一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法、磁體和擴(kuò)散源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法、磁體和擴(kuò)散源，為包括在處理室內(nèi)配置RTB系燒結(jié)磁體的準(zhǔn)備工程、在同一處理室內(nèi)的Dy擴(kuò)散源的準(zhǔn)備工程，使Dy擴(kuò)散源蒸發(fā)到燒結(jié)磁體的Dy擴(kuò)散工程的方法，其特征在于：所述Dy擴(kuò)散源為平鋪在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。本發(fā)明通過將充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的厚度在0.05～1mm的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片替代Dy板或Dy合金板使用，以節(jié)省Dy材料的使用量。
【專利說明】一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法、磁體和擴(kuò)散源
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種對磁鐵進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法、磁體和Dy擴(kuò)散源，具體涉及一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法、磁體和Dy擴(kuò)散源。
【背景技術(shù)】
[0002]晶界擴(kuò)散處理通常是在加工工序(亦即切割工序)之后，表面處理工序之前進(jìn)行的。所謂晶界擴(kuò)散法，就是在R-T-B燒結(jié)磁體的表面附有Dy、Tb等重稀土元素(RH)塊或其合金塊、或在同一處理室內(nèi)以不直接接觸的方式放置燒結(jié)磁體和Dy、Tb等重稀土元素塊或其合金塊，并經(jīng)適宜的熱處理后，磁體表面的Dy、Tb會穿過燒結(jié)體磁體的晶界進(jìn)入燒結(jié)體內(nèi)部，使Dy、Tb等重稀土從晶界向主相R2T14B內(nèi)部進(jìn)行擴(kuò)散的方法，其一方面可以使得進(jìn)入晶界中的Dy、Tb等重稀土元素迅速進(jìn)入燒結(jié)體內(nèi)部，從晶界向主相R2T14B內(nèi)部擴(kuò)散，另一方面是進(jìn)入主相R2T14B內(nèi)部的Dy取代了主相R2T14B外殼部的R，但是沒有取代中心部的R，從而形成核-殼結(jié)構(gòu)，主相核-殼結(jié)構(gòu)的成分差既保證了重稀土元素取代后磁體各向異性的提高，從而提高矯頑力，也因為這種取代僅是主相的極小一部分，磁體的剩磁基本上不變或降低很小。
[0003]在同一處理室內(nèi)以不直接接觸的方式放置燒結(jié)磁體和Dy、Tb等重稀土元素塊或其合金塊，進(jìn)行RH(主要包括Dy、Tb或Ho)或其化合物擴(kuò)散的現(xiàn)有報道中，如CN101506919A、CN100470687C、CN102667978A等，都是采用鏑或其化合物的塊體或者板狀體加熱蒸發(fā)到磁鐵表面，再往磁鐵內(nèi)部擴(kuò)散的工藝。然而，在Dy擴(kuò)散時，不能直接使用從市場直接購得的Dy材料，這是因為，作為擴(kuò)散源的Dy材料表面與作為擴(kuò)散受體的磁體表面需要保持近距離接觸，因此，為提高熱處理爐的裝載率，提高可工業(yè)性，需要獲得Dy薄板或Dy合金薄板(Imm左右)，而市場上購買的Dy塊可用于切割的大體積原材料不多，且由于Dy材料(Dy金屬或Dy合金)均為難加工材料，延展性差，特別容易產(chǎn)生裂紋，制成板狀材料的合格率低，在處理時極容易發(fā)生破裂、損壞，導(dǎo)致不能用于量產(chǎn)，由此，導(dǎo)致晶界擴(kuò)散的工業(yè)化普及難以實(shí)現(xiàn)。
[0004]且，Dy板需與磁鐵的形狀一致，因此，Dy擴(kuò)散時所使用的Dy材料用量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過擴(kuò)散所需的用量，加之Dy材料切割所產(chǎn)生的廢料太多，存在利用率過低的問題。
[0005]再者，Dy材料切割所獲得的板狀材料難以跟隨磁體形狀作出相應(yīng)的形狀改變，因此，拱形磁鐵或環(huán)形磁鐵等非平面磁鐵甚至可能出現(xiàn)磁體的一部分Hcj得到顯著提高，而另一部分則提高不明顯的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。本發(fā)明通過將充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的厚度在0.05?Imm的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片替代Dy板或Dy合金板使用，以節(jié)省Dy材料的使用量。
