專利名稱：切割采用陶瓷襯底的發(fā)光元件封裝件以及多層物體的方法
切割采用陶瓷襯底的發(fā)光元件封裝件以及多層物體的方法技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及切割采用陶瓷襯底的發(fā)光元件封裝件的方法和切割多層物體的方法。
技術(shù)背景
諸如發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光元件芯片是通過使用化合物半導(dǎo)體的PN結(jié)形成發(fā)光源來發(fā)射各種顏色的光的半導(dǎo)體元件。LED壽命長、尺寸小、重量輕和光的方向性強，并且可以在低電壓下工作。此外，LED對于沖擊和振動可以是魯棒的，不需要預(yù)熱時間或復(fù)雜的操作，可以以各種形式封裝，因此可以具有各種用途。
諸如LED的發(fā)光元件芯片被封裝在金屬引線框架和模塑框架(mold frame)上，因此制造為發(fā)光元件封裝件。
由于已經(jīng)開發(fā)了大功率LED產(chǎn)品，因此需要能夠有效地輻射在操作期間產(chǎn)生的熱的封裝件。與使用引線框架和模塑框架的封裝件相比，使用在其上形成有金屬圖案的陶瓷襯底的封裝件具有極佳的熱輻射性能，因此被用來封裝大功率LED。在封裝工藝之后，需要將多個LED封裝件分成單個的切割工藝。使用刀片鋸切方法(S卩，使用旋轉(zhuǎn)刀輪的切割方法) 來執(zhí)行所述切割工藝。然而，由于陶瓷襯底不容易切割，因此該切割工藝的生產(chǎn)能力降低， 所以必須使用大量刀片鋸切裝置來增加生產(chǎn)率。發(fā)明內(nèi)容
提供了對采用陶瓷襯底的發(fā)光元件封裝件進(jìn)行切割的方法以增加切割工藝的生產(chǎn)能力，以及切割多層物體的方法。
另外的方面將在隨后的描述中在某種程度上進(jìn)行闡述，并且通過該描述在某種程度上將變得顯而易見，或者可以通過所呈現(xiàn)的實施例的實踐而獲知。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種切割發(fā)光元件封裝件的方法，該方法包括步驟制備陶瓷襯底，該陶瓷襯底的一個表面上裝配了多個發(fā)光元件芯片并且形成有覆蓋所述多個發(fā)光元件芯片的透光材料層；通過使用機械切割方法，沿著切割線部分地除去所述多個發(fā)光元件芯片之間的所述透光材料層；以及通過使用激光切割方法沿著所述切割線對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割，來將各個發(fā)光元件封裝件分開。
所述機械切割方法可以包括刀片鋸切方法、噴水方法和噴霧方法中的一種。
所述激光切割方法可以是通過將大功率激光束照射到所述陶瓷襯底上來對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割的完全切割方法。所述大功率激光束可以穿過通過部分除去所述透光材料層所形成的凹槽照射到所述陶瓷襯底上。所述大功率激光束可以照射到與所述陶瓷襯底的所述表面相反的所述陶瓷襯底的相反表面上。
將各個發(fā)光元件封裝件分開的步驟可以包括通過沿著所述切割線將激光束照射到所述陶瓷襯底上，在所述陶瓷襯底上形成劃線；以及通過向所述陶瓷襯底施加機械沖擊沿著所述劃線對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割，來將各個發(fā)光元件封裝件分開。
所述劃線可以形成在所述陶瓷襯底的所述表面上，或者形成在與所述陶瓷襯底的所述表面相反的所述陶瓷襯底的相反表面上。
所述透光材料層可以包括透光硅層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種切割多層物體的方法，該方法包括步驟制備包括第一材料層和疊置在所述第一材料層上的第二材料層的物體，由與用于形成所述第一材料層的材料不同的材料形成所述第二材料層；通過使用機械切割方法，沿著切割線部分地除去所述第二材料層；以及通過使用激光切割方法，沿著所述切割線對所述第一材料層進(jìn)行切割。
