示例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。更具體地，示例實(shí)施方式涉及垂直型存儲(chǔ)器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

在垂直型存儲(chǔ)器件中，垂直的溝道圖案和襯底可以彼此電連接。然而，隨著垂直溝道圖案的縱橫比增加，垂直溝道圖案和襯底之間的電連接可能更加困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例實(shí)施方式提供具有良好電特性的半導(dǎo)體器件。

示例實(shí)施方式提供制造具有良好電特性的半導(dǎo)體器件的方法。

根據(jù)示例實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括：襯底；交替并重復(fù)堆疊在襯底上的多個(gè)絕緣圖案和多個(gè)柵極；在基本垂直于襯底上表面的第一方向延伸穿過(guò)柵極的溝道圖案；在溝道圖案和襯底之間的半導(dǎo)體圖案；以及在溝道圖案和半導(dǎo)體圖案之間的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案將溝道圖案電連接到半導(dǎo)體圖案。導(dǎo)電圖案可以接觸溝道圖案的底部邊緣和半導(dǎo)體圖案的上表面。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案可以包括多晶硅。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案可以接觸溝道圖案的底部邊緣。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案可以直接接觸溝道圖案的底部邊緣和下部側(cè)壁。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以形成在溝道圖案和半導(dǎo)體圖案之間。絕緣結(jié)構(gòu)可以接觸導(dǎo)電圖案的內(nèi)部側(cè)壁。

在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以在溝道圖案和柵極之間。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以包括隧道絕緣圖案、電荷存儲(chǔ)圖案和阻擋圖案。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以包括與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中的材料相同的材料。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以包括在半導(dǎo)體圖案上的第一圖案、第二圖案和第三圖案。第一、第二和第三圖案分別具有與阻擋圖案、電荷存儲(chǔ)圖案和隧道絕緣圖案中的材料相同的材料。

在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以沿溝道圖案的側(cè)壁延伸，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以具有空心圓柱狀。

在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以與半導(dǎo)體圖案的上表面間隔開(kāi)。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案可以接觸溝道圖案的底部邊緣、溝道圖案的下部側(cè)壁以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的底部。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)堆疊圖案，堆疊圖案中的至少一個(gè)可以在橫向方向上從堆疊圖案中不同的一個(gè)突出。

在示例實(shí)施方式中，每個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)的堆疊圖案的寬度可以小于溝道圖案的底部的寬度。

在示例實(shí)施方式中，下柵極可以圍繞半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁，下柵極可以在平行于襯底上表面的方向上延伸。

根據(jù)示例實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括：襯底；襯底上的多個(gè)柵極，柵極在基本垂直于襯底上表面的第一方向上彼此間隔開(kāi)并且與襯底間隔開(kāi)；在第一方向延伸穿過(guò)柵極的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)與襯底的上表面間隔開(kāi)，溝道結(jié)構(gòu)包括溝道圖案和沿溝道圖案的側(cè)壁延伸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；以及在溝道圖案和襯底之間的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案將溝道圖案電連接到襯底。導(dǎo)電圖案可以接觸溝道圖案的底部邊緣和襯底的上表面。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以在溝道圖案和襯底之間，絕緣結(jié)構(gòu)可以接觸導(dǎo)電圖案的內(nèi)部側(cè)壁。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以包括堆疊圖案，堆疊圖案可以包括與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中的材料相同的材料。

在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的底部可以在溝道圖案的底部的上方。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件還可以包括在襯底和導(dǎo)電圖案之間的半導(dǎo)體圖案，以及圍繞半導(dǎo)體圖案的側(cè)壁的下柵極。下柵極可以在平行于襯底上表面的方向上延伸。

根據(jù)示例實(shí)施方式，提供制造半導(dǎo)體器件的方法。本方法包括：在襯底上形成一結(jié)構(gòu)，這里該結(jié)構(gòu)包括順序堆疊的第一模制結(jié)構(gòu)、下部犧牲圖案和第二模制結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)限定穿過(guò)其的溝道孔，該溝道孔暴露出襯底；在溝道孔的下部中形成半導(dǎo)體圖案，半導(dǎo)體圖案接觸襯底；在溝道孔中順序形成初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和溝道圖案；去除下部犧牲圖案以形成暴露初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第一間隙；在溝道圖案的側(cè)壁上形成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和在溝道圖案的底部上形成絕緣結(jié)構(gòu)，形成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和形成絕緣結(jié)構(gòu)包括通過(guò)第一間隙部分蝕刻初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)直到溝道圖案的側(cè)壁被暴露；以及沿絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成導(dǎo)電圖案；以及在襯底上形成第一柵極和多個(gè)第二柵極。導(dǎo)電圖案將溝道圖案電連接到半導(dǎo)體圖案。圍繞半導(dǎo)體圖案并在基本平行于襯底上表面的第二方向延伸的第一柵極可以被形成。每個(gè)第二柵極可以圍繞數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，并且可以在第二方向延伸。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案的上表面可以形成在下部犧牲圖案的上表面和下部犧牲圖案的下表面之間。

在示例實(shí)施方式中，形成半導(dǎo)體圖案可以利用外延生長(zhǎng)工藝形成如單晶半導(dǎo)體的半導(dǎo)體圖案。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲圖案可以包括相對(duì)第一模制結(jié)構(gòu)、第二模制結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體圖案和溝道圖案具有蝕刻選擇性的材料。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲圖案可以包括摻雜硅氧化物和硅鍺之一。

在示例實(shí)施方式中，去除下部犧牲圖案可以包括穿過(guò)第一模制結(jié)構(gòu)、下部犧牲圖案和第二模制結(jié)構(gòu)形成第一開(kāi)口。去除下部犧牲圖案還可以包括各向同性地蝕刻由第一開(kāi)口暴露的下部犧牲圖案以形成第一間隙。

在示例實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電圖案可以包括：沿第一開(kāi)口和第一間隙的內(nèi)壁共形地形成導(dǎo)電層以及各向同性地并部分地蝕刻導(dǎo)電層使得導(dǎo)電層留在絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。

在示例實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電圖案之后第二絕緣圖案可以被進(jìn)一步形成以填充第一間隙。

在示例實(shí)施方式中，每個(gè)第一和第二模制結(jié)構(gòu)可以包括交替并重復(fù)堆疊的第一絕緣層和第一犧牲層，第一犧牲層可以相對(duì)第一絕緣層具有蝕刻選擇性。

在示例實(shí)施方式中，形成第一柵極和第二柵極可以包括通過(guò)去除在第一和第二模制結(jié)構(gòu)中的第一犧牲層形成第二間隙和第三間隙、分別在第二間隙中形成第一柵極以及在第三間隙中形成第二柵極。第二間隙可以在第一模制結(jié)構(gòu)中。第三間隙可以在第二模制結(jié)構(gòu)中。

根據(jù)示例實(shí)施方式，提供制造半導(dǎo)體器件的方法。本方法可以包括在襯底上形成一結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可以包括順序堆疊的下部犧牲圖案和模制結(jié)構(gòu)，并且可以限定穿過(guò)其暴露襯底的溝道孔。本方法還可以包括在溝道孔中順序形成初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和溝道圖案；去除下部犧牲圖案以形成暴露初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第一間隙；在溝道圖案的側(cè)壁上形成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及在溝道圖案的底部上形成絕緣結(jié)構(gòu)；在絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成導(dǎo)電圖案；以及形成多個(gè)柵極。形成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和絕緣結(jié)構(gòu)可以包括通過(guò)第一間隙部分蝕刻初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電圖案可以將溝道圖案電連接到襯底。多個(gè)柵極可以被形成。每個(gè)柵極可以圍繞數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，并且可以在基本平行于襯底上表面的第二方向延伸。

