半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件包括：具有第一和第二表面的半導(dǎo)體本體；位于半導(dǎo)體本體的第一表面處的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)，分別沿從所述半導(dǎo)體本體的所述第一表面延伸到所述半導(dǎo)體本體的所述第二表面的方向；源區(qū)和第一區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，其中至少第二區(qū)接觸體區(qū)，第一區(qū)和第二區(qū)在半導(dǎo)體本體中交替排列；第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，其至少一部分在半導(dǎo)體本體中位于第一和第二區(qū)下面；位于半導(dǎo)體基礎(chǔ)層下面的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)。第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的位于第一和第二區(qū)下面的部分的厚度至少大于第一區(qū)的寬度。
【專利說明】半導(dǎo)體器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，更具體地說，涉及具有厚半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的、基于溝槽結(jié)構(gòu)的超結(jié)半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，超結(jié)器件被越來越廣泛地應(yīng)用。在常規(guī)的η溝道超結(jié)器件中，交替排列的P區(qū)和η區(qū)組合形成復(fù)合緩沖層，用來代替MOSFET器件中的η型外延層。復(fù)合緩沖層中的每個(gè)P區(qū)被相鄰的η區(qū)包圍，并且每個(gè)η區(qū)被相鄰的ρ區(qū)包圍?，F(xiàn)代超結(jié)器件的特征是越來越小的器件間距尺寸和器件面積。這種趨勢(shì)受到允許較低開關(guān)損耗的輸出電容儲(chǔ)存能量(Eoss)的減低或者減少的柵極電荷而導(dǎo)致對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器的功率和尺寸的要求降低、甚至受到單位芯片面積的導(dǎo)通電阻(Rdson)的降低的驅(qū)動(dòng)而逐漸發(fā)展。隨著器件(或芯片)尺寸的減小，單位面積的導(dǎo)通電阻也會(huì)逐漸降低。較低的單位面積導(dǎo)通電阻是降低芯片成本的主要杠桿，它允許在給定封裝尺寸的情況下提供較低的導(dǎo)通電阻值。
[0003]然而，對(duì)于任何芯片縮小的主要要求是器件應(yīng)當(dāng)在極端操作模式下保持其魯棒性，例如器件在短路條件下的魯棒性和器件在雪崩條件下的魯棒性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于解決以上一個(gè)或多個(gè)問題，尤其是提供一種具有小間距尺寸且成本較低的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件能夠在高電流、高電壓的極端操作下保持其魯棒性。
[0005]具體而言，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括:
[0006]具有第一和第二表面的半導(dǎo)體本體；
[0007]位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；
[0008]第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)，分別沿從所述半導(dǎo)體本體的所述第一表面延伸到所述半導(dǎo)體本體的所述第二表面的方向；
[0009]位于所述源區(qū)和所述第一區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，其中至少所述第二區(qū)接觸所述體區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)和所述第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)在所述半導(dǎo)體本體中交替排列；
[0010]第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的至少一部分在所述半導(dǎo)體本體中位于所述第一和第二區(qū)下面；以及
[0011]位于所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層下面的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)，
[0012]其特征在于，
[0013]所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的位于所述第一和第二區(qū)下面的所述部分的厚度至少大于所述第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)的寬度。
[0014]在一些實(shí)施例中，所述第二區(qū)采用溝槽結(jié)構(gòu)，并且所述第二區(qū)中的至少一些由被填充在其中的多個(gè)層構(gòu)成。
[0015]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括多個(gè)第二導(dǎo)電類型的摻雜層，并且每個(gè)第二區(qū)的鄰近所述源區(qū)的上部的寬度大于該第二區(qū)的鄰近所述漏區(qū)的下部的寬度。
[0016]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的未摻雜的硅層。
[0017]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的空隙區(qū)。
[0018]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的未摻雜或低摻雜的硅層。
[0019]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的電介質(zhì)層。
[0020]在一些實(shí)施例中，位于所述第二區(qū)中的電介質(zhì)層由SiO2或Si3N4形成。
