專利名稱：具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及掩膜法制備SE電池領(lǐng)域，具體是具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片。
背景技術(shù)：
掩膜法制備SE電池在刻蝕工序之前就在硅片的上表面打印上與柵線圖形一致的掩膜圖形，以保護(hù)石蠟柵線圖形下方的摻雜層不被刻蝕，而非石蠟柵線圖形覆蓋區(qū)域的摻雜層則被刻蝕掉一層，形成選擇性發(fā)射極。而在后續(xù)絲印工序中，須在掩膜圖形的位置保持硅片方向一致完全對(duì)準(zhǔn)再印刷銀電極，就需要使用對(duì)準(zhǔn)假片對(duì)絲印機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)試校準(zhǔn)。在對(duì)準(zhǔn)調(diào)試過程中存在兩個(gè)問題1、在同一中對(duì)準(zhǔn)方式，無對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)假片在絲印對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)過程中可能存在與生產(chǎn)片方向存在180度的差異，從而引起對(duì)準(zhǔn)實(shí)效；2、當(dāng)存在多種對(duì)準(zhǔn)方式時(shí)，不同對(duì)準(zhǔn)方式的生產(chǎn)片也需要相對(duì)應(yīng)對(duì)準(zhǔn)方式的對(duì)準(zhǔn)假片進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)調(diào)試，如果不同對(duì)準(zhǔn)方式的生產(chǎn)片使用非對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)假片進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)，也將引起對(duì)準(zhǔn)失效。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，解決了以往絲印對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)過程中，容易造成對(duì)準(zhǔn)失效，從而降低電池片效率，引起工藝質(zhì)量事故的問題。本實(shí)用新型為解決技術(shù)問題主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，包括方形的假片本體，假片本體上設(shè)有掩膜圖形，所述假片本體上還設(shè)有標(biāo)記點(diǎn)。標(biāo)記點(diǎn)與掩膜圖形一樣，均為石蠟，標(biāo)記點(diǎn)隨掩膜圖形一起打印在假片上；對(duì)硅片進(jìn)行絲印前，需要使用對(duì)準(zhǔn)假片對(duì)絲印機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)，引入標(biāo)記點(diǎn)以后，避免對(duì)準(zhǔn)假片與生產(chǎn)片出現(xiàn)180度的反向，防止引起對(duì)準(zhǔn)失效。所述標(biāo)記點(diǎn)位于掩膜圖形外。所述標(biāo)記點(diǎn)位于假片本體的任意一個(gè)頂角處。所述標(biāo)記點(diǎn)位于掩膜圖形內(nèi)。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果(I)本實(shí)用新型通過引入標(biāo)記點(diǎn)，使得在絲印機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)時(shí)，操作人員能夠直觀準(zhǔn)確地區(qū)分對(duì)準(zhǔn)假片的方向，從而確保了對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)的可靠性，避免了出現(xiàn)工藝質(zhì)量事故，為電池片的聞效率提供了保障。(2)本實(shí)用新型引入的標(biāo)記點(diǎn)和打印掩膜圖形同時(shí)進(jìn)行，一步完成，不需要增加額外的工藝步驟，也不引起額外的工藝問題，因此，在提高了對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)精度的基礎(chǔ)上，并沒有帶來不好的影響。
圖I為本實(shí)用新型的實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱為1、假片本體，2、掩膜圖形，3、標(biāo)記點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例I : 如圖I所示，本實(shí)用新型包括方形的假片本體1，假片本體I上設(shè)有掩膜圖形2，假片本體I上還設(shè)有標(biāo)記點(diǎn)3。本實(shí)施例將標(biāo)記點(diǎn)3設(shè)置在掩膜圖形2外，作為優(yōu)選，將標(biāo)記點(diǎn)3設(shè)置在假片本體I的任意一個(gè)頂角處，便于很清楚地區(qū)分對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)的方向。實(shí)施例2:如圖2所示，本實(shí)施例與實(shí)施例I不同的地方是，將標(biāo)記點(diǎn)3設(shè)置在掩膜圖形2內(nèi)，由于掩膜圖形2有空白的地方，可將標(biāo)記點(diǎn)3設(shè)置在任意空白的地方，能夠區(qū)分對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)方向即可。本實(shí)用新型的標(biāo)記點(diǎn)的大小、位置可以是任意的，只要不影響正常掩膜圖形、能夠清楚區(qū)分對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)方向即可。本實(shí)用新型的工作原理為將設(shè)有標(biāo)記點(diǎn)3的假片對(duì)絲印機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)測(cè)試，由于有標(biāo)記點(diǎn)3，所以能很直觀、清楚地判斷掩膜圖形與硅片方向是否一致，一致后，再進(jìn)行絲印操作，這樣保證了電池片的高效率。如上所述，則能很好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，包括方形的假片本體(1)，假片本體(I)上設(shè)有掩膜圖形(2)，其特征在于所述假片本體(I)上還設(shè)有標(biāo)記點(diǎn)(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，其特征在于所述標(biāo)記點(diǎn)(3)位于掩膜圖形(2)外。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，其特征在于所述標(biāo)記點(diǎn)(3)位于假片本體(I)的任意一個(gè)頂角處。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，其特征在于所述標(biāo)記點(diǎn)(3)位于掩膜圖形(2)內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了具有標(biāo)記點(diǎn)的石蠟掩膜對(duì)準(zhǔn)調(diào)試假片，包括方形的假片本體(1)，假片本體(1)上設(shè)有掩膜圖形(2)，假片本體(1)上還設(shè)有標(biāo)記點(diǎn)(3)，標(biāo)記點(diǎn)(3)位于掩膜圖形(2)外。本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)，在絲印對(duì)準(zhǔn)校準(zhǔn)過程中，能避免造成對(duì)準(zhǔn)失效，防止工藝質(zhì)量事故的發(fā)生，保證電池片的高效率，同時(shí)還不會(huì)增加額外的工藝步驟。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202749407SQ20122045824
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月11日
發(fā)明者夏偉, 程曦, 馬熠隆, 段甜健, 包崇彬, 李質(zhì)磊, 盛雯婷, 張鳳鳴 申請(qǐng)人:天威新能源控股有限公司