專利名稱：光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置以及計測裝置。
背景技術：
近些年，具有IOOGHz以上、30THz以下的頻率的電磁波亦即太赫茲波受到關注。例如，能夠將太赫茲波用于成像、分光計測等各種計測、非破壞性檢查等。產生該太赫茲波的太赫茲波產生裝置具有:產生具有亞皮秒(數百飛秒)左右的脈沖寬度的光脈沖(脈沖光)的光源裝置和通過被由光源裝置產生的光脈沖照射來產生太赫茲波的光導天線。作為上述光導天線，例如專利文獻I公開了具有由η型半導體層、i型半導體層和P型半導體層按此順序層疊而成的層疊體(pin構造)的太赫茲波產生元件(光導天線)。在該光導天線中，若經由形成于在P型半導體層上設有的電極的開口，向P型半導體層照射光脈沖，則太赫茲波從i型半導體層的整個側面呈放射狀射出。在上述專利文獻I所記載的光導天線中，能夠針對使用低溫生長GaAs(LT — GaAs)基板制造而成的偶極子形狀光導天線(PCA)，使產生的太赫茲波的強度增大10倍左右。然而，在專利文獻I所述的光導天線中，向P型半導體層照射光脈沖，透過了該P型半導體層的光脈沖入射至i型半導體層，所以存在光脈沖的一部分被P型半導體層吸收，由此使太赫茲波的產生效率降低的問題。專利文獻1:日本特開2007 - 300022號公報

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供能夠比以往高效地產生太赫茲波的光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置以及計測裝置。這樣的目的通過下述的本發(fā)明實現。本發(fā)明的光導天線的特征在于，是被脈沖光照射從而產生太赫茲波的光導天線，具備:第一導電層，其由包含第一導電型的雜質的半導體材料構成；第二導電層，其由包含與所述第一導電型不同的第二導電型的雜質的半導體材料構成；半導體層，其位于所述第一導電層和所述第二導電層之間，且由與所述第一導電層的半導體材料相比，載流子濃度低的半導體材料或與所述第二導電層的半導體材料相比，載流子濃度低的半導體材料構成；第一電極，其與所述第一導電層電連接；以及第二電極，其與所述第二導電層電連接，所述半導體層包括:入射面，其位于成為法線方向與所述第一導電層、所述半導體層以及所述第二導電層的層疊方向正交的狀態(tài)的側面并供所述脈沖光入射；和射出面，其位于所述半導體層的側面的與所述入射面不同的位置并供所述太赫茲波射出。由此，光脈沖(脈沖光)不經由含有第一雜質的半導體層、含有第二雜質的半導體層，而直接入射至半導體層，所以能夠防止光脈沖被含有第一雜質的半導體層、含有第二雜質的半導體層吸收，能夠高效地產生太赫茲波。
另外，能夠使該光導天線和產生光脈沖的光源在基板上與該基板一體形成，來制造太赫茲波產生裝置，由此，能夠實現太赫茲波產生裝置的小型化。另外，能夠在使光源和光導天線形成于基板上時進行光源和光導天線的對位，由此，能夠容易制造太赫茲波產生
>J-U ρ α裝直。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選上述半導體在從上述層疊方向觀察時，呈從上述入射面朝向上述射出面的方向成為長邊方向的縱長形狀。由此，利用半導體層能夠沿該半導體層的長邊方向引導太赫茲波，由此，能夠產生具有指向性的太赫茲波。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選上述半導體層具有如下部位，即在從上述層疊方向觀察時，隨著從上述入射面朝向上述半導體層的射出太赫茲波的射出面，與從上述入射面朝向上述射出面的方向正交的方向的上述半導體層的寬度逐漸增大的部位。由此，利用半導體層能夠高效地引導太赫茲波。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選以上述第二導電層的側面與上述半導體層的上述入射面位于同一平面上的方式設置上述第二導電層，并且僅設置于上述半導體層上的一部分上，上述第二導電層具有與上述層疊方向垂直的法線。由此，僅在半導體層的入射面?zhèn)鹊囊徊糠之a生太赫茲波，所以能夠抑制在半導體層內的太赫茲波彼此的干涉。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選具有覆蓋層，該覆蓋層覆蓋具有與上述層疊方向垂直的法線的上述半導體層的 側面。由此，能夠防止半導體層的腐蝕。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選上述覆蓋層的設置于上述射出面的上述覆蓋層的構成材料的相對介電常數比上述半導體層的上述半導體材料的相對介電常數高。由此，由于太赫茲波具有要在介電常數更高的物質中前進的性質，所以在半導體層中產生的太赫茲波能夠可靠地從該半導體層的射出面射出。在本發(fā)明的光導天線中，優(yōu)選上述半導體層的半導體材料是III一 V族化合物半導體。由此，能夠產生高強度的太赫茲波。本發(fā)明的太赫茲波產生裝置具備:本發(fā)明的光導天線和產生上述脈沖光的光源。由此，能夠提供具有上述本發(fā)明的效果的太赫茲波產生裝置。在本發(fā)明的太赫茲波產生裝置中優(yōu)選為，具有基板，上述光源以及上述光導天線分別在上述基板上與該基板一體形成。由此，能夠實現太赫茲波產生裝置的小型化。另外，能夠在使光源和光導天線形成于基板上時進行該光源和光導天線的對位，由此，能夠容易制造太赫茲波產生裝置。本發(fā)明的拍攝裝置的特征在于，具備:本發(fā)明的光導天線、產生上述脈沖光的光源以及對從上述光導天線射出且被對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部。由此，能夠提供具有上述本發(fā)明的效果的拍攝裝置。本發(fā)明的成像裝置的特征在于，具備:本發(fā)明的光導天線、產生上述脈沖光的光源、對從上述光導天線射出并透過對象物或者被上述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據上述太赫茲波檢測部的檢測結果而生成上述對象物的圖像的圖像形成部。由此，能夠提供具有上述本發(fā)明的效果的成像裝置。本發(fā)明的計測裝置的特征在于，具備:本發(fā)明的光導天線、產生上述光脈沖的光源、對從上述光導天線射出并透過對象物或者被上述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據上述太赫茲波檢測部的檢測結果而計測上述對象物的計測部。由此，能夠提供具有上述本發(fā)明的效果的計測裝置。