[0021]在一些實(shí)施例中，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的空隙區(qū)。
[0022]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括介于所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)和所述第二區(qū)之間并且包圍所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)的第二導(dǎo)電類型的另一體區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型的另一體區(qū)的摻雜濃度低于所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)的摻雜濃度并且高于位于所述第二區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的摻雜層的摻雜濃度。
[0023]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述源區(qū)上方的將所述源區(qū)電連接到外部的接觸插塞結(jié)構(gòu)。
[0024]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層由多個(gè)子層構(gòu)成。
[0025]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層由在所述半導(dǎo)體本體的第二表面之上的具有第一摻雜濃度的第一層和在所述第一層之上的具有小于第一摻雜濃度的第二摻雜濃度的第二層構(gòu)成。
[0026]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所述第一層由多個(gè)子層構(gòu)成。
[0027]在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)子層的每一個(gè)的摻雜濃度沿著從所述源區(qū)到所述漏區(qū)的方向逐漸升高。
[0028]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所述第一層和所述第二層均由多個(gè)子層構(gòu)成。
[0029]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所有子層中的每一個(gè)的摻雜濃度沿著從所述源區(qū)到所述漏區(qū)的方向逐漸升高。
[0030]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的平面型柵極結(jié)構(gòu)。
[0031]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的溝槽型柵極結(jié)構(gòu)。
[0032]在根據(jù)本實(shí)用新型的各實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的情況下，由于在各半導(dǎo)體器件中均采用了較厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，并且漂移區(qū)的電荷補(bǔ)償區(qū)(例如，超結(jié)器件的超結(jié)區(qū))基于通過溝槽工藝制成的溝槽結(jié)構(gòu)，從而使得根據(jù)本實(shí)用新型的各實(shí)施例的半導(dǎo)體器件在短路條件下和雪崩條件下均保持其魯棒性的同時(shí)又節(jié)省了晶片成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]本實(shí)用新型的這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過以下參考附圖的詳細(xì)描述而變得明顯，在附圖中:
[0034]圖la、圖1b示意性地示出了具有不同厚度的基礎(chǔ)層的超結(jié)器件。
[0035]圖2a、圖2b示意性地示出了包括具有不同摻雜水平的η補(bǔ)償區(qū)的超結(jié)器件和在阻斷操作中可能的電場(chǎng)特性。
[0036]圖3示意性地示出了包括具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件。
[0037]圖4示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的另一替換型式。
[0038]圖5示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的又一替換型式。
[0039]圖6示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的再一替換型式。
[0040]圖7示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0041]圖8示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0042]圖9示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]現(xiàn)在將參考示出本實(shí)用新型的實(shí)施例的附圖在下文中更全面地描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來具體實(shí)施并且不應(yīng)該被解釋為受限于本文所闡述的實(shí)施例。更確切地說，提供這些實(shí)施例是為了使該公開內(nèi)容更徹底和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳達(dá)本實(shí)用新型的范圍。遍及全文，相似的數(shù)字指代相似的元件。此外，附圖中示出的各個(gè)層和區(qū)只是示意性的并且沒有必要按比例繪制。因此本實(shí)用新型不限于附圖中示出的相對(duì)大小、間距和對(duì)準(zhǔn)。另外，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)的，本文提到的形成于襯底或其它層上的層可以指直接形成在襯底或其它層上的層，也可以指在襯底或其它層上形成的一個(gè)或多個(gè)居間層上的層。而且，術(shù)語“第一導(dǎo)電類型”和“第二導(dǎo)電類型”指的是相反的導(dǎo)電類型，例如N或P型，然而，這里所描述和示出的每個(gè)實(shí)施例也包括其互補(bǔ)實(shí)施例。
