本發(fā)明涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

目前，IGBT兼并了金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)的高輸入阻抗和雙極性晶體管(bipolar junction transistor，BJT)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。在高壓大功率的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域已經(jīng)占有一席之地，逐漸成為該應(yīng)用領(lǐng)域的主流器件。

晶體管器件的導(dǎo)通電阻決定了系統(tǒng)應(yīng)用過程的導(dǎo)通損耗，當(dāng)器件的導(dǎo)通電阻小，則其應(yīng)用的導(dǎo)通損耗少，可以提高系統(tǒng)的效率。IGBT已經(jīng)綜合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，器件的性能有了突破性的提升。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中，IGBT主要通過硅半導(dǎo)體材料實現(xiàn)，垂直結(jié)構(gòu)的IGBT，主要通過P型電流阻擋層與n漂移層形成p-n結(jié)來承受高壓，并且n型漂移層內(nèi)的耗盡區(qū)寬度直接決定了IGBT承受電壓的能力。盡管，隨著n型漂移層厚度的增加，n型漂移層內(nèi)的耗盡區(qū)寬度也會進(jìn)一步的增加，但是當(dāng)耗盡區(qū)的寬度達(dá)到上限時，將不再隨n型漂移層厚度的增加而增加。同時，遠(yuǎn)離p-n結(jié)界面的垂直電場強(qiáng)度也在逐漸減弱，因此現(xiàn)有技術(shù)中垂直結(jié)構(gòu)的IGBT的耐壓能力仍有限。同時，由于p型電流阻擋層中空穴的存在以及大電壓下空穴濃度增加，很容易導(dǎo)致IGBT提前發(fā)生雪崩或電流電壓特性突變現(xiàn)象，從而導(dǎo)致IGBT可靠性很差。另一方面，由于硅半導(dǎo)體材料的理論極限，正在不斷限制IGBT性能的進(jìn)一步提升。

因此，現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升IGBT性能，同時實現(xiàn)低漏電高耐壓、低導(dǎo)通電阻，高頻率特性，已成為現(xiàn)有技術(shù)中的一個關(guān)鍵難題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種IGBT器件，該IGBT器件具有低漏電高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高頻率特性。

本發(fā)明提供了一種IGBT器件的制造方法，這種方法制造的IGBT器件具有低漏電高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高頻率特性。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：

一種IGBT器件，包括：材料為p+GaN半導(dǎo)體層的襯底以及依次形成于襯底上的漂移層、電流阻擋層和半導(dǎo)體溝道層；位于漂移層內(nèi)的P+阱；半導(dǎo)體溝道層上形成有與半導(dǎo)體溝道層歐姆接觸的發(fā)射電極；發(fā)射電極和電流阻擋層之間形成有P-型電極，發(fā)射電極和P+阱同電位或電連接；發(fā)射電極間的半導(dǎo)體溝道層和電流阻擋層內(nèi)形成有門極溝槽；門極電極肖特基接觸的形成于門極溝槽上；集電極位于襯底的背面，并與襯底形成歐姆接觸。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，漂移層為輕摻雜的n-GaN層；電流阻擋層為p-GaN層；半導(dǎo)體溝道層為重?fù)诫s的n+GaN層。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，P+阱位于發(fā)射電極與門極電極間的有源區(qū)的下方的漂移層內(nèi)。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，P+阱為一個或者多個，多個P+阱的位置從上至下并聯(lián)排列，或者多個P+阱從上至下并聯(lián)排列且P+阱的數(shù)量從上至下依次遞增。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，P-型電極與電流阻擋層形成歐姆接觸，且發(fā)射電極和P+阱同電位或電連接。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，門極電極分別與半導(dǎo)體溝道層和電流阻擋層的接觸面形成肖特基接觸。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，門極溝槽的底部與半導(dǎo)體溝道層下表面齊平，或者延伸至電流阻擋層內(nèi)。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，IGBT器件還包括二維電子氣再生長層，二維電子氣再生長層覆蓋半導(dǎo)體溝道層并填入門極溝槽中。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，門極溝槽的底部與半導(dǎo)體溝道層下表面齊平，或者延伸至電流阻擋層內(nèi)，或者與漂移層的上表面齊平，或者低于漂移層的上表面。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，二維電子氣再生長層包括電子輸運半導(dǎo)體層和位于電子輸運半導(dǎo)體層上的電子供給半導(dǎo)體層，在電子輸運半導(dǎo)體層和電子供給半導(dǎo)體層界面的電子輸運半導(dǎo)體層內(nèi)形成二維電子氣。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，電子輸運半導(dǎo)體層是GaN；電子供給半導(dǎo)體層是AlGaN半導(dǎo)體層。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，IGBT器件還包括緩沖層，緩沖層位于襯底和漂移層之間。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，緩沖層為重?fù)诫s的n+GaN層。

