在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法
【專利摘要】一種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，首先在浮柵上沉積偏移側(cè)墻，其次對(duì)偏移側(cè)墻102進(jìn)行干法刻蝕，再對(duì)殘余氧化物進(jìn)行動(dòng)態(tài)濕法刻蝕，使殘余氧化物達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)厚度，最后對(duì)浮柵101進(jìn)行多晶硅二次刻蝕。本發(fā)明能夠控制殘余氧化物的厚度，從而獲得穩(wěn)定的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)，進(jìn)而得到穩(wěn)定的浮柵擦除性能。
【專利說明】在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技木，尤其涉及ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，是半導(dǎo)體浮柵存儲(chǔ)単元的結(jié)構(gòu)示意圖，襯底上設(shè)置源極和位線，襯底上設(shè)置有源線，源線兩側(cè)為氧化物層，浮柵101設(shè)置在襯底上，位于源線的兩側(cè)，浮柵101和控制柵之間設(shè)置有氧化物隔離層，氧化物層和字線(選擇柵)之間設(shè)置有偏移側(cè)墻102，氧化物層充滿浮柵101、氧化物隔離層、控制柵、偏移側(cè)墻102、字線和襯底之間的空隙。在該浮柵存儲(chǔ)単元的制備過程中，我們截取一部分步驟進(jìn)行說明，首先從對(duì)控制柵進(jìn)行刻蝕開始，刻蝕后的結(jié)構(gòu)如圖2所示，然后在浮柵101上沉積偏移側(cè)墻102，沉積后的結(jié)構(gòu)如圖3所示，接著對(duì)偏移側(cè)墻102進(jìn)行干法刻蝕，再對(duì)浮柵101進(jìn)行多晶硅二次刻蝕。但是，如圖4所示，采用干法刻蝕對(duì)偏移側(cè)墻102進(jìn)行刻蝕，刻蝕后，浮柵101上存在殘余氧化物，該殘余氧化物的厚度大約為IOA左右，由于干法刻蝕受到刻蝕速率和前層薄膜厚度的影響，刻蝕后殘余氧化物的剰余量不能得到很好的控制。由于偏移側(cè)墻102刻蝕后的殘余氧化層不穩(wěn)定，在浮柵多晶硅二次刻蝕時(shí)就需要刻蝕不同量的氧化物，但在干法刻蝕程式中氧化物的刻蝕時(shí)間是恒定的，不能隨前層膜厚而改變，因此如圖5所示，浮柵側(cè)壁就會(huì)形成不同形狀，由于在該半導(dǎo)體浮柵存儲(chǔ)単元中，是利用浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)來進(jìn)行擦除操作，這樣就導(dǎo)致了存儲(chǔ)単元擦除性能的不穩(wěn)定性，從而降低器件的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供的ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，能夠控制殘余氧化物的厚度，從而獲得穩(wěn)定的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)，進(jìn)而獲得穩(wěn)定的浮柵擦除性能。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，該方法包含以下步驟:
步驟1、在浮柵上沉積偏移側(cè)墻；
步驟2、對(duì)偏移側(cè)墻進(jìn)行干法刻蝕；
步驟3、再對(duì)浮柵進(jìn)行多晶硅二次刻蝕。
[0005]在步驟2和步驟3之間，增加如下步驟A:
對(duì)殘余氧化物進(jìn)行動(dòng)態(tài)濕法刻蝕，使殘余氧化物達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)厚度。
[0006]偏移柵干法刻蝕后測(cè)量剰余的氧化物量，根據(jù)所需最終氧化物的目標(biāo)值，計(jì)算出需要刻蝕的氧化物量，然后濕法蝕刻相應(yīng)的氧化物，從而在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物，以便在后續(xù)浮柵多晶硅二次刻蝕中形成穩(wěn)定的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
[0007]所述的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕采用的溶劑為DHF溶液，或者HF溶液，或者HF與去離子水混合溶剤。
[0008]優(yōu)選的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕溶劑采用HF與去離子水混合溶剤。[0009]所述的DHF溶液為200:1 DHF溶液。
[0010]所述的HF溶液為200:1HF溶液。
