具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基底堆棧的圖像傳感器，其中根據(jù)本發(fā)明的基底堆棧圖像傳感器以如下方式設(shè)置：第一光電二極管形成于第一基底，第二光電二極管形成于第二基底，所述兩個(gè)基底相互對(duì)齊和粘合以使得所述兩個(gè)光電二極管相互電耦合，從而在一個(gè)像素內(nèi)形成完整的光電二極管。
【專利說(shuō)明】具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基底堆棧圖像傳感器，其中，通過(guò)分別在相互不同的基底上形成圖像傳感器像素的部分設(shè)置并且對(duì)基底進(jìn)行三維堆棧和粘合，完成像素。更具體地，涉及一種具有雙重檢測(cè)功能的基底堆棧圖像傳感器，其中第一光電二極管設(shè)置于第一基底上，第二光電二極管設(shè)置于第二基底上，當(dāng)基底進(jìn)行堆棧并相互耦合時(shí)，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互耦合以形成一個(gè)像素的設(shè)置單元，并且其中，可以對(duì)基底堆棧圖像傳感器進(jìn)行控制，從而在必要時(shí)選擇性地或者整體地讀取分別由各個(gè)光電二極管檢測(cè)到的信號(hào)。
【背景技術(shù)】
[0002]【背景技術(shù)】可從兩個(gè)方面加以描述。一方面是半導(dǎo)體集成電路的堆棧，另一方面是圖像傳感器的小型化。
[0003]下文中將會(huì)描述半導(dǎo)體集成電路堆棧的常規(guī)技術(shù)。由于半導(dǎo)體集成電路連續(xù)不斷地小型化，半導(dǎo)體集成電路的封裝技術(shù)也在連續(xù)不斷的發(fā)展，以滿足相應(yīng)的小型化和安裝穩(wěn)定性的需求。近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出具有三維(3D)結(jié)構(gòu)基底堆棧的各種技術(shù)，其中對(duì)兩個(gè)或者更多的半導(dǎo)體芯片或者半導(dǎo)體封裝進(jìn)行垂直堆棧。
[0004]使用此類基底堆棧的三維(3D)結(jié)構(gòu)單元以如下方式制造:在基底堆棧之后，對(duì)堆棧后的基底的后表面進(jìn)行研磨以便減少其厚度的修磨處理，然后進(jìn)行后續(xù)處理，然后進(jìn)行鋸削處理，然后進(jìn)行封裝。
[0005]在各個(gè)領(lǐng)域中存在用于基底堆棧的非常多的常規(guī)技術(shù)。本申請(qǐng)的 申請(qǐng)人:同樣嘗試開(kāi)發(fā)各種技術(shù)。例如，通過(guò)在基底的堆棧和粘合之后省略蝕刻步驟以降低成本的制造方法，由本 申請(qǐng)人:在韓國(guó)提出專利申請(qǐng)，申請(qǐng)?zhí)枮镹0.2010-0015632 (2010年2月2日)。
[0006]此外，用于使得基底相`互粘合時(shí)在各自的基底上粘合襯塾的不對(duì)準(zhǔn)最小化的技術(shù)，也由本 申請(qǐng)人:在韓國(guó)提出專利申請(qǐng)，申請(qǐng)?zhí)枮镹0.2010-0046400 (2010年5月18日)。
[0007]此外，當(dāng)堆?；讜r(shí)在各自基底上的襯底更加突出以促進(jìn)粘合的制造方法同樣公開(kāi)在本 申請(qǐng)人:已授權(quán)的韓國(guó)專利N0.2010-53959 (2010年6月8日)中。
[0008]從圖像傳感器小型化的方面考慮現(xiàn)有技術(shù)，隨著諸如便攜式電話的移動(dòng)裝置的發(fā)展，需要其中的相機(jī)模塊具有更低的高度，并需要包括在相機(jī)模塊內(nèi)的圖像傳感器具有更高的分辨率，從而增加移動(dòng)裝置的設(shè)計(jì)靈活性。正是由于這樣的趨勢(shì)，圖像傳感器中像素的大小同樣不斷地減小。
[0009]近來(lái)，隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展，像素能夠制造為具有近似于可見(jiàn)光波波長(zhǎng)的大約1.4μ-- χ?.4μπι的尺寸。相應(yīng)地，在常規(guī)的前面照度(FSI)機(jī)制的情況中，由于設(shè)置于像素上的金屬線的阻礙，外部入射的光不充分集中于光電二極管的現(xiàn)象顯著發(fā)生。為了解決該問(wèn)題，使用光電二極管設(shè)置為盡可能靠近光的入射方向的背部照明(BSI)機(jī)制的圖像傳感器變得突出。