圖1是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第一實施方式的圖。圖2是圖1所示的太赫茲波產生裝置的光導天線的俯視圖。圖3是圖1所示的太赫茲波產生裝置的光源裝置的剖面立體圖。圖4是圖3中的A — A線的剖視圖。圖5是圖3中的B— B線的剖視圖。圖6是表示圖1所示的太赫茲波產生裝置的光導天線中的i型半導體層的其他構成例的俯視圖。圖7是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第二實施方式的圖。圖8是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第三實施方式的圖。圖9是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第四實施方式的圖。圖10是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第五實施方式的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明的成像裝置的實施方式的框圖。圖12是表示圖11所示的成像裝置的太赫茲波檢測部的俯視圖。圖13是表示對象物的太赫茲帶的頻譜的曲線圖。圖14是表示對象物的物質A、B以及C的分布的圖像的圖。圖15是表示本發(fā)明的計測裝置的實施方式的框圖。圖16是表示本發(fā)明的拍攝裝置的實施方式的框圖。圖17是表示本發(fā)明的拍攝裝置的實施方式的立體圖。
具體實施例方式以下結合附圖所示的優(yōu)選的實施方式，對本發(fā)明的光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置以及計測裝置進行詳細說明。第一實施方式圖1是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第一實施方式的圖。在該圖1中，示出光導天線的沿圖2中的S — S線的剖視圖、光源裝置的框圖。圖2是圖1所示的太赫茲波產生裝置的光導天線的俯視圖，圖3是圖1所示的太赫茲波產生裝置的光源裝置的剖面立體圖，圖4是沿圖3中的A — A線的剖視圖，圖5是沿圖3中的B — B線的剖視圖，圖6是表示圖1所示的太赫茲波產生裝置的光導天線中的i型半導體層的其他構成例的俯視圖。此外，以下，將圖1、圖3 圖5中的上側作為“上”、將下側作為“下”來進行說明。如圖1所示，太赫茲波產生裝置I具有:產生作為激勵光的光脈沖(脈沖光)的光源裝置3、和通過被由光源裝置3產生的光脈沖照射而產生太赫茲波的光導天線2。此外，太赫茲波是指頻率為IOOGHz以上、30THz以下的電磁波，特別是指300GHz以上、3THz以下的電磁波。如圖3 圖5所示，在本實施方式中，光源裝置3具有:產生光脈沖的光脈沖產生部4、對在光脈沖產生部4所產生的光脈沖進行脈沖壓縮的第一脈沖壓縮部5、對在第一脈沖壓縮部5執(zhí)行了脈沖壓縮的光脈沖進行脈沖壓縮的第二脈沖壓縮部7以及對光脈沖進行放大的放大部6。放大部6被設置在第一脈沖壓縮部5的前段，或者被設置在第一脈沖壓縮部5和第二脈沖壓縮部7之間，而在圖示的構成中，放大部6被設置在第一脈沖壓縮部5與第二脈沖壓縮部7之間。由此，由第一脈沖壓縮部5進行了脈沖壓縮的光脈沖被放大部6放大，被放大部6放大了的光脈沖在第二脈沖壓縮部7進行脈沖壓縮。另外，從光源裝置3射出的光脈沖的脈沖寬度(半值寬度)沒有特別限定，但優(yōu)選If秒以上、800f秒以下，特別優(yōu)選IOf秒以上、200f秒以下。另外，將從光源裝置3射出的光脈沖的頻率設定為與后述的光導天線2的i型半導體層24的帶隙對應的頻率以上。另外，光脈沖產生部4能夠采用例如DBR激光器、DFB激光器、鎖模激光器等所謂的半導體激光器。對在該光脈沖產生部4產生的光脈沖的脈沖寬度雖然沒有特別限定，但優(yōu)選為Ip秒以上、IOOp秒以下。另外，第一脈沖壓縮部5進行基于可飽和吸收的脈沖壓縮。即，第一脈沖壓縮部5具有可飽和吸收體，并利用該可飽和吸收體來壓縮光脈沖，從而使該脈沖寬度減小。另外，第二脈沖壓縮部7進行基于群速度色散補償的脈沖壓縮。即，第二脈沖壓縮部7具有群速度色散補償介質，在本實施方式中第二脈沖壓縮部7具有耦合波導構造，通過該耦合波導構造來壓縮光脈沖，從而使該脈沖寬度減小。另外，光源裝置3的光脈沖產生部4、第一脈沖壓縮部5、放大部6和第二脈沖壓縮部7被一體化,即集成在同一基板上。具體而言，光源裝置3具有:作為半導體基板的基板31、設置在基板31上的包層
32、設置在包層32上的有源層33、設置在有源層33上的波導構成工序用蝕刻停止層34、設置在波導構成工序用蝕刻停止層34上的包層35、設置在包層35上的接觸層36、設置在波導構成工序用蝕刻停止層34上的絕緣層37、設置在基板31的表面的包層32側的電極38、以及設置在接觸層36和絕緣層37的表面的包層35側的電極391、392、393、394、395。另夕卜，在光脈沖產生部4的波導構成工序用蝕刻停止層34與包層35之間設置有衍射光柵30。此外，波導構成工序用蝕刻停止層不局限于設置在有源層的正上面，例如也可以設置在包層中。此外，各部分的構成材料沒有特別限定，但作為一個例子，作為基板31、接觸層36例如可以分別列舉GaAs等。另外，作為包層32、35、波導構成工序用蝕刻停止層34、衍射光柵30例如可以分別列舉AlGaAs等。另外，作為有源層33例如可以列舉采用了被稱作多量子阱的量子效應的構成等。具體而言，作為有源層33，例如可以列舉由將阱層(GaAs阱層)和勢壘層(AlGaAs勢壘層)交替且各多層地設置而成的多量子阱等構成的被稱作漸變折射率型多量子阱的構造等。另外，在圖示的構成中，光源裝置3中的波導由包層32、有源層33、波導構成工序用蝕刻停止層34以及包層35構成。另外，包層35僅在波導的上部被設置成與該波導對應的形狀。另外，通過蝕刻去除包層35的不需要的部分來形成包層35。此外，根據制造方法不同，也可以省略波導構成工序用蝕刻停止層34。另外，包層35以及接觸層36分別是兩個兩個地設置。一方的包層35以及接觸層36構成光脈沖產生部4、第一脈沖壓縮部5、放大部6以及第二脈沖壓縮部7的一部分，且連續(xù)設置，另一方的包層35以及接觸層36構成第二脈沖壓縮部7的一部分。即，在第二脈沖壓縮部7設置有一對包層35和一對接觸層36。