[0044]在本文中所使用的術(shù)語僅僅為了描述特定實(shí)施例的目的并且不意圖限制本實(shí)用新型。如本文所使用的那樣，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”意圖也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文以其它方式明確指示。還將理解，當(dāng)在本文使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，其指定所敘述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群的存在或添加。
[0045]除非以其它方式限定，本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與如本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解本文所使用的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谠撜f明書的背景以及相關(guān)領(lǐng)域中的含義一致的含義，并且將不會(huì)以理想化或過分形式的方式解釋，除非在本文中明確如此限定。
[0046]附圖通過在摻雜類型“η”或“ρ”旁邊指示或“ + ”來說明相對(duì)摻雜濃度。例如，“η-”表示低于“η”摻雜區(qū)域的摻雜濃度的摻雜濃度，而“η+”摻雜區(qū)域具有比“η “摻雜區(qū)域高的摻雜濃度。相同的相對(duì)摻雜濃度的摻雜區(qū)域沒有必要具有相同的絕對(duì)摻雜濃度。例如，兩個(gè)不同的“η”摻雜區(qū)域可以具有相同或不同的絕對(duì)摻雜濃度。
[0047]當(dāng)器件尺寸縮小時(shí)，在標(biāo)準(zhǔn)操作，或者尤其是在極端操作(例如短路或雪崩條件)下產(chǎn)生較高的電流密度。由于電流密度是雪崩條件和短路條件兩者的限制因素，因此如果不采取其他措施的話，器件的魯棒性將隨著芯片縮小而降低。
[0048]提高超結(jié)器件在短路條件下的魯棒性的一種方式是在超結(jié)器件的復(fù)合緩沖層下面實(shí)施較厚的基礎(chǔ)層。圖1示意性地示出了具有不同厚度的基礎(chǔ)層的超結(jié)器件，其中圖1a示出了具有薄基礎(chǔ)層的超結(jié)器件，圖1b示出了具有厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件。在圖1b所示的超結(jié)器件中，厚基礎(chǔ)層120具有與η補(bǔ)償區(qū)(位于漂移區(qū)130中)相同數(shù)量級(jí)的η摻雜水平。
[0049]在超結(jié)器件的源-漏短路條件下，高電流和高電壓被同時(shí)施加到該器件。該高電壓可以是400V的直流鏈電壓(在這樣的應(yīng)用中使用具有500或600V的阻斷能力的晶體管)。通過器件的電流在這種情況下不受限制。在靜態(tài)阻斷中，所有電子和空穴從器件的漂移區(qū)移走。僅存的電荷是受主原子和施主原子的電荷。而在該短路條件下，器件的溝道打開，允許大量電子流入漂移區(qū)。這些電子在流過漂移區(qū)時(shí)代表了大規(guī)模地影響電場(chǎng)形狀的額外電荷。負(fù)的電子電荷具有與靜態(tài)的額外P摻雜相同的效果:電場(chǎng)的峰值在P補(bǔ)償區(qū)的末端方向上偏移。在這種情況下，超結(jié)器件的底部，尤其是位于超結(jié)器件的復(fù)合緩沖層下面的基礎(chǔ)層，限定了器件的阻擋能力。
[0050]圖2是圖1所示的超結(jié)器件的改進(jìn)型式，其示意性地示出了包括具有不同摻雜水平的兩層的η補(bǔ)償區(qū)的超結(jié)器件和在阻斷操作中可能的電場(chǎng)特性。
[0051]在具有較薄基礎(chǔ)層的超結(jié)器件中(圖2a)，該基礎(chǔ)層在靜態(tài)阻斷條件下完全耗盡，因此該基礎(chǔ)層在臨界短路條件下不能承受更大的電壓(如圖2a中的電場(chǎng)特性圖所示的)。另一方面，在具有較厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件中(圖2b)，電場(chǎng)能夠更深地進(jìn)入到該基礎(chǔ)層中，因此能夠產(chǎn)生更大的阻斷能力(如圖2b的電場(chǎng)特性圖所示的)。
[0052]圖3示意性地示出了包括具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件。
[0053]在圖3中，超結(jié)器件300從底到頂依次包括η+漏區(qū)310、η型基礎(chǔ)層320、漂移區(qū)330,ρ+體區(qū)350和η+源區(qū)360。ρ+體區(qū)350位于漂移區(qū)330中，并且包圍著η+源區(qū)360。超結(jié)器件300還包括位于漂移區(qū)330的上表面之上被隔離層390包圍的柵電極380，以及通過隔離層390之間的開口將源區(qū)360電連接到外部的源極金屬化層370。在一些實(shí)施例中，柵電極380可以由多晶硅、金屬或其組合制成，隔離層390可以由例如SiO2制成。
[0054]在該例子中，漂移區(qū)330包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)350，這些η區(qū)和P區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下，P+體區(qū)350位于源區(qū)360和漂移區(qū)330中的η區(qū)之間。優(yōu)選地，這些η區(qū)和ρ區(qū)中的每一個(gè)均為柱形,如圖3所示。
[0055]在圖3中，η型基礎(chǔ)層320在器件的垂直方向上被分成了兩部分，其中鄰近漏區(qū)310的第一部分321的摻雜濃度高于鄰近漂移區(qū)330的第二部分322的摻雜濃度，例如第一部分為η慘雜，弟二部分為η慘雜。
[0056]在該例子中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層320的至少一部分位于漂移區(qū)330中的η區(qū)和ρ區(qū)下面。η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層320的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)330中的η區(qū)的寬度，也就是說，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層320的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)330中的相鄰ρ區(qū)之間的間距。由于采用厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層320，半導(dǎo)體器件的阻斷能力被大大提高。
