本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存器件結(jié)構(gòu)以及制作方法。

背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)大量的數(shù)字信息。目前存在著眾多類型的存儲(chǔ)器，如RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、ROM(只讀存儲(chǔ)器)、EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)、FLASH(閃存)等等。從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問世以來，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的需求，閃存被廣泛用于手機(jī)、筆記本、掌上電腦和u盤等移動(dòng)和通訊設(shè)備中，閃存為一種非易變性存儲(chǔ)器，其運(yùn)作原理是通過改變晶體管或存儲(chǔ)單元的臨界電壓來控制門極通道的開關(guān)以達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的目的，使存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不會(huì)因電源中斷而消失，閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲(chǔ)器的一種特殊結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有技術(shù)中的閃存器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括：半導(dǎo)體襯底10，形成在所述半導(dǎo)體襯底10上的多個(gè)第一氧化物11，在所述第一氧化層11之間上依次形成第二氧化層50和字線23，所述第二氧化層50形成在所述字線23兩側(cè)以及底部，形成在所述第二氧化層50的兩側(cè)以及第一氧化層11上的兩個(gè)浮柵(FloatingGate)21，形成在所述浮柵21表面的隔離層30，形成在所述隔離層30上的兩個(gè)控制柵(ControlGate)22，所述控制柵22與所述第二氧化層50相距一定距離，形成在所述第二氧化層50與控制柵22之間的第一氮化層41，形成在所述控制柵22表面的第三氧化層42，形成在所述第三氧化層42、控制柵22以及浮柵21兩側(cè)的補(bǔ)償側(cè)墻43以及側(cè)墻44。現(xiàn)有技術(shù)中，由于閃存器件結(jié)構(gòu)中的所述控制柵21的尺寸較小，導(dǎo)致整個(gè)閃存器件結(jié)構(gòu)的電阻過大，影響反應(yīng)速度，致使響應(yīng)時(shí)間過長。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種閃存器件結(jié)構(gòu)以及制作方法，能夠形成大尺寸的控制柵，降低閃存器件的電阻，提供反應(yīng)速度，降低響應(yīng)時(shí)間。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種閃存器件的制作方法，包括步驟：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層、浮柵層、第一隔離層以及掩膜層；刻蝕所述掩膜層形成第一窗口；在所述第一窗口內(nèi)側(cè)壁上依次形成控制柵和第二隔離層；依次刻蝕第一窗口內(nèi)的第一隔離層、浮柵層和柵介質(zhì)層，形成第二窗口；在第二窗口內(nèi)依次形成第三氧化硅和字線；依次刻蝕所述掩膜層、第一隔離層以及浮柵層，形成浮柵；在所述浮柵、第一隔離層以及所述控制柵的兩側(cè)形成側(cè)墻。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，所述第一隔離層的材質(zhì)為氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅組合。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在形成第一窗口之后，形成控制柵之前，在所述第一窗口中形成第一氧化硅。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，所述第二隔離層為兩層：一層為形成在所述控制柵表面的第二氧化硅，另一層為形成在所述第二氧化硅表面的氮化硅。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在形成第一窗口內(nèi)側(cè)壁上形成控制柵和第二隔離層之后，在刻蝕第一隔離層和浮柵層形成第二窗口之前，刻蝕所述第二隔離層，暴露出所述控制柵的頂部。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在刻蝕形成第二窗口之后，形成字線之前，在第二窗口內(nèi)形成第三氧化硅，作為字線柵介質(zhì)層，所述第三氧化硅形成在所述第二窗口的底部和側(cè)壁上，并且覆蓋所述第二窗口外暴露的控制柵的頂部以及所述掩膜層的上方。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在形成字線之后，采用化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)所述字線進(jìn)行研磨，暴露出所述掩膜層的表面。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)所述字線進(jìn)行研磨之后，刻蝕所述字線，使所述字線的高度低于所述第二隔離層的高度。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在刻蝕所述字線之后，刻蝕所述掩膜層、第一隔離層以及浮柵層之前，在所述字線的表面形成第四氧化層。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，所述第四氧化層采用熱氧化法形成。進(jìn)一步的，在刻蝕所述掩膜層為濕法刻蝕，第一隔離層以及浮柵層為各向異性刻蝕。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，在形成所述側(cè)墻之后，在所述控制柵以及字線的頂部形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，所述柵介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化層。進(jìn)一步的，在所述的閃存器件的制作方法中，所述浮...