口200x。

此外，如圖2A所示，絕緣層100被激光經(jīng)由金屬層200的開(kāi)口200x穿透，由此形成有過(guò)孔VH。此時(shí)，金屬層220保留在過(guò)孔VH的底部。

替選地，在將過(guò)孔VH形成在絕緣層100中之后，可將金屬層220接合至絕緣層100的下表面。

隨后，如圖2B所示，通過(guò)其中將金屬層220用作電鍍的饋電路徑的電鍍，從絕緣層100的過(guò)孔VH的底部開(kāi)始朝向上側(cè)形成金屬鍍層300。

因此，金屬鍍層300連接至金屬層200的開(kāi)口200x的側(cè)表面，并且金屬層220和金屬層200為過(guò)孔連接的。

在圖2B的結(jié)構(gòu)中，在伴隨有加熱處理的工藝中產(chǎn)生熱應(yīng)力時(shí)，例如，應(yīng)力易于集中在絕緣層100的在過(guò)孔VH的上端處的部位上。由于這個(gè)原因，從過(guò)孔VH的上端處的絕緣層100朝向內(nèi)部易于產(chǎn)生裂紋C，使得無(wú)法獲得足夠的過(guò)孔連接的可靠性。

此外，在過(guò)孔VH中的金屬鍍層300連接至金屬層200的下端時(shí)，電鍍的饋電區(qū)域急劇增大。因此，電鍍的每單位面積電流密度急劇減小，使得電鍍速率極大降低并且?guī)缀鯚o(wú)法根據(jù)狀況來(lái)進(jìn)行電鍍。

為此，將金屬鍍層300的上表面從金屬層200的上表面壓低，結(jié)果是無(wú)法容易地解決對(duì)于上表面?zhèn)绕教苟鹊囊蟆?/p>

稍后描述的根據(jù)示例性實(shí)施例的電感器件及其制造方法可以解決上述問(wèn)題。

(第一示例性實(shí)施例)

圖3A至圖13示出了根據(jù)第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法，圖14示出了第一示例性實(shí)施例的電感器件。下文中，在對(duì)電感器件的制造方法進(jìn)行描述時(shí)，描述電感器件的結(jié)構(gòu)。

在第一示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法中，首先制備如圖3A所示的基底材料5?；撞牧?具有形成在載體薄膜12的下表面上的絕緣層10。

作為載體薄膜12的示例，使用厚度在25μm至75μm的PET薄膜。此外，作為絕緣層10的示例，使用構(gòu)造為起到粘合層作用的厚度為8μm至15μm的環(huán)氧樹(shù)脂片。

隨后，如圖3B所示，通過(guò)模具的沖壓件沖壓基底材料5，使得基底材料5形成有在厚度方向上穿透的開(kāi)口10a。

隨后，如圖3C所示，制備厚度在10μm至35μm的金屬層20a，并且通過(guò)絕緣層10將金屬層20a接合至載體薄膜12的下表面?zhèn)?。作為金屬?0a，優(yōu)選使用銅箔。

此外，如圖3D所示，基于光刻形成用于對(duì)金屬層20a進(jìn)行構(gòu)圖的具有開(kāi)口的阻擋層(未示出)。

此外，經(jīng)由阻擋層的開(kāi)口對(duì)金屬層20a進(jìn)行濕法刻蝕(未示出)。由此，將金屬層20a構(gòu)圖為所需圖案。此時(shí)，金屬層20a的圖案形成為用于獲得最終線圈圖案的臨時(shí)圖案。

隨后，如圖4A所示，制備不同的絕緣層30。作為絕緣層30的示例，使用構(gòu)造為起到粘合層作用的厚度為5μm至30μm的環(huán)氧樹(shù)脂片。隨后，將絕緣層30接合至圖3D所示結(jié)構(gòu)的金屬層20a的下表面。

從而，如圖4B所示，絕緣層30形成在圖3D所示結(jié)構(gòu)的金屬層20a的下表面上。絕緣層30形成有嵌入金屬層20a的圖案的臺(tái)階，并且絕緣層30的下表面是平坦的。

以這種方式，制備如圖4B所示的堆疊的基底材料5a。在該堆疊的基底材料5a中，按對(duì)應(yīng)順序?qū)⒔^緣層10和載體薄膜12堆疊在金屬層20a上，并且絕緣層30形成在金屬層20a的下表面上。