在示例實(shí)施方式中，溝道圖案的底部可以在下部犧牲圖案的上表面的下方。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲圖案直接可以接觸襯底。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲圖案可以包括相對(duì)模制結(jié)構(gòu)、溝道圖案和襯底具有蝕刻選擇性的材料。

在示例實(shí)施方式中，當(dāng)下部犧牲圖案被去除時(shí)，第一開(kāi)口可以穿過(guò)模制結(jié)構(gòu)和下部犧牲圖案形成。由第一開(kāi)口暴露的下部犧牲圖案可以被各向同性地蝕刻以形成第一間隙。

在示例實(shí)施方式中，當(dāng)導(dǎo)電圖案被形成時(shí)，導(dǎo)電層可以被共形地沿第一開(kāi)口和第一間隙的內(nèi)壁形成。導(dǎo)電層可以被各向同性地和部分地蝕刻使得導(dǎo)電層留在絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。

在示例實(shí)施方式中，部分蝕刻初始數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以利用各向同性蝕刻工藝被執(zhí)行。

根據(jù)示例實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括：襯底；在襯底上的溝道圖案，溝道圖案在垂直于襯底上表面的第一方向上延伸；在襯底和溝道圖案的底面的邊緣部分之間的導(dǎo)電圖案，導(dǎo)電圖案通過(guò)溝道圖案的底面的邊緣部分電連接到溝道圖案；圍繞溝道圖案的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)；以及圍繞數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的多個(gè)柵極。在襯底上方多個(gè)柵極在第一方向上彼此間隔開(kāi)。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以在襯底和溝道圖案的底面的中央部分之間。導(dǎo)電圖案可以圍繞絕緣結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)可以包括順序堆疊在彼此上面并由導(dǎo)電圖案圍繞的第一圖案、第二圖案和第三圖案。第二圖案的寬度可以與第一和第三圖案的寬度不同。

在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以包括隧道絕緣圖案、電荷存儲(chǔ)圖案和阻擋圖案。第一到第三圖案可以分別包括與阻擋圖案、電荷存儲(chǔ)圖案和隧道絕緣圖案相同的材料。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上的半導(dǎo)體圖案。導(dǎo)電圖案可以在半導(dǎo)體圖案上面，導(dǎo)電圖案可以將溝道圖案電連接到半導(dǎo)體圖案。

根據(jù)示例實(shí)施方式，半導(dǎo)體圖案和溝道圖案可以在第一方向上彼此間隔開(kāi)，并且可以通過(guò)連接結(jié)構(gòu)彼此電連接。因此，半導(dǎo)體圖案和溝道圖案之間的斷路故障可以減少。

附圖說(shuō)明

由以下附圖中示出的非限制性實(shí)施方式的詳細(xì)描述，示例實(shí)施方式將被更加清楚地理解，附圖中相同參考符號(hào)在不同視圖中始終指代相同部分。附圖不必需是按比例的。而是重點(diǎn)放在示出本發(fā)明構(gòu)思的原理上。附圖中：

圖1、2A、2B和3是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的垂直型半導(dǎo)體器件的截面圖、透視圖和平面圖。

圖4至6的每一個(gè)是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的垂直型半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖7至21是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

圖22和23是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖24至31是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

圖32是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的系統(tǒng)的示意結(jié)構(gòu)的方框圖。

具體實(shí)施方式

參考在其中示出一些示例實(shí)施方式的附圖，在下文中將更加全面地描述不同示例實(shí)施方式。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以多種不同形式被實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)被理解為限于這里闡述的示例實(shí)施方式。而是，這些示例實(shí)施方式被提供使得本說(shuō)明充分和完整，且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清晰可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。

可以理解當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”、“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在其他元件或?qū)由稀⒅苯舆B接或聯(lián)接到其它元件或?qū)?，或可以存在中間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，則沒(méi)有中間元件或?qū)哟嬖?。用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其他詞語(yǔ)應(yīng)該以類(lèi)似的方式理解(例如“在……之間”和“直接在……之間”，“相鄰”和“直接相鄰”)。通篇相同的標(biāo)號(hào)指示相同的元件。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合。

可以理解雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三、第四等可以在此用來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。

在這里為了描述的方便，可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來(lái)描述一個(gè)元件或特征和另一(另一些)元件或特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語(yǔ)“下方”可以包含上方和下方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。

這里使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述具體實(shí)施例，并不打算限制本發(fā)明。如這里所使用的，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非文中明確指出為另外的意思。可以進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包括……的”的時(shí)候，說(shuō)明所述特征、整件、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除存在或者添加一個(gè)或者更多特征、整件、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。當(dāng)諸如“……的至少一個(gè)”的表達(dá)在一列元件之前時(shí)，修飾整列元件而不修飾該列中的單獨(dú)元件。

參考截面圖示在這里描述了示例實(shí)施例，該圖示是理想示例實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，示例實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)可以通常具有倒圓或曲線(xiàn)的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，通過(guò)注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起在埋入?yún)^(qū)和通過(guò)其產(chǎn)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀且不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明構(gòu)思所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解相同的意思。還應(yīng)理解，諸如那些在通常使用的詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)技術(shù)背景中一致的意思，且不應(yīng)解釋為理想化或過(guò)度正式的意思，除非清楚地如此定義。

雖然一些截面圖的相應(yīng)平面圖和/或透視圖未被示出，這里示出的器件結(jié)構(gòu)的截面圖提供對(duì)沿著如將在平面圖中示出的兩個(gè)不同方向和/或沿著如將在透視圖中示出的三個(gè)不同方向延伸的多個(gè)器件結(jié)構(gòu)的支持。所述兩個(gè)不同方向可以是或可以不是彼此正交的。所述三個(gè)不同方向可以包括與所述兩個(gè)不同方向正交的第三方向。多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以被集成在相同電子設(shè)備中。例如，當(dāng)器件結(jié)構(gòu)(例如存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))在截面圖中被示出時(shí)，電子設(shè)備可以包括多個(gè)器件結(jié)構(gòu)(例如存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或晶體管結(jié)構(gòu))，如將由電子設(shè)備的平面圖示出的。多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以布置成陣列和/或二維圖案。

圖1、2A、2B和3是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的垂直型半導(dǎo)體器件的截面圖、透視圖和平面圖。圖4、5和6的每一個(gè)是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的垂直型半導(dǎo)體器件的截面圖。

具體地，圖1是沿圖3的線(xiàn)Ⅰ-Ⅰ’截取的截面圖。圖2A是圖1中部分“A”的放大截面圖，圖2B是圖2A中部分“B”的局部剖面透視圖。圖3示出溝道結(jié)構(gòu)的布局圖。圖4至6的每一個(gè)示出圖1中部分“A”的放大截面圖。

在本說(shuō)明書(shū)的所有附圖中，基本垂直于襯底頂表面的方向被稱(chēng)作第一方向，基本平行于襯底頂表面并且基本彼此垂直的兩個(gè)方向分別被稱(chēng)作第二方向和第三方向。另外，圖中由箭頭指示的方向和與其相反的方向被認(rèn)為是相同方向。

參考圖1、2A、2B和3，絕緣中間層和柵極可以被交替并重復(fù)地形成在襯底100上。溝道圖案146a可以在第一方向延伸。半導(dǎo)體圖案130可以形成在襯底100上，并且可以形成在溝道圖案146a下面。連接結(jié)構(gòu)171可以形成在半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a之間，并且可以電連接半導(dǎo)體圖案130與溝道圖案146a。連接結(jié)構(gòu)171可以包括接觸溝道圖案146a的底部邊緣并接觸半導(dǎo)體圖案130的上表面的導(dǎo)電圖案170a。