[0010]圖1為使用上述背部照明(BSI)機(jī)制的圖像傳感器的概要說(shuō)明的視圖，其中由在立體空間中所示的紅色、綠色和藍(lán)色色彩過(guò)濾器11 (紅色)、21 (綠色)、31 (藍(lán)色)和41 (綠色)，以及光電二極管12、22、32和42構(gòu)成四個(gè)單元像素。圖2為從所述像素中分離和說(shuō)明紅色像素的視圖。值得注意的是圖1-3僅顯示了包括在圖像傳感器的像素的一個(gè)色彩過(guò)濾器部分以及形成在半導(dǎo)體基底上的光電二極管部分。
[0011]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，使用BSI機(jī)制的圖像傳感器中的像素變得小于這樣的大小，即寬度為1.1 μ m，深度為3-5 μ m，如圖2所示，從而在每個(gè)單元區(qū)域整合更多像素變得可能。在此情況下，之前不嚴(yán)重的信號(hào)干擾現(xiàn)象成為新的問(wèn)題。
[0012]該問(wèn)題將會(huì)參考圖3作出更加詳細(xì)的描述，圖3為連續(xù)設(shè)置的兩個(gè)像素的截面圖。圖3中，經(jīng)過(guò)綠色色彩過(guò)濾器21入射的光在對(duì)應(yīng)的光電二極管22中產(chǎn)生光電子。絕大多數(shù)光電子在連接至所述綠色色彩過(guò)濾器21的光電二極管22的耗盡區(qū)中(圖3中虛線所示的部分)被正常捕獲，成為有用的電流分量。然而，一部分光電子橫跨至相鄰像素的光電二極管12中，其中，由于光電二極管12和22的寬度變窄，所以橫跨至光電二極管12的光電子的數(shù)量增加。從連接至所述綠色色彩過(guò)濾器21的光電二極管22的角度來(lái)看，這些光電子為信號(hào)損耗，而從連接至紅色色彩過(guò)濾器11的光電二極管12的角度來(lái)看，它們是不需要的信號(hào)，即色彩噪聲。這就是所謂的串音現(xiàn)象。相應(yīng)地，在寬度大約為1.1ym而深度達(dá)到3-5 μ m的像素中，串音現(xiàn)象變得嚴(yán)重，因此，BSI機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)不再出現(xiàn)。
[0013]在像素大小(即間距)為1.Ιμπι的狀態(tài)下，基底可被制成為其厚度為一半或更小(例如從4μπι至2μπι)，以降低所述串音現(xiàn)象。然而，在此情況下，入射光不能被硅光電二極管充分吸收，并且所述光電二極管的透光率增加。也就是說(shuō)，量子效率(QE)減小，以減小電信號(hào)的幅度。此處，量子效率(QE)為入射光，即入射光子，與由此產(chǎn)生/捕獲的電荷之間的比例，為指示通過(guò)圖像傳感器將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的效率的指標(biāo)。
[0014]同樣地，在常規(guī)的背部照明類型的圖像傳感器中，相應(yīng)的厚度被減少，以降低串音現(xiàn)象。然而，在此情況下，已經(jīng)知道的是:盡管藍(lán)色光絕大多數(shù)被光電二極管吸收，但是綠色光被第一基底的光電二極管部分吸收；盡管紅色光也被部分吸收，但是紅色光被吸收的數(shù)量小于綠色光。此外，紅外光被吸收的量小于所述紅色光。
[0015]因此，吸收光意味著光子被轉(zhuǎn)換為電荷。因此，按照藍(lán)色光、綠色光、紅色光和紅外光的順序量子效率變低的問(wèn)題在所述背部照明類型圖像傳感器中變得更加明顯。此外，非吸收光成分被除了光電二極管外的其他部件所吸收，在與金屬線碰撞后分散或者深入地傳輸至堆棧的基底，所以無(wú)論量子效率為多大，光都被浪費(fèi)了。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]相應(yīng)地，本發(fā)明用于解決相關(guān)領(lǐng)域所出現(xiàn)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是為了提供一種具有雙重檢測(cè)功能的具有高的量子效率而不會(huì)導(dǎo)致串音的基底堆棧圖像傳感器。
[0017]本發(fā)明的另一個(gè)目的是為了提供一種具有雙重檢測(cè)入射光功能的基底堆棧圖像傳感器:在第一基底上設(shè)置第一光電二極管；在第二基底上設(shè)置第二光電二極管；當(dāng)所述基底相互耦合時(shí)，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互耦合，從而作為像素組件形成完整的光電二極管。