另外，以與光脈沖產生部4的包層35對應的方式設置有電極391，另外，以與第一脈沖壓縮部5的包層35對應的方式設置有電極392，另外，以與放大部6的包層35對應的方式設置有電極393，另外，以分別與第二脈沖壓縮部7的2個包層35對應的方式設置有電極394以及395。此外，電極38是光脈沖產生部4、第一脈沖壓縮部5、放大部6以及第二脈沖壓縮部7的共用電極。而且,利用電極38和電極391構成光脈沖產生部4的一對電極，另外，利用電極38和電極392構成第一脈沖壓縮部5的一對電極,另外，利用電極38和電極393構成放大部6的一對電極，另外，利用電極38和電極394、電極38和電極395構成第二脈沖壓縮部7的兩對電極。此外，在圖示的構成中，光源裝置3的整體形狀呈長方體，但當然并不局限于此。另外，不對光源裝置3的尺寸進行特別限定，例如能夠設為Imm以上IOmm以下X0.5mm以上5_以下X0.1mm以上1_以下。此外，當然在本發(fā)明中，光源裝置的構成不限于上述的構成。接下來，對光導天線2進行說明。如圖1以及圖2所示，光導天線2具有基板21和設置于基板21上的光導天線主體20。作為基板21，只要能夠支承光導天線主體20，就不進行特別限定，例如，能夠使用由各種半導體材料構成的半導體基板、由各種樹脂材料構成的樹脂基板、由各種玻璃材料構成的玻璃基板等，但優(yōu)選半導體基板。另外，在使用半導體基板作為基板21的情況下，對于該半導體材料不進行特別限定，能夠使用各種材料，但優(yōu)選ΠΙ — V族化合物半導體。另夕卜，對于III 一 V族化合物半導體不進行特別限定，例如能夠列舉GaAs、InP、InAs, InSb等。另外，在圖示的構成中，基板21的形狀在從后述的η型半導體層22、i型半導體層24以及P型半導體層23的層疊方向觀察時，呈四邊形。此外，基板21的形狀并不局限于四邊形，除此而外，例如能夠列舉圓形、橢圓形、三角形、五邊形、六邊形等其他的多邊形等。以下，將“從η型半導體層22、i型半導體層24以及P型半導體層23的層疊方向觀察時”也稱作“俯視”。另外，將“η型半導體層22、i型半導體層24以及P型半導體層23的層疊方向”也簡稱為“層疊方向”。光導天線主體20具備:n型半導體層(第一導電層)22、產生太赫茲波且具有引導該太赫茲波的功能的i型半導體層(半導體層)24、P型半導體層(第二導電層)23、絕緣層
25、以及構成一對電極的電極28 (第一電極)和電極(第二電極)29。在該情況下，在基板21上從基板21側起按順序層疊有(設置有)η型半導體層22、i型半導體層24以及P型半導體層23。S卩，在基板21上形成有從基板21側起按順序層疊η型半導體層22、i型半導體層24以及P型半導體層23而成的層疊體(pin構造)。進一步換言之，i型半導體層24被夾在η型半導體層22和P型半導體層23之間而形成。而且，i型半導體層24的、在η型半導體層22和ρ型半導體層23之間露出的面(即層疊體的側面中的i型半導體層24的部分)中的圖1中的左側的端面構成供光脈沖入射的入射面241，圖1中的右側的端面構成供在該i型半導體層24產生的太赫茲波射出的射出面242。即，具有與層疊方向垂直的法線的i型半導體層24的面(側面)的至少一部分可以透過光脈沖，具有與層疊方向垂直的法線的i型半導體層24的面的至少一部分可以透過在i型半導體層24產生的太赫茲光。由此，光脈沖不通過η型半導體層22、ρ型半導體層23，直接入射至i型半導體層24，所以能夠防止光脈沖被η型半導體層22、ρ型半導體層23吸收，從而能夠高效地產生太赫茲波。另外，絕緣層25被設置在基板21上和η型半導體層22上的未設置i型半導體層24的部位。另外，在η型半導體層22上的絕緣層25的一部分形成有開口 251。另外，電極28被設置在絕緣層25上，經由開口 251，與η型半導體層22接觸，并與該η型半導體層22電連接。另外，電極29被設置在ρ型半導體層23上。S卩，電極29與ρ型半導體層23接觸，并與該P型半導體層23電連接。該電極29被設置在P型半導體層23的幾乎整體上，兼作使在i型半導體層24產生的太赫茲波反射的反射層。由此，能夠使從ρ型半導體層23的上表面向外部漏出的太赫茲波向i型半導體層24側(層疊體內部側)反射，從而能夠高效地引導太赫茲波。這里，不對i型半導體層24的形狀進行特別限定，但優(yōu)選呈長條形狀。這里，長條形狀指俯視時與一個方向正交的另一個方向的長度比一個方向的長度大的形狀。而且，若滿足該條件，則形狀并不局限于長方形。由此，能夠通過i型半導體層24，沿該i型半導體層24的長邊方向引導太赫茲波，由此，能夠產生具有指向性且高強度的太赫茲波。在圖示的構成中，i型半導體層24呈長條形狀，具體而言，呈在俯視時去除了扇形的中心側的部分(包含構成扇形的外形的2條直線的交點的部分)的形狀。S卩，i型半導體層24的入射面241是平面，射出面242是彎曲的凸面(彎曲面)。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀呈直線狀，射出面242的形狀呈圓弧狀(曲線狀)。另外，俯視時，i型半導體層24的寬度W從入射面241側朝向射出面242側漸增。此外，i型半導體層24的與寬度W正交的長邊方向的長度LI比i型半導體層24的寬度W的最大寬度大。由此，能夠通過i型半導體層24高效地引導太赫茲波。此外，i型半導體層24也可以是只有一部分的寬度W從入射面241側朝向射出面242側漸增。S卩，i型半導體層24具有俯視時寬度W從入射面241側朝向射出面242側漸增的部位即可。另外，不對i型半導體層24的尺寸進行特別限定，可以根據各種條件適當地進行設定，但i型半導體層24的長邊方向的長度LI優(yōu)選為30 μ m以上、3mm以下,更優(yōu)選為30 μ m以上、0.3mm以下。另外，i型半導體層24的圖示的角度(中心角)Θ優(yōu)選為5°以上、170°以下，更優(yōu)選為10°以上、90°以下。另外，不對η型半導體層22以及ρ型半導體層23的形狀分別進行特別限定，但在圖示的構成中，η型半導體層22形成為俯視時包含i型半導體層24以及ρ型半導體層23。另外，俯視時，i型半導體層24和ρ型半導體層23呈相同的形狀。這樣，俯視時，η型半導體層22以及ρ型半導體層23形成為與i型半導體層24相同的形狀或者以包含i型半導體層24的方式形成，由此，俯視時，在i型半導體層24的幾乎整體產生太赫茲波，所以能夠產生高強度的太赫茲波。上述η型半導體層22由包含η型(第一導電型)雜質的半導體材料構成。