[0057]此外，在另一個(gè)實(shí)施例中，η型基礎(chǔ)層320的第一部分321被分成了多個(gè)子層321-1、321-2、321-3、……，每個(gè)子層的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低。由此，從整體上看，η型基礎(chǔ)層320的第一部分321的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低。采用該例子的結(jié)構(gòu)，由于提高了基礎(chǔ)層在靠近高摻雜的基底(即漏區(qū))的區(qū)域中的摻雜水平，因此能夠有效地降低器件的比導(dǎo)通電阻，并因而降低器件的導(dǎo)通電阻。
[0058]圖4示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的另一替換型式。圖4所示器件400的大部分結(jié)構(gòu)與圖3所示器件300相同，只是漂移區(qū)430中的η區(qū)和ρ區(qū)的構(gòu)造被改變。為了簡便起見，圖4與圖3中相同的部分的描述將被省略。
[0059]在圖4中，漂移區(qū)430包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)450，這些η區(qū)和P區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下,P+體區(qū)450位于源區(qū)460和漂移區(qū)430中的η區(qū)之間。優(yōu)選地，這些η區(qū)和ρ區(qū)中的每一個(gè)均為柱形，如圖4所示。
[0060]在該例子中，漂移區(qū)430中的η區(qū)由多個(gè)堆疊的外延層構(gòu)成，每個(gè)外延層的摻雜濃度在堆疊方向上從其中心處向兩邊逐漸降低(如圖中箭頭所示)，同時(shí)漂移區(qū)430中的ρ區(qū)是由位于所述η區(qū)的每個(gè)外延層中的摻雜區(qū)堆疊形成的。
[0061]在利用多次外延技術(shù)生長η區(qū)的一個(gè)外延層之后，在該外延層中形成ρ摻雜區(qū)，然后接著在該外延層上生長另一個(gè)外延層，在該另一個(gè)外延層中同樣形成P摻雜區(qū)，以此類推。之后，將所得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火而得到圖4中所示的漂移區(qū)中的結(jié)構(gòu)。由于上述工藝步驟是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，因此這里不再對(duì)其詳細(xì)描述，只是為了說明的目的，對(duì)上述工藝過程進(jìn)行了概述。
[0062]在該例子中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420的至少一部分位于漂移區(qū)430中的η區(qū)和ρ區(qū)下面。η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)430中的η區(qū)的寬度，也就是說，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)430中的相鄰ρ區(qū)之間的橫向距離。由于采用厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420，半導(dǎo)體器件的阻斷能力被大大提高。
[0063]另外，類似于參考圖3所描述的，在另一個(gè)實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420被分
成了多個(gè)子層420-1、420-2、420-3、......，每個(gè)子層的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐
漸降低。由此，從整體上看，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低，并且η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層420的最底部子層的摻雜濃度低于漏區(qū)410的摻雜濃度。
[0064]圖5示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的又一替換型式。圖5所示器件500的大部分結(jié)構(gòu)與圖3所示器件300相同，只是漂移區(qū)530中的η區(qū)和ρ區(qū)以及基礎(chǔ)層的構(gòu)造被改變。為了簡便起見，圖5與圖3中相同的部分的描述將被省略。
[0065]在圖5中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層520在器件的垂直方向上被分成了兩部分，其中鄰近漏區(qū)510的第一部分521的摻雜濃度高于鄰近漂移區(qū)530的第二部分522的摻雜濃度，例如第一部分為η摻雜，第二部分為η—摻雜。此外，漂移區(qū)530包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū),其中至少ρ區(qū)接觸P+體區(qū)550,這些η區(qū)和ρ區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下，ρ+體區(qū)550位于源區(qū)560和漂移區(qū)530中的η區(qū)之間。優(yōu)選地，這些η區(qū)和P區(qū)中的每一個(gè)均為柱形，如圖5所示。
[0066]在該例子中，漂移區(qū)530中的ρ區(qū)和η區(qū)均被分成了多個(gè)子層，所述P區(qū)和η區(qū)的每個(gè)子層的摻雜濃度沿著從源區(qū)到漏區(qū)的方向均逐漸降低。優(yōu)選地，所述P區(qū)和η區(qū)的子層的摻雜濃度以相同的變化量()逐漸降低。
[0067]在該例子中，漂移區(qū)530中η區(qū)的靠近半導(dǎo)體基礎(chǔ)層520的第二部分的子層的摻雜濃度與半導(dǎo)體基礎(chǔ)層520的第二部分的摻雜濃度在相同的數(shù)量級(jí)，即兩者的摻雜水平相同。
[0068]圖6示意性地示出了具有漸變摻雜輪廓的厚基礎(chǔ)層的超結(jié)器件的再一替換型式。圖6所示器件600的大部分結(jié)構(gòu)與圖5所示器件500相同，只是漂移區(qū)630中的η區(qū)和ρ區(qū)的構(gòu)造被改變。為了簡便起見，圖6與圖5中相同的部分的描述將被省略。