[0018]本發(fā)明的目的不限于所述前面提及的目的。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)從下面的描述中會(huì)更加明顯。[0019]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種具有雙重檢測(cè)功能的基底堆棧圖像傳感器，所述傳感器包括:
[0020]形成于第一基底上的第一光電二極管；
[0021]形成于第二基底上的第二光電二極管,其中所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互電接觸。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有雙重檢測(cè)功能的基底堆棧圖像傳感器，所述傳感器包括:
[0023]形成于第一基底上的第一光電二極管和第一襯墊；
[0024]形成于第二基底上的第二光電二極管和第二襯墊，其中所述第一光電二極管和所述第二光電二極管通過(guò)所述第一襯墊和所述第二襯墊的接觸而相互電耦合。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有雙重檢測(cè)功能的基底堆棧圖像傳感器，所述傳感器包括:
[0026]形成于第一基底上的第一光電二極管和第一轉(zhuǎn)移晶體管；
[0027]形成于第二基底上的第二光電二極管和第二轉(zhuǎn)移晶體管，其中所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、所述第一轉(zhuǎn)移晶體管和所述第二轉(zhuǎn)移晶體管相互電接觸。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有雙重檢測(cè)功能基底堆棧的圖像傳感器，所述傳感器包括:
[0029]形成于第一基底上的第一光電二極管和第一轉(zhuǎn)移晶體管；
`[0030]形成于第二基地上的第二光電二極管，其中所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互電接觸。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有雙重檢測(cè)功能的基底堆棧圖像傳感器，所述傳感器包括:
[0032]形成于第一基底上的第一光電二極管；
[0033]形成于第二基底上的第二光電二極管和第二轉(zhuǎn)移晶體管，其中所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互電接觸。
[0034]根據(jù)與本發(fā)明實(shí)施例相一致的基底堆棧圖像傳感器設(shè)置，絕大多數(shù)藍(lán)色光、部分綠色光和部分紅色光被第一基底的第一光電二極管所吸收；所述藍(lán)色光的極小部分、所述綠色光的殘留部分、所述紅色光的殘留部分和紅外光被第二基底的第二光電二極管第二次吸收，因此，所述量子效率增加，入射光的浪費(fèi)最小化。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，因?yàn)樯蠈雍拖聦踊椎膬蓚€(gè)光電二極管被放置為物理上與外部光學(xué)系統(tǒng)(即外部透鏡)不同的距離，最終捕獲的作為圖像的目標(biāo)(subject)的相對(duì)距離可通過(guò)以下要素進(jìn)行測(cè)量:外部透鏡所具有的三種色彩(即綠色、藍(lán)色和紅色)的色差?’三種色彩的上層基底上捕獲到的圖像的頻率成分分析；三種色彩的下層基底上捕獲到的圖像的頻率成分分析，這樣可以產(chǎn)生恢復(fù)立體圖像的基本圖像數(shù)據(jù)。
[0036]本發(fā)明以與常規(guī)立體相機(jī)產(chǎn)生立體圖像所采用的機(jī)制完全不同的機(jī)制被用于產(chǎn)生立體圖像。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在閱讀結(jié)合附圖的下文詳細(xì)描述后會(huì)更加明顯。[0038]圖1為圖像傳感器的像素的橫截面的立體示意圖；
[0039]圖2為選自圖1的一個(gè)像素的示意圖，標(biāo)示了其尺寸；
[0040]圖3為描述串音現(xiàn)象的視圖；
[0041]圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基底堆棧圖像傳感器的設(shè)置的電路示意圖；
[0042]圖5為圖4所不的電路圖所實(shí)施的半導(dǎo)體基底的截面圖；
[0043]圖6為概要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的基底堆棧圖像傳感器的設(shè)置的電路圖；