本發(fā)明還提供了上述IGBT器件的制造方法，其包括：

在襯底上依次生長漂移層、電流阻擋層和半導(dǎo)體溝道層；

在漂移層內(nèi)形成P+阱；

在半導(dǎo)體溝道層上形成發(fā)射電極，發(fā)射電極與半導(dǎo)體溝道層形成歐姆接觸；

在發(fā)射電極與電流阻擋層之間形成P-型電極；

在發(fā)射電極間的半導(dǎo)體溝道層與電流阻擋層內(nèi)形成門極溝槽；

在門極溝槽內(nèi)形成肖特基接觸的門極電極；以及

在襯底的背面形成歐姆接觸集電極。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，上述制造方法還包括在襯底上生長漂移層之前先形成緩沖層。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的IGBT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過在漂移層內(nèi)且集電極和門極電極之間有源區(qū)的下方，可以通過注入或擴(kuò)散B離子方式形成反型層高濃度摻雜區(qū)域，并通過高溫退火工藝，實現(xiàn)若干重?fù)诫s的P+阱。P+阱與其周圍漂移層形成若干p-n結(jié)，可以進(jìn)一步擴(kuò)展該漂移層中的耗盡區(qū)寬度，提高器件的反向擊穿電壓。進(jìn)一步地，由于電流阻擋層中不可避免存在空穴，并且在強(qiáng)電場條件下，還將產(chǎn)生大量的電子-空穴對，很容易導(dǎo)致IGBT器件提前發(fā)生雪崩或電流電壓特性突變現(xiàn)象，通過在發(fā)射電極以及電流阻擋層之間形成P-型電極，該P-型電極可以有效吸引多余的空穴，將該空穴逐漸導(dǎo)出，可以進(jìn)一步提高器件電特性穩(wěn)定性，提高器件的可靠性。因此，本發(fā)明的垂直結(jié)構(gòu)IGBT器件，由于P+阱的設(shè)計，可以降低器件的漏電流以及提高器件的擊穿電壓；進(jìn)一步由于P-型電極的設(shè)計，可以提高器件電特性的穩(wěn)定性，進(jìn)一步提高器件的可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施方式的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1A為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S1后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1B為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S2后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1C為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S3后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1D為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S4后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1E為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S5后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1F為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S6后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1G為本發(fā)明實施例1的IGBT器件經(jīng)過步驟S7后實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例2的IGBT器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例3的IGBT器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標(biāo)記分別為：

IGBT器件100；IGBT器件200；襯底101；漂移層102；電流阻擋層103；半導(dǎo)體溝道層104；開口處104a；發(fā)射電極105；門極溝槽120；門極電極122；集電極130；P+阱140；P-型電極150；緩沖層160；二維電子氣再生長層180；電子輸運半導(dǎo)體層106；電子供給半導(dǎo)體層107；二維電子氣108。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施方式的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式是本發(fā)明一部分實施方式，而不是全部的實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。因此，以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施方式的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施方式?；诒景l(fā)明中的實施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的設(shè)備或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外，在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