以這種方式，制備了堆疊的基底材料，其至少具有絕緣層形成在金屬層的下表面上的結(jié)構(gòu)。

在載體薄膜12和絕緣層10中形成的開(kāi)口10a布置在稍后將布置過(guò)孔的區(qū)域中，并且金屬層20a的上表面在開(kāi)口10a中暴露。

隨后，制備如圖5所示那樣構(gòu)造的模具40。模具40具有用于接收工件的接收件42。此外，模具40具有用于將工件按壓在接收件42上方的按壓件44。

此外，模具40具有用于對(duì)工件進(jìn)行沖壓的沖壓件46。沖壓件46布置在按壓件44的開(kāi)口44a中。沖壓件46與移動(dòng)單元(未示出)連接，使其可以豎直地移動(dòng)。

接收件42具有開(kāi)口42a，當(dāng)對(duì)工件進(jìn)行沖壓時(shí)沖壓件46將置于開(kāi)口42a中。

隨后，如圖6A所示，圖4B所示的堆疊的基底材料5a被傳送并布置在模具40的接收件42和按壓件44之間。

此外，模具40的沖壓件46向下移動(dòng)以在厚度方向上沖壓圖4B所示的堆疊的基底材料5a的開(kāi)口10a的底部的金屬層20a和絕緣層30。隨后，圖4B所示的堆疊的基底材料5a被傳送到外部并從模具40中取出。

由此，如圖6B所示，從堆疊的基底材料5a的金屬層20a的上表面到絕緣層30的下表面的范圍的區(qū)域被穿透，使得絕緣層30形成有過(guò)孔VH。例如，過(guò)孔VH的直徑設(shè)為150μm。

在將金屬層20a夾入并固定在模具40的接收件42和按壓件44之間的情況下按壓并通過(guò)沖壓件46沖壓金屬層20a。

此時(shí)，在沖壓件46的側(cè)表面和接收件42的開(kāi)口42a的側(cè)表面之間形成空隙C。為此，當(dāng)通過(guò)沖壓件46沖壓堆疊的基底材料5a的金屬層20a時(shí)，金屬層20a的處理后表面在空隙C中向下延伸，從而在過(guò)孔VH的上端側(cè)處形成下垂部分S。例如，空隙C的尺寸可以設(shè)為10μm至20μm。

此外，過(guò)孔VH的側(cè)表面的上端側(cè)形成為凸曲面30a。金屬層20a的下垂部分S形成為覆蓋過(guò)孔VH的凸曲面30a。

由此，載體薄膜12和絕緣層10的開(kāi)口10a布置在過(guò)孔VH上方和在圍繞過(guò)孔的金屬層20a上。

隨后，如圖7A所示，制備在其上表面上形成有絕緣層50的金屬層22a。通過(guò)對(duì)銅箔進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成金屬層22a。金屬層22a的圖案形成為用于獲得最終線圈圖案的臨時(shí)圖案，類似于金屬層20a。

絕緣層50在與圖6B所示的堆疊的基底材料的過(guò)孔VH及其周?chē)鷧^(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分處形成有開(kāi)口50a。

通過(guò)制備如圖3D所示的相同結(jié)構(gòu)并將載體薄膜12從該結(jié)構(gòu)剝離來(lái)獲得在其上表面上形成有絕緣層50的金屬層22a。此外，絕緣層50由構(gòu)造為起到粘合層作用的環(huán)氧樹(shù)脂片等來(lái)形成，類似于絕緣層10和絕緣層30。

金屬層22a經(jīng)由絕緣層50接合至堆疊的基底材料5a的絕緣層30的下表面。由此，金屬層22a的連接部22x暴露于絕緣層30的過(guò)孔VH的底表面。

隨后，如圖7B所示，將載體薄膜12從圖7A的結(jié)構(gòu)剝離，從而使絕緣層10的上表面暴露。

此時(shí)，絕緣層10的開(kāi)口10a布置在過(guò)孔VH及其周?chē)鷧^(qū)域的上方，并且其他區(qū)域中的金屬層20a被絕緣層10覆蓋。

隨后，如圖7C所示，通過(guò)其中將金屬層22a用作電鍍的饋電路徑的電鍍從過(guò)孔VH的底表面開(kāi)始朝向上側(cè)形成金屬鍍層60。金屬鍍層60優(yōu)選地由銅形成。但是，也可以使用用于布線的各種金屬。