優(yōu)選η型半導體層22的載流子濃度(雜質濃度)為IXlO17 / cm3以上，更優(yōu)選為1X102° / cm3以上，進一步優(yōu)選1X102° / cm3以上、I X IO25 / cm3以下。此外，作為η型雜質，不進行特別限定，例如能夠列舉S1、Ge、S、Se等。另外，不對η型半導體層22的厚度dl進行特別限定，而是根據各種條件適當地設定，但優(yōu)選為Ium以上、4mm以下,更加優(yōu)選為Ium以上、10 μ m以下。另外，ρ型半導體層23由包含P型(第二導電型)雜質的半導體材料構成。優(yōu)選P型半導體層23的載流子濃度為I X IO17 / cm3以上，更加優(yōu)選為I X102° / cm3以上，進一步優(yōu)選為1X102° / cm3以上、IXlO25 / cm3以下。此外，作為ρ型雜質不進行特別限定，例如可以列舉Zn、Mg、C等。另外，不對ρ型半導體層23的厚度d2進行特別限定，而是根據各種條件適當地設定，但優(yōu)選為Ium以上、2mm以下,更加優(yōu)選為Ium以上、10 μ m以下。另外，i型半導體層24由半導體材料構成。優(yōu)選構成該i型半導體層24的半導體材料為本征半導體，但也可以含有少量P型雜質、η型雜質。換句話說，i型半導體層24在含有η型雜質的情況下，可以說載流子濃度比η型半導體層22的低，另外，i型半導體層24在含有ρ型雜質的情況下，可以說載流子濃度比ρ型半導體層23的低。此外，優(yōu)選i型半導體層24在含有η型雜質、ρ型雜質的任意一種的情況下，載流子濃度都比η型半導體層22以及ρ型半導體層23的低。具體而言，優(yōu)選i型半導體層24的載流子濃度為IXlO18 / cm3以下，更加優(yōu)選為IXlO12 / Cm3 以上、I X IO18 / cm3 以下，進一步優(yōu)選為 I X IO12 / cm3 以上、I X IO16 / cm3 以下。另外，不對i型半導體層24的厚度d3進行特別限定，而是根據各種條件適當地設定，但優(yōu)選為Ium以上、4mm以下,更加優(yōu)選為Ium以上、10 μ m以下。若i型半導體層24的厚度d3未達到上述下限值，則很難通過其他的條件形成i型半導體層24，另外，若超過上述上限值，則通過其他的條件，耐壓變得不充分，不能夠在i型半導體層24內形成大電場強度的電場，由此不能夠產生高強度的太赫茲波。此外，不對ρ型半導體層23、η型半導體層22、i型半導體層24的半導體材料分別進行特別限定，而是能夠使用各種材料，但優(yōu)選III一 V族化合物半導體。另外，不對III一V族化合物半導體進行特別限定,例如可以列舉GaAs、InP、InAs> InSb等。另外，作為絕緣層25的構成材料，只要是具有絕緣性的材料，則不進行特別限定，例如能夠列舉氟類樹脂、聚酰亞胺、環(huán)硼氮烷類化合物、氫化硅氧烷、苯并環(huán)丁烯、SiN, SiO2
坐寸ο此外，電源裝置18分別經由未圖示的焊盤、導線、接頭等與電極28以及29電連接，以電極28側為正的方式在電極28和電極29之間施加直流電壓。接下來，對太赫茲波產生裝置I的作用進行說明。在太赫茲波產生裝置I中，首先，在光源裝置3的光脈沖產生部4產生光脈沖。在光脈沖產生部4中產生的光脈沖的脈沖寬度比目標的脈沖寬度大。在該光脈沖產生部4產生的光脈沖通過波導，按順序依次通過第一脈沖壓縮部5、放大部6、第二脈沖壓縮部7。首先，在第一脈沖壓縮部5，對光脈沖進行基于可飽和吸收的脈沖壓縮，光脈沖的脈沖寬度減小。接下來，在放大部6，將光脈沖放大。最后，在第二脈沖壓縮部7，對光脈沖進行基于群速度色散補償的脈沖壓縮，光脈沖的脈沖寬度進一步減小。這樣一來，產生目標的脈沖寬度的光脈沖，并從第二脈沖壓縮部7射出。從光源裝置3射出的光脈沖從光導天線2的側方朝i型半導體層24的入射面241照射，并從該入射面241入射至i型半導體層24內，在i型半導體層24產生太赫茲波。通過i型半導體層24引導該太赫茲波，使其在該i型半導體層24內朝向射出面242側前進。另外，在i型半導體層24內前進的太赫茲波中的通過了 ρ型半導體層23的太赫茲波被電極29反射，防止從ρ型半導體層23的上表面漏出，由此，能夠高效地引導太赫茲波。而且，從射出面242射出在i型半導體層24的長邊方向上具有指向性的太赫茲波。如以上說明所示，根據該太赫茲波產生裝置1，光脈沖不經由η型半導體層22、p型半導體層23，而直接入射至i型半導體層24，所以能夠防止光脈沖被η型半導體層22、ρ型半導體層23吸收一部分，從而能夠高效地產生太赫茲波。另外，在i型半導體層24產生的太赫茲波被該i型半導體層24引導至規(guī)定方向，由此，能夠產生具有指向性的太赫茲波。另外，光源裝置3具有第一脈沖壓縮部5、放大部6以及第二脈沖壓縮部7，所以能夠實現光源裝置3的小型化、進而實現太赫茲波產生裝置I的小型化，且能夠產生所希望的波高、且所希望的脈沖寬度的光脈沖，由此，能夠可靠地產生所希望的太赫茲波。另外，光導天線2的i型半導體層24的形狀并不局限于上述形狀，此外，例如能夠列舉圖6 (a) 圖6 (e)所示的形狀。在圖6 Ca)所示的i型半導體層24中，i型半導體層24的入射面241是彎曲的凹面(彎曲面)，射出面242是彎曲的凸面(彎曲面)。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀以及射出面242的形狀分別呈圓弧狀(曲線狀)。此外，入射面241的曲率半徑和射出面242的曲率半徑可以相同，另外也可以不同。在圖6 (b)所示的i型半導體層24中，i型半導體層24的入射面241以及射出面242分別是彎曲的凸面(彎曲面)。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀以及射出面242的形狀分別呈圓弧狀(曲線狀)。此外，入射面241的曲率半徑和射出面242的曲率半徑可以相同，另外也可以不同。在圖6 (C)所示的i型半導體層24中，i型半導體層24的入射面241以及射出面242分別是平面。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀以及射出面242的形狀呈直線狀。即，能夠換句話說，i型半導體層24俯視為梯形。在圖6 Cd)所示的i型半導體層24中，i型半導體層24的入射面241是彎曲的凹面(彎曲面)，射出面242是平面。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀呈圓弧狀(曲線狀)，射出面242的形狀呈直線狀。在圖6 Ce)所示的i型半導體層24中，i型半導體層24的入射面241是彎曲的凸面(彎曲面)，射出面242是平面。俯視時，i型半導體層24的入射面241的形狀呈圓弧狀(曲線狀)，射出面242的形狀形呈直線狀。
