一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，該薄膜晶體管包括：柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部；所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第二端部。本發(fā)明能夠保證背溝道刻蝕類型的氧化物薄膜晶體管的有源層得到有效的保護(hù)。
【專利說明】—種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的背溝道刻蝕(BCE)類型的氧化物薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)示意圖，該氧化物薄膜晶體管主要包括:柵電極101、柵絕緣層(圖未示出)、有源層102、源電極103以及漏電極104，源電極103和漏電極104直接設(shè)置于有源層102上方，源/漏電極和有源層104之間沒有設(shè)置刻蝕阻擋層(ESL)。由于缺少了刻蝕阻擋層的保護(hù)，后續(xù)制作工藝以及制作完成后的環(huán)境等，或多或少會對有源層104的未被源/漏電極覆蓋的部分產(chǎn)生影響，從而影響氧化物薄膜晶體管的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，能夠保證BCE類型的氧化物薄膜晶體管的有源層得到有效的保護(hù)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括:柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部；所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第
二端部。
[0005]其中，所述漏電極為矩形。
[0006]其中，所述漏電極包括:
[0007]彼此相連的覆蓋電極和接觸電極；其中，
[0008]所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部，所述覆蓋電極的縱向?qū)挾却笥诨虻扔谒鲇性磳拥目v向?qū)挾龋?br> [0009]所述接觸電極，用于與像素電極接觸，所述接觸電極的縱向?qū)挾却笥谒龈采w電極的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
[0010]其中，所述漏電極包括:
[0011 ] 覆蓋電極、連接電極和接觸電極，所述連接電極位于所述覆蓋電極和所述接觸電極之間，分別與所述覆蓋電極和所述接觸電極相連；
[0012]所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部；
[0013]所述連接電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述連接電極的縱向?qū)挾刃∮谒龈采w電極的縱向?qū)挾龋隹v向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向；
[0014]所述接觸電極，用于與像素電極接觸。
[0015]其中，所述覆蓋電極和所述連接電極呈T型或L型連接。
[0016]其中，所述覆蓋電極為矩形。[0017]其中，所述覆蓋電極呈凹字型，所述覆蓋電極的凹槽的開口朝向所述源電極。
[0018]其中，所述接觸電極的縱向?qū)挾却笥诨虻扔谒鲞B接電極的縱向?qū)挾取?br> [0019]其中，所述源電極包括:第一電極、第二電極和第三電極，所述第二電極位于所述第一電極和所述第三電極之間，分別與所述第一電極和所述第三電極相連；
[0020]所述第一電極，完全覆蓋住所述有源層的第一端部；
[0021]所述第二電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述第二電極的縱向?qū)挾刃∮谒龅谝浑姌O和所述第三電極的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
[0022]本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括上述薄膜晶體管。
[0023]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0024]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0025]薄膜晶體管的漏電極能夠完全覆蓋住有源層的一端部，因而使得有源層能夠盡可能地得到保護(hù)，減小后續(xù)制作工藝以及制作完成后的環(huán)境等對有源層的產(chǎn)生的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的BCE類型的氧化物薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例四的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例五的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖7為本發(fā)明實(shí)施例六的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0034]本發(fā)明提供一種BCE類型的薄膜晶體管，該種類型的薄膜晶體管不包括刻蝕阻擋層，所述薄膜晶體管包括:柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部，所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第二端部。
[0035]由于所述漏電極能夠完全覆蓋住所述有源層的第二端部，因此所述漏電極的用于覆蓋所述有源層的第二端部的部分電極的縱向?qū)挾缺厝淮笥诨虻扔谒鲇性磳拥牡诙瞬康目v向?qū)挾?。所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
[0036]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，薄膜晶體管的漏電極能夠完全覆蓋住有源層的一端部，因而使得有源層能夠盡可能地得到保護(hù)，減小后續(xù)制作工藝以及制作完成后的環(huán)境等對有源層的產(chǎn)生的影響。
