一種電容介質沉淀方法
【專利摘要】一種電容介質沉淀方法，屬于電子制備工藝領域。包括如下步驟：（1）首先在半絕緣的GaAs襯底上通過PECVD方法生長100nmSiN；（2）接著采用電子束蒸發(fā)Ti/Pt/Au/Ti多層金屬作為電容下電極；（3）電容上電極通過濺射200nmWIi/Au/Ti多層金屬來形成；（4）最后電鍍Au層對電極進行加厚完成電容制作。通過對優(yōu)化的HDPCVD淀積工藝進行了電容的制備。對比傳統(tǒng)的PECVD工藝，HDPCVD工藝充分體現(xiàn)了低溫生長、低漏電、較高擊穿場強。本發(fā)明所述電容介質沉淀方法操作簡單且易于推廣。
【專利說明】一種電容介質沉淀方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于電子制備工藝領域，尤其涉及一種電容介質沉淀方法。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)高性能的GaN微波集成單片電路電容大都采用PECVD沉積SiN介質，反應氣體為SiH4/NH3/N2，溫度在20(T30(TC之間，以保證實現(xiàn)高的擊穿場強。隨著微波集成單片電路性能的不斷提升，高質量薄膜也出現(xiàn)了一系列新的要求，諸如介質的高致密性、低氫含量以避免雜質和水汽、低溫沉淀從而減小表面損傷以及底本征應力以減少晶格缺陷。對于PECVD生長的介質不夠致密，無法保證有效阻止水汽及外界H原子的滲透。
【發(fā)明內容】
[0003]本發(fā)明旨在解決上述問題，提供一種電容的介質沉淀方法。
[0004]—種電容的介質沉淀方法,其特征在于包括如下步驟:(1)首先在半絕緣的GaAs襯底上通過PECVD方法生長10nmSiN ；(2)接著采用電子束蒸發(fā)Ti/Pt/Au/Ti多層金屬作為電容下電極；(3)電容上電極通過濺射200nmWIi/Au/Ti多層金屬來形成；(4)最后電鍍Au層對電極進行加厚完成電容制作。
[0005]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容下電極的總厚度為600nmo
[0006]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容介質的制備條件為:SiH4/Ar/N2=9.5/15/7ml/min，上下電極功率為 1300/0W,氣壓 666.61mPa，溫度為 170°C。
[0007]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容介質層的生長，采用型號為VLN-LL-HDPCVD介質生長臺，厚度為235nm。
[0008]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，通過對優(yōu)化的HDPCVD淀積工藝進行了電容的制備。對比傳統(tǒng)的PECVD工藝，HDPCVD工藝充分體現(xiàn)了低溫生長、低漏電、較高擊穿場強。本發(fā)明所述電容介質沉淀方法操作簡單且易于推廣。
【具體實施方式】
[0009]本發(fā)明一種電容的介質沉淀方法，其特征在于包括如下步驟:(1)首先在半絕緣的GaAs襯底上通過PECVD方法生長10nmSiN ; (2)接著采用電子束蒸發(fā)Ti/Pt/Au/Ti多層金屬作為電容下電極；(3)電容上電極通過濺射200nmWIi/Au/Ti多層金屬來形成；(4)最后電鍍Au層對電極進行加厚完成電容制作。
[0010]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，所述電容下電極的總厚度為600nm。
[0011]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，所述電容介質的制備條件為:SiH4/Ar/Ν2=9.5/15/7ml/min，上下電極功率為 1300/0W,氣壓 666.61mPa，溫度為 170°C。
[0012]本發(fā)明所述的一種電容介質沉淀方法，所述電容介質層的生長，采用型號為VLN-LL-HDPCVD介質生長臺，厚度為235nm。
【權利要求】
1.一種電容的介質沉淀方法,其特征在于包括如下步驟:(I)首先在半絕緣的GaAs襯底上通過PECVD方法生長10nmSiN ；(2)接著采用電子束蒸發(fā)Ti/Pt/Au/Ti多層金屬作為電容下電極；(3)電容上電極通過濺射200nmWIi/Au/Ti多層金屬來形成；(4)最后電鍍Au層對電極進行加厚完成電容制作。
2.如權利要求1所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容下電極的總厚度為 600nm。
3.如權利要求1所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容介質的制備條件為:SiH4/Ar/N2=9.5/15/7ml/min，上下電極功率為 1300/0W,氣壓666.61mPa，溫度為 170°C。
4.如權利要求1所述的一種電容介質沉淀方法，其特征在于所述電容介質層的生長，采用型號為VLN-LL-HDPCVD介質生長臺，厚度為235nm。
【文檔編號】H01L21/02GK104269344SQ201410408140
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年8月19日 優(yōu)先權日:2014年8月19日
【發(fā)明者】賈衛(wèi)東, 魏軍鋒 申請人:西安三威安防科技有限公司