[0069]在圖6中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層620在器件的垂直方向上被分成了兩部分，其中鄰近漏區(qū)610的第一部分621的摻雜濃度高于鄰近漂移區(qū)630的第二部分622的摻雜濃度，例如第一部分為η摻雜，第二部分為rT摻雜。
[0070]在該例子中，漂移區(qū)630包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)650，這些η區(qū)和ρ區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在圖6中，漂移區(qū)630中的P區(qū)的形狀為沿著從源區(qū)到漏區(qū)的方向逐漸變細(xì)(即為倒錐形)，而相反地，漂移區(qū)630中的η區(qū)的形狀為沿著從源區(qū)到漏區(qū)的方向逐漸變粗(即為錐形)。
[0071]在這種情況下，由于ρ區(qū)的側(cè)壁不是平行的，而是傾斜地逐漸變細(xì)，由此使得P區(qū)整體上具有沿從源區(qū)到漏區(qū)的方向逐漸降低的摻雜輪廓。
[0072]超結(jié)器件中的超結(jié)區(qū)(即ρ區(qū)和η區(qū))一般由通過多次外延生長而成的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。然而，用于構(gòu)造超結(jié)器件的超結(jié)區(qū)的多次外延技術(shù)的缺點(diǎn)是成本較高。而使用溝槽技術(shù)的制造工藝通常成本較低，因?yàn)闇喜奂夹g(shù)采用的工藝步驟比多次外延技術(shù)少得多。溝槽技術(shù)相比于多次外延技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)是易于實(shí)現(xiàn)芯片縮小。在多次外延技術(shù)中，超結(jié)器件單元(間距)的縮小通常與層厚度的縮小并因此與增加的層數(shù)目聯(lián)系在一起，因此會(huì)導(dǎo)致甚至更聞的晶片成本。
[0073]圖7示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件700的截面圖。在該實(shí)例中，為了方便起見，以η型器件為例來描述半導(dǎo)體器件700。然而，半導(dǎo)體器件700也可以是P型器件。此外，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件700可以是超結(jié)器件，例如超結(jié)MOSFET。
[0074]半導(dǎo)體器件700從底到頂依次包括η+漏區(qū)710、η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720、漂移區(qū)730、ρ+體區(qū)750和η+源區(qū)760。ρ+體區(qū)750位于漂移區(qū)730中，并且包圍著η+源區(qū)760。半導(dǎo)體器件700還包括位于漂移區(qū)730的上表面之上被隔離層790包圍的柵電極780，以及通過隔離層790之間的開口將源區(qū)760電連接到外部的源極金屬化層770。在一些實(shí)施例中，柵電極780可以由多晶硅、金屬或其組合制成，隔離層790可以由例如SiO2制成。
[0075]在該實(shí)施例中，漂移區(qū)730包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)750，這些η區(qū)和P區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下，P+體區(qū)750位于源區(qū)760和漂移區(qū)730中的η區(qū)之間。
[0076]在一個(gè)實(shí)施例中，ρ區(qū)是通過溝槽工藝在漂移區(qū)730中形成溝槽，然后利用P型摻雜材料填充溝槽而形成的。因此，在這種情況下，P區(qū)為P型溝槽區(qū)，且在P型溝槽區(qū)中填充有P型摻雜材料，例如P型摻雜的外延材料。
[0077]優(yōu)選地，ρ型溝槽區(qū)的鄰近源區(qū)760的部分(即溝槽區(qū)的上部)的寬度大于P型溝槽區(qū)的鄰近漏區(qū)710的部分(即溝槽區(qū)的下部)的寬度，如圖7所示。
[0078]在該實(shí)施例中，漂移區(qū)730中的η區(qū)沿著器件的垂直方向被分成兩部分，其中鄰近半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的所述η區(qū)的第一部分的摻雜濃度(例如為η_)低于半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的摻雜濃度(例如為η)，并且高于在所述η區(qū)的第一部分上面的所述η區(qū)的第二部分的摻雜濃度(例如為n—)，如圖7中示意性示出的。同時(shí)漂移區(qū)730中的ρ區(qū)的摻雜濃度保持均勻，例如為P'然而，本實(shí)用新型不限于此，并且在其他實(shí)施例中，漂移區(qū)730中的η區(qū)的摻雜濃度可以保持均勻并且低于半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的摻雜濃度，同時(shí)漂移區(qū)730中的ρ區(qū)的摻雜濃度也保持均勻。
[0079]在該實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720被分成了多個(gè)子層720-1、720-2、720-3、……，每個(gè)子層的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低。由此，從整體上看，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低，并且η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的最底部子層的摻雜濃度低于漏區(qū)710的摻雜濃度，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的頂部子層的摻雜濃度高于鄰近半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的所述η區(qū)的第一部分的摻雜濃度。然而，本實(shí)用新型不限于此，并且在其他實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的整體摻雜濃度水平可以采用其他變化形式，只要保證半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的鄰近漏區(qū)的部分的摻雜濃度高于遠(yuǎn)離漏區(qū)的部分的摻雜濃度即可。