[0037]下面結(jié)合具體實(shí)施例，對本發(fā)明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0038]實(shí)施例一[0039]請參考圖2，圖2為本發(fā)明的實(shí)施例一的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括:柵電極201、柵絕緣層(圖未示出)、有源層202、源電極203和漏電極204，所述源電極203和所述漏電極204形成于所述有源層203的上方，且分別位于所述有源層203的相對的第一端部和第二端部，所述漏電極204完全覆蓋住所述有源層202的第二端部，所述漏電極204為矩形。
[0040]實(shí)施例二
[0041]請參考圖3，圖3為本發(fā)明的實(shí)施例二的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括:柵電極201、柵絕緣層(圖未示出)、有源層202、源電極203和漏電極204，所述源電極203和所述漏電極204形成于所述有源層203的上方，且分別位于所述有源層203的相對的第一端部和第二端部，所述漏電極204完全覆蓋住所述有源層202的第二端部。
[0042]所述漏電極204包括:彼此相連的覆蓋電極2041和接觸電極2042 ;其中，所述覆蓋電極2041完全覆蓋住所述有源層202的第二端部；所述接觸電極2042用于與像素電極接觸，所述接觸電極2042的縱向?qū)挾却笥谒龈采w電極2041的縱向?qū)挾?，如圖所示，所述縱向(Y方向)是與所述有源層202的第一端部和第二端部的連線所在方向(X方向)垂直的方向。
[0043]該實(shí)施例與實(shí)施例一相比，漏電極204與柵電極201重疊的面積變小，從而減小漏電極204與柵電極201之間的柵漏電容(Cgd)，提高薄膜晶體管的性能。
[0044]實(shí)施例三
[0045]請參考圖4，圖4為本發(fā)明的實(shí)施例三的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管包括:柵電極201、柵絕緣層(圖未示出)、有源層202、源電極203和漏電極204，所述源電極203和所述漏電極204形成于所述有源層203的上方，且分別位于所述有源層203的相對的第一端部和第二端部，所述漏電極204完全覆蓋住所述有源層202的第二端部。
[0046]所述漏電極204包括:
[0047]覆蓋電極2041、連接電極2043和接觸電極2042，所述連接電極2043位于所述覆蓋電極2041和所述接觸電極2042之間，分別與所述覆蓋電極2041和所述接觸電極2042相連；其中，所述覆蓋電極2041完全覆蓋住所述有源層202的第二端部；所述連接電極2043至少部分與所述柵電極201重疊，所述連接電極2043的縱向?qū)挾刃∮谒龈采w電極2041的縱向?qū)挾?，如圖所示，所述縱向(Y方向)是與所述有源層202的第一端部和第二端部的連線所在方向(X方向)垂直的方向。所述接觸電極2042用于與像素電極接觸。
[0048]該實(shí)施例與實(shí)施例二相比，所述漏電極204的覆蓋電極2041和連接電極2043呈T型連接，漏電極204與柵電極201重疊的面積變得更小，從而進(jìn)一步減小了漏電極204與柵電極201之間的柵漏電容(Cgd)，提高薄膜晶體管的性能。
[0049]實(shí)施例四
[0050]請參考圖5，圖5為本發(fā)明的實(shí)施例四的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別僅在于，實(shí)施例三中，所述覆蓋電極2041和所述連接電極2043呈T型連接，本發(fā)明實(shí)施例中，所述覆蓋電極2041和所述連接電極2043呈L型連接。
[0051 ] 當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述覆蓋電極2041和所述連接電極2043也不排除采用其他方式連接。
[0052]上述實(shí)施例二至實(shí)施例四中的所述覆蓋電極均為矩形，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述覆蓋電極也可以為其他形狀，下面舉例進(jìn)行說明。
[0053]實(shí)施例五
[0054]請參考圖6，圖6為本發(fā)明的實(shí)施例五的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別僅在于，所述覆蓋電極2041呈凹字型，所述覆蓋電極2041的凹槽的開口朝向所述源電極203。
[0055]該種結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管中，所述漏電極204除了覆蓋住所述有源層202的第二端部之外，還部分覆蓋所述有源層202的縱向方向上的兩個端部，使得有源層202進(jìn)一步得到保護(hù)。
[0056]上述各實(shí)施例中，所述源電極203同時完全覆蓋住所述有源層202的第一端部，以使得有源層202進(jìn)一步得到保護(hù)。
[0057]上述實(shí)施例一至實(shí)施例五中，所述源電極203均呈矩形，呈矩形的源電極203與位于其下層的柵電極201之間的重疊面積較大，使得所述源電極203與柵電極201之間的電容較大，影響薄膜晶體管的性能。
[0058]實(shí)施例六
[0059]請參考圖7，圖7為本發(fā)明的實(shí)施例六的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別僅在于，所述源電極203包括:
[0060]第一電極2031、第二電極2032和第三電極2033，所述第二電極2032位于所述第一電極2031和所述第三電極2033之間，分別與所述第一電極2031和所述第三電極2033相連；
[0061]所述第一電極2031，完全覆蓋住所述有源層202的第一端部；