所述激光切割方法可以是通過將大功率激光束照射到所述第一材料層上來對所述第一材料層進(jìn)行切割的完全切割方法。
對所述第一材料層進(jìn)行切割的步驟可以包括通過沿著所述切割線將激光束照射到所述第一材料層上，在所述第一材料層上形成劃線；以及通過向所述第一材料層施加機械沖擊，沿著所述劃線對所述第一材料層進(jìn)行切割。
所述第一材料層可以是在其上形成有電路圖案的陶瓷襯底，并且所述第一材料層的一個表面上裝配有發(fā)光元件芯片，并且所述第二材料層是形成為覆蓋所述發(fā)光元件芯片的透光材料層。


通過以下結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其他方面將變得顯而易見并且更名1易理解，在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例通過使用切割方法制造的發(fā)光元件封裝件的截面圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例通過使用切割方法制造的發(fā)光元件封裝件的截面圖3是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例通過使用切割方法制造的發(fā)光元件封裝件的截面圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例通過使用切割方法制造的發(fā)光元件封裝件的截面圖5是示出了在陶瓷襯底上裝配多個發(fā)光元件芯片然后形成透光保護(hù)層的截面圖6是示出了通過使用刀片鋸切方法部分除去透光保護(hù)層的截面圖7是示出了通過使用激光完全切割方法穿過凹槽將激光束照射到陶瓷襯底上對陶瓷襯底進(jìn)行切割的截面圖8是示出了通過使用激光完全切割方法將激光束從與所述凹槽相反的一側(cè)照射到陶瓷襯底上對陶瓷襯底進(jìn)行切割的截面圖9是示出了通過使用激光劃線方法在陶瓷襯底上形成劃線的透視圖；以及
圖10是示出了通過使用斷裂刀片沿著劃線對陶瓷襯底進(jìn)行切割的透視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考各 實施例，在附圖中示出了各實施例的示例，其中相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。就這點而言，當(dāng)前的實施例可以具有不同的形式，并且不應(yīng)當(dāng)解釋為限于在此的描述。因此，下面通過參考附圖描述實施例僅為了解釋本說明書的各個方面。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例通過使用切割方法制造的發(fā)光元件封裝件I的截面圖。參考圖1，發(fā)光元件封裝件I可以包括陶瓷襯底10、裝配在陶瓷襯底10上的發(fā)光元件芯片20以及覆蓋發(fā)光元件芯片20的透光材料層30。
發(fā)光元件芯片20例如可以是發(fā)光二極管(LED)芯片。根據(jù)用于形成LED芯片的化合物半導(dǎo)體材料，該LED芯片可以發(fā)射藍(lán)色光、綠色光或紅色光。例如，藍(lán)色LED芯片可以包括有源層，該有源層具有通過交替GaN和I nGaN而形成的多個量子阱層的結(jié)構(gòu)，并且可以在有源層上方和下方形成由化合物半導(dǎo)體AlxGaYNz形成的P型和N型蓋層。而且，LED 芯片也可以發(fā)射沒有顏色的紫外(UV)光。盡管在上面的描述中發(fā)光元件芯片20是LED芯片，但是當(dāng)前的實施例不限于此。例如，發(fā)光元件芯片20也可以是UV光電二極管芯片、激光二極管芯片或者有機LED (OLED)芯片。