襯底100可以包括例如硅、鍺等的半導(dǎo)體材料、或絕緣體上半導(dǎo)體(例如，二氧化硅上硅)。

半導(dǎo)體圖案130可以具有柱狀。在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130可以包括單晶材料，例如單晶硅?？商鎿Q地，半導(dǎo)體圖案130可以包括諸如多晶硅的多晶材料。半導(dǎo)體圖案130可以由雜質(zhì)摻雜或可以無(wú)摻雜。

半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有各種形狀。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以是基本平坦的。在這種情況下，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有基本相同的高度，而不考慮其位置，如圖2A和2B所示。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以包括突出部分。例如，半導(dǎo)體圖案130的中央部分可以從半導(dǎo)體圖案130的邊緣部分突出，如圖4所示。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面根據(jù)它的位置可以具有不同高度。例如，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有一斜面，如圖5所示。

在示例實(shí)施方式中，溝道圖案146a可以具有杯狀，溝道圖案146a的底部可以接觸連接圖案171。填充絕緣圖案148a可以形成在溝道圖案146a上以填充由具有杯狀的溝道圖案146a形成的內(nèi)部空間。在示例實(shí)施方式中，溝道圖案146a可以包括多晶硅，填充絕緣圖案148a可以包括硅氧化物，但示例實(shí)施方式不限于此。溝道圖案146a可以由雜質(zhì)摻雜。

在示例實(shí)施方式中，溝道圖案146a可以具有柱狀。在這種情況下，填充絕緣圖案148a可以不形成在溝道圖案146a上。

溝道圖案146a的底部可以與半導(dǎo)體圖案130的上表面交疊。溝道圖案146a的底部的寬度可以小于半導(dǎo)體圖案130的上表面的寬度。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以沿溝道圖案146a的外部側(cè)壁布置。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以包括隧道絕緣圖案144b、電荷存儲(chǔ)圖案142b和第一阻擋圖案140c。每個(gè)隧道絕緣圖案144b、電荷存儲(chǔ)圖案142b和第一阻擋圖案140c可以具有空心圓柱狀。

在示例實(shí)施方式中，隧道絕緣圖案144b可以包括氧化物，例如硅氧化物。電荷存儲(chǔ)圖案142b可以包括氮化物，例如硅氮化物。第一阻擋圖案140c可以包括氧化物，例如硅氧化物。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以與半導(dǎo)體圖案130的上表面間隔開(kāi)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145的底部可以高于溝道圖案146a的底部。

連接結(jié)構(gòu)171可以在第一方向上形成在半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a之間。因此，半導(dǎo)體圖案130、連接結(jié)構(gòu)171和溝道圖案146a可以被順序堆疊，并且可以形成具有柱狀的溝道結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a可以被電連接到襯底100。

連接結(jié)構(gòu)171可以包括導(dǎo)電圖案170a和絕緣結(jié)構(gòu)165。絕緣結(jié)構(gòu)165可以接觸導(dǎo)電圖案170a的內(nèi)部側(cè)壁，并且可以形成在溝道圖案146a和半導(dǎo)體圖案130之間。

導(dǎo)電圖案170a可以具有空心圓柱狀，并且可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣和半導(dǎo)體圖案130的上表面。絕緣結(jié)構(gòu)165可以接觸溝道圖案146a的中央底部和半導(dǎo)體圖案130的上表面。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案170a可以包括摻雜的多晶硅。溝道圖案146a和半導(dǎo)體圖案130可以通過(guò)導(dǎo)電圖案170a彼此電連接。絕緣結(jié)構(gòu)165可以形成在半導(dǎo)體圖案130上，并且可以支撐溝道圖案146a的底部。

根據(jù)半導(dǎo)體圖案130上表面的形狀，絕緣結(jié)構(gòu)165和溝道圖案146a每個(gè)的底部的形狀可以改變。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165和溝道圖案146a的底部可以是基本平坦的，如圖2A和2B所示。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165和溝道圖案146a的中央底部分別可以從絕緣結(jié)構(gòu)165和溝道圖案146a的底部邊緣突出，如圖4所示。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165和溝道圖案146a的底部可以具有一斜面，如圖4所示。

絕緣結(jié)構(gòu)165可以包括與包含在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145中的材料相同或基本相同的材料。在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165可以包括順序堆疊的第一圖案160a、第二圖案162和第三圖案164。第一圖案160a可以包括與第一阻擋圖案140c的材料相同或基本相同的材料，第二圖案162可以包括與電荷存儲(chǔ)圖案142b的材料相同或基本相同的材料，第三圖案164可以包括與隧道絕緣圖案144b的材料相同或基本相同的材料。

絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁沿第一方向可以是不平的，并且可以具有凹陷和凸起部分。在示例實(shí)施方式中，包括在絕緣結(jié)構(gòu)165中的第一、第二和第三圖案160a、162和164的至少一個(gè)可以從其余的橫向突出。例如，第二圖案162可以從第一和第三圖案160a和164橫向突出。例如，第一和第三圖案160a和164的至少一個(gè)可以從第二圖案162橫向突出。

第一、第二和第三圖案160a、162和164可以不從溝道圖案146a的底部邊緣橫向突出。也就是，第一、第二和第三圖案160a、162和164每個(gè)的寬度可以小于溝道圖案146a的底部的寬度。

導(dǎo)電圖案170a可以覆蓋絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁。導(dǎo)電圖案170a可以填充由絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁、半導(dǎo)體圖案130的上表面和溝道圖案146a的底部限定的空間。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案170a可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣，并且可以具有空心圓柱狀。在這種情況下，連接結(jié)構(gòu)171的寬度可以小于半導(dǎo)體圖案130的上表面的寬度。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案170a可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣和溝道圖案146a的下部側(cè)壁。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案170a可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣、溝道圖案146a的下部側(cè)壁、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145的底部和半導(dǎo)體圖案130的上表面，如圖6所示。

柵極可以包括第一柵極176a和多個(gè)第二柵極176b。

第一柵極176a可以作為接地選擇線(xiàn)(GSL)。半導(dǎo)體圖案130可以穿過(guò)第一柵極176a形成。

在示例實(shí)施方式中，一個(gè)第一柵極176a可以圍繞半導(dǎo)體圖案130。在示例實(shí)施方式中，多個(gè)第一柵極176a可以被形成為在第一方向上彼此間隔開(kāi)，每個(gè)第一柵極176a可以圍繞半導(dǎo)體圖案130。

每個(gè)第二柵極176b可以作為字線(xiàn)或串選擇線(xiàn)(SSL)。溝道圖案146a可以穿過(guò)第二柵極176b形成。

在示例實(shí)施方式中，一個(gè)SSL或多個(gè)SSL可以形成在溝道圖案146a上。多個(gè)字線(xiàn)可以形成在GSL和SSL之間。

第一和第二柵極176a和176b之間在第一方向上的第一距離可以大于第二柵極176b之間在第一方向上的第二距離。

在示例實(shí)施方式中，第一和第二柵極176a和176b可以包括具有低電阻的金屬，例如鎢、鈦、鉭、鉑等，和/或金屬氮化物，例如鈦氮化物、鉭氮化物等。第一和第二柵極176a和176b可以包括相同或基本相同的材料。

第一和第二柵極176a和176b可以在第三方向上布置，并且可以圍繞多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)在第二方向上延伸。

在示例實(shí)施方式中，第二阻擋層174可以形成在第一柵極176a和半導(dǎo)體圖案130之間及第二柵極176b和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145之間。第二阻擋層174可以包括具有比第一阻擋圖案140c的介電常數(shù)更高的介電常數(shù)的金屬氧化物。第二阻擋層174可以覆蓋第一和第二柵極176a和176b的表面，并且可以在第一方向上延伸。