第二實施方式圖7是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第二實施方式的圖。在該圖7中，示出光導天線的剖視圖、光源裝置的框圖。此外，以下將圖7中的上側作為“上”、將下側作為“下”來進行說明。以下，以與上述的第一實施方式的不同點為中心對第二實施方式進行說明，針對相同的事項可以省略說明。如圖7所示，在第二實施方式的太赫茲波產生裝置I中，光導天線2的P型半導體層23僅被設置在i型半導體層24上的入射面241側的一部分。在圖示的構成中，i型半導體層24的入射面241和ρ型半導體層23的入射面?zhèn)鹊亩嗣?側面，即具有與層疊方向垂直的法線的面)一致(位于同一平面上)，將P型半導體層23的長度(與LI方向相同的長度)L2設定為比i型半導體層24的長邊方向的長度LI短。由此，僅在i型半導體層24的入射面241側的一部分產生太赫茲波，所以能夠抑制在i型半導體層24內的多個區(qū)域中產生的太赫茲波彼此的干涉。另外，只要ρ型半導體層23的尺寸比i型半導體層24小，就不進行特別限定，而是根據各種條件適當地設定，優(yōu)選P型半導體層23的長度L2為I μ m以上、2mm以下，更加優(yōu)選為3μπι以上、30μπι以下。另外，優(yōu)選L2 / LI為0.00033以上、0.667以下，更加優(yōu)選能為0.001以上、0.1以下。另外，在i型半導體層24上的未設置ρ型半導體層23的部位和電極29之間，即i型半導體層24上的比ρ型半導體層23更靠近射出面242側，與ρ型半導體層23連續(xù)地設置有絕緣層26。作為該絕緣層26的構成材料，若是具有絕緣性的材料，則不進行特別限定，例如能夠使用與上述的絕緣層25相同的材料。根據該太赫茲波產生裝置1，也能夠得到與上述的第一實施方式相同的效果。第三實施方式圖8是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第三實施方式的圖。在該圖8中，示出光導天線的剖視圖、光源裝置的框圖。此外，以下，將圖8中的上側作為“上”，將下側作為“下”進行說明。以下，以與上述的第二實施方式的不同點為中心，對第三實施方式進行說明，對相同的事項省略說明。如圖8所示，在第三實施方式的太赫茲波產生裝置I中，光導天線2具有覆蓋層
27。該覆蓋層27覆蓋層疊體的側面中的i型半導體層24的部分，即，覆蓋具有與層疊方向垂直的法線的i型半導體層24的表面。此外，覆蓋層27覆蓋在i型半導體層24的η型半導體層22和ρ型半導體層23之間露出的整個面。由此，i型半導體層24被密封，能夠防止i型半導體層24的腐蝕等。另外，不對覆蓋層27的厚度d4進行特別限定，而是根據各種條件進行適當地設定，但優(yōu)選為IOnm以上、Imm以下，更加優(yōu)選為I μ m以上、100 μ m以下，特別優(yōu)選為設置在i型半導體層24的入射面241上的覆蓋層27的厚度d4為Inm以上、100 μ m以下，更加優(yōu)選為IOnm以上、I μ m以下。由此，能夠抑制向入射面241入射的光脈沖被覆蓋層27的吸收，能夠可靠地密封i型半導體層24。
作為覆蓋層27的構成材料，只要是能夠密封i型半導體層24的材料，則不進行特別限定，但優(yōu)選覆蓋層27的構成材料的相對介電常數(介電常數)比構成i型半導體層24的半導體材料的相對介電常數低。太赫茲波具有會在介電常數更高的物質中前進的性質，所以由此，能夠通過i型半導體層24高效地引導太赫茲波。另外，覆蓋層27的構成材料的相對介電常數優(yōu)選為20以下，更加優(yōu)選為2以上10以下。作為這樣的覆蓋層27的構成材料(低介電常數材料)，例如能夠列舉聚酰亞胺(相對介電常數:3)、環(huán)硼氮烷類化合物(相對介電常數:2.3),SiN (相對介電常數:7)、Si02 (相對介電常數:4)、氫化硅氧烷(相對介電常數:3)、苯并環(huán)丁烯(相對介電常數:2.7)、氟類樹月旨(相對介電常數:2.7)等。根據該太赫茲波產生裝置1，也能夠得到與上述的第二實施方式相同的效果。此外，該第三實施方式也能夠適用于上述第一實施方式。第四實施方式圖9是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第四實施方式的圖。在該圖9中，示出光導天線的剖視圖、光源裝置的框圖。此外，以下將圖9中的上側作為“上”，將下側作為“下”進行說明。以下，以與上述的第三實施方式的不同點為中心對第四實施方式進行說明，對相同的事項省略說明。如圖9所示，在第四實施方式的太赫茲波產生裝置I中，覆蓋層27中的設置在i型半導體層24的射出面242的覆蓋層27a的構成材料的相對介電常數(介電常數)比構成i型半導體層24的半導體材料的相對介電常數高。由此，由于太赫茲波具有會在介電常數更高的物質中前進的性質，所以能夠從i型半導體層24的射出面242可靠地射出在該i型半導體層24產生的太赫茲波，從而能夠產生高強度的太赫茲波。另外，不對覆蓋層27a的厚度d5進行特別限定，而是根據各種條件進行適當地設定，優(yōu)選為IOnm以上、Imm以下,更加優(yōu)選為Ium以上、100 μ m以下。由此，能夠從射出面242更加可靠地射出在i型半導體層24產生的太赫茲波。另外，作為覆蓋層27a的構成材料，只要是其相對介電常數比構成i型半導體層24的半導體材料的相對介電常數高的材料，即只要是電介質材料，則不進行特別限定，但優(yōu)選構成覆蓋層27a的電介質材料的相對介電常數為20以上，更加優(yōu)選為30以上、200以下。作為這樣的電介質材料(高介電常數材料)，例如能夠列舉氮氧化鋁鉿(相對介電常數:20)、二氧化鉿(相對介電常數:23)、三氧化二釔(相對介電常數:25)、氧化鑭(相對介電常數:27)、五氧化二鈮(相對介電常數:41)、二氧化鈦(金紅石)(相對介電常數:80)、氧化鈦(相對介電常數:160)等。此外，覆蓋層27a以外的覆蓋層27與上述的第三實施方式相同，所以省略說明。根據該太赫茲波產生裝置1，也能夠得到與上述的第三實施方式相同的效果。此外，該第四實施方式也能夠適用于上述第一實施方式。第五實施方式圖10是表示本發(fā)明的太赫茲波產生裝置的第五實施方式的剖視圖。此外，以下將圖10中的上側作為“上”，將下側作為“下”進行說明。以下，以與上述的第四實施方式的不同點為中心對第五實施方式進行說明，對相同的事項省略說明。如圖10所示，在第五實施方式的太赫茲波產生裝置I中，在基板21上分別設置有光源裝置3以及光導天線2。該光源裝置3以及光導天線2分別在基板21上與該基板21一體形成。即，光源裝置3和光導天線2整體化。另外，在該太赫茲波產生裝置I中，在基板21上形成光源裝置3和光導天線2時同時進行光源裝置3和光導天線2的對位，所以能夠進行在工序誤差范圍內的高精度的對位。因此，與分別制造光源裝置3和光導天線2，將它們進行對位且設置在基臺上的情況相t匕，能夠容易制造太赫茲波產生裝置I。另外，由于光源裝置3和光導天線2被整體化，所以能夠實現太赫茲波產生裝置I的小型化。另外，根據該太赫茲波產生裝置1，也能夠得到與上述的第四實施方式相同的效
