傳輸溫度測(cè)定中的激光噪聲消除的制作方法
【專利摘要】揭露了用于測(cè)量基板的溫度的裝置與方法。所述裝置包含：指示溫度的輻射的源；關(guān)于指示溫度的輻射的檢測(cè)器；以及解相關(guān)器，所述解相關(guān)器設(shè)置于在所述指示溫度的輻射的源與所述關(guān)于指示溫度的輻射的檢測(cè)器之間的光路中。所述解相關(guān)器可以是寬帶放大器和/或攪模器。寬帶放大器可以是寬帶激光器、布拉格光柵、光纖布拉格光柵、拉曼放大器、布里淵放大器或這些裝置的組合。所述解相關(guān)器被選擇以發(fā)出輻射，所述輻射至少部分地通過(guò)正被監(jiān)測(cè)的基板傳輸。若所述解相關(guān)器是增益驅(qū)動(dòng)裝置，則所述源與所述解相關(guān)器被匹配，以使得所述源的發(fā)射光譜在所述解相關(guān)器的增益帶寬內(nèi)。
【專利說(shuō)明】傳輸溫度測(cè)定中的激光噪聲消除

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文描述的實(shí)施方式涉及退火基板的裝置與方法。更特定而言，本文描述的裝置和方法涉及利用輻射傳輸?shù)臏囟葴y(cè)量。

【背景技術(shù)】
[0002]傳輸高溫測(cè)量(transmiss1n pyrometry)是檢測(cè)基板的熱狀態(tài)的常見(jiàn)方式。熱處理腔室通常會(huì)使基板暴露至激烈、非相干或相干輻射以提升所述基板的溫度，所述基板的升溫范圍是整個(gè)基板或者是所述基板的表面區(qū)域或者部分。用來(lái)加熱基板的輻射在腔室中產(chǎn)生強(qiáng)的背景輻射環(huán)境。
[0003]因?yàn)楦吖β瘦椛淠軓那皇抑械谋尘拜椛浔粎^(qū)分出來(lái)，所以使用高功率輻射來(lái)檢測(cè)基板的熱狀態(tài)。通常使用激光器，因?yàn)榧す馄魈峁└吖β?，并且因?yàn)榧す馄魈峁┻x擇最適合基板的特定波長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。激光器會(huì)產(chǎn)生相干輻射，且當(dāng)相干輻射傳輸穿過(guò)基板時(shí)，相干輻射能指示所述基板的熱狀態(tài)，所述熱狀態(tài)可被記錄為溫度。傳輸?shù)妮椛淇杀桓邷赜?jì)檢測(cè)，且所述傳輸?shù)妮椛淇膳c入射輻射比較，所述傳輸與所述基板熱狀態(tài)相關(guān)。
[0004]由激光器產(chǎn)生的輻射通常具有很窄的光譜寬度，且當(dāng)激光器操作時(shí)，輻射的精確波長(zhǎng)能檢測(cè)地變化。發(fā)射激光的(Iasing)介質(zhì)的溫度會(huì)影響由激光器發(fā)出的波長(zhǎng)，但即使是溫度受控的激光器也會(huì)因?yàn)槔缒B(tài)跳動(dòng)(mode-hopping)而顯出噪聲。當(dāng)此變動(dòng)的輻射撞到(impact)基板時(shí)，所述輻射的一些輻射在所述基板的相對(duì)表面之間反射，而產(chǎn)生干涉效應(yīng)。當(dāng)激光的波長(zhǎng)改變時(shí)，激光和所述干涉的復(fù)合作用會(huì)在傳輸?shù)墓庵挟a(chǎn)生大量噪聲，所述噪聲降低高溫計(jì)準(zhǔn)確檢測(cè)所述基板的熱狀態(tài)的能力。
[0005]與激光輻射內(nèi)固有的噪聲結(jié)合的是在基板上的溫度效應(yīng)。當(dāng)所述基板溫度變化時(shí)，所述基板的折射率可變化，且所述基板的厚度可變化，這些變化改變了被觀察的干涉圖案。因?yàn)楦鶕?jù)改變的干涉效應(yīng)來(lái)調(diào)節(jié)傳輸?shù)妮椛涞膹?qiáng)度，所以這些結(jié)合的噪聲源大大地降低使所述傳輸?shù)妮椛浜蜔釥顟B(tài)相互關(guān)聯(lián)的能力。
[0006]因此，有對(duì)低噪聲的傳輸測(cè)量的裝置和方法的需要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]揭露了用于測(cè)量基板的溫度的裝置與方法。所述裝置包含指示溫度的輻射的源、關(guān)于指示溫度的輻射的檢測(cè)器以及解相關(guān)器，所述解相關(guān)器設(shè)置于光路中，所述光路在所述指示溫度的輻射的源與所述關(guān)于指示溫度的輻射的檢測(cè)器之間。所述解相關(guān)器可以是寬帶放大器和/或攪模器(mode scrambler)。寬帶放大器可以是寬帶激光器、布拉格光柵、光纖布拉格光柵、拉曼放大器、布里淵放大器或這些裝置的組合。所述解相關(guān)器被選擇以發(fā)出輻射，所述輻射至少部分地通過(guò)正被監(jiān)測(cè)的基板傳輸。若所述解相關(guān)器是增益驅(qū)動(dòng)裝置(gain-driven device)，則使所述源與所述解相關(guān)器相匹配，以使得所述源的發(fā)射光譜在所述解相關(guān)器的增益帶寬內(nèi)。