[0007]本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:[0008]一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，包括在處理室內(nèi)配置R_T_B系燒結(jié)磁體的準(zhǔn)備工程，在同一處理室內(nèi)的Dy擴(kuò)散源的準(zhǔn)備工程，和使Dy擴(kuò)散源蒸發(fā)到所述燒結(jié)磁體的Dy擴(kuò)散工程，其特征在于:所述Dy擴(kuò)散源為平鋪在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05?1mm。
[0009]本發(fā)明通過分散放置的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，制得與磁鐵形狀一致的Dy擴(kuò)散源，以保證擴(kuò)散效率和擴(kuò)散質(zhì)量，降低Dy材料的使用量，同時增加Dy擴(kuò)散的蒸發(fā)供應(yīng)面，這里的蒸發(fā)供應(yīng)面為Dy擴(kuò)散源靠近或接觸燒結(jié)磁體的表面，如在磁鐵和Dy擴(kuò)散源采用上下堆疊的方式放置時，即為Dy擴(kuò)散源的上下表面，同時，燒結(jié)磁鐵的上下表面形成接收面。由于Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的表面是不光滑的，具有小浮點(diǎn)，提高了 Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的表面積，進(jìn)而提高了擴(kuò)散效率。
[0010]本發(fā)明將Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中制得Dy擴(kuò)散源，并將Dy擴(kuò)散源、磁鐵交叉堆疊放置，使Dy擴(kuò)散源到磁體的擴(kuò)散距離變得可控，獲得磁性能更為均衡的磁體。
[0011]進(jìn)一步地,本發(fā)明是使用充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，因此，其不僅可以用在形狀規(guī)則的磁鐵上，還可以通過改變高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的形狀，獲得與拱形磁鐵或環(huán)形磁鐵等非平面磁鐵形狀對應(yīng)的任意形狀的Dy擴(kuò)散源，從而使Dy擴(kuò)散源到非平面磁鐵的擴(kuò)散距離也變得可控，使工藝更為穩(wěn)定、可控，并獲得Hcj均衡提高的磁體。
[0012]再進(jìn)一步地，由于所有的Dy材料或Dy合金材料均被制成了 Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，因此，基本沒有材料的損耗，Dy材料的利用率高。
[0013]需要說明的是，這里的R-T-B系燒結(jié)磁體為含有R2Fe14B主相的磁鐵，所述的R為選自包含釔元素在內(nèi)的稀土元素中的至少一種，所述T為包括Fe的至少一種過渡金屬元素。
[0014]與Dy相同，Tb或Ho也是常見的用于晶界擴(kuò)散的元素，因此，在將本發(fā)明所揭示的內(nèi)容用于Tb或Ho的晶界擴(kuò)散時，也應(yīng)落入本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0015]另外，出于成本控制和工業(yè)可操作性的考慮，本發(fā)明選擇使用的是Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度在0.05?1mm，但是若是其他從業(yè)者出于規(guī)避專利內(nèi)容的考慮，選擇讓部分Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度略大于上述尺寸或略小于上述尺寸的Dy急冷薄片和Dy合金急冷薄片，也應(yīng)當(dāng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0016]本發(fā)明不限制向高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中填充Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的方式，其既可以采用先預(yù)制上開口的高熔點(diǎn)金屬盒，而后向其中放入Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，再覆蓋高熔點(diǎn)金屬上蓋，也可以采用先預(yù)制側(cè)開口的高熔點(diǎn)金屬袋，而后向其中放入Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片,再封閉開口的方式。
[0017]在推薦的實(shí)施方式中，所述Dy合金急冷薄片為Dy金屬和其他低熔點(diǎn)金屬所制成的合金薄片，如Dy — Fe — Ga合金、Dy — Cu — Ga合金等。