果O此外,該第五實施方式也能夠應用于上述第一 第三實施方式。成像裝置的實施方式圖11是表示本發(fā)明的成像裝置的實施方式的框圖，圖12是表示圖11所示的成像裝置的太赫茲波檢測部的俯視圖，圖13是表示對象物在太赫茲波段的頻譜的曲線圖，圖14是表示對象物的物質A、B以及C的分布的圖像的圖。如圖11所示，成像裝置100具備:產生太赫茲波的太赫茲波產生部9、對從太赫茲波產生部9射出并透過對象物150或者被對象物150反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部11以及根據太赫茲波檢測部11的檢測結果來生成對象物150的圖像即生成圖像數據的圖像形成部12。此外，太赫茲波產生部9與上述的太赫茲波產生裝置I相同，從而省略說明。另外，使用具備使目的波長的太赫茲波通過的濾波器15和對通過了濾波器15的上述目的波長的太赫茲波進行檢測的檢測部17的結構作為太赫茲波檢測部11。另外，例如使用將太赫茲波轉換為熱來進行檢測的結構，即、使用將太赫茲波轉換為熱以能夠檢測該太赫茲波的能量(強度)的結構作為檢測部17。作為這樣的檢測部，例如能夠列舉焦電傳感器、測輻射熱計等。此外，太赫茲波檢測部11當然不限于上述的構成。另外，濾波器15具有二維配置的多個像素(單位濾波器部)16。即，各像素16被配置成行列狀。另外，各像素16具有供相互不同的波長的太赫茲波通過的多個區(qū)域，S卩，具有所通過的太赫茲波的波長(以下也稱“通過波長”)相互不同的多個區(qū)域。此外，在圖示的構成中，各像素16具有第一區(qū)域161、第二區(qū)域162、第三區(qū)域163以及第四區(qū)域164。另外，檢測部17具有分別與濾波器15的各像素16的第一區(qū)域161、第二區(qū)域162、第三區(qū)域163以及第四區(qū)域164對應地設置的第一單位檢測部171、第二單位檢測部172、第三單位檢測部173以及第四單位檢測部174。各第一單位檢測部171、各第二單位檢測部172、各第三單位檢測部173以及各第四單位檢測部174分別將通過了各像素16的第一區(qū)域161、第二區(qū)域162、第三區(qū)域163以及第四區(qū)域164的太赫茲波轉換為熱來進行檢測。由此，在各像素16的每一個區(qū)域中，能夠分別可靠地檢測4個目的波長的太赫茲波。接下來，對成像裝置100的使用例進行說明。首先，成為分光成像的對象的對象物150由3種物質A、B以及C構成。成像裝置100進行該對象物150的分光成像。另外，這里作為一個例子，太赫茲波檢測部11檢測被對象物150反射的太赫茲波。在太赫茲波檢測部11的濾波器15的各像素16中，使用第一區(qū)域161以及第二區(qū)域 162。另外，在將第一區(qū)域161的通過波長設為λ 1，將第二區(qū)域162的通過波長設為λ 2,將被對象物150反射的太赫茲波的波長λ I的成分的強度設為α I,波長λ 2的成分的強度設為α 2時，以該強度α 2和強度α I的差值(α 2 — α I)能夠在物質Α、物質B和物質C中相互顯著區(qū)別的方式，設定上述第一區(qū)域161的通過波長λ I以及第二區(qū)域162的通過波長入2。如圖13所示，在物質A中，被對象物150反射的太赫茲波的波長λ 2的成分的強度α 2和波長λ I的成分的強度α I的差值(α 2 — α I)為正值。另外,在物質B中，強度α 2和強度α I的差值(α 2 — α I)為零。另外,在物質C中，強度α 2和強度α I的差值(α 2 — α I)為負值。在利用成像裝置100進行對象物150的分光成像時，首先，利用太赫茲波產生部9產生太赫茲波，并朝對象物150照射該太赫茲波。然后,利用太赫茲波檢測部11檢測被對象物150反射的太赫茲波作為α I以及α 2。向圖像形成部12發(fā)送該檢測結果。此外，針對對象物150的整體進行向該對象物150的太赫茲波的照射以及被對象物150反射的太赫茲波的檢測。在圖像形成部12中，根據上述檢測結果，求出通過了濾波器15的第二區(qū)域162的太赫茲波的波長λ 2的成分的強度α 2，和通過了第一區(qū)域161的太赫茲波的波長λ I的成分的強度α I的差值(α 2 — α I)。而且，將對象物150中的上述差值為正值的部位判斷為物質Α，將對象物150中的上述差值為零的部位判斷為物質B，將對象物150中的上述差值為負值的部位判斷為物質C,進行確定。另外，在圖像形成部12中，如圖14所示，作成表示對象物150的物質Α、Β以及C的分布的圖像的圖像數據。將該圖像數據從圖像形成部12發(fā)送至未圖示的監(jiān)視器，在該監(jiān)視器中，顯示表示對象物150的物質Α、B以及C的分布的圖像。該情況下，進行顏色區(qū)分，例如將對象物150的物質A分布的區(qū)域顯示成黑色，將物質B分布的區(qū)域顯示成灰色，將物質C分布的區(qū)域顯示成白色。在該成像裝置100中，如上所述，能夠同時進行構成對象物150的各物質的鑒定，和該各物質的分布測定。此外，成像裝置100的用途并不局限于上述，例如能夠對人照射太赫茲波，對透過此人或者被此人反射的太赫茲波進行檢測，在圖像形成部12中進行處理，從而能夠判別該人是否持有槍支、刀具、違法藥物等。計測裝置的實施方式圖15是表示本發(fā)明的計測裝置的實施方式的框圖。以下，以與上述的成像裝置的實施方式的不同點為中心對計測裝置的實施方式進行說明，對相同的事項標注與上述的實施方式相同的附圖標記，省略詳細的說明。