在第一示例性實(shí)施例中，在過(guò)孔VH的上端側(cè)處布置金屬層20a的下垂部分S。由于這個(gè)原因，當(dāng)從過(guò)孔VH的底表面開(kāi)始朝向上側(cè)形成金屬鍍層60時(shí)，金屬鍍層60牢固地連接至金屬層20a的下垂部分S，可靠性高。

以這種方式，金屬層22a的連接部22x和金屬層20a的下垂部分S通過(guò)金屬鍍層60彼此連接。

此外，如在引文中描述的那樣，當(dāng)具有較大面積的整個(gè)金屬層20a暴露時(shí)，在金屬鍍層60連接至金屬層20a時(shí)電鍍可能幾乎無(wú)法進(jìn)行。

但是，在第一示例性實(shí)施例中，如上所述，絕緣層10形成在金屬層20a上，并且絕緣層10的開(kāi)口10a布置在過(guò)孔VH及其周?chē)鷧^(qū)域的上方。由于這個(gè)原因，因?yàn)榻饘賹?0a的上表面除了開(kāi)口10a以外都被絕緣層10覆蓋，金屬層20a的暴露區(qū)域顯著地減小。

因此，即使在過(guò)孔VH中的金屬鍍層60連接至金屬層20a，用于電鍍的饋電的區(qū)域僅小幅增加。由于這個(gè)原因，不會(huì)出現(xiàn)電鍍的每單位面積電流密度急劇減小和電鍍速度極大降低的問(wèn)題。

因此，即使在過(guò)孔VH中的金屬鍍層60連接至金屬層20a之后，也可以在絕緣層10的開(kāi)口10a中的金屬層20a的上表面上形成金屬鍍層60。

以這種方式，從過(guò)孔VH到絕緣層10的開(kāi)口10a牢靠地填充金屬鍍層60。金屬鍍層60的上表面和絕緣層10的上表面變得彼此齊平，從而可以確保上表面?zhèn)鹊钠教苟取?/p>

通過(guò)以上處理，如圖7C所示，制造出用于建立電感器件的一個(gè)第一單位基底材料3a。

例如，在金屬鍍層60的從過(guò)孔VH的底表面至金屬層20a的上表面的高度H1設(shè)為80μm(過(guò)孔VH的高度設(shè)為50μm并且金屬層20a的厚度設(shè)為30μm)并且金屬鍍層的直徑D1(換言之，過(guò)孔VH的直徑)設(shè)為150μm的情況下，下垂部分S的尺寸在平面方向上設(shè)為30μm(W2)(其實(shí)質(zhì)上是金屬鍍層60的直徑D1的20％)并且在高度方向上設(shè)為15μm(H2)(其實(shí)質(zhì)上是金屬鍍層60的高度H1的20％)。

隨后，描述將與圖7C的第一單位基底材料3a相同的單位基底材料進(jìn)行堆疊以制造電感器件的方法。

圖8示出了圖7C的第一單位基底材料3a的整體形狀。在圖8的截面圖中，形象化地示出了與圖7C的截面圖不同位置的截面。

如圖8所示，在第一單位基底材料3a中，與一端側(cè)E1處的過(guò)孔VH中的金屬鍍層60連接的金屬層20a的圖案延伸至另一端側(cè)E2。在絕緣層10的另一端側(cè)E2處，用于連接的開(kāi)口10b形成在金屬層20a的連接部上。

此外，制備要堆疊在第一單位基底材料3a上的第二單位基底材料3b。在第二單位基底材料3b中，絕緣層10形成在金屬層20a上，并且絕緣層30形成在金屬層20a的下表面上。

此外，在第二單位基底材料3b中，過(guò)孔VH布置在另一端側(cè)E2處，并且金屬層20a的下垂部分S形成在過(guò)孔VH的上端側(cè)處。

在圖8的示例中，為了便于對(duì)描述進(jìn)行理解，示出了一端側(cè)E1和另一端側(cè)E2。但是，只要第一單位基底材料3a的過(guò)孔VH和第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH布置在不同位置處即可。

此外，在第二單位基底材料3b中，絕緣層10的開(kāi)口10a形成在過(guò)孔VH及其周?chē)鷧^(qū)域的上方。此外，絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b形成在一端側(cè)E1處。