陶瓷襯底10例如由具有極佳散熱和電絕緣性能的氧化鋁(Al2O3)或AIN形成，電路圖案40形成在陶瓷襯底10上。電路圖案40例如可以包括分別形成在陶瓷襯底10的表面13和相反表面12上的第一電路圖案41和第二電路圖案42。第一電路圖案41和第二電路圖案42可以通過穿透陶瓷襯底10的通孔43彼此連接。例如，由于通孔43中填充了導(dǎo)電材料44，所以第一電路圖案41和第二電路圖案42可以彼此連接?？梢酝ㄟ^使用印刷方法、電鍍方法等在陶瓷襯底10的表面13和相反表面12上形成導(dǎo)電材料層,來形成第一電路圖案41和第二電路圖案42。第一電路圖案41可以包括分別與發(fā)光元件芯片20的陽極 (未示出)和陰極(未示出)相對應(yīng)的兩個圖案。透光材料層30覆蓋并保護(hù)發(fā)光元件芯片20。 另外，透光材料層30可以對從發(fā)光元件芯片20發(fā)射的光的方向性或顏色進(jìn)行調(diào)整?？梢杂赏干鋸陌l(fā)光兀件芯片20發(fā)射的光的透光材料(例如,透光娃)來形成透光材料層30。盡管在圖1中透光材料層30是平坦的，但是本發(fā)明不限于此。透光材料層30也可以具有各種形狀。
為了調(diào)整光的方向性，如圖2中所示，透光材料層30a可以具有透鏡的形狀。根據(jù)發(fā)光元件封裝件I的應(yīng)用領(lǐng)域，透光材料層30a可以具有各種形狀，例如，凹透鏡和凸透鏡。
為了調(diào)整光的顏色，透光材料層30或30a可以包括熒光粉?？梢愿鶕?jù)所需的顏色適當(dāng)?shù)剡x擇熒光粉。熒光粉可以分散在用于形成透光材料層30或30a的透光材料中。
盡管在上述描述中透光材料層是單層，但是本發(fā)明不限于此。例如，透光材料層可以是包括熒光粉層和保護(hù)層的雙層，所述熒光粉層包括用于對從發(fā)光元件芯片20發(fā)射的光的顏色進(jìn)行調(diào)整的熒光粉，所述保護(hù)層覆蓋該熒光粉層和發(fā)光元件芯片20。保護(hù)層也可以具有透鏡的形狀?？商鎿Q地，根據(jù)發(fā)光元件封裝件I的應(yīng) 用領(lǐng)域，透光材料層可以具有包括三層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。
盡管在圖1中發(fā)光元件芯片20的陽極和陰極直接電連接到在陶瓷襯底10的表面 13上形成的第一電路圖案41，但是本發(fā)明不限于此。如圖3所示，發(fā)光元件芯片20可以直接裝配在陶瓷襯底10的表面13上，陽極和陰極可以經(jīng)由導(dǎo)線51和52連接到第一電路圖案41。同樣，盡管未在任何圖中示出，陽極和陰極中的一個可以直接電連接到第一電路圖案 41，而陽極和陰極中的另一個可以經(jīng)由導(dǎo)線連接到第一電路圖案41。
此外，如圖4所示，也可以采用包括凹腔11的陶瓷襯底10。發(fā)光元件芯片20裝配在腔11的底部上。腔11的側(cè)面可以向上傾斜使得從發(fā)光元件芯片20發(fā)射的光可以向外傳播，從而可以增大光效率。腔11的側(cè)面可以是反射表面。
根據(jù)上述發(fā)光元件封裝件1，具有良好散熱性能的陶瓷襯底10可以增加散熱面積，從而可以有效地散發(fā)大功率發(fā)光元件封裝件I工作期間產(chǎn)生的熱。
如圖5所示，通過下列步驟制造發(fā)光元件封裝件1:將多個發(fā)光元件芯片20裝配在陶瓷襯底10上；在發(fā)光元件芯片20和陶瓷襯底10上形成透光材料層30 ;然后對各發(fā)光元件芯片20之間的透光材料層30和陶瓷襯底10進(jìn)行切割。通常，使用利用刀輪的機械切割方法來執(zhí)行切割工藝。然而，由于陶瓷襯底10特別難于切割，所以上述方法需要較長的切割時間并具生產(chǎn)速度很低。此外，在需要時(因為刀輪壞了)更換刀輪是昂貴的，并且在切割工藝期間產(chǎn)生的碎片會導(dǎo)致發(fā)光元件封裝件I的產(chǎn)率降低。
可以考慮用激光切割方法代替機械切割方法。使用激光束的切割工藝可以獲得很高的切割速度，但是僅能切割單一材料。即，由于激光束的波長帶需要能夠被待切割物體吸收，所以如果該物體包含多個不同的材料層，則該物體不能被切割或者切割速度會降低。此外，如果激光束的波長帶必須根據(jù)材料層改變，則切割裝置會具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)并且切割速度會降低。