在示例實(shí)施方式中，第二阻擋層174可以包括例如鋁氧化物、鉿氧化物、鑭氧化物、鑭鋁氧化物、鑭鉿氧化物、鉿鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鋯氧化物等。

絕緣中間層可以包括多個(gè)第一絕緣圖案110a和第二絕緣圖案172a。

在示例實(shí)施方式中，每個(gè)第一絕緣圖案110a可以形成在第二柵極176b之間。包括第一絕緣圖案110a、第二絕緣圖案172a和第一絕緣圖案110a的堆疊結(jié)構(gòu)可以形成在第一柵極176a和第二柵極176b之間。形成第一絕緣圖案110a之后，第二絕緣圖案172a可以通過(guò)附加的沉積工藝形成。然而，第二絕緣圖案172a可以包括與每個(gè)第一絕緣圖案110a的材料相同或基本相同的材料。第一和第二絕緣圖案110a和172a可以包括例如硅氧化物。第一和第二絕緣圖案110a和172a可以由等離子體增強(qiáng)CVD工藝、高密度等離子體CVD工藝等形成。

第一絕緣圖案110a可以形成在第一柵極176a和襯底100之間。

在第二方向上延伸的第一和第二柵極176a和176b可以被在第二方向上延伸的第一開(kāi)口分開(kāi)。第三絕緣圖案178可以形成在第一開(kāi)口的側(cè)壁上。第三絕緣圖案178可以包括例如硅氧化物。

第二開(kāi)口可以由第三絕緣圖案178限定，導(dǎo)電圖案180可以形成為填充第二開(kāi)口。導(dǎo)電圖案180可以包括具有低電阻的金屬，例如鎢、鈦、鉭、鉑等，和/或金屬氮化物，例如鈦氮化物、鉭氮化物等。

導(dǎo)電圖案180可以作為公共源線(xiàn)(CSL)。雜質(zhì)區(qū)可以形成在襯底100的接觸導(dǎo)電圖案180的上部處。

襯墊150可以形成在填充絕緣圖案148a、溝道圖案146a和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145上。位線(xiàn)接觸塞(未示出)可以形成在襯墊150上，位線(xiàn)(未示出)可以形成在位線(xiàn)接觸塞上。

在垂直型半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a可以通過(guò)連接結(jié)構(gòu)171彼此電連接。因此，盡管堆疊在溝道圖案146a上的第二柵極的數(shù)目可以增加，半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a之間未連接的可能性也可以減小。

圖7至21是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

具體地，圖12至16是半導(dǎo)體器件的一部分的放大截面圖。

參考圖7，第一模制結(jié)構(gòu)111、下部犧牲層112和第二模制結(jié)構(gòu)113可以被順序形成在襯底100上。

襯底100可以包括例如硅和/或鍺的半導(dǎo)體材料、或絕緣體上半導(dǎo)體。

在示例實(shí)施方式中，第一絕緣層110可以被形成在襯底100上，第一犧牲層120和第一絕緣層110可以交替形成在第一絕緣層110上以形成第一模制結(jié)構(gòu)111。在示例實(shí)施方式中，多個(gè)第一犧牲層120和/或多個(gè)第一絕緣層110可以交替形成。在示例實(shí)施方式中，第一模制結(jié)構(gòu)111的最上層可以是第一絕緣層110。在第一方向上第一犧牲層120的數(shù)量可以與在第一方向上后續(xù)形成的第一柵極的數(shù)量相同。當(dāng)單元串包括一個(gè)GSL時(shí)，一個(gè)第一犧牲層120可以形成在第一絕緣層110上，如圖7所示。

在示例實(shí)施方式中，第一絕緣層110和第一犧牲層120可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)工藝、原子層沉積(ALD)工藝等形成。直接接觸襯底100的第一絕緣層110之一可以通過(guò)熱氧化工藝形成。在示例實(shí)施方式中，直接接觸襯底100的第一絕緣層110可以具有與其它第一絕緣層110的每個(gè)厚度不同的厚度。

在示例實(shí)施方式中，第一絕緣層110可以由硅氧化物形成。例如，第一絕緣層110可以包括等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯(PE-TEOS)、高密度等離子體(HDP)氧化物或等離子體增強(qiáng)氧化物(PEOX)。在示例實(shí)施方式中，第一犧牲層120可以相對(duì)第一絕緣層110具有蝕刻選擇性。第一犧牲層120可以由例如硅氮化物構(gòu)成。

下部犧牲層112可以形成在第一模制結(jié)構(gòu)111上。下部犧牲層112可以包括相對(duì)第一和第二模制結(jié)構(gòu)111和113、后續(xù)形成的溝道圖案146a(參考圖10)和半導(dǎo)體圖案130(參考圖8)具有蝕刻選擇性的材料。也就是，下部犧牲層112可以包括相對(duì)于包含在第一和第二模制結(jié)構(gòu)111和113中的氧化物和氮化物具有蝕刻選擇性的材料。此外，下部犧牲圖案112可以包括相對(duì)于包含在溝道圖案146a和半導(dǎo)體圖案130中的硅具有蝕刻選擇性的材料。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲層112可以由具有比第一絕緣層110的蝕刻速度更高的蝕刻速度的硅氧化物形成。也就是，下部犧牲層112可以由在濕法蝕刻工藝中關(guān)于包含氫氟酸的蝕刻劑具有高蝕刻速度的硅氧化物形成。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲層112可以由與第一絕緣層110的材料不同的材料形成?？蛇x擇地，下部犧牲層112可以由與第一絕緣層110的材料相同或基本相同的材料形成，然而，該材料可以進(jìn)一步由雜質(zhì)摻雜?？蛇x擇地，下部犧牲層112可以由與第一絕緣層110的材料相同或基本相同的用雜質(zhì)摻雜的材料形成，然而，下部犧牲層112的摻雜濃度可以高于第一絕緣層110的摻雜濃度?？蛇x擇地，下部犧牲層112可以利用與第一絕緣層110的材料相同或基本相同的材料形成，然而，可以在相對(duì)低溫度下被沉積以便在其中具有多孔，因此可以具有比第一絕緣層110的蝕刻速度更高的蝕刻速度。

例如，當(dāng)?shù)谝唤^緣層110包括PEOX時(shí)，下部犧牲層112可以由例如硼正硅酸乙酯(BTEOS)、磷正硅酸乙酯(PTEOS)、硼磷正硅酸乙酯(BPTEOS)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)等形成，當(dāng)?shù)谝唤^緣層110包括等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯(PE-TEOS)時(shí)，下部犧牲層112可以包括例如PEOX、BTEOS、PTEOS、BPTEOS、BSG、PSG、BPSG等。另外，當(dāng)?shù)谝唤^緣層110包括高密度等離子體(HDP)氧化物時(shí)，下部犧牲層112可以包括例如PE-TEOS、PEOX、BTEOS、PTEOS、BPTEOS、BSG、PSG、BPSG等。

在示例實(shí)施方式中，當(dāng)半導(dǎo)體圖案130包括硅時(shí)，下部犧牲層112可以包括例如硅鍺。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲層112可以被形成為具有大于后續(xù)形成的阻擋層140(參考圖9)、電荷存儲(chǔ)層142(參考圖9)、隧道絕緣層144(參考圖9)和溝道層146(參考圖9)的厚度總和的厚度。