通過(guò)將載體薄膜12從圖6B的堆疊件剝離來(lái)制造第二單位基底材料3b。

第一單位基底材料3a的用于連接的開(kāi)口10b布置為對(duì)應(yīng)于第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH及其周?chē)鷧^(qū)域。

這樣，第二單位基底材料3b具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中與第一單位基底材料3a相比省略了絕緣層50、金屬層22a和金屬鍍層60，并且過(guò)孔VH布置在相對(duì)側(cè)。

如圖9A所示，第二單位基底材料3b堆疊在第一單位基底材料3a上。第一單位基底材料3a的上絕緣層10和第二單位基底材料3b的下絕緣層30彼此接合，從而使這兩個(gè)絕緣層固定。

此時(shí)，第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH布置在第一單位基底材料3a的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20a上。

隨后，如圖9B所示，利用金屬層22a執(zhí)行電鍍，第一單位基底材料3a的金屬鍍層60和金屬層20a被用作電鍍的饋電路徑。因此，與圖7C的處理類似，在第二單位基底材料3b過(guò)孔VH中從底表面朝向上側(cè)形成金屬鍍層60。第一單位基底材料3a的金屬層20a通過(guò)金屬鍍層60連接至第二單位基底材料3b的金屬層20a。

同樣在該處理中，在第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH中形成的金屬鍍層60的上表面與絕緣層10的上表面齊平，從而獲得平坦表面。

隨后，如圖10所示，制備與第二單位基底材料3b相反并且過(guò)孔VH形成在一端側(cè)E1的第三單位基底材料3c。第三單位基底材料3c的層結(jié)構(gòu)與第二單位基底材料3b相同。

隨后，將第三單位基底材料3c堆疊在第二單位基底材料3b上，使得第三單位基底材料3c的過(guò)孔VH布置在第二單位基底材料3b的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20a上。

此外，類似于圖9B的處理，通過(guò)其中將第二單位基底材料3b的金屬層20a用作電鍍的饋電路徑的電鍍?cè)诘谌龁挝换撞牧?c的過(guò)孔VH中形成金屬鍍層60。

由此，第二單位基底材料3b的金屬層20a經(jīng)由金屬鍍層60連接至第三單位基底材料3c的金屬層20a。

此外，如圖11所示，制備具有與第二單位基底材料3b相同結(jié)構(gòu)的第四單位基底材料3d。隨后，類似于堆疊第二單位基底材料3b，在將第四單位基底材料3d堆疊在第三單位基底材料3c上之后，在第四單位基底材料3d的過(guò)孔VH中形成金屬鍍層60。

此外，如圖11所示，制備具有與第三單位基底材料3c相同結(jié)構(gòu)的第五單位基底材料3e。隨后，類似于堆疊第三單位基底材料3c，在將第五單位基底材料3e堆疊在第四單位基底材料3d上之后，在第五單位基底材料3e的過(guò)孔VH中形成金屬鍍層60。

以這種方式，獲得堆疊了第一至第五單位基底材料3a至3e的堆疊的單位基底材料2a。

隨后，如圖12所示，對(duì)堆疊的單位基底材料2a的中央部分進(jìn)行穿孔以形成開(kāi)口3x。此外，對(duì)堆疊的單位基底材料2a的外觀進(jìn)行處理和修整。例如，從平面圖看時(shí)，開(kāi)口3x具有矩形或圓形形狀。

開(kāi)口3x形成在堆疊的單位基底材料2a的中央部分處，從而移除了堆疊的金屬層20a、22a中每一個(gè)的圖案的不需要部分，并且形成了設(shè)計(jì)規(guī)范的線圈圖案。

以這種方式，獲得用作第一至第五單位基底材料3a至3e的線圈的金屬層20、22。例如，從平面圖中看時(shí)，金屬層20、22堆疊在開(kāi)口3x的周?chē)鷧^(qū)域中以具有螺旋形圖案。

此外，堆疊的金屬層20、22的切割表面在堆疊的單位基底材料2a的開(kāi)口3x的內(nèi)表面上豎直整齊地暴露。

隨后，如圖13所示，選擇性地在堆疊的單位基底材料2a的上下表面、外周面和從開(kāi)口3x的內(nèi)表面暴露的金屬層20、22上形成絕緣層70。在圖13中，電鍍抵抗劑(electrodeposition resist)被用作絕緣層70。