由于使用陶瓷襯底10的發(fā)光元件封裝件I是通過對透光材料層30和陶瓷襯底10 進(jìn)行切割獲得的，因此如果激光束設(shè)置為用于對陶瓷襯底10進(jìn)行切割的條件，則透光材料層30可能燒焦或熔化，因此其形狀或物理性能會改變。當(dāng)透光材料層30具有如圖5中虛線所示的透鏡形狀時也會發(fā)生上述問題。
為了解決以上問題并獲得較高的切割速度，根據(jù)本發(fā)明一個實施例，一種對發(fā)光元件封裝件I進(jìn)行切割的方法包括步驟在執(zhí)行激光切割工藝前使用機械切割方法對透光材料層30進(jìn)行切割，以暴露陶瓷襯底10，然后使用激光束對陶瓷襯底10進(jìn)行切割。
如圖6所示，首先使用機械切割裝置，例如刀輪100，沿著各發(fā)光元件芯片20之間的切割線C對透光材料層30進(jìn)行切割。因此，部分去除透光材料層30，以沿著切割線C形成凹槽110。凹槽110的深度足以暴露陶瓷襯底10，并且凹槽110可以稍微侵入陶瓷襯底 10中。
機械切割裝置不限于刀輪100，而是也可以是用于對于透光材料層30進(jìn)行切割的任何機械切割裝置，例如，噴水切割裝置(water-jet cutting device)或者噴霧切割裝置 (aerosol-jet cutting device)。由于透光材料層30由透光樹脂材料形成,可以容易地對透光材料層30進(jìn)行切割，因此即使通過使用機械切割工藝也能夠獲得較高的切割速度。
然后，如圖7所示，通過將大功率激光束L穿過凹槽110照射到陶瓷襯底10上，可以對陶瓷襯底10進(jìn)行切割。激光束L的波長帶調(diào)整成允許激光束L的能量被吸收到陶瓷襯底10中。可以使用所謂的完全切割方法(full-cutting method)來執(zhí)行激光切割工藝， 完全切割方法通過使用大功率激光束L熔化并蒸發(fā)陶瓷襯底10。
例如，如果陶瓷襯底10具`有O. 5mm的厚度且透光材料層30由厚度為約O.1mm的娃形成，貝1J可以通過使用刀片鋸切方法或噴水切割方法以大約200mm/s的速度對透光材料層30進(jìn)行切割，并且可以通過使用激光完全切割方法以大約60mm/s的速度對陶瓷襯底10 進(jìn)行切割。因此，由于通過使用機械切割工藝對透光材料層30進(jìn)行切割的速度不影響通過使用激光完全切割方法對陶瓷襯底10進(jìn)行切割的速度，所以總的切割速度以及激光完全切割速度都可以提高?？紤]通過使用刀片鋸切方法對整個發(fā)光元件封裝件I進(jìn)行切割的速度是大約lOmm/s，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的切割方法的速度幾乎可以是一般切割方法的速度的六倍。此外，考慮相同的切割速度，切割設(shè)備的成本可以降低。
在形成凹槽110后，如圖8所示，可以翻轉(zhuǎn)陶瓷徹底10，并且可以通過將激光束L 照射到陶瓷襯底10的未形成透光材料層30的相反表面12上對陶瓷襯底10進(jìn)行切割。上述工藝可以減少激光完全切割工藝中激光束L的熱對透光材料層30的影響，因此可以減少透光材料層30的損傷或變形。
為了在形成凹槽110后對陶瓷襯底10進(jìn)行切割，也可以執(zhí)行圖9和圖10所示的激光劃線和斷裂工藝。激光劃線工藝是指通過將波長帶能夠被陶瓷襯底10吸收的(即，波長帶是非透射的)激光束L照射到陶瓷襯底10的光入射表面(例如，表面13或相反表面12) 上，在陶瓷襯底10上形成劃線S的工藝。斷裂工藝是指通過向陶瓷襯底10施加物理沖擊沿著劃線S分割陶瓷襯底10的工藝。
在如圖6所示形成凹槽110后，翻轉(zhuǎn)陶瓷襯底10并將激光束L照射到作為陶瓷襯底10的光入射表面的相反表面12上。激光束L的焦點形成在相反表面12上。激光束L 可以在相反表面12上形成一個或多個束斑F。如果形成了多個束斑F，則束斑F可以在沿著加工方向的線上對齊，加工方向即為激光束L和陶瓷襯底10的相對運動方向。此外，束斑F可以彼此間隔開，或者可以彼此部分交疊。束斑F可以具有圓形形狀或主軸沿著加工方向的橢圓形形狀。