[0080]在該實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的至少一部分位于漂移區(qū)730中的η區(qū)和ρ區(qū)下面。η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)730中的η區(qū)的寬 度，也就是說，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)730中的相鄰ρ區(qū)之間的橫向距離。由于采用厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層720，半導(dǎo)體器件的阻斷能力被大大提高。
[0081]圖8示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件800的截面圖。
[0082]在該實(shí)例中，為了方便起見，以η型器件為例來描述半導(dǎo)體器件800。然而，半導(dǎo)體器件800也可以是ρ型器件。此外，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件800可以是超結(jié)器件，例如超結(jié)MOSFET。
[0083]半導(dǎo)體器件800從底到頂依次包括η+漏區(qū)810、η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820、漂移區(qū)830、ρ+第一體區(qū)850、ρ型第二體區(qū)855和η+源區(qū)860。ρ+第一體區(qū)850位于漂移區(qū)830中，并且包圍著η+源區(qū)860。ρ型第二體區(qū)855位于漂移區(qū)830中，并且包圍ρ+第一體區(qū)850。半導(dǎo)體器件800還包括位于漂移區(qū)830的上表面處的溝槽型柵極結(jié)構(gòu)880，該溝槽型柵極結(jié)構(gòu)借助隔離層890與源區(qū)、體區(qū)和漂移區(qū)分隔開。
[0084]優(yōu)選地，半導(dǎo)體器件800還包括在源區(qū)860上方且位于相鄰隔離層890之間的接觸插塞874。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體器件800還包括沉積在接觸插塞874上的源極金屬化層870。接觸插塞874和源極金屬化層870能夠?qū)⒃磪^(qū)860電連接到外部。接觸插塞874可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的插塞工藝來形成，這里不再詳述。
[0085]在該實(shí)施例中，漂移區(qū)830包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)850，這些η區(qū)和P區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下，P+體區(qū)850位于源區(qū)860和漂移區(qū)830中的η區(qū)之間。優(yōu)選地，這些η區(qū)和ρ區(qū)中的每一個(gè)均為柱形，如圖8所示。在一個(gè)實(shí)施例中，ρ區(qū)是通過溝槽工藝在漂移區(qū)830中形成溝槽，然后利用P型摻雜材料填充溝槽而形成的。因此，在這種情況下，P區(qū)為P型溝槽區(qū)。
[0086]在一個(gè)實(shí)施例中，ρ型溝槽區(qū)被P型摻雜材料填滿，例如P型摻雜的外延材料。在另一個(gè)實(shí)施例中，P型摻雜材料僅被沉積在P型溝槽區(qū)的側(cè)壁和底部上，如在圖8中以附圖標(biāo)記8322所指示的，同時(shí)在P型溝槽區(qū)的剩余部分填充有未摻雜的材料，如在圖8中以附圖標(biāo)記8324所指示的?；蛘?，在ρ型溝槽區(qū)的中部可以保持為空隙，同時(shí)在包圍該空隙的P型溝槽區(qū)的其他部分填滿P型摻雜材料。
[0087]在該實(shí)施例中，漂移區(qū)830中的η區(qū)沿著器件的垂直方向被分成兩部分，其中鄰近半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的所述η區(qū)的第一部分的摻雜濃度(例如為η_)低于半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的摻雜濃度(例如為n)，并且高于在所述η區(qū)的第一部分上面的所述η區(qū)的第二部分的摻雜濃度(例如為η__)，如圖8中示意性示出的。然而，本實(shí)用新型不限于此，并且在其他實(shí)施例中，漂移區(qū)830中的η區(qū)的摻雜濃度可以保持均勻并且低于半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的摻雜濃度。[0088]在該實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820被分成了多個(gè)子層820-1、820-2、820_3、……，每個(gè)子層的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低。由此，從整體上看，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的摻雜濃度沿著從漏區(qū)到源區(qū)的方向逐漸降低，并且η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的最底部子層的摻雜濃度低于漏區(qū)810的摻雜濃度，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的頂部子層的摻雜濃度高于鄰近半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的所述η區(qū)的第一部分的摻雜濃度。然而，本實(shí)用新型不限于此，并且在其他實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的整體摻雜濃度水平可以采用其他變化形式，只要保證半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的鄰近漏區(qū)的部分的摻雜濃度高于遠(yuǎn)離漏區(qū)的部分的摻雜濃度即可。