[0008]熱處理腔室可有如本文描述的傳輸熱分析儀。所述腔室具有:在外殼中的基板支撐件；鄰近所述基板支撐件的熱源，所述熱源用于加熱設(shè)置于基板支撐件上的基板；和傳輸組件，所述傳輸組件包含相干輻射源、解相關(guān)器和檢測(cè)器，所述檢測(cè)器被放置以使得由所述解相關(guān)器發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)所述基板支撐件行進(jìn)至所述檢測(cè)器。所述解相關(guān)器可增加輻射中模態(tài)的數(shù)量，或所述解相關(guān)器可加寬輻射的光譜以防止噪聲信號(hào)到達(dá)檢測(cè)器。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]為了能夠詳細(xì)了解上述的本發(fā)明的特征，可通過(guò)參考實(shí)施方式獲得上文簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更具體的描述，所述實(shí)施方式的一些實(shí)施方式圖示于附圖中。然而需要注意的是，這些附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因此不應(yīng)視為本發(fā)明的范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他等同有效的實(shí)施方式。
[0010]圖1為根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的溫度測(cè)量裝置的示意圖；
[0011]圖2為根據(jù)另一實(shí)施方式的熱處理腔室的示意側(cè)視圖；
[0012]圖3A為曲線圖，圖示關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)裝置的傳輸信號(hào)；
[0013]圖3B為曲線圖，圖示本發(fā)明的實(shí)施方式的傳輸信號(hào)；
[0014]圖4A為曲線圖，圖示在熱處理期間關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)裝置的傳輸信號(hào)；
[0015]圖4B為曲線圖，圖示關(guān)于使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的裝置的熱處理的傳輸信號(hào);
[0016]為了幫助理解，已盡可能地使用相同標(biāo)記數(shù)字以表示各圖中共有的相同元件。應(yīng)了解的是，在一個(gè)實(shí)施方式中揭露的元件可有利地應(yīng)用于其他實(shí)施方式而無(wú)需特定詳述。

【具體實(shí)施方式】
[0017]圖1為根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的裝置100的示意圖，裝置100用于確定基板110的熱狀態(tài)。裝置100包含:相干熱輻射112的源102 ;解相關(guān)器104，解相關(guān)器104將相干熱輻射112轉(zhuǎn)換成解相關(guān)的熱福射114 ;檢測(cè)器106,檢測(cè)器106檢測(cè)已傳輸穿過(guò)基板110的傳輸輻射116 ;和數(shù)據(jù)處理器108，比如計(jì)算機(jī)，數(shù)據(jù)處理器108用于將來(lái)自檢測(cè)器106的信號(hào)轉(zhuǎn)換成基板110的熱狀態(tài)的指示。
[0018]源102可以是激光器，比如激光二極管，或者源102可以是另一超發(fā)光源(super luminescent source),比如發(fā)光二極管(LED)。為準(zhǔn)確地檢測(cè)基板的熱狀態(tài),源102通常為發(fā)出窄輻射光譜的源，以致所述輻射被所述基板的吸收能被準(zhǔn)確地確定。在大部分實(shí)施方式中，源102是激光二極管。以至少約950nm，例如980nm、1024nm或其他此類波長(zhǎng)發(fā)光的激光二極管經(jīng)常用來(lái)檢測(cè)主要由硅制成的基板的熱狀態(tài)。