[0062]所述第二電極2032，至少部分與所述柵電極201重疊，所述第二電極2032的縱向?qū)挾刃∮谒龅谝浑姌O2031和所述第三電極2032的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層202的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
[0063]該實(shí)施例與上述各實(shí)施例相比，源電極203與柵電極201重疊的面積變小，從而減小源電極203與柵電極201之間的電容，提高薄膜晶體管的性能。
[0064]本實(shí)施例中，所述第一電極2031和所述第二電極2042呈T型連接，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一電極2031和所述第二電極2042還可以為其他連接方式，如呈L型連接。
[0065]本實(shí)施例中，所述第一電極2031呈矩形，當(dāng)然，所述第一電極2031也可以為其他形狀，例如，呈凹字型，其凹槽的開口朝向所述漏電極。當(dāng)薄膜晶體管包括呈凹字型的第一電極時，所述源電極除了覆蓋住所述有源層的第一端部之外，還部分覆蓋所述有源層的縱向方向上的兩個端部，使得有源層進(jìn)一步得到保護(hù)。
[0066]上述實(shí)施例三至實(shí)施例六中，所述接觸電極2042的縱向?qū)挾染笥谒鲞B接電極2043的縱向?qū)挾?，?dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述接觸電極2042的縱向?qū)挾纫部梢缘扔谒鲞B接電極2043的縱向?qū)挾?，另外，也不排除接觸電極2042的縱向?qū)挾刃∮谒鲞B接電極2043的縱向?qū)挾鹊目赡堋?br> [0067]上述實(shí)施例三至實(shí)施例六的附圖中的虛線表示漏電極204各個部分的分割線。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述任一實(shí)施例所述的薄膜晶體管。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜晶體管的制備方法，所述方法用于制備上述實(shí)施例中的薄膜晶體管，所述方法包括:形成柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極的步驟，其中，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部，所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第二端部。
[0071 ] 由于所述漏電極能夠完全覆蓋住所述有源層的第二端部，因此所述漏電極的用于覆蓋所述有源層的第二端部的部分電極的縱向?qū)挾缺厝淮笥诨虻扔谒鲇性磳拥牡诙瞬康目v向?qū)挾取Ｋ隹v向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
[0072]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，薄膜晶體管的漏電極能夠完全覆蓋住有源層的一端部，因而使得有源層能夠盡可能地得到保護(hù)，減小后續(xù)制作工藝以及制作完成后的環(huán)境等對有源層的產(chǎn)生的影響。
[0073]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括:柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部；其特征在于，所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第二端部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極包括: 彼此相連的覆蓋電極和接觸電極；其中， 所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部，所述覆蓋電極的縱向?qū)挾却笥诨虻扔谒鲇性磳拥目v向?qū)挾龋? 所述接觸電極，用于與像素電極接觸，所述接觸電極的縱向?qū)挾却笥谒龈采w電極的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極包括: 覆蓋電極、連接電極和接觸電極，所述連接電極位于所述覆蓋電極和所述接觸電極之間，分別與所述覆蓋電極和所述接觸電極相連； 所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部； 所述連接電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述連接電極的縱向?qū)挾刃∮谒龈采w電極的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向； 所述接觸電極，用于與像素電極接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極和所述連接電極呈T型或L型連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極呈凹字型，所述覆蓋電極的凹槽的開口朝向所述源電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述接觸電極的縱向?qū)挾却笥诨虻扔谒鲞B接電極的縱向?qū)挾取?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極包括:第一電極、第二電極和第三電極，所述第二電極位于所述第一電極和所述第三電極之間，分別與所述第一電極和所述第三電極相連； 所述第一電極，完全覆蓋住所述有源層的第一端部； 所述第二電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述第二電極的縱向?qū)挾刃∮谒龅谝浑姌O和所述第三電極的縱向?qū)挾?，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L29/786GK103915509SQ201410113582
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】吳俊緯, 李禹奉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司