如圖15所示，計測裝置200具備:產生太赫茲波的太赫茲波產生部9、對從太赫茲波產生部9射出并透過對象物160或者被對象物160反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部11以及根據太赫茲波檢測部11的檢測結果來計測對象物160的計測部13。接下來，對計測裝置200的使用例進行說明。在利用計測裝置200進行對象物160的分光計測時，首先利用太赫茲波產生部9產生太赫茲波，并朝對象物160照射該太赫茲波。然后，利用太赫茲波檢測部11對透過對象物160或者被對象物160反射的太赫茲波進行檢測。向計測部13發(fā)送該檢測結果。此夕卜，對對象物160的整體進行向該對象物160的太赫茲波的照射以及透過對象物160或者被對象物160反射的太赫茲波的檢測。在計測部13中，根據上述檢測結果，對通過濾波器15的第一區(qū)域161、第二區(qū)域162、第三區(qū)域163以及第四區(qū)域164的太赫茲波各自的強度進行把握，進行對象物160的成分以及其分布的分析等。拍攝裝置的實施方式圖16是表示本發(fā)明的拍攝裝置的實施方式的框圖。另外，圖17示出表示本發(fā)明的拍攝裝置的實施方式的簡要立體圖。以下，以與上述的成像裝置的實施方式的不同點為中心對拍攝裝置的實施方式進行說明，對相同的事項標注與上述的實施方式相同的附圖標記，省略詳細的說明。如圖16以及圖17所示，拍攝裝置300具備:產生太赫茲波的太赫茲波產生部9、對從太赫茲波產生部9射出且被對象物170反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部11以及存儲部14。而且，這些各部被收納在拍攝裝置300的框體310。另外，拍攝裝置300具備:使被對象物170反射的太赫茲波收斂(成像)于太赫茲波檢測部11的透鏡(光學系統(tǒng))320和用于使在太赫茲波產生部9中產生的太赫茲波射出至框體310的外部的窗部330。透鏡320、窗部330由使太赫茲波透過、折射的硅、石英、聚乙烯等部件構成。此外，窗部330也可以是像狹縫那樣僅設置有開口的構成。接下來，對拍攝裝置300的使用例進行說明。在利用拍攝裝置300拍攝對象物170時，首先，利用太赫茲波產生部9產生太赫茲波，朝對象物170照射該太赫茲波。然后,利用透鏡320將被對象物170反射的太赫茲波收斂(成像)于太赫茲波檢測部11并進行檢測。將該檢測結果發(fā)送至存儲部14，并進行存儲。此外，對對象物170的整體進行向該對象物170的太赫茲波的照射以及被對象物170反射的太赫茲波的檢測。另外，也能夠將上述檢測結果例如發(fā)送至個人計算機等外部裝置。在個人計算機中，能夠根據上述檢測結果進行各處理。以上，根據圖示的實施方式對本發(fā)明的光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置以及計測裝置進行了說明，但本發(fā)明并不局限于此，能夠將各部的構成置換為具有相同功能的任意的構成。另外，也可以將其他的任意的構成物附加于本發(fā)明。另外，本發(fā)明可以為組合上述各實施方式中的任意的2個以上的構成(特征)而成的結構。另外，在上述實施方式中，將第一導電層設為η型半導體層，將第二導電層設為P型半導體層，但本發(fā)明并不局限于此，也可以將第一導電層設為P型半導體層，將第二導電層設為η型半導體層。
另外，在本發(fā)明中，也可以在光源裝置中獨立設置光脈沖產生部。符號說明I…太赫茲波產生裝置；2…光導天線；20…光導天線主體；21…基板；22…η型半導體層;23…P型半導體層;24...1型半導體層；241…入射面；242…射出面；25、26…絕緣層；251…開口 ；27、27a…覆蓋層；28、29…電極；3…光源裝置；30…衍射光柵；31…基板；32、35…包層；33…有源層；34…波導構成工序用蝕刻停止層；36…接觸層；37…絕緣層；38,391 395...電極；4…光脈沖產生部；5…第一脈沖壓縮部；6…放大部；7…第二脈沖壓縮部；9…太赫茲波產生部；11…太赫茲波檢測部；12...圖像形成部；13…計測部；14…存儲部；15…濾波器；16…像素；161…第一區(qū)域；162…第二區(qū)域；163…第三區(qū)域；164…第四區(qū)域；17…檢測部；171…第一單位檢測部；172…第二單位檢測部；173…第三單位檢測部；174…第四單位檢測部； 18...電源裝置；100…成像裝置；150、160、170…對象物；200…計測裝置；300…拍攝裝置;310…框體;320…透鏡;330…窗部。
權利要求
1.一種光導天線，其特征在于， 是被脈沖光照射從而產生太赫茲波的光導天線，具備: 第一導電層，其由包含第一導電型的雜質的半導體材料構成； 第二導電層，其由包含與所述第一導電型不同的第二導電型的雜質的半導體材料構成； 半導體層，其位于所述第一導電層和所述第二導電層之間，且由與所述第一導電層的半導體材料相比載流子濃度低的半導體材料或與所述第二導電層的半導體材料相比載流子濃度低的半導體材料構成； 第一電極，其與所述第一導電層電連接；以及 第二電極，其與所述第二導電層電連接， 所述半導體層包括:入射面，其位于成為法線方向與所述第一導電層、所述半導體層以及所述第二導電層的層疊方向正交的狀態(tài)的側面并供所述脈沖光入射；和射出面，其位于所述半導體層的側面的與所述入射面不同的位置并供所述太赫茲波射出。
2.根據權利要求1所述的光導天線，其特征在于， 所述半導體層在從所述層疊方向觀察時，呈從所述入射面朝向所述射出面的方向成為長邊方向的縱長形狀。
3.根據權利要求1所述的光導天線，其特征在于， 所述半導體層具有如下部位，即在從所述層疊方向觀察時，隨著從所述入射面朝向所述射出面，與從所述入射面朝向所述射出面的方向正交的方向的所述半導體層的寬度逐漸增大的部位。
4.根據權利要求1所述的光導天線，其特征在于， 所述第二導電層以所述第二導電層的側面與所述半導體層的所述入射面位于同一平面上的方式設置，且僅設置在所述半導體層上的一部分上，所述第二導電層的側面具有與所述層疊方向垂直的法線。
5.根據權利要求1所述的光導天線，其特征在于， 具有覆蓋層，該覆蓋層覆蓋所述半導體層的側面，所述半導體層的側面具有與所述層疊方向垂直的法線。
6.根據權利要求5所述的光導天線，其特征在于， 對所述覆蓋層來說，設置于所述射出面的所述覆蓋層的構成材料的相對介電常數比所述半導體層的所述半導體材料的相對介電常數高。
7.根據權利要求1所述的光導天線，其特征在于， 所述半導體層的半導體材料是III一 V族化合物半導體。