[0018]在推薦的實(shí)施方式中，在將所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片破碎成粒徑在Icm以下的小片之后，再將其間隔相同的間隙離散排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中，其可提供基本分布均勻的蒸發(fā)供應(yīng)面，減少Dy材料的使用，并使用最少的Dy材料達(dá)到同樣的擴(kuò)散效果。當(dāng)然，所述小片的粒徑是大于所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的網(wǎng)孔孔徑的。
[0019]在推薦的實(shí)施方式中，出于成本控制和工業(yè)可操作性的考慮，所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的厚度為0.5mm?2mm。
[0020]在推薦的實(shí)施方式中，所述Dy擴(kuò)散源為離散排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片。優(yōu)選地,所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片為厚度均一的薄片。更優(yōu)選地，所述Dy擴(kuò)散源為鋪設(shè)排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的單層Dy急冷薄片或單層Dy合金急冷薄片。
[0021]在現(xiàn)有的Dy擴(kuò)散過程中，需要提供基本分布均勻的蒸發(fā)供應(yīng)面，蒸發(fā)供應(yīng)面分布均勻，才能向?qū)?yīng)的接收面穩(wěn)定提供Dy原子，本發(fā)明通過組合排列的方式獲得分布均勻的Dy擴(kuò)散源(如采用形狀、大小、材料均一致的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的均勻排列，或采用形狀、大小、材料不一致的幾種Dy急冷薄片或幾種Dy合金急冷薄片的規(guī)律間隔排列)，得到分布均勻的Dy擴(kuò)散源，以此提供分布均勻的蒸發(fā)供應(yīng)面進(jìn)行Dy擴(kuò)散，獲得高性能的磁鐵。另外，為便于工業(yè)化生產(chǎn)，應(yīng)盡能降低Dy擴(kuò)散源的厚度，因此，Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片一般單層鋪設(shè)在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中，這同樣也利于獲得分布均勻的供應(yīng)面。
[0022]本發(fā)明中，離散排列的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片可以通過上下加壓設(shè)置的高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)固定，也可以通過設(shè)置隔斷的方式，使Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片離散排列。
[0023]在推薦的實(shí)施方式中，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片通過如下的方式制得:1)取Dy原料或Dy合金原料放入坩堝中，在熔煉爐中進(jìn)行真空熔煉；2)在真空熔煉后的熔煉爐中通入Ar氣體，使用甩帶鑄造法(SC)鑄造成Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片。上述的方式可以獲得厚度基本一致的薄片，但由于Dy急冷薄片和Dy合金急冷薄片的韌性極差，難以平鋪到非平面形高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中，因此，可以將其破碎成小片，而后裝入到非平面形高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中。
[0024]在推薦的實(shí)施方式中，在所述處理室內(nèi)配置所述燒結(jié)磁體，把該燒結(jié)磁體加熱到750?1050°C范圍內(nèi)，把配置在同一處理室內(nèi)的Dy擴(kuò)散源加熱并使之蒸發(fā)，把該蒸發(fā)的Dy原子提供到所述燒結(jié)磁體表面，并使之附著。
[0025]在推薦的實(shí)施方式中，將外設(shè)高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的Dy擴(kuò)散源直接放置在所述燒結(jié)磁體表面。由于高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的存在，Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片可藉由適當(dāng)調(diào)節(jié)高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的厚度，使Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片和燒結(jié)磁體彼此間隔最合適的擴(kuò)散距離放置，而無需額外調(diào)節(jié)燒結(jié)磁體和Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片之間的距離。