[0044]圖7為概要說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的基底堆棧圖像傳感器的設(shè)置的電路圖；
[0045]圖8為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光電二極管之間形成的溝槽(trench)的示意圖。
具體實(shí)施例
[0046]下面將參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。只要有可能，附圖和說(shuō)明書(shū)中涉及相同或者類似部件使用相同的附圖標(biāo)記。
[0047]圖4為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思的電路示意圖。為了描述方便，假設(shè)一個(gè)像素包括一個(gè)光電二極管和四個(gè)晶體管。根據(jù)情況，一個(gè)像素可以包括一個(gè)二極管和三個(gè)晶體管。然而，晶體管的數(shù)量與本發(fā)明的主要構(gòu)思沒(méi)有關(guān)系。無(wú)論一個(gè)像素包括幾個(gè)晶體管，本發(fā)明的特征都能夠被等同實(shí)現(xiàn)。
[0048]第二基底具有第二光電二極管212、第二轉(zhuǎn)移晶體管222和第二襯墊270。第一基底具有第一光電二極管211、第一轉(zhuǎn)移晶體管221、復(fù)位晶體管230、跟隨晶體管240、選擇晶體管250和第一襯墊260。
[0049]所述第一轉(zhuǎn)移晶體管221、所述第二轉(zhuǎn)移晶體管222、所述復(fù)位晶體管230、跟隨晶體管240和選擇晶體管250能夠?qū)⒐怆姸O管轉(zhuǎn)換的電信號(hào)作為像素輸出，由此所述晶體管可統(tǒng)稱為“接入晶體管”。
[0050]所述第一基底上形成的部件和所述第二基底上形成的部件通過(guò)已知的半導(dǎo)體制造方法分別制造，然后將兩個(gè)基底中的一個(gè)翻過(guò)來(lái)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)基底的粘合。在此情況下，所述第一襯墊和所述第二襯墊必須精確地對(duì)齊，以避免彼此不成一直線。
[0051 ] 本發(fā)明的主要特征是在第一基底上形成第一光電二極管，在第二基底上形成第二光電二極管，然后當(dāng)粘合基底時(shí)將第一光電二極管和第二光電二極管電結(jié)合成一個(gè)。
[0052]所述第一轉(zhuǎn)移晶體管221和所述第二轉(zhuǎn)移晶體管222同樣安排在兩個(gè)基底上，當(dāng)粘合基底時(shí)被電結(jié)合成一個(gè)。此處，“晶體管的結(jié)合”是指，一個(gè)晶體管的門(mén)極和漏極分別短路至另一個(gè)晶體管的門(mén)極和漏極。自然地，意味著各自晶體管的門(mén)極信號(hào)TG共同使用。因此，通過(guò)該結(jié)合，電流驅(qū)動(dòng)能力依據(jù)每個(gè)晶體管的寬度/長(zhǎng)度(W/L)比得以增加。此外，自然地，電路設(shè)計(jì)者考慮到通過(guò)結(jié)合所述驅(qū)動(dòng)能力相應(yīng)增加的事實(shí)可預(yù)先設(shè)置每個(gè)晶體管的寬度/長(zhǎng)度(W/L)比。
[0053]另外，為了根據(jù)需要有選擇地控制第一轉(zhuǎn)移晶體管221和第二轉(zhuǎn)移晶體管222，門(mén)極信號(hào)TG可分開(kāi)控制。
[0054]所述第一基底中第一光電二極管211占用的區(qū)域可與所述第二基底中所述第二光電二極管212占用的區(qū)域不同。這是因?yàn)?，不僅第二光電二極管212而且其它的接入晶體管都必須設(shè)置于第二基底的有限像素區(qū)域中的同一平面上。因此，第一基底上形成的單元像素的一些部件之間的斜度(pitch)與第二基底上形成的單元像素的其它部件之間的斜
度精確一致。
[0055]下面將參照?qǐng)D5的截面視從另一個(gè)角度詳細(xì)描述本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。
[0056]自然地，用于分別分隔藍(lán)色光、綠色光和紅色光的色彩過(guò)濾器被單獨(dú)設(shè)置。圖5代表性地描述了對(duì)應(yīng)于三種主要色彩的藍(lán)色、綠色和紅色(BGR)中的一種色彩的一個(gè)像素。