8.一種太赫茲波產生裝置，其特征在于， 具備權利要求1所記載的光導天線和產生所述脈沖光的光源。
9.根據權利要求8所述的太赫茲波產生裝置，其特征在于， 具有基板， 所述光源以及所述光導天線分別在所述基板上與該基板一體形成。
10.一種太赫茲波產生裝置，其特征在于，具備: 權利要求3所記載的光導天線和產生所述脈沖光的光源。
11.一種太赫茲波產生裝置，其特征在于，具備: 權利要求4所記載的光導天線和產生所述脈沖光的光源。
12.—種太赫茲波產生裝置，其特征在于，具備: 權利要求6所記載的光導天線和產生所述脈沖光的光源。
13.一種拍攝裝置，其特征在于，具備: 權利要求1所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源以及對從所述光導天線射出且被對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部。
14.一種拍攝裝置，其特征在于，具備: 權利要求3所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源以及對從所述光導天線射出且被對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部。
15.一種拍攝裝置，其特征在于，具備: 權利要求4所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源以及對從所述光導天線射出且被對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部。
16.一種拍攝裝置，其特征在于，具備: 權利要求6所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源以及對從所述光導天線射出且被對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部。
17.一種成像裝置，其特征在于，具備: 權利要求1所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成所述對象物的圖像的圖像形成部。
18.根據權利要求17所述的成像裝置，其特征在于， 所述圖像形成部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來形成所述對象物的圖像。
19.一種成像裝置，其特征在于，具備: 權利要求3所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成所述對象物的圖像的圖像形成部。
20.根據權利要求19所述的成像裝置，其特征在于， 所述圖像形成部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來形成所述對象物的圖像。
21.—種成像裝置，其特征在于，具備: 權利要求4所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成所述對象物的圖像的圖像形成部。
22.根據權利要求21所述的成像裝置，其特征在于， 所述圖像形成部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來形成所述對象物的圖像。
23.一種成像裝置，其特征在于，具備: 權利要求6所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成所述對象物的圖像的圖像形成部。
24.根據權利要求23所述的成像裝置，其特征在于， 所述圖像形成部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來形成所述對象物的圖像。
25.一種計測裝置，其特征在于，具備: 權利要求1所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來計測所述對象物的計測部。
26.根據權利要求25所述的計測裝置，其特征在于， 所述計測部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來計測所述對象物。
27.一種計測裝置，其特征在于，具備: 權利要求3所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來計測所述對象物的計測部。
28.根據權利要求27所述的計測裝置，其特征在于， 所述計測部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來計測所述對象物。
29.一種計測裝置，其特征在于，具備: 權利要求4所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來計測所述對象物的計測部。
30.根據權利要求29所述的計測裝置，其特征在于， 所述計測部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來計測所述對象物。
31.一種計測裝置，其特征在于，具備: 權利要求6所記載的光導天線、產生所述脈沖光的光源、對從所述光導天線射出并透過對象物或者被所述對象物反射的太赫茲波進行檢測的太赫茲波檢測部以及根據所述太赫茲波檢測部的檢測結果來計測所述對象物的計測部。
32.根據權利要求31所述的計測裝置，其特征在于， 所述計測部使用由所述太赫茲波檢測部檢測出的所述太赫茲波的強度來計測所述對象物。
全文摘要
本發(fā)明涉及光導天線、太赫茲波產生裝置、拍攝裝置、成像裝置以及計測裝置，其中，光導天線是被脈沖光照射從而產生太赫茲波的光導天線，具備由第一導電型的半導體材料構成的第一導電層、由第二導電型的半導體材料構成的第二導電層、位于上述第一導電層和上述第二導電層之間的半導體層、與上述第一導電層連接的第一電極以及與上述第二導電層連接的第二電極，上述半導體層包含入射面，其位于成為法線方向與上述第一導電層、上述半導體層以及上述第二導電層的層疊方向正交的狀態(tài)的側面并供上述脈沖光入射；和射出面，其位于上述半導體層的側面的與上述入射面不同的位置并供上述太赫茲波射出。
文檔編號H01S1/02GK103187679SQ20121057533
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權日2011年12月28日
發(fā)明者富岡纮斗 申請人:精工愛普生株式會社