[0019]解相關(guān)器104加寬從源102接收的輻射光譜，和/或減少所接收的輻射的相干。加寬的光譜和/或解相關(guān)的輻射減少經(jīng)由基板反射的光的干涉，減少了傳輸?shù)妮椛渲械脑肼?。因此檢測(cè)器106更準(zhǔn)確地指示基板110的熱狀態(tài)。
[0020]在一些實(shí)施方式中，解相關(guān)器104可以是寬帶放大器。寬帶放大器通常是輻射放大器，所述輻射放大器接受輸入輻射并且橫跨相對(duì)寬的光譜放大所述輸入輻射。在一個(gè)實(shí)施方式中，此類放大器是發(fā)射激光的介質(zhì)，所述發(fā)射激光的介質(zhì)被設(shè)計(jì)為具有幾何形狀以支持寬的諧振頻率范圍。帶有反射內(nèi)容物的產(chǎn)生多諧振腔的晶體發(fā)射激光的介質(zhì)是一個(gè)實(shí)例。在其他實(shí)施方式中，輻射經(jīng)由光學(xué)非線性被放大而導(dǎo)致光譜展寬?？墒褂玫膶拵Х糯笃鞯膶?shí)例包含寬帶激光器、布拉格光柵、光纖布拉格光柵、光纖激光器、標(biāo)準(zhǔn)具(etalon)、拉曼放大器以及布里淵放大器。所述解相關(guān)器亦可為攪模器。
[0021]在以增益驅(qū)動(dòng)寬帶放大器為特征的實(shí)施方式中，寬帶放大器的增益光譜通常包含源102的發(fā)射光譜，以使得由源102發(fā)出的輻射被所述寬帶放大器光譜加寬。所述寬帶放大器會(huì)通常具有在約50THz與約1，OOOTHz之間的光譜帶寬或發(fā)射帶寬，所述光譜帶寬或發(fā)射帶寬比如在約300THz與約700THz之間，例如約500THz。若源102具有窄的帶寬，例如單頻激光器，則源102的發(fā)射可被選擇在所述寬帶放大器的增益光譜中，或者所述寬帶放大器可與源102相匹配。
[0022]由解相關(guān)器104發(fā)出的輻射通常被選擇為具有至少部分通過(guò)基板110傳輸?shù)牟ㄩL(zhǎng)。在解相關(guān)器104對(duì)輻射無(wú)光譜效應(yīng)的情況中，從解相關(guān)器104出現(xiàn)的輻射與從源102接收的輻射將基本上具有實(shí)質(zhì)上相同的波長(zhǎng)和光譜。在解相關(guān)器104如同大部分寬帶放大器一樣改變輻射的光譜分布的情況中，所述解相關(guān)器和所述源可被匹配，以使得所述解相關(guān)器具有增益帶寬，所述增益帶寬覆蓋所述源的發(fā)射光譜，同時(shí)所述解相關(guān)器發(fā)射光譜包含一或更多個(gè)通過(guò)所述基板傳輸?shù)牟ㄩL(zhǎng)。
[0023]由源發(fā)出的輻射將通常具有第一主要波長(zhǎng)(比如第一模態(tài))，而由解相關(guān)器(可以是寬帶放大器)發(fā)出的輻射將通常具有第二主要波長(zhǎng)(比如第二模態(tài))。在多數(shù)情況中，第一模態(tài)與第二模態(tài)之間的差，或者是說(shuō)第一主要波長(zhǎng)與第二主要波長(zhǎng)之間的差在約5nm與約20nm之間，比如約6nm與約1nm之間,例如約6nm。值得注意的是,所述差取決于源及解相關(guān)器類型的選擇。若所述源被用來(lái)當(dāng)作用于寬帶放大器的泵，例如操作為寬帶激光器，則所述源有發(fā)射光譜，所述發(fā)射光譜在所述寬帶放大器的增益光譜內(nèi)。若所述寬帶放大器是模態(tài)分散(mode-dispersed)的寬帶Nd:YAG激光器,舉例而言,所述寬帶Nd:YAG激光器以大約1，064nm發(fā)射，其中M2大于約30且光譜帶寬大約在560THz左右，則所述源可以是單頻激光器，所述單頻激光器在808nm或869nm發(fā)射，808nm或869nm在Nd = YAG激光器的兩增益帶的中心附近。
[0024]檢測(cè)器106通常是高溫計(jì)，但方便時(shí)檢測(cè)器106可以是另一類型的輻射檢測(cè)器。舉例而言，亦可使用光電二極管陣列或CCD陣列。在一個(gè)實(shí)施方式中，二極管激光器被用來(lái)當(dāng)作源，所述二極管激光器發(fā)出窄帶寬l，030nm的輻射，且所述二極管激光器被耦合至光纖布拉格光柵(“FBG”)，所述光纖布拉格光柵有約6nm-10nm的發(fā)射光譜偏移和約
1.6nm-2.0nm的光譜寬度。高溫計(jì)檢測(cè)從FBG出現(xiàn)的福射,且所述高溫計(jì)記錄電流，所述電流被數(shù)據(jù)處理器108轉(zhuǎn)換成基板的熱狀態(tài)的指標(biāo)，所述指標(biāo)比如是溫度。