[0011]本發(fā)明能夠控制殘余氧化物的厚度，從而獲得穩(wěn)定統(tǒng)一的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)，從而得到穩(wěn)定的浮柵擦除性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是【背景技術(shù)】中半導(dǎo)體浮柵存儲(chǔ)単元的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是【背景技術(shù)】中控制柵刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是【背景技術(shù)】中偏移側(cè)墻沉積后的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是【背景技術(shù)】中采用干法刻蝕對(duì)偏移側(cè)墻進(jìn)行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是【背景技術(shù)】中浮柵多晶硅二次刻蝕后浮柵側(cè)壁的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖6是本發(fā)明提供的ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法中對(duì)偏移側(cè)墻進(jìn)行動(dòng)態(tài)濕法刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下根據(jù)圖6，具體說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
[0015]ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，該方法包含以下步驟:
步驟1、在浮柵101上沉積偏移側(cè)墻102 ；
步驟2、對(duì)偏移側(cè)墻102進(jìn)行干法刻蝕；
步驟3、再對(duì)浮柵101進(jìn)行多晶硅二次刻蝕。
[0016]在步驟2和步驟3之間，增加如下步驟A:
對(duì)殘余氧化物進(jìn)行動(dòng)態(tài)濕法刻蝕，使殘余氧化物達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)厚度；
偏移柵干法刻蝕后測(cè)量剰余的氧化物量，根據(jù)所需最終氧化物的目標(biāo)值，計(jì)算出需要刻蝕的氧化物量，然后濕法蝕刻相應(yīng)的氧化物，從而在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物，以便在后續(xù)浮柵多晶硅二次刻蝕中形成穩(wěn)定的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)。
[0017]所述的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕采用的溶劑為DHF溶液，或者HF溶液，或者HF與去離子水混合溶劑；
所述的DHF溶液為200:1 DHF溶液，所述的HF溶液為200:1HF溶液；
優(yōu)選的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕溶劑采用HF與去離子水混合溶剤，該溶劑的刻蝕速率穩(wěn)定，刻蝕量與時(shí)間成正比，刻蝕30S后，殘余氧化物的厚度減少5A，刻蝕60S后，殘余氧化物的厚度減少 10A。
[0018]如圖6所示，采用本發(fā)明的方法之后，能夠形成穩(wěn)定的殘余氧化物在浮柵101上，從而獲得穩(wěn)定的浮柵側(cè)壁結(jié)構(gòu)，進(jìn)而得到穩(wěn)定的浮柵擦除性能。
[0019]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.ー種在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，該方法包含以下步驟: 步驟1、在浮柵(101)上沉積偏移側(cè)墻(102)； 步驟2、對(duì)偏移側(cè)墻(102)進(jìn)行干法刻蝕； 步驟3、再對(duì)浮柵(101)進(jìn)行多晶硅二次刻蝕。
2.其特征在于，在步驟2和步驟3之間，增加如下步驟A: 對(duì)殘余氧化物進(jìn)行動(dòng)態(tài)濕法刻蝕，使殘余氧化物達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕采用的溶劑為DHF溶液，或者HF溶液，或者HF與去離子水混合溶剤。
4.如權(quán)利要求2所述的在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，其特征在于，優(yōu)選的動(dòng)態(tài)濕法刻蝕溶劑采用HF與去離子水混合溶剤。
5.如權(quán)利要求2所述的在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的DHF溶液為200:1 DHF溶液。
6.如權(quán)利要求2所述的在浮柵上形成穩(wěn)定的殘余氧化物的方法，其特征在于，所述的HF溶液為200:1HF溶液。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK103531456SQ201210231297
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月5日
【發(fā)明者】曹子貴, 寧丹 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司