[0026]在推薦的實(shí)施方式中，所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)為Mo網(wǎng)、W網(wǎng)、Nb網(wǎng)、Ta網(wǎng)、Ti網(wǎng)或Zr網(wǎng)。
[0027]本發(fā)明的另一目的在于提供一種新型磁體。
[0028]磁體，用上述記載的對RTB系燒結(jié)磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法制造。
[0029]本發(fā)明的再一目的在于提供一種Dy擴(kuò)散源。
[0030]擴(kuò)散源，包括充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05?1mm。
[0031]由上述描述可知，本發(fā)明具有如下的特點(diǎn):
[0032]I)本發(fā)明的Dy擴(kuò)散源使用平鋪放置的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，以此降低Dy材料的使用量，保證擴(kuò)散效率和擴(kuò)散質(zhì)量，同時增加Dy擴(kuò)散源的蒸發(fā)供應(yīng)面；
[0033]2)可通過調(diào)節(jié)Dy擴(kuò)散源中Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的分布數(shù)量，如采用離散的方式放置，以使用最少的Dy材料達(dá)到同樣的擴(kuò)散效果；
[0034]3)在將Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片破碎成粒徑在Icm以下的小片之后，再將其間隔基本相同的間隙離散排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中，以進(jìn)一步減少Dy材料的使用；
[0035]4)獲得Dy急冷薄片或者Dy合金急冷薄片的工藝簡單，且可以使用磁鐵熔煉時所用的裝置，而無需特意購置設(shè)備；
[0036]5)本發(fā)明可根據(jù)磁鐵的形狀將Dy擴(kuò)散源自由制作成相應(yīng)的形狀，適應(yīng)性強(qiáng)，利用
率聞;
[0037]6)本發(fā)明通過將Dy擴(kuò)散源直接放置在燒結(jié)磁體表面，從而可以通過調(diào)整高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的厚度，調(diào)節(jié)Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片至燒結(jié)磁體的擴(kuò)散距離，使用更為方便；
[0038]7)本發(fā)明中，通過組合排列的方式得到分布均勻的Dy擴(kuò)散源，以此提供分布均勻的供應(yīng)面進(jìn)行Dy擴(kuò)散，獲得高性能的磁鐵。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]圖1為弧形Dy擴(kuò)散源的使用狀態(tài)圖。
[0040]圖2為Dy小片間隔基本相同的間隙離散排列在弧形Mo網(wǎng)中，并對磁鐵進(jìn)行擴(kuò)散的使用狀態(tài)圖。
[0041]圖3為Dy小片無間隙排列在平面Mo金屬網(wǎng)中的示意圖。
[0042]圖4為Dy小片間隔基本相同的間隙離散排列在平面Mo網(wǎng)中的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]實(shí)施例
[0044]制備Dy擴(kuò)散源包括如下的步驟:
[0045]I)取IOKg Dy原料放入氧化鋁制的坩堝中，在高頻真空感應(yīng)熔煉爐中在IPa的真空中以1550°C以下的溫度進(jìn)行真空熔煉。
[0046]2)鑄造過程:在真空熔煉后的熔煉爐中通入Ar氣體使氣壓達(dá)到8萬Pa后，使用甩帶鑄造法(SC)將熔融液鑄造成平均厚度為0.05mm?Imm的Dy急冷薄片。
[0047]如圖1中所示，將Dy急冷薄片破碎成小片2，以無間隙的方式平鋪在弧形Mo網(wǎng)I中，弧形擴(kuò)散源的使用狀態(tài)如圖中所示，I為Mo網(wǎng)，2為Dy急冷薄片的小片，3為磁鐵，且Mo網(wǎng)的厚度不在圖中體現(xiàn)。
[0048]如圖2中所示，將Dy急冷薄片破碎成小片2，間隔基本相同的間隙離散排列在弧形Mo網(wǎng)I中，弧形擴(kuò)散源的使用狀態(tài)如圖中所示，I為Mo網(wǎng)，2為Dy急冷薄片的小片，3為磁鐵，且Mo網(wǎng)的厚度不在圖中體現(xiàn)。
[0049]如圖3中所示，將Dy急冷薄片破碎成小片2，以無間隙的方式平鋪在平面Mo網(wǎng)I中，I為Mo網(wǎng)，2為Dy急冷薄片的小片，且Mo網(wǎng)的厚度不在圖中體現(xiàn)。