[0025]源102可以是隨溫度變化的發(fā)射器。舉例而言，激光二極管通常發(fā)出具有取決于發(fā)射激光的介質(zhì)的溫度的波長(zhǎng)的輻射。舉例而言，銦鎵砷(InGaAs)激光二極管的發(fā)射波長(zhǎng)通常具有約0.25nm/°C的溫度依賴關(guān)系(cbpendence)。因此在一些實(shí)施方式中，所發(fā)射的輻射的波長(zhǎng)可被調(diào)整到一程度。為了最好結(jié)果，調(diào)整所述發(fā)射的輻射可有助于使所述發(fā)射的輻射與解相關(guān)器104的特性相匹配。在激光二極管實(shí)施方式中，熱電冷卻器可耦接至發(fā)射激光的介質(zhì)以提供所需的冷卻。通過(guò)監(jiān)測(cè)被檢測(cè)器108檢測(cè)的信號(hào)內(nèi)的噪聲，同時(shí)調(diào)整發(fā)射激光的介質(zhì)的溫度以找到將信號(hào)中的噪聲最小化的設(shè)定能夠發(fā)現(xiàn)提供最佳準(zhǔn)確性的波長(zhǎng)。
[0026]圖2為根據(jù)另一實(shí)施方式的設(shè)備200的示意側(cè)視圖。設(shè)備200是具有如上文結(jié)合圖1描述的傳輸熱分析裝置的熱處理腔室。熱處理腔室比如VULCAN?腔室，所述VULCAN?腔室可從加州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(Applied Materials, Inc.，)獲得，所述熱處理腔室可與根據(jù)參考圖1描述的任一實(shí)施方式的熱分析儀一起使用。其他熱處理裝置，例如從其他制造商獲得的RTP腔室亦可從本文描述的實(shí)施方式受益。
[0027]設(shè)備200包含外殼202，外殼202圍住基板支撐件204，基板206可被設(shè)置于基板支撐件204上?；?06通過(guò)圖2中未圖示的輸送機(jī)構(gòu)經(jīng)由開(kāi)口 214進(jìn)入外殼202。所述基板輸送機(jī)構(gòu)可為本領(lǐng)域已知的任何常規(guī)機(jī)構(gòu)。
[0028]加熱器208設(shè)置在外殼202中，且加熱器208鄰近基板206的處理位置，以使得基板206可通過(guò)加熱器208被熱處理。加熱器208可以是一排高強(qiáng)度燈210，所述高強(qiáng)度燈210比如是放電燈，高強(qiáng)度燈210可排列成陣列以向基板206提供均勻熱輻射。窗212可以是石英窗，窗212保護(hù)加熱器208不受腔室的處理環(huán)境的影響。所述腔室中通常包含旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(未圖示)。
[0029]熱分析組件包含:相干熱輻射的源216 ;解相關(guān)器220，解相關(guān)器220通過(guò)第一光導(dǎo)管218光學(xué)耦合至源216 ;和檢測(cè)器224，檢測(cè)器224被設(shè)置以使得離開(kāi)解相關(guān)器220的輻射穿過(guò)基板支撐件204行進(jìn)至檢測(cè)器224。離開(kāi)解相關(guān)器220的輻射通過(guò)第二光導(dǎo)管222傳播，第二光導(dǎo)管222被設(shè)置成穿過(guò)加熱器208。
[0030]源216、解相關(guān)器220和檢測(cè)器224可以是上文結(jié)合圖1描述的任一實(shí)施方式。在一些實(shí)施方式中，光導(dǎo)管218可以是光纖。在其他實(shí)施方式中，源216可直接稱合解相關(guān)器220，舉例而言，源216物理耦合或接觸至解相關(guān)器220。在一些情況中，源216和解相關(guān)器220可被焊接，或解相關(guān)器220可被焊接至導(dǎo)管218。檢測(cè)器224可耦接至如圖1所示的數(shù)據(jù)處理器。
[0031 ] 在一些實(shí)施方式中，檢測(cè)器224可以是多個(gè)單獨(dú)的傳感器，檢測(cè)器224可分布于不同位置以在不同位置處測(cè)量基板的熱狀態(tài)。在此類實(shí)施方式中，解相關(guān)器220發(fā)出的輻射可被例如分光器226 (所述分光器226可以是光纖束)分開(kāi)，分光器226通過(guò)導(dǎo)管228將解相關(guān)的輻射的各部分引向基板206的不同位置，以使檢測(cè)器224的這些單獨(dú)的傳感器進(jìn)行檢測(cè)。