多個(gè)第一絕緣層110和多個(gè)第一犧牲層120可以被交替并重復(fù)形成在下部犧牲層112上，使得第二模制結(jié)構(gòu)113可以被形成。第二模制結(jié)構(gòu)113中的第一犧牲層120的數(shù)量可以與后續(xù)形成的第二柵極的數(shù)量相同或基本相同。也就是，第二模制結(jié)構(gòu)113中的第一犧牲層120的數(shù)量可以與單元串中的字線(xiàn)和串選擇線(xiàn)(SSL)的數(shù)量總和相同或基本相同。

參考圖8，上部絕緣層124可以形成在第二模制結(jié)構(gòu)113上。在示例實(shí)施方式中，上部絕緣層124可以通過(guò)CVD工藝、PECVD工藝和ALD工藝等形成。在示例實(shí)施方式中，上部絕緣層124可以由硅氧化物形成?？蛇x擇地，可以不形成上部絕緣層124。

多個(gè)孔126可以穿過(guò)上部絕緣層124、第一絕緣層110、第一犧牲層120和下部犧牲層112形成以暴露襯底100的上表面。半導(dǎo)體圖案130可以形成為填充每個(gè)孔126的下部。

在示例實(shí)施方式中，硬掩模(未示出)可以形成在上部絕緣層124上，上部絕緣層124、第一絕緣層110、第一犧牲層120和下部犧牲層112可以利用硬掩模作為蝕刻掩模被各向異性地蝕刻以形成孔126。

在示例實(shí)施方式中，孔126可以布置在第二和第三方向上以限定孔陣列。

半導(dǎo)體圖案130可以通過(guò)利用襯底100的暴露的上表面作為籽晶的選擇外延生長(zhǎng)(SEG)工藝形成。因此，根據(jù)襯底100的材料半導(dǎo)體圖案130可以包括單晶硅或單晶鍺。可選擇地，非晶硅層可以形成為部分填充孔126，激光外延生長(zhǎng)(LEG)工藝或固相外延(SPE)工藝可以被執(zhí)行在非晶硅層上以形成半導(dǎo)體圖案130。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以形成在下部犧牲層112的上表面和下表面之間。半導(dǎo)體圖案130可以具有柱狀。根據(jù)SEG工藝半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有各種形狀。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以是基本平坦的。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有突出部分。例如，半導(dǎo)體圖案130的中央部分可以從半導(dǎo)體圖案130的邊緣部分突出。在這種情況下，圖3的垂直半導(dǎo)體器件可以通過(guò)后續(xù)工藝被制造。

在示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體圖案130的上表面可以具有一斜面。在這種情況下，圖4的垂直半導(dǎo)體器件可以通過(guò)后續(xù)工藝被制造。

參考圖9，阻擋層140、電荷存儲(chǔ)層142、隧道絕緣層144和溝道層146可以被順序地并共形地形成在孔126的內(nèi)部側(cè)壁、半導(dǎo)體圖案130的上表面和上部絕緣層124上。填充絕緣層148可以形成在溝道層146上以充分填充孔126。

在示例實(shí)施方式中，阻擋層140可以由氧化物形成，例如硅氧化物，電荷存儲(chǔ)層142可以由氮化物形成，例如硅氮化物，隧道絕緣層144可以由氧化物形成，例如硅氧化物。包括阻擋層140、電荷存儲(chǔ)層142和隧道絕緣層144的結(jié)構(gòu)可以作為電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

在示例實(shí)施方式中，溝道層146可以由例如摻雜多晶硅或未摻雜多晶硅形成。溝道層146的底部可以低于下部犧牲層112的上表面。

在示例實(shí)施方式中，填充絕緣層148可以由例如硅氧化物形成。

參考圖10，在上部絕緣層124上的填充絕緣層148、溝道層146、隧道絕緣層144、電荷存儲(chǔ)層142和阻擋層140可以通過(guò)回蝕工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝被去除。在孔126的上部中的填充絕緣層148、溝道層146、隧道絕緣層144、電荷存儲(chǔ)層142和阻擋層140可以被部分去除以形成凹陷。襯墊層可以被形成以填充凹陷，并且可以被平坦化以形成襯墊150。在示例實(shí)施方式中，襯墊150可以由例如摻雜多晶硅或未摻雜多晶硅形成。

因此，第一初始阻擋圖案140a、初始電荷存儲(chǔ)圖案142a、初始隧道絕緣圖案144a、溝道圖案146a和填充絕緣圖案148a可以被形成在每個(gè)孔126中。第一初始阻擋圖案140a可以接觸半導(dǎo)體圖案130的上表面。

第一開(kāi)口152可以穿過(guò)上部絕緣層124、第二模制結(jié)構(gòu)113、下部犧牲層112和第一模制結(jié)構(gòu)111形成以暴露襯底100的上表面。

在示例實(shí)施方式中，硬掩模(未示出)可以形成在上部絕緣層124和襯墊150上，上部絕緣層124、第二模制結(jié)構(gòu)113、下部犧牲層112和第一模制結(jié)構(gòu)111可以利用硬掩模作為蝕刻掩模被各向異性地蝕刻以形成第一開(kāi)口152。

在示例實(shí)施方式中，第一開(kāi)口152可以在第二方向延伸，多個(gè)第一開(kāi)口152可以形成為布置在第三方向上。因此，第一犧牲圖案120a、第一絕緣圖案110a和下部犧牲圖案112a可以分別由第一犧牲層120、第一絕緣層110和下部犧牲層112形成。

參考圖11，由第一開(kāi)口152的側(cè)壁暴露的下部犧牲圖案112a可以被選擇性蝕刻以形成第一間隙154。

下部犧牲圖案112a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被去除。當(dāng)下部犧牲圖案112a包括硅氧化物時(shí)，第一間隙154可以通過(guò)利用包含氫氟酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝形成。第一初始阻擋圖案140a的一部分可以通過(guò)第一間隙154被暴露。

下文中，圖1的部分“A”的放大圖將參考圖12至16被描述。

參考圖12，由第一間隙154暴露的第一初始阻擋圖案140a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被選擇性蝕刻。在示例實(shí)施方式中，由第一間隙154暴露的第一初始阻擋圖案140a可以通過(guò)利用包含氫氟酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝被選擇性蝕刻。

第一初始阻擋圖案140a可以通過(guò)蝕刻工藝被分成在第一方向延伸的第二初始阻擋圖案140b和在半導(dǎo)體圖案130上的第一初始圖案160。初始電荷存儲(chǔ)圖案142a的一部分可以通過(guò)第一間隙154被暴露。

在蝕刻工藝期間，由第一間隙154和第一開(kāi)口152的側(cè)壁暴露的第一絕緣圖案110a的一部分可以被蝕刻，使得第一間隙154在第一方向的寬度和第一開(kāi)口152的一部分在第三方向的寬度可以輕微增加。

參考圖13，由第一間隙154暴露的初始電荷存儲(chǔ)圖案142a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被選擇性蝕刻。在示例實(shí)施方式中，由第一間隙154暴露的第一初始電荷存儲(chǔ)圖案142a可以通過(guò)利用包含硫酸或磷酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝被選擇性蝕刻。

第一初始電荷存儲(chǔ)圖案142a通過(guò)蝕刻工藝可以被分成在第一方向延伸的電荷存儲(chǔ)圖案142b和在第一初始圖案160上的第二圖案162。初始隧道絕緣圖案144a的一部分可以通過(guò)第一間隙154被暴露。第二圖案162的寬度可以小于溝道圖案146a的底部的寬度。