[0089]在該實(shí)施例中,η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的至少一部分位于漂移區(qū)830中的η區(qū)和ρ區(qū)下面。η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)830中的η區(qū)的寬度，也就是說，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)830中的相鄰ρ區(qū)之間的橫向距離。由于采用厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層820，半導(dǎo)體器件的阻斷能力被大大提高。
[0090]圖9示意性地示出了根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件900的截面圖。圖9所示器件900的大部分結(jié)構(gòu)與圖8所示器件800相同，只是半導(dǎo)體基礎(chǔ)層、漂移區(qū)和P型溝槽區(qū)的構(gòu)造被改變。
[0091]在該實(shí)例中，為了方便起見，以η型器件為例來描述半導(dǎo)體器件900。然而，半導(dǎo)體器件900也可以是ρ型器件。此外，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件900可以是超結(jié)器件，例如超結(jié)MOSFET。
[0092]半導(dǎo)體器件900從底到頂依次包括η+漏區(qū)910、η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920、漂移區(qū)930、ρ+第一體區(qū)950、ρ型第二體區(qū)955和η+源區(qū)960。ρ+第一體區(qū)950位于漂移區(qū)930中，并且包圍著η+源區(qū)960。ρ型第二體區(qū)955位于漂移區(qū)930中，并且包圍ρ+第一體區(qū)950。半導(dǎo)體器件900還包括位于漂移區(qū)930的上表面處的溝槽型柵極結(jié)構(gòu)980，該溝槽型柵極結(jié)構(gòu)借助隔離層990與源區(qū)、體區(qū)和漂移區(qū)分隔開。
[0093]優(yōu)選地，半導(dǎo)體器件900還包括在源區(qū)960上方且位于相鄰隔離層990之間的接觸插塞974。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體器件900還包括沉積在接觸插塞974上的源極金屬化層970。接觸插塞974和源極金屬化層970能夠?qū)⒃磪^(qū)960電連接到外部。接觸插塞974可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的插塞工藝來形成，這里不再詳述。
[0094]在該實(shí)施例中，漂移區(qū)930包括多個(gè)沿著漂移區(qū)的寬度方向交替排列的η區(qū)和ρ區(qū)，其中至少P區(qū)接觸P+體區(qū)950，這些η區(qū)和P區(qū)用作電荷補(bǔ)償區(qū)。在這種情況下，P+體區(qū)950位于源區(qū)960和漂移區(qū)930中的η區(qū)之間。優(yōu)選地，這些η區(qū)和ρ區(qū)中的每一個(gè)均為柱形，如圖9所示。在一個(gè)實(shí)施例中，ρ區(qū)是通過溝槽工藝在漂移區(qū)930中形成溝槽，然后利用P型摻雜材料填充溝槽而形成的。因此，在這種情況下，P區(qū)為P型溝槽區(qū)。
[0095]在該實(shí)施例中，η型摻雜材料可以首先被沉積在ρ型溝槽區(qū)的側(cè)壁和底部上，如在圖9中以附圖標(biāo)記9320所指不的，接著ρ型慘雜材料可以被沉積在η型慘雜材料上，如在圖9中以附圖標(biāo)記9322所指示的，最后在ρ型溝槽區(qū)的其余部分中可以填滿，例如，電介質(zhì)，比如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4);未摻雜的材料；或非常低摻雜的硅；或者P型溝槽區(qū)的其余部分可以保持為空隙，如在圖9中以附圖標(biāo)記9324所指示的。
[0096]在該實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920在器件的垂直方向上被分成了兩部分，其中鄰近漏區(qū)910的第一部分921的摻雜濃度高于鄰近漂移區(qū)930的第二部分922的摻雜濃度，例如第一部分為η摻雜，第二部分為η_摻雜，并且半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920的第二部分922的摻雜濃度高于漂移區(qū)930中的η區(qū)的摻雜濃度(例如為η__)。然而，本實(shí)用新型不限于此，并且在其他實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920的整體摻雜濃度水平可以采用其他變化形式，只要保證半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的鄰近漏區(qū)的部分的摻雜濃度高于遠(yuǎn)離漏區(qū)的部分的摻雜濃度即可。
[0097]在該實(shí)施例中，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920的至少一部分位于漂移區(qū)930中的η區(qū)和ρ區(qū)下面。η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)930中的η區(qū)的寬度，也就是說，η型半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920的位于η區(qū)和ρ區(qū)下面的該部分的厚度至少等于或大于漂移區(qū)930中的相鄰ρ區(qū)之間的橫向距離。由于采用厚的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層920，半導(dǎo)體器件的阻斷能力被大大提高。
[0098]在上面參考圖1-9所描述的半導(dǎo)體器件中，為了更好地突出本實(shí)用新型，因此僅對(duì)本實(shí)用新型的改進(jìn)構(gòu)造進(jìn)行了詳細(xì)描述，而僅僅概述或甚至省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的一些半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)用新型中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成均可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的半導(dǎo)體制造工藝來完成，這里不再贅述。