實施例1，參照圖1A-圖1G所示

本實施例提供的IGBT的制造方法，如圖1A所示，首先，進(jìn)行步驟S1，在襯底101上依次生長漂移層102、電流阻擋層103、半導(dǎo)體溝道層104。其中，最下面一層為襯底101，襯底101可以通過重?fù)诫sB或注入工藝形成，本實施例中襯底101為重?fù)诫sp+GaN半導(dǎo)體層，在其他實施例中，襯底101也可以是其他重?fù)诫s半導(dǎo)體材料；進(jìn)一步地，漂移層102可以為輕摻雜的n-GaN層；電流阻擋層103可以為p-GaN層；半導(dǎo)體溝道層104可以為重?fù)诫s的n+GaN層。在襯底101上生長漂移層102，本實施例中，漂移層102是輕摻雜n-GaN半導(dǎo)體層。電流阻擋層103可以為p-GaN電流阻擋層，p-GaN電流阻擋層可以通過摻雜Mg或B實現(xiàn)，并可以通過退火工藝激活。在電流阻擋層103上生長的半導(dǎo)體溝道層104可以為n+GaN溝道層。

此外，本實施例中，還包括在襯底101的背面通過金屬電沉積，并通過高溫快速退火形成集電極130的步驟，集電極130與襯底101層形成歐姆接觸。制作集電極130的金屬例如可以是Ti、Al、Ni、Au、Pt、Mo等金屬或多種金屬層組合。

經(jīng)過上述步驟S1，通過材料生長以及摻雜或注入形式形成IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)。

其次，如圖1B所示，進(jìn)行步驟S2，在經(jīng)過步驟1形成的結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體溝道層104上，通過選擇性刻蝕或濕法腐蝕的工藝，去除指定區(qū)域的半導(dǎo)體溝道層104，并進(jìn)行開口104a，以使電流阻擋層103的上表面從開口處104a露出，換句話說，開口處104a的底部可以到達(dá)電流阻擋層103的上表面。此外，也可以進(jìn)一步對刻蝕開口104a內(nèi)進(jìn)行表面處理，修復(fù)刻蝕或腐蝕引入的損傷。

再次，如圖1C所示，進(jìn)行步驟S3，在步驟S2形成的結(jié)構(gòu)中，在開口處104a的局部通過進(jìn)行B離子高濃度注入，再進(jìn)行高溫推阱工藝，溫度需要1000℃以上，使得所注入的B離子縱向擴(kuò)散到所需的深度并在橫向擴(kuò)散到后續(xù)制作的發(fā)射電極和門極電極之間有源區(qū)下方的漂移層102內(nèi)，形成重?fù)诫sP+阱140。其中，P+阱140可以為一個或者多個。P+阱140為多個時，多個P+阱的位置從上至下并聯(lián)排列，或者多個P+阱從上至下并聯(lián)排列且P+阱的數(shù)量從上至下依次遞增。此外，P+阱的形狀可以是正方體、長方體、球形或棱柱體等的任意一種或其中的組合。

之后，如圖1D所示，進(jìn)行步驟S4，在經(jīng)過步驟S3形成的結(jié)構(gòu)中，通過真空蒸發(fā)設(shè)備在上述開口104a內(nèi)形成P-型電極150。P-型電極150可以是先在開口處104a形成電極材料，然后蒸鍍金屬，然后在氮氣環(huán)境中進(jìn)行低溫快速熱退火形成。其中，電極材料可以是Ni等金屬，蒸鍍的金屬可以是Au等金屬。作為優(yōu)選，本實施例中，電極材料是Ni，且蒸鍍的金屬可以是Au。由于Ni與Au功函數(shù)都相對較大，二者又可以形成合金，在快速退火過程中，Ni與Au的金屬原子與電流阻擋層103和重?fù)诫sP+阱140接觸區(qū)域的原子相互擴(kuò)散，減小了金屬與電流阻擋層103以及重?fù)诫sP+阱140接觸區(qū)域界面的勢壘高度，因此可以實現(xiàn)P-型電極150與電流阻擋層103以及P+阱140形成歐姆接觸，這種P-型電極的設(shè)計，可以提高器件電特性的穩(wěn)定性，進(jìn)一步提高器件的可靠性。