[0057]入射至圖像傳感器的光通常從第二基底的后表面入射，通過(guò)顯微透鏡集中，經(jīng)由第二緩沖層由色彩過(guò)濾器單獨(dú)地進(jìn)行選擇，經(jīng)過(guò)第一緩沖層、P型雜質(zhì)區(qū)域等等，然后到達(dá)P-N結(jié)合區(qū)域，所述結(jié)合區(qū)域?yàn)榈诙怆姸O管212。顯微透鏡、第二緩沖層、第一緩沖層和P型雜質(zhì)區(qū)域的順序是正常的，不是本發(fā)明的主要特征，所以相應(yīng)的細(xì)節(jié)描述被省略。值得注意的是，在圖5的截面視圖中，所述第二基底設(shè)置于所述第一基底上。
[0058]在此情況下，當(dāng)光為藍(lán)色光時(shí)絕大多數(shù)選擇光、當(dāng)光為綠色光時(shí)的部分選擇光、當(dāng)光為紅色光時(shí)的部分選擇光被吸收至所述第二光電二極管212中，并被轉(zhuǎn)換成光電子。
[0059]盡管部分未被吸收至所述第二光電二極管中的殘留光被金屬線散射(圖中未示出)，但是殘留光的其它部分連續(xù)傳輸至足夠到達(dá)所述第一光電二極管211。相應(yīng)地，殘留藍(lán)色光的極小部分、殘留綠色光的部分以及殘留紅色光的部分被所述第一光電二極管211第二次轉(zhuǎn)換為光電子。也就是說(shuō)，光的檢測(cè)執(zhí)行了兩次。特別地，在紅外光的情況下，由于所述紅外光的高透光率，其被所述第一光電二極管211轉(zhuǎn)換的光電子比所述第二光電二極管212轉(zhuǎn)換的光電子多。
[0060]依照上述描述，所述第二光電二極管212的P-N結(jié)合區(qū)域?qū)捰谒龅谝还怆姸O管211。這是由于大多數(shù)接入晶體管必須進(jìn)一步地設(shè)置于所述第一基底上，而所述第一基底和所述第二基底必須具有相同的像素區(qū)域。為了方便的目的，圖5僅示出了第一基底上的第一轉(zhuǎn)移晶體管221，這是因?yàn)?，雖然接入晶體管位于相同平面上，但是由于其設(shè)置的原因，所有的接入晶體管不可能顯示在一個(gè)截面上。
[0061]如果大多數(shù)接入晶體管設(shè)置在第二基底上，則第二光電二極管的P-N結(jié)合區(qū)域窄于第一基底的P-N結(jié)合區(qū)域，此為本發(fā)明所示的多個(gè)特征中的一個(gè)。
[0062]圖6為示意性地表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖。圖6中顯示的實(shí)施例，除了第二轉(zhuǎn)移晶體管不存在以及第二基底上僅存在第二光電二極管212和第二襯墊270之外，與圖4中顯示的相同。由于僅存在一個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管221，所以與圖2中顯示的實(shí)施例不同，不可能從所述第一和第二光電二極管211和212中選擇一個(gè)。根據(jù)本實(shí)施例，僅一個(gè)光電二極管被設(shè)置于所述第二基底上，沒(méi)有轉(zhuǎn)移晶體管和轉(zhuǎn)移晶體管的接線，所以光電二極管的面積能夠最大化。
[0063]圖7為概要說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施例的電路圖。參照?qǐng)D7，第一基底上不存在第一轉(zhuǎn)移晶體管。值得注意的是，兩個(gè)襯墊280和290被加入以用于第一光電二極管211和第二光電二極管212的電連接。由于所述實(shí)施例同樣僅包含一個(gè)轉(zhuǎn)移晶體管222，所以與圖4中所示的實(shí)施例不同，不可能從所述第一和第二光電二極管211和212中選擇一個(gè)。根據(jù)所述實(shí)施例，所述第一基底上不需要轉(zhuǎn)移晶體管和用于轉(zhuǎn)移晶體管的接線，因此所述第一光電二極管的面積能夠增加。[0064]由于本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠輕易的得出對(duì)應(yīng)于圖6和圖7的截面圖，所以其截面圖予以省略。圖4中使用的同樣的附圖標(biāo)記被用在圖6和圖7中，從而可以理解，相同的附圖標(biāo)記代表相同的組成部件。
[0065]圖8顯不了一個(gè)實(shí)施例,其中根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,在第一和第二光電二極管中的至少一個(gè)光電二極管中的各個(gè)像素之間形成溝槽87，溝槽87填充有不可滲透的材料。相應(yīng)地，通過(guò)色彩過(guò)濾器81和82產(chǎn)生的光電子僅停留在各個(gè)光電二極管85和86的內(nèi)部，從而被阻止跨越至相鄰的光電二極管中。也就是說(shuō)，可以減少像素之間的串音現(xiàn)象。