[0099]盡管上文已經(jīng)通過示例性實(shí)施例詳細(xì)描述了本實(shí)用新型及其優(yōu)點(diǎn)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行多種替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 具有第一和第二表面的半導(dǎo)體本體； 位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)； 第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)，分別沿從所述半導(dǎo)體本體的所述第一表面延伸到所述半導(dǎo)體本體的所述第二表面的方向； 位于所述源區(qū)和所述第一區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，其中至少所述第二區(qū)接觸所述體區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)和所述第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)在所述半導(dǎo)體本體中交替排列； 第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的至少一部分在所述半導(dǎo)體本體中位于所述第一和第二區(qū)下面；以及 位于所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層下面的第一導(dǎo)電類型的漏區(qū)， 其特征在于， 所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的位于所述第一和第二區(qū)下面的所述部分的厚度至少大于所述第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二區(qū)采用溝槽結(jié)構(gòu)，并且所述第二區(qū)中的至少一些由被填充在其中的多個(gè)層構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括多個(gè)第二導(dǎo)電類型的摻雜層，并且每個(gè)第二區(qū)的鄰近所述源區(qū)的上部的寬度大于該第二區(qū)的鄰近所述漏區(qū)的下部的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述`的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的未摻雜的娃層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的空隙區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的未摻雜或低摻雜的硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的電介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述第二區(qū)中的電介質(zhì)層由SiO2 或 Si3N4 形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)第二區(qū)中的多個(gè)層包括沉積在該第二區(qū)的內(nèi)部側(cè)壁上的第一導(dǎo)電類型的摻雜層、沉積在該第一導(dǎo)電類型的摻雜層上的第二導(dǎo)電類型的摻雜層和被該第二導(dǎo)電類型的摻雜層包圍的空隙區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括介于所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)和所述第二區(qū)之間并且包圍所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)的第二導(dǎo)電類型的另一體區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型的另一體區(qū)的摻雜濃度低于所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)的摻雜濃度并且高于位于所述第二區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的摻雜層的摻雜濃度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述源區(qū)上方的將所述源區(qū)電連接到外部的接觸插塞結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層由多個(gè)子層構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層由在所述半導(dǎo)體本體的第二表面之上的具有第一摻雜濃度的第一層和在所述第一層之上的具有小于第一摻雜濃度的第二摻雜濃度的第二層構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所述第一層由多個(gè)子層構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)子層的每一個(gè)的摻雜濃度沿著從所述源區(qū)到所述漏區(qū)的方向逐漸升高。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所述第一層和所述第二層均由多個(gè)子層構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所有子層中的每一個(gè)的摻雜濃度沿著從所述源區(qū)到所述漏區(qū)的方向逐漸升高。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的平面型柵極結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述半導(dǎo)體本體的第一表面處的溝槽型柵極結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK203659878SQ201320675263
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】A.維爾梅羅特, W.凱因德爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司