[0032]在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)管218與解相關(guān)器220通過(guò)抗反射稱合而被光學(xué)地f禹合?？狗瓷銲禹合的一種類型是平面稱合(flat face coupling),其中導(dǎo)管218的小面(facet)和解相關(guān)器220的相對(duì)小面分別垂直于光路，且導(dǎo)管218的小面和解相關(guān)器220的相對(duì)小面分別有抗反射涂層?？狗瓷浞Q合技術(shù)的另一類型是物理稱合(physical coupling),比如焊接，其中介于導(dǎo)管218與解相關(guān)器220之間的界面的組成逐漸轉(zhuǎn)化以提供平滑的指數(shù)變化，以最小化反射?？狗瓷浞Q合的第三種類型是成角拋光連接(angled polishedconnect1n)，其中導(dǎo)管218的小面和解相關(guān)器220的相對(duì)小面相對(duì)光路是成角的，以使得被反射的任何輻射被驅(qū)散離開(kāi)光路。
[0033]在操作中，傳輸方法被用來(lái)減少或消除檢測(cè)基板熱狀態(tài)時(shí)的噪聲。相干輻射的源被放置以便用至少部分穿過(guò)基板傳輸?shù)妮椛湔丈浠宓囊徊糠?。檢測(cè)器接收傳輸?shù)妮椛洳⒒谒鰝鬏數(shù)妮椛洚a(chǎn)生信號(hào)。利用解相關(guān)器使由所述源發(fā)出的相干輻射經(jīng)受光譜展寬和/或解相關(guān)，所述解相關(guān)器可以是如上文結(jié)合圖1和圖2所述的寬帶放大器?？赏ㄟ^(guò)調(diào)整所述相干輻射的波長(zhǎng)來(lái)最小化被檢測(cè)的信號(hào)中的噪聲。所述相干輻射的波長(zhǎng)可例如通過(guò)將熱電冷卻器耦合至激光二極管而在能調(diào)的激光器中被調(diào)整。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述激光二極管的溫度從約0°c調(diào)整至約50°C，比如將所述激光二極管的溫度從約0°C調(diào)整至約40°C，舉例而言，將所述激光二極管的溫度從約0°C調(diào)整至約25°C，以減少被檢測(cè)的信號(hào)中的噪聲。
[0034]解相關(guān)器的特性通常與輻射源的特性相匹配，以使得所述輻射源提供被解相關(guān)器有效地解相關(guān)的輻射。舉例而言，若所述解相關(guān)器是寬帶放大器，則所述輻射源的發(fā)射光譜通常被選擇在所述寬帶放大器的增益帶寬中。所述寬帶放大器被選擇以提供至少一部分通過(guò)基板傳輸?shù)膶拵л椛?。較佳的是從解相關(guān)器發(fā)出的實(shí)質(zhì)上全部輻射在通過(guò)所述基板傳輸?shù)姆秶鷥?nèi)，所述通過(guò)所述基板傳輸?shù)姆秶鳛闊釥顟B(tài)(例如溫度)的函數(shù)，以使得所述檢測(cè)器可使傳輸?shù)妮椛渑c熱狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。
[0035]應(yīng)注意的是，雖然圖2描繪其中源216、導(dǎo)管218以及解相關(guān)器220在外殼202的內(nèi)部的設(shè)備，但在一些實(shí)施方式中，源216、導(dǎo)管218以及解相關(guān)器220可被放置于所述外殼外部。
[0036]圖3A為曲線圖，圖示使用現(xiàn)有技術(shù)的裝置的傳輸信號(hào)，噪聲在信號(hào)內(nèi)是容易看見(jiàn)的。圖3B為曲線圖，圖示使用本文描述的裝置的傳輸信號(hào)，其中噪聲大量減小。圖4A圖示使用現(xiàn)有技術(shù)裝置的熱處理期間記錄的傳輸信號(hào)，其中噪聲是容易看見(jiàn)的。圖4B為曲線圖，圖示使用本文描述的裝置的熱處理期間的傳輸信號(hào)，其中噪聲大量減小。
[0037]雖然上述內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，但在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他及進(jìn)一步的實(shí)施方式。本發(fā)明的范圍由下面的要求保護(hù)的范圍確定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)量輻射穿過(guò)基板的傳輸?shù)难b置，包括: 相干輻射源； 用于所述相干輻射的檢測(cè)器； 基板支撐件，所述基板支撐件在所述相干輻射源與所述檢測(cè)器之間；以及 寬帶放大器，所述寬帶放大器設(shè)置在所述相干輻射源與所述檢測(cè)器之間的光路中。