替代性地，可以通過(guò)用深度涂覆(deep coating)、旋轉(zhuǎn)涂覆或噴涂在堆疊的單位基底材料2a的上下表面、外周面和開(kāi)口3x的整個(gè)內(nèi)表面上涂覆樹(shù)脂來(lái)形成所述絕緣層。

由此，獲得具有在厚度方向上穿透其中央部分的開(kāi)口3x的堆疊的線圈件2。

此外，如圖14所示，將磁性體原料粉末放入模具中并受到加壓成型，使得圖13所示的堆疊的線圈件2的開(kāi)口3x和整個(gè)外表面被磁性體72密封。隨后，提供外部端子(未示出)，其將與堆疊的金屬層20、22的一端部和另一端部連接。

通過(guò)上述處理，獲得了第一示例性實(shí)施例的電感器件1。

如圖14所示，第一示例性實(shí)施例的電感器件1具有堆疊的線圈件2，該堆疊的線圈件2在中央部分處設(shè)有開(kāi)口3x。堆疊的線圈件2在最下部處具有第一單位基底材料3a。

如圖14的局部放大截面圖所示，第一單位基底材料3a具有構(gòu)造為起到粘合層作用的絕緣層30，并且絕緣層30形成有在厚度方向上穿透的過(guò)孔VH。過(guò)孔VH形成在絕緣層30的一端側(cè)E1處。第一絕緣層的示例是第一單位基底材料3a的絕緣層30。此外，第一過(guò)孔的示例是第一單位基底材料3a的過(guò)孔VH。

在絕緣層30上，形成了金屬層20。金屬層20的下垂部分S布置在過(guò)孔VH的上端側(cè)處。過(guò)孔VH的上端側(cè)被構(gòu)造為凸曲面30a，并且金屬層20的下垂部分S覆蓋絕緣層30的凸曲面30a。第一金屬層的示例是第一單位基底材料3a的金屬層20。

此外，在金屬層20上形成了絕緣層10，絕緣層10具有布置在過(guò)孔VH上方和在過(guò)孔VH的周?chē)鷧^(qū)域上方的開(kāi)口10a。第二絕緣層的示例是第一單位基底材料3a的絕緣層10。

此外，在絕緣層30下方，經(jīng)由絕緣層50接合了金屬層22。形成金屬層22以封蓋過(guò)孔VH。金屬層22的連接部22x暴露于過(guò)孔VH的底表面。第二金屬層的示例是第一單位基底材料3a的金屬層22。

在過(guò)孔VH中，填充了構(gòu)造為將金屬層22與金屬層20的下垂部分S連接的金屬鍍層60。金屬鍍層60形成在從過(guò)孔VH至絕緣層10的開(kāi)口10a的范圍的區(qū)域內(nèi)，并且形成為覆蓋開(kāi)口10a中的金屬層20的上表面。第一金屬鍍層的示例是第一單位基底材料3a的金屬鍍層60。

金屬鍍層60的上表面和絕緣層10的上表面彼此齊平，使得第一單位基底材料3a的上表面?zhèn)缺粯?gòu)造為平坦表面。

當(dāng)為了連接至安裝襯底而對(duì)電感器件1的焊料進(jìn)行回流加熱時(shí)、當(dāng)實(shí)際使用電感器件1時(shí)等，在電感器件1中產(chǎn)生熱應(yīng)力。

在用于建立第一示例性實(shí)施例的電感器件1的第一單位基底材料3a中，過(guò)孔VH的上端側(cè)被構(gòu)造為凸曲面30a，并且金屬層20的下垂部分S覆蓋凸曲面30a。

此外，由于金屬鍍層60被連接至包括金屬層20的下垂部分S的側(cè)表面和周?chē)媳砻?，因此可以增加金屬鍍?0和金屬層20之間的接觸面積。

由于這個(gè)原因，即使當(dāng)產(chǎn)生熱應(yīng)力時(shí)，也減輕了要集中在絕緣層30在過(guò)孔VH的上端的部位的應(yīng)力，從而可以防止從過(guò)孔VH的上端向絕緣層30內(nèi)產(chǎn)生裂紋。

以這種方式，第一示例性實(shí)施例的電感器件1對(duì)熱應(yīng)力魯棒，從而可以改進(jìn)過(guò)孔連接的可靠性。

此外，由于金屬層20的下垂部分S布置在過(guò)孔VH的上端側(cè)，當(dāng)從過(guò)孔VH的底表面朝向上側(cè)形成金屬鍍層60時(shí)，金屬鍍層60牢固地連接至金屬層20的下垂部分S，可靠性高。