在蝕刻工藝期間，由第一開(kāi)口152暴露的第一犧牲圖案120a的一部分可以被蝕刻，使得第一開(kāi)口152的一部分在第三方向的寬度可以輕微增加。

參考圖14，由第一間隙154暴露的初始隧道絕緣圖案144a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被選擇性蝕刻。在示例實(shí)施方式中，由第一間隙154暴露的第一初始隧道絕緣圖案144a可以通過(guò)利用包含氫氟酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝被選擇性蝕刻。

初始隧道絕緣圖案144a通過(guò)蝕刻工藝可以被分成在第一方向延伸的隧道絕緣圖案144b和在第二圖案162上的第三圖案164。第三圖案164的寬度可以小于溝道圖案146a的底部的寬度，使得溝道圖案146a的底部可以覆蓋第三圖案164的上表面。

在蝕刻工藝期間，第二初始阻擋圖案140b和第一初始圖案160可以被部分蝕刻以分別形成第一阻擋圖案140c和第一圖案160a。第一圖案160a的寬度可以小于溝道圖案146a的底部的寬度。

因此，包含順序堆疊的第一、第二和第三圖案160a、162和164的絕緣結(jié)構(gòu)165可以被形成在半導(dǎo)體圖案130上。絕緣結(jié)構(gòu)165可以形成在溝道圖案146a下面以支撐溝道圖案146a，并且可以具有柱狀。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁沿第一方向可以是不平的，并且可以具有凹陷和凸起部分。也就是，第一、第二和第三圖案160a、162和164的至少一個(gè)可以在橫向方向上從其余突出。例如，第二圖案162可以在橫向方向上從第一和第三圖案160a和164突出。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁可以不是不平的。也就是，第一、第二和第三圖案160a、162和164可以在橫向方向上不從其余突出。

在蝕刻工藝期間，由第一間隙154暴露的第一絕緣圖案110a和由第一開(kāi)口152暴露的第一絕緣圖案110a的側(cè)壁可以被部分蝕刻，使得第一間隙154在第一方向的寬度和第一開(kāi)口152在第三方向的寬度可以輕微增加。

參考圖15，導(dǎo)電層170可以被共形地形成在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、間隙154的內(nèi)壁、上部絕緣層124(參考圖11)和襯墊150的上表面(參考圖11)上。導(dǎo)電層170可以包括摻雜多晶硅或未摻雜多晶硅。導(dǎo)電層170可以通過(guò)ALD工藝或CVD工藝形成。

導(dǎo)電層170可以覆蓋絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁。導(dǎo)電層170可以充分填充由溝道圖案146a的底部、絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁和半導(dǎo)體圖案130的上表面限定的凹槽。該凹槽可以具有彎曲狀。

在示例實(shí)施方式中，在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部上的導(dǎo)電層170可以具有第一厚度。然而，填充所述凹槽的導(dǎo)電層170可以具有大于第一厚度的第二厚度。

參考圖16，在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、第一間隙154的內(nèi)壁、上部絕緣層124(參考圖11)和襯墊150(參考圖11)上的導(dǎo)電層170可以通過(guò)例如濕法蝕刻工藝或各向同性干法蝕刻工藝被各向同性地蝕刻，導(dǎo)電層170在所述凹槽中的一部分可以留下以形成導(dǎo)電圖案170a。在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電層170可以通過(guò)各向同性蝕刻工藝被去除第一厚度的量。

導(dǎo)電圖案170a可以覆蓋絕緣結(jié)構(gòu)165的側(cè)壁。導(dǎo)電圖案170a可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣和半導(dǎo)體圖案130的上表面，并且可以具有空心圓柱狀。因此，半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a通過(guò)導(dǎo)電圖案170a可以被彼此電連接。

也就是，包括絕緣結(jié)構(gòu)165和導(dǎo)電圖案170a的連接結(jié)構(gòu)171可以形成在半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a之間。半導(dǎo)體圖案130和溝道圖案146a可以在第一方向被彼此間隔開(kāi)。

在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電圖案170a可以通過(guò)各向同性蝕刻工藝共形地形成在所述凹槽中、在溝道圖案146a的側(cè)壁上和在第一間隙154上，如圖6所示。

參考圖17，第二絕緣層172可以形成在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、上部絕緣層124和襯墊150上以填充第一間隙154。第二絕緣層172可以包括硅氧化物。在示例實(shí)施方式中，第二絕緣層172可以由與第一絕緣圖案110a的材料相同或基本相同的材料構(gòu)成。

第二絕緣層172可以通過(guò)ALD工藝或CVD工藝形成。

參考圖18，第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、上部絕緣層124和襯墊150上的第二絕緣層172可以通過(guò)例如濕法蝕刻工藝或各向同性干法蝕刻工藝被各向同性地蝕刻。因此，第二絕緣圖案172a可以形成在第一間隙154中。

參考圖19，第一犧牲圖案120a可以被去除以形成第二間隙156。第一阻擋圖案140c和半導(dǎo)體圖案130的側(cè)壁通過(guò)第二間隙156可以被部分暴露。在示例實(shí)施方式中，第一犧牲圖案120a可以通過(guò)例如濕法蝕刻工藝或各向同性干法蝕刻工藝被各向同性地蝕刻。例如，由第一開(kāi)口152暴露的第一犧牲圖案120a可以通過(guò)利用包含硫酸或磷酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝被去除。

參考圖20，第二阻擋層174可以形成在第一阻擋圖案140c的側(cè)壁、半導(dǎo)體圖案130的側(cè)壁、第二間隙156的內(nèi)壁、第一絕緣圖案110a、上部絕緣層124、襯墊150和襯底100上。第一柵極176a和第二柵極176b可以分別形成在第二阻擋層174上以填充第二間隙156。

在示例實(shí)施方式中，第二阻擋層174可以由金屬氧化物形成，例如鋁氧化物、鉿氧化物、鑭氧化物、鑭鋁氧化物、鑭鉿氧化物、鉿鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鋯氧化物等。

為形成第一和第二柵極176a和176b，柵電極層可以形成在第二阻擋層174上以填充第二間隙156。柵電極層可以由金屬和/或金屬氮化物形成。在示例實(shí)施方式中，柵電極層可以由具有低電阻的金屬(例如鎢、鈦、鉭、鉑等)和金屬氮化物(例如鈦氮化物、鉭氮化物等)形成。柵電極層可以被部分蝕刻以在第二間隙156中分別形成第一和第二柵極176a和176b。在示例實(shí)施方式中，第一電極層可以通過(guò)濕法蝕刻工藝被部分蝕刻。

第一柵極176a可以形成在半導(dǎo)體圖案130的側(cè)壁上，并且可以作為GSL。第二柵極176b可以形成在溝道圖案146a的側(cè)壁上，并且可以作為字線(xiàn)或SSL。

在示例實(shí)施方式中，每個(gè)第一和第二柵極176a和176b可以部分填充第二間隙156。因此，由于第一和第二柵極176a和176b導(dǎo)致第一開(kāi)口152的側(cè)壁沿第一方向可以是不平的。在示例實(shí)施方式中，每個(gè)第一和第二柵極176a和176b可以充分填充第二間隙156。

參考圖21，第三絕緣層可以沿第一開(kāi)口152的底部和側(cè)壁形成在第二阻擋層174上。在第一開(kāi)口152的底部上的第三絕緣層可以被各向異性地蝕刻以形成暴露襯底100的上表面的第三絕緣圖案178。此外，第一開(kāi)口152可以通過(guò)第三絕緣圖案178被轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙_(kāi)口(未示出)。雜質(zhì)可以被摻雜到由第二開(kāi)口暴露的襯底100中，使得可以形成雜質(zhì)區(qū)。導(dǎo)電圖案180可以形成為填充第二開(kāi)口。導(dǎo)電圖案180可以作為CSL。