再次，如圖1E所示，進(jìn)行步驟S5，在經(jīng)過步驟S4形成的結(jié)構(gòu)中，通過真空蒸發(fā)設(shè)備在半導(dǎo)體溝道層104以及P-型電極150的上表面依次沉積Ti/Al/Ni/Au等金屬，然后在氮氣環(huán)境下進(jìn)行快速高溫退火形成發(fā)射電極105。退火溫度可以控制在600～1000℃，沉積的金屬形成合金，發(fā)射電極105與半導(dǎo)體溝道層104歐姆接觸，并且保證發(fā)射電極105、P-型電極150、重?fù)诫sP+阱140是同電位或電連接。

之后，如圖1F所示，進(jìn)行步驟S6，在經(jīng)過步驟S5形成的結(jié)構(gòu)中，在發(fā)射電極105之間的區(qū)域，通過選擇性的刻蝕或腐蝕工藝，自半導(dǎo)體溝道層104的上表面向漂移層102進(jìn)行開口，形成門極溝槽120。門極溝槽120的形狀是上寬下窄的倒梯形，也可以是其他任何上寬下窄的形狀。門極溝槽120的底部達(dá)到電流阻擋層103內(nèi)部或下表面。

然后，如圖1G所示，進(jìn)行步驟S7，在經(jīng)過步驟S6形成的結(jié)構(gòu)中，通過金屬蒸發(fā)設(shè)備在門極溝槽120內(nèi)形成門極電極122。門極電極122為Ni/Au金屬鍍層或Ti/Ni/Au金屬鍍層。門極電極122覆蓋位于門極溝槽120內(nèi)并與溝道層104以及電流阻擋層103的接觸面形成肖特基接觸。

參照圖1G，經(jīng)過步驟S1-S7后形成的IGBT器件100，其包括：

材料為p+GaN半導(dǎo)體層的襯底101以及依次形成于襯底101上的漂移層102、電流阻擋層103和半導(dǎo)體溝道層104；位于漂移層102內(nèi)的P+阱140；半導(dǎo)體溝道層104上形成有與半導(dǎo)體溝道層104歐姆接觸的發(fā)射電極105；發(fā)射電極105和電流阻擋層103之間形成有P-型電極150，發(fā)射電極105和P+阱140同電位或電連接；半導(dǎo)體溝道層104和電流阻擋層103內(nèi)形成有門極溝槽120，門極電極122位于門極溝槽120內(nèi)并與溝道層104以及電流阻擋層103的接觸面形成肖特基接觸。集電極130位于襯底101的背面，并與襯底101形成歐姆接觸。

由于垂直結(jié)構(gòu)的IGBT器件100主要通過電流阻擋層103與漂移層102形成p-n結(jié)來承受高壓，并且漂移層102內(nèi)的耗盡區(qū)寬度直接決定了器件承受電壓的能力，因此由于P+阱140的設(shè)計，進(jìn)一步擴(kuò)展漂移層102內(nèi)的耗盡區(qū)寬度，可以進(jìn)一步降低垂直結(jié)構(gòu)IGBT器件100的漏電流，提高IGBT器件100的承受電壓能力。

在上述結(jié)構(gòu)中由于P+阱140的設(shè)計，加強(qiáng)了漂移層102內(nèi)耗盡區(qū)的擴(kuò)展寬度，降低了IGBT器件100的漏電流，提高了IGBT器件100的擊穿電壓。進(jìn)一步地，由于P-型電極150的設(shè)計，可以吸引阻擋電流層103中多余的空穴，并逐漸導(dǎo)出，可以提高IGBT器件100電特性的穩(wěn)定性，進(jìn)一步提高IGBT器件100的可靠性。

P-型電極150的設(shè)計，由于P-型電極150是低電位，可以有效的吸引電流阻擋層103中的空穴缺陷或由于強(qiáng)場條件下空穴-電子對產(chǎn)生的空穴，并將空穴逐漸導(dǎo)出，因此可以進(jìn)一步改善器件電學(xué)特性的穩(wěn)定性，有效抑制了IGBT器件100提前發(fā)生雪崩或電流電壓突變現(xiàn)象。