此外，如上在制造方法中描述的那樣，金屬層20的上表面除了絕緣層10的開(kāi)口10a之外覆蓋有絕緣層10。

由于這個(gè)原因，當(dāng)在過(guò)孔VH中形成金屬鍍層60時(shí)，雖然金屬鍍層60連接至金屬層20，也不會(huì)發(fā)生電鍍速率極大降低的問(wèn)題。

結(jié)果，絕緣層10的開(kāi)口10a中的金屬層20的上表面形成有金屬鍍層60，從而確保了上端側(cè)的平坦度。

此外，在第一單位基底材料3a的另一端側(cè)E2處，在金屬層20的連接部20x上的絕緣層10中形成用于連接的開(kāi)口10b。

在第一單位基底材料3a上，堆疊了第二單位基底材料3b。第二單位基底材料3b具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中與第一單位基底材料3a的結(jié)構(gòu)相比省略了絕緣層50和金屬層22，并且過(guò)孔VH的周?chē)Y(jié)構(gòu)與第一基底材料3a相同，在第二單位基底材料3b中，過(guò)孔VH布置在另一端側(cè)E2處。

第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH布置在第一單位基底材料3a的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20上。同樣地，第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH中形成有構(gòu)造為將第一單位基底材料3a的金屬層20和第二單位基底材料3b的金屬層20彼此連接的金屬鍍層60。

第三絕緣層的示例是第二單位基底材料3b的絕緣層30。第二過(guò)孔的示例是第二單位基底材料3b的過(guò)孔VH。此外，第三金屬層的示例是第二單位基底材料3b的金屬層20。此外，第二金屬鍍層的示例是第二單位基底材料3b的金屬鍍層60。

此外，第三單位基底材料3c堆疊在第二單位基底材料3b上。第三單位基底材料3c具有與第二單位基底材料3b實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。但是，過(guò)孔VH被布置在一端側(cè)E1處。

第三單位基底材料3c的過(guò)孔VH布置在第二單位基底材料3b的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20上。同樣地，第三單位基底材料3c的過(guò)孔VH中形成有構(gòu)造為將第二單位基底材料3b的金屬層20和第三單位基底材料3c的金屬層20彼此連接的金屬鍍層60。

同樣地，第四單位基底材料3d堆疊在第三單位基底材料3c上。第四單位基底材料3d具有與第二單位基底材料3b相同的結(jié)構(gòu)，并且過(guò)孔VH被布置在另一端側(cè)E2處。

第四單位基底材料3d的過(guò)孔VH布置在第三單位基底材料3c的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20上。同樣地，第四單位基底材料3d的過(guò)孔VH中形成有構(gòu)造為將第三單位基底材料3c的金屬層20和第四單位基底材料3d的金屬層20連接的金屬鍍層60。

同樣地，第五單位基底材料3e堆疊在第四單位基底材料3d上。第五單位基底材料3e具有與第三單位基底材料3c相同的結(jié)構(gòu)，并且過(guò)孔VH被布置在一端側(cè)E1處。

第五單位基底材料3e的過(guò)孔VH布置在第四單位基底材料3d的絕緣層10的用于連接的開(kāi)口10b中的金屬層20上。同樣地，第五單位基底材料3e的過(guò)孔VH中形成有構(gòu)造為將第四單位基底材料3d的金屬層20和第五單位基底材料3e的金屬層20彼此連接的金屬鍍層60。

第一至第五堆疊的單位基底材料3a至3e的中央部分形成有穿透從上表面到下表面的范圍的區(qū)域的開(kāi)口3x，從而建立了堆疊的線圈件2。此外，選擇性地在堆疊的線圈件2的上下表面、外周面和從開(kāi)口3x的內(nèi)表面暴露的金屬層20、22上形成絕緣層70。

此外，用磁性體72密封堆疊的線圈件2的上下表面、外周面和開(kāi)口3x的內(nèi)表面。

以這種方式，第一示例性實(shí)施例的電感器件1具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中堆疊的線圈件2的各金屬層20、22經(jīng)由過(guò)孔VH中的金屬鍍層60而彼此連接。第一至第五單位基底材料3a至3e的各過(guò)孔VH優(yōu)選地布置在下金屬層20、22的連接部上并且可以布置在任意位置處。