具體地，導(dǎo)電層可以形成為填充第二開(kāi)口，并且可以被平坦化直到第二阻擋層174的上表面可以被暴露以形成導(dǎo)電圖案180。導(dǎo)電層可以由金屬和/或金屬氮化物形成。在示例實(shí)施方式中，導(dǎo)電層可以包括具有低電阻的金屬，例如鎢、鈦、鉭、鉑等，和/或金屬氮化物，例如鈦氮化物、鉭氮化物等。

位線(xiàn)接觸(未示出)和位線(xiàn)(未示出)可以形成在襯墊150上，并且可以電連接到襯墊150。因此，垂直半導(dǎo)體器件可以被制造。

圖22是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的垂直存儲(chǔ)器件的垂直截面圖，圖23是圖22中的垂直存儲(chǔ)器件的部分“C”的放大截面圖。垂直存儲(chǔ)器件除半導(dǎo)體圖案外可以與圖1、2A、2B和3的垂直存儲(chǔ)器件相同或基本相同。

參考圖22和23，溝道圖案146a可以形成為在第一方向與襯底100間隔開(kāi)。連接結(jié)構(gòu)211可以形成在襯底100和溝道圖案146a之間，并且可以電連接到襯底100和溝道圖案146a。多個(gè)柵極232可以圍繞溝道圖案146a，并且可以在第二方向延伸。包含隧道絕緣圖案144b、電荷存儲(chǔ)圖案142b和第一阻擋圖案140c的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以形成在溝道圖案146a和柵極232之間。隧道絕緣圖案144b、電荷存儲(chǔ)圖案142b和第一阻擋圖案140c可以順序堆疊在溝道圖案146a上。

溝道圖案146a可以與參考圖1、2A、2B和3示出的溝道圖案相同或基本相同。然而，沒(méi)有半導(dǎo)體圖案可以形成在溝道圖案146a下面，使得溝道圖案146a的底部可以是基本平坦的。填充絕緣圖案148a可以形成在溝道圖案146a上以填充由溝道圖案146a形成的內(nèi)部空間。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以覆蓋溝道圖案146a的側(cè)壁。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145可以與參考圖1、2A、2B和3示出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相同或基本相同。

連接結(jié)構(gòu)211可以在第一方向上形成在襯底100和溝道圖案146a之間。

連接結(jié)構(gòu)211可以包括導(dǎo)電圖案210和絕緣結(jié)構(gòu)205。導(dǎo)電圖案210可以具有空心圓柱狀，并且可以接觸溝道圖案146a的底部邊緣和襯底100。絕緣結(jié)構(gòu)205可以接觸導(dǎo)電圖案210的內(nèi)部側(cè)壁、溝道圖案146a的中央底部和襯底100。這里，連接結(jié)構(gòu)211可以具有柱狀。

襯底100和溝道圖案146a可以經(jīng)由導(dǎo)電圖案210被彼此電連接。

絕緣結(jié)構(gòu)205可以包括與包含在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)145中的材料相同或基本相同的材料。在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)205可以包括：包含與第一阻擋圖案140c的材料相同的材料的第一圖案200a、包含與電荷存儲(chǔ)圖案142b的材料相同的材料的第二圖案202和包含與隧道絕緣圖案144b的材料相同的材料的第三圖案204，第一、第二和第三圖案200a、202和204可以被順序堆疊。

絕緣結(jié)構(gòu)205的側(cè)壁沿第一方向可以是不平的，并且可以具有凹陷和凸起部分。也就是，第一、第二和第三圖案200a、202和204的至少一個(gè)可以在橫向方向上從其余突出。例如，第一和第三圖案200a和204可以在橫向方向上從第二圖案202突出?？蛇x擇地，第二圖案202可以在橫向方向上從第一和第三圖案200a和204突出，如圖1所示，這里第二圖案162從第一和第三圖案160a和164突出。

第一至第三圖案200a、202和204可以不在橫向方向上從溝道圖案146a的底部邊緣突出。也就是，每個(gè)第一、第二和第三圖案200a、202和204的寬度可以小于溝道圖案146a的底部的寬度。

導(dǎo)電圖案210可以填充由絕緣結(jié)構(gòu)205的側(cè)壁、襯底100的上表面和溝道圖案146a的底部限定的凹陷。

每個(gè)柵極232可以作為GSL、字線(xiàn)或SSL。在示例實(shí)施方式中，在最低高度的至少一個(gè)柵極232可以作為GSL，在最高高度的至少一個(gè)柵極232可以作為SSL。GSL和SSL之間的一些柵極232可以作為字線(xiàn)。

覆蓋柵極232的側(cè)壁和底部的第二阻擋層230可以被進(jìn)一步形成。

多個(gè)絕緣圖案110a和220可以形成在襯底100和在最低高度的柵極232之間并且在相鄰的柵極232之間。

在示例實(shí)施方式中，多個(gè)第一絕緣圖案110a可以分別形成在柵極232之間。包含第二絕緣圖案220和第一絕緣圖案110a的堆疊結(jié)構(gòu)可以形成在襯底100和在最低高度的柵極232之間。形成第一絕緣圖案110a之后，第二絕緣圖案220可以通過(guò)沉積工藝被形成。然而，第二絕緣圖案220可以包括與第一絕緣圖案110a的材料相同或基本相同的材料。第一和第二絕緣圖案110a和220可以包括例如硅氧化物。

在襯底100和在最低高度的柵極232之間在第一方向上的第一距離可以大于柵極232之間在第一方向上的第二距離。

第三絕緣圖案240和導(dǎo)電圖案242可以被進(jìn)一步形成，并且可以分別與參考圖1、2A、2B和3示出的第三絕緣圖案和導(dǎo)電圖案相同或基本相同、或者類(lèi)似。

位線(xiàn)接觸(未示出)和位線(xiàn)(未示出)可以進(jìn)一步形成在襯墊150上，并且位線(xiàn)接觸和位線(xiàn)可以電連接到襯墊150。

圖24至31是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。具體地，圖28至30是放大截面圖。

參考圖24，下部犧牲層112可以形成在襯底100上。第一絕緣層110和第一犧牲層120可以交替并重復(fù)地形成在下部犧牲層112上，使得模制結(jié)構(gòu)可以被形成。

下部犧牲層112可以直接形成在襯底100上。

下部犧牲層112可以包括相對(duì)模制結(jié)構(gòu)和后續(xù)形成的溝道圖案具有蝕刻選擇性的材料。也就是，下部犧牲圖案112可以包括相對(duì)模制結(jié)構(gòu)中的氧化物和氮化物及包含在后續(xù)形成的溝道圖案中的硅具有蝕刻選擇性的材料。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲層112可以由具有比第一絕緣層110的蝕刻速度更高蝕刻速度的硅氧化物形成。在示例實(shí)施方式中，當(dāng)襯底100包括單晶硅時(shí)，下部犧牲層112可以由硅鍺形成?？蛇x擇地，下部犧牲層112可以由與參考圖7示出的下部犧牲層的材料相同或基本相同或類(lèi)似的材料形成。

在示例實(shí)施方式中，下部犧牲層112可以形成為具有大于后續(xù)形成的阻擋層、電荷存儲(chǔ)層、隧道絕緣層和溝道層的厚度總和的厚度。

在模制結(jié)構(gòu)中的第一犧牲層120的數(shù)量可以與單元串中柵極的數(shù)量相同或基本相同。

在示例實(shí)施方式中，第一絕緣層110可以由例如硅氧化物形成。在示例實(shí)施方式中，第一犧牲層120可以由相對(duì)第一絕緣層110具有蝕刻選擇性的材料構(gòu)成。例如，第一犧牲層120可以由例如硅氮化物形成。