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述寬帶放大器是寬帶發(fā)射激光的介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述寬帶放大器是光纖布拉格光柵。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述相干輻射源是激光器，所述激光器以第一波長(zhǎng)發(fā)出福射；且所述光纖布拉格光柵以第二波長(zhǎng)發(fā)出福射；且所述第一波長(zhǎng)與所述第二波長(zhǎng)之間的差在約5nm與約20nm之間。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述激光器通過(guò)成角耦合光學(xué)地耦合至所述光纖布拉格光柵。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述相干輻射源以處于第一模態(tài)的波長(zhǎng)分布發(fā)出輻射，且所述寬帶放大器以處于第二模態(tài)的波長(zhǎng)分布發(fā)出輻射，且所述第一模態(tài)與所述第二模態(tài)之間的波長(zhǎng)差在約5nm與約20nm之間。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述相干輻射源以處于第一模態(tài)的波長(zhǎng)分布發(fā)出輻射，且所述寬帶放大器以處于第二模態(tài)的波長(zhǎng)分布發(fā)出輻射，且所述第一模態(tài)在所述寬帶放大器的增益光譜內(nèi)。
8.一種用于熱處理基板的裝置，包括: 夕卜殼; 設(shè)置在所述外殼內(nèi)的熱源； 鄰近所述熱源的基板支撐件； 相干輻射源； 解相關(guān)器，所述解相關(guān)器沿著所述解相關(guān)器與所述相干輻射源之間的光路光學(xué)地耦合至所述相干輻射源；以及 檢測(cè)器，所述檢測(cè)器沿著所述檢測(cè)器與所述解相關(guān)器之間的光路光學(xué)地耦合至所述解相關(guān)器，且所述檢測(cè)器被放置以使得離開(kāi)所述解相關(guān)器的輻射在到達(dá)所述檢測(cè)器之前經(jīng)過(guò)所述基板支撐件。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述解相關(guān)器是寬帶放大器。
10.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述解相關(guān)器是具有增益光譜的寬帶放大器，所述增益光譜包含由所述相干輻射源發(fā)出的輻射的頻率。
11.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述相干輻射源有具有第一主要波長(zhǎng)的發(fā)射光譜，所述寬帶放大器有具有第二主要波長(zhǎng)的發(fā)射光譜，且所述第一主要波長(zhǎng)與所述第二主要波長(zhǎng)之間的差在約5nm與約20nm之間。
12.如權(quán)利要求8至11的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的裝置，其中所述相干輻射源是具有大于約950nm的主要波長(zhǎng)的二極管激光器。
13.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述相干輻射源與所述解相關(guān)器通過(guò)抗反射光學(xué)奉禹合奉禹合在一起。
14.如權(quán)利要求1或9所述的裝置，其中所述寬帶放大器選自由激光器、光纖激光器、布拉格光柵、光纖布拉格光柵、拉曼放大器、布里淵放大器以及標(biāo)準(zhǔn)具組成的群組。
15.如權(quán)利要求6或14所述的裝置，其中所述相干輻射源是能調(diào)的光纖耦合激光二極管，且所述寬帶放大器是光纖布拉格光柵，且使用成角拋光連接耦合所述能調(diào)的光纖耦合激光二極管與所述光纖布拉格光柵。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包含分光器，所述分光器在所述光纖布拉格光柵與所述熱檢測(cè)器之間。
【文檔編號(hào)】H01L21/324GK104185778SQ201380014791
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年3月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】季平·李, 阿倫·繆爾·亨特, 托馬斯·霍 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司