[0050]如圖4中所示，將Dy急冷薄片破碎成小片2，間隔基本相同的間隙離散排列在平面Mo網(wǎng)I中，I為Mo網(wǎng)，2為Dy急冷薄片的小片，且Mo網(wǎng)的厚度不在圖中體現(xiàn)。
[0051]試驗例I
[0052]取經(jīng)過熱處理的燒結(jié)磁體(成分組成為Nd28.9Dy2.6Cu0.從5Nb0.2BL05Febal.)加工成長15mm、寬8mm、厚度5mm的產(chǎn)品，5mm方向為磁場取向方向，分成3等份,分別為空白例、對比例和試驗例。
[0053]空白例:燒結(jié)體制成的磁鐵作為無晶界擴(kuò)散處理的磁鐵直接進(jìn)行磁性能檢測，評定其磁特性。
[0054]對比例:燒結(jié)體制成的磁鐵洗凈，表面潔凈化后，在真空熱處理爐中，以Dy金屬板(厚度為1mm)、隔離網(wǎng)(厚度為2mm)和燒結(jié)磁鐵的順序堆疊放置，之后以800°C的溫度在Ar氣氛中擴(kuò)散處理6小時。
[0055]試驗例:燒結(jié)體制成的磁鐵洗凈，表面潔凈化后，在真空熱處理爐中，將實(shí)施例中制得的Dy擴(kuò)散源(Dy急冷薄片的小片以無間隙的方式平鋪在平面Mo網(wǎng)中，Mo網(wǎng)厚度為2mm、Dy急冷薄片的厚度為0.05mm、Dy急冷薄片的堆疊厚度為0.2mm)和燒結(jié)磁鐵堆疊放置，之后以800°C的溫度在Ar氣氛中擴(kuò)散處理6小時。
[0056]時效處理:上述經(jīng)Dy晶界擴(kuò)散處理后的磁體(對比例以及試驗例)均在550°C的溫度進(jìn)行時效處理，使蒸發(fā)的Dy元素在磁鐵晶界中進(jìn)一步充分?jǐn)U散。
[0057]磁性能評價過程:燒結(jié)磁體使用中國計量院的NM-10000H型BH大塊稀土永磁無損測量系統(tǒng)進(jìn)行磁性能檢測。
[0058]空白例、對比例和試驗例的磁鐵評價結(jié)果如表1中所示:
[0059]表1空白例、對比例和試驗例的磁性能評價的情況
【權(quán)利要求】
1.一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，包括在處理室內(nèi)配置RTB系燒結(jié)磁體的準(zhǔn)備工程，在同一處理室內(nèi)的Dy擴(kuò)散源的準(zhǔn)備工程，和使Dy擴(kuò)散源蒸發(fā)到所述燒結(jié)磁體的Dy擴(kuò)散工程，其特征在于:所述Dy擴(kuò)散源為平鋪在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05?1mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:在將所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片破碎成粒徑在Icm以下的小片之后，再將其間隔相同的間隙離散排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)的厚度為0.5mm?2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:所述Dy擴(kuò)散源為離散排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:所述Dy擴(kuò)散源為鋪設(shè)排列在所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的單層Dy急冷薄片或單層Dy合金急冷薄片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:在所述處理室內(nèi)配置所述燒結(jié)磁體，把該燒結(jié)磁體加熱到750?1050°C范圍內(nèi)，把配置在同一處理室內(nèi)的Dy擴(kuò)散源加熱并使之蒸發(fā)，把蒸發(fā)的Dy原子提供到所述燒結(jié)磁體表面，并使之附著。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對一種RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:將所述Dy擴(kuò)散源直接放置在所述燒結(jié)磁體表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對RTB系磁體進(jìn)行Dy擴(kuò)散的方法，其特征在于:所述高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)為Mo網(wǎng)、W網(wǎng)、Nb網(wǎng)、Ta網(wǎng)、Ti網(wǎng)或Zr網(wǎng)。
9.磁體，用權(quán)利要求1?8中任一項記載的方法制造。
10.擴(kuò)散源，為充填在高熔點(diǎn)金屬網(wǎng)中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05?1_。
【文檔編號】H01F1/057GK103985535SQ201410238724
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月31日
【發(fā)明者】永田浩, 張建洪 申請人:廈門鎢業(yè)股份有限公司