參考圖25，上部絕緣層124可以形成在模制結(jié)構(gòu)上。多個(gè)孔126可以穿過(guò)上部絕緣層124、第一絕緣層110、第一犧牲層120和下部犧牲層112形成以暴露襯底100的上表面。在用于形成孔126的蝕刻工藝期間，優(yōu)選地，襯底100的上表面可以不被過(guò)蝕刻。阻擋層140、電荷存儲(chǔ)層142、隧道絕緣層144和溝道層146可以順序形成在孔126的內(nèi)壁、襯底100的上表面和上部絕緣層124的上表面上。填充絕緣層148可以形成在溝道層146上以填充每個(gè)孔126。

與參考圖8和9示出的工藝相同或基本相同或者類(lèi)似的工藝可以被執(zhí)行。然而，形成孔126之后，沒(méi)有半導(dǎo)體圖案可以形成在每個(gè)孔126中。

參考圖26，在上部絕緣層124上的填充絕緣層148、溝道層146、隧道絕緣層144、電荷存儲(chǔ)層142和阻擋層140可以被去除。形成在孔126的上部中的填充絕緣層148、溝道層146、隧道絕緣層144、電荷存儲(chǔ)層142和阻擋層140可以被部分去除以形成凹陷。襯墊層可以被形成以填充該凹陷，并且可以被平坦化直到上部絕緣層的上表面可以被暴露以形成襯墊150。

因此，第一初始阻擋圖案140a、初始電荷存儲(chǔ)圖案142a、初始隧道絕緣圖案144a、溝道圖案146a和填充絕緣圖案148a可以形成在每個(gè)孔126中。第一初始阻擋圖案140a可以接觸襯底100的上表面。

第一開(kāi)口152可以穿過(guò)上部絕緣層124、模制結(jié)構(gòu)和下部犧牲層112形成以暴露襯底100的上表面。

與參考圖10示出的工藝相同或基本相同或者類(lèi)似的工藝可以被執(zhí)行。

參考圖27，由第一開(kāi)口152的側(cè)壁暴露的下部犧牲圖案112a可以被選擇性去除以形成第一間隙154a。

下部犧牲圖案112a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被去除。當(dāng)下部犧牲圖案112a包括硅氧化物時(shí)，第一間隙154a可以通過(guò)利用包含氫氟酸的蝕刻劑的濕法蝕刻工藝形成。第一初始阻擋圖案140a和襯底100的部分可以通過(guò)第一間隙154a被暴露。

下文中，將參考作為圖27的部分“D”的放大圖的圖28到30來(lái)描述。

參考圖28，由第一間隙154a暴露的第一初始阻擋圖案140a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被選擇性蝕刻。

當(dāng)蝕刻工藝被執(zhí)行時(shí)，第一初始阻擋圖案140a可以被分成在第一方向延伸的第二初始阻擋圖案140b和在襯底100上的第一初始圖案200。初始電荷存儲(chǔ)圖案142a可以通過(guò)第一間隙154a被部分暴露。

參考圖29，由第一間隙154a暴露的初始電荷存儲(chǔ)圖案142a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被部分蝕刻。

因此，初始電荷存儲(chǔ)圖案142a可以被分成在第一方向延伸的電荷存儲(chǔ)圖案142b和在第一初始圖案200上的第二圖案202。第二圖案202的寬度可以通過(guò)蝕刻工藝被控制。初始隧道絕緣圖案144a可以通過(guò)第一間隙154a被部分暴露。

參考圖30，由第一間隙154a暴露的初始隧道絕緣圖案144a可以通過(guò)例如濕法蝕刻、各向同性干法蝕刻等的各向同性蝕刻工藝被選擇性蝕刻。

因此，初始隧道絕緣圖案144a可以被分成在第一方向延伸的隧道絕緣圖案144b和在第二圖案202上的第三圖案204。溝道圖案146a可以通過(guò)第一間隙154a被部分暴露。

在蝕刻工藝期間，第二初始阻擋圖案140b和第一初始圖案200可以被部分蝕刻以分別形成第一阻擋圖案140c和第一圖案200a。

因此，包括順序堆疊的第一、第二和第三圖案200a、202和204的絕緣結(jié)構(gòu)205可以形成在襯底100上。絕緣結(jié)構(gòu)205可以形成在溝道圖案146a下面以支撐溝道圖案146a，并且可以具有柱狀。

在示例實(shí)施方式中，絕緣結(jié)構(gòu)205的側(cè)壁沿第一方向可以是不平的，并且可以具有凹陷和凸起部分。也就是，第一、第二和第三圖案200a、202和204的至少一個(gè)可以在橫向方向上從其余突出。

參考圖31，導(dǎo)電層可以形成在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、第一間隙154a的內(nèi)壁、上部絕緣層124(參考圖27)和襯墊150的上表面(參考圖27)上。

在第一開(kāi)口152的側(cè)壁和底部、第一間隙154a的內(nèi)壁、上部絕緣層124(參考圖27)和襯墊150(參考圖27)上的導(dǎo)電層可以通過(guò)例如濕法蝕刻工藝或各向同性干法蝕刻工藝被各向同性地蝕刻，在由溝道圖案146a的底部、絕緣結(jié)構(gòu)205的側(cè)壁和襯底100的上表面限定的凹槽中的導(dǎo)電層可以留下以形成導(dǎo)電圖案210。

與參考圖15和16示出的工藝相同或基本相同或者類(lèi)似的工藝可以被執(zhí)行。

此后，與參考圖17至21示出的工藝相同或基本相同或者類(lèi)似的工藝可以被執(zhí)行，使得圖22和23中示出的半導(dǎo)體器件可以被制造。

以上的半導(dǎo)體器件可以應(yīng)用于多種類(lèi)型的系統(tǒng)，例如計(jì)算系統(tǒng)。

圖32是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的系統(tǒng)的方框圖。

參考圖32，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)400可以包括連接到系統(tǒng)總線(xiàn)405的中央處理器(CPU)420、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)430、用戶(hù)接口440、諸如基帶芯片組的調(diào)制解調(diào)器450、和存儲(chǔ)系統(tǒng)410。存儲(chǔ)系統(tǒng)410可以包括存儲(chǔ)器件412和存儲(chǔ)控制器411。存儲(chǔ)器件412可以包括根據(jù)示例實(shí)施方式的以上半導(dǎo)體器件之一。存儲(chǔ)器件412可以穩(wěn)定地存儲(chǔ)由CPU 420處理的數(shù)據(jù)和/或輸入數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)控制器411可以控制存儲(chǔ)器件412。存儲(chǔ)器件412和存儲(chǔ)控制器411可以彼此聯(lián)接，使得存儲(chǔ)系統(tǒng)410可以作為存儲(chǔ)卡或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等。如果數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)400是移動(dòng)設(shè)備，系統(tǒng)400還可以包括用于提供電壓的電池。在示例實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)400還可以包括例如應(yīng)用芯片組、照相機(jī)圖像處理器、移動(dòng)DRAM。

應(yīng)該理解，這里描述的示例實(shí)施方式應(yīng)該被認(rèn)為僅是示例性的意思并且不是為了限制。根據(jù)示例實(shí)施方式的每個(gè)器件或方法中的特征或方面的描述通常應(yīng)該被認(rèn)為對(duì)于根據(jù)示例實(shí)施方式的其他器件或方法中的其他類(lèi)似特征或方面是可用的。盡管示例實(shí)施方式已經(jīng)被具體示出和描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的改變而不背離權(quán)利要求的精神和范圍。

本申請(qǐng)要求享有2015年9月9日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2015-0127841的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過(guò)全文引用合并于此。