在電感器件1中，開(kāi)口3x設(shè)置在堆疊的線圈件2的中央部分處，并且用磁性體72不僅密封堆疊的線圈件2的外表面而且密封開(kāi)口3x的內(nèi)表面。

由于這個(gè)原因，與不形成開(kāi)口3x的構(gòu)造相比，堆疊的線圈件2的更多部分被磁性體72密封，從而增加了電感。例如，電感器件1用于電子裝置的電壓轉(zhuǎn)換電路。

如上所述，在第一示例性實(shí)施例的電感器件1中，堆疊的線圈件2的各個(gè)過(guò)孔VH的上端側(cè)被構(gòu)造為凸曲面30a，并且凸曲面30a被金屬層20的下垂部分S覆蓋。

由于這個(gè)原因，即使當(dāng)產(chǎn)生熱應(yīng)力時(shí)，也減輕了要集中在各個(gè)過(guò)孔VH的上端的應(yīng)力，從而可以防止從過(guò)孔VH的上端向絕緣層30內(nèi)產(chǎn)生裂紋。由此，可以改善電感器件1中過(guò)孔連接的可靠性。

(第二示例性實(shí)施例)

圖15至圖17示出了制造第二示例性實(shí)施例的電感器件的方法，并且圖18示出了第二示例性實(shí)施例的電感器件。在第二示例性實(shí)施例中，與第一示例性實(shí)施例相同的處理和元件用相同的附圖標(biāo)記表示，并且省略其詳細(xì)描述。

在第二示例性實(shí)施例的電感器件的制造方法中，如圖15所示，圖11中示出的第一示例性實(shí)施例的堆疊的單位基底材料2a中的第一至第五單位基底材料3a至3e中的每個(gè)過(guò)孔VH被形成為例如從一端側(cè)向中央部分延伸，從而具有細(xì)長(zhǎng)的形狀。

當(dāng)在堆疊的單位基底材料2a中形成開(kāi)口時(shí)，優(yōu)選地將過(guò)孔布置為使得在過(guò)孔中切割開(kāi)口。

隨后，如圖16所示，通過(guò)對(duì)包括圖15的堆疊的基底材料2a的各個(gè)過(guò)孔VH的內(nèi)部分在內(nèi)的中央部分進(jìn)行穿孔來(lái)形成開(kāi)口3x。

從而，第一至第五單位基底材料3a至3e的過(guò)孔VH中的金屬鍍層60的側(cè)表面暴露于開(kāi)口3x的內(nèi)表面。此外，移除了金屬層20a、22a中每一個(gè)的圖案的不需要部分，從而獲得用作線圈的金屬層20、22。

隨后，如圖17所示，與圖13中示出的第一示例性實(shí)施例的處理類似，選擇性地在堆疊的線圈件2的上下表面、外周面、從開(kāi)口3x的內(nèi)表面暴露的金屬層20、22和金屬鍍層60上形成絕緣層70。由此，獲得堆疊的線圈件2。

隨后，如圖18所示，與圖14中示出的第一示例性實(shí)施例類似，用磁性體72密封圖17中示出的堆疊的線圈件2的開(kāi)口3x和整個(gè)外表面。

通過(guò)上述處理，制造了第二示例性實(shí)施例的電感器件1a。在第二示例性實(shí)施例的電感器件1a中，與第一示例性實(shí)施例的電感器件1(圖14)類似，堆疊的線圈件2的金屬層20、22經(jīng)由過(guò)孔VH中的金屬鍍層60而彼此連接。

第二示例性實(shí)施例的電感器件1a的各個(gè)過(guò)孔VH以內(nèi)側(cè)表面敞開(kāi)的方式形成。

與第一示例性實(shí)施例類似，金屬層20的下垂部分布置在堆疊的線圈件2的各個(gè)過(guò)孔VH的上端側(cè)處，并且在各個(gè)過(guò)孔VH中形成金屬鍍層60。

第二示例性實(shí)施例的電感器件具有與第一示例性實(shí)施例相同的效果。

此外，在第二示例性實(shí)施例中，采用了其中過(guò)孔VH中的金屬鍍層60的側(cè)表面暴露于開(kāi)口3x的內(nèi)表面的結(jié)構(gòu)，從而可以拓寬過(guò)孔導(dǎo)體的寬度。由此，可以減小過(guò)孔連接的電阻并且改善電連接的可靠性。