[0066]盡管本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例為了描述目的而被描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解各種可能的修飾、附加和替換，并不脫離所附權(quán)利要求書(shū)所公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神。
【權(quán)利要求】
1.一種具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器，所述傳感器包括: 形成于第一基底上的第一光電二極管； 形成于第二基底上的第二光電二極管； 其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管互相電接觸。
2.一種具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器，所述傳感器包括: 形成于第一基底上的第一光電二極管和第一襯墊； 形成于第二基底上的第二光電二極管和第二襯墊； 其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管通過(guò)所述第一襯墊和所述第二襯墊的接觸相互電耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，所述第一基底和所述第二基底由硅、鍺或者砷化鎵制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，在所述第二基底上形成全部或者部分接入晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，轉(zhuǎn)移晶體管選擇性形成于所述第一基底和第二基底中的一個(gè)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，接入晶體管的第一轉(zhuǎn)移晶體管形成于所述第一基底上，第二轉(zhuǎn)移晶體管形成于所述第二基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管通過(guò)接觸組合為一個(gè)像素中的完整光電二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管的P-N結(jié)合區(qū)域的尺寸互不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖像傳感器，其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管中的至少一個(gè)光電二極管在其周?chē)纬捎袦喜邸?br> 10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其中，所述溝槽填充有不可滲透的材料。
11.一種具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器，所述傳感器包括: 形成于第一基底上的第一光電二極管和第一轉(zhuǎn)移晶體管； 形成于第二基底上的第二光電二極管和第二轉(zhuǎn)移晶體管； 其中，所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、所述第一轉(zhuǎn)移晶體管和所述第二轉(zhuǎn)移晶體管相互電接觸。
12.—種具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器，所述傳感器包括: 形成于第一基底上的第一光電二極管和第一轉(zhuǎn)移晶體管； 形成于第二基底上的第二光電二極管； 其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互電接觸。
13.一種具有雙重檢測(cè)功能的多基底圖像傳感器，所述傳感器包括: 形成于第一基底上的第一光電二極管； 形成于第二基底上的第二光電二極管和第二轉(zhuǎn)移晶體管； 其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管相互電接觸。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK103733342SQ201280038912
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月8日
【發(fā)明者】李道永 申請(qǐng)人:（株）賽麗康