實施例2，參照圖2所示

圖2是本發(fā)明實施例1的一種變形結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，是在實施例1的基礎(chǔ)上，通過材料生長設(shè)備在發(fā)射電極105之間的半導(dǎo)體溝道層104以及門極溝槽120內(nèi)形成二維電子氣再生長層180。二維電子氣再生長層180包括了電子輸運半導(dǎo)體層106和位于電子輸運半導(dǎo)體層106上的電子供給半導(dǎo)體層107，在電子輸運半導(dǎo)體層106和電子供給半導(dǎo)體層107的界面形成二維電子氣108。二維電子氣108是電子供給半導(dǎo)體層107和電子輸運半導(dǎo)體層106極化效應(yīng)在二者界面的電子輸運半導(dǎo)體層106內(nèi)形成的。在本發(fā)明的其他實施例中，電子供給半導(dǎo)體層107可以是AlGaN，Al組分可以選擇10％～50％范圍內(nèi)的任何值，電子輸運半導(dǎo)體層106可以是GaN。

然后，通過金屬蒸發(fā)設(shè)備在門極溝槽120內(nèi)的二維電子氣再生長層180上形成門極電極122。門極電極122為Ni/Au金屬鍍層或Ti/Ni/Au金屬鍍層。門極電極122覆蓋位于門極溝槽120內(nèi)的二維電子氣再生長層180，并與二維電子再生長層180間形成肖特基接觸。

進(jìn)一步，門極溝槽120的底部與半導(dǎo)體溝道層104下表面平齊，或者延伸至電流阻擋層103內(nèi)，或者與漂移層102的上表面平齊，或者低于漂移層102的上表面。

二維電子氣再生長層180的設(shè)計，可以進(jìn)一步提高本發(fā)明IGBT器件開態(tài)導(dǎo)電溝道的二維電子氣濃度和電子遷移率，降低本發(fā)明IGBT器件的導(dǎo)通電阻。由于IGBT器件結(jié)構(gòu)中漂移層102內(nèi)P+阱140設(shè)計不可避免耗盡了部分溝道電子，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加，二維電子氣再生長層180的設(shè)計，可以改善P+阱140設(shè)計降低IGBT器件漏電流，提高IGBT器件擊穿電壓與增加導(dǎo)通電阻間的矛盾，從而可以實現(xiàn)低漏電高擊穿電壓且低導(dǎo)通電阻的垂直結(jié)構(gòu)IGBT器件。

實施例3，參照圖3所示

通過上述設(shè)計得到的IGBT器件100已基本能滿足使用需求，但本著進(jìn)一步完善其功能的宗旨，設(shè)計者對該IGBT器件100進(jìn)行了進(jìn)一步的改良。

本實施例中，是在實施例2的器件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，在襯底101上生長漂移層102之前先形成緩沖層160，然后在緩沖層160上形成漂移層102，后續(xù)的步驟和實施例2相同。也就是說，相當(dāng)于在實施例2的IGBT器件結(jié)構(gòu)中，在漂移層102和襯底101之間插入緩沖層160，形成穿通型(PT)的IGBT結(jié)構(gòu)200。在本發(fā)明的其他優(yōu)選實施例中，緩沖層為重?fù)诫s的n+GaN層。由于重?fù)诫s的n+GaN層是電子重?fù)诫s或注入，在IGBT器件200正向?qū)ǖ倪^程進(jìn)一步增加了導(dǎo)電溝道的電子濃度，可以進(jìn)一步降低IGBT器件200的導(dǎo)通電阻。

以上雖然通過一些示例性的實施例對本發(fā)明的IGBT器件結(jié)構(gòu)以及用于制造IGBT器件結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是以上這些實施例并不是窮舉的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)實現(xiàn)各種變化和修改。因此，本發(fā)明并不限于這些實施例，本發(fā)明的范圍僅以所附權(quán)利要求書為準(zhǔn)。例如本專利也可以用于其他IGBT器件結(jié)構(gòu)中，如Si器件，GaAs器件，SiC器件等，本發(fā)明對此沒有任何限制。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。