激光束L沿著切割線C照射到陶瓷襯底10的相反表面12上。激光束L的能量可以設(shè)置為僅局部加熱并且不熔化或蒸發(fā)陶瓷襯底10。被激光束L局部加熱的陶瓷襯底10 的相反表面12的部分，即束斑F通過的部分，由于溫度升高而趨向膨脹。然而，束斑F周圍的區(qū)域未被加熱因此阻礙膨脹。因此，在束斑F通過的部分的徑向方向上局部發(fā)生壓應(yīng)力， 在與該徑向方向垂直的方向上發(fā)生張應(yīng)力。將激光束L的能量控制成防止所述張應(yīng)力大于陶瓷襯底10的斷裂閾值。如果陶瓷襯底10在束斑F通過后冷卻，則發(fā)生收縮。在這種情況下，張應(yīng)力被放大，因此在陶瓷襯底10的相反表面12中產(chǎn)生裂縫。該裂縫從陶瓷襯底10 的相反表面12延伸到小于陶瓷襯底10的總厚度的預(yù)定厚度。因此，如圖9所示，通過將激光束L沿著切割線C照射到陶瓷襯底10的相反表面12上可以形成劃線S。
盡管在上面的描述中陶瓷襯底10的相反表面12在束斑F通過以后自然冷卻，但在某些情況下，可以將冷卻流體噴灑到陶瓷襯底10的相反表面12上束斑F通過的地方。此外，在照射激光束L之前，可以在陶瓷襯底10的相反表面12內(nèi)形成表示劃線S的起點的切口形狀的凹槽A。
盡管在以上工藝中激光束L照射到作為光入射表面的陶瓷襯底10的相反表面12 上，但是陶瓷襯底10的表面13也可以用作光入射表面。在這種情況下，激光束L穿過凹槽 110照射到陶瓷襯底10的表面13上。然而，如果將相反表面12用作光入射表面，則可以減少熱對透光 材料層30和發(fā)光元件芯片20的影響。
即使在形成劃線S后，陶瓷襯底10也沒有沿著劃線S被分割。相應(yīng)地，執(zhí)行沿著劃線S使陶瓷襯底10斷裂的斷裂工藝。參考圖10，如果通過使用斷裂刀片120按壓陶瓷襯底10的表面13，表面13與上面形成了劃線S的相反表面12相反，則形成劃線S的裂縫在陶瓷襯底10的厚度方向上延伸，因而陶瓷襯底10沿著劃線S被分割。可替換地，斷裂刀片120可以按壓陶瓷襯底10的相反表面12。
即使在陶瓷襯底10的表面13上形成劃線S時，也可以通過使用斷裂刀片120按壓陶瓷襯底10的相反表面12或表面13，并且裂縫可以沿著陶瓷襯底10的厚度方向延伸， 由此沿著劃線S分割陶瓷襯底10。
通過執(zhí)行上述激光劃線和斷裂工藝可以完成發(fā)光元件封裝件I的制造。根據(jù)測試結(jié)果，通過使用刀片鋸切方法對整個發(fā)光元件封裝件I進(jìn)行切割的切割速度為大約 320sec/Frame,而通過使用刀片鋸切方法形成凹槽110的工藝的速度是大約35sec/Frame, 激光劃線工藝的速度是大約35sec/Frame,以及斷裂工藝的速度是大約53sec/Frame。因此，同時執(zhí)行這些工藝時的切割速度取決于執(zhí)行斷裂工藝所花費的時間，在這種情況下，與使用刀片鋸切方法切割整個發(fā)光元件封裝件I的情況相比，可以期望生產(chǎn)能力增加五倍。 此外，考慮相同的切割速度，切割設(shè)備的成本可以降低。
盡管在上述描述中切割了包括陶瓷襯底10和透光材料層30的發(fā)光元件封裝件 1，但是本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明也可以應(yīng)用于對多層物體進(jìn)行切割的工藝，該多層物體包括可以使用激光束切割的第一材料層和疊置在第一材料層上的第二材料層，由與形成第一材料層的材料不同的材料形成第二材料層并且用于切割第一材料層的激光束能夠使得第二材料層熔化、燒焦或變形。更具體地，可以通過使用機械切割方法，例如刀片鋸切方法、噴水方法或噴霧方法，沿著切割線對第二材料層進(jìn)行切割以暴露第一材料層，然后可以通過使用激光切割方法，例如激光完全切割方法或者激光劃線和斷裂方法，對第一材料層進(jìn)行切割。在這種情況下，如上所述，光入射表面可以是所述第一材料層的其上形成了第二材料層的表面，或者是第一材料層的相反表面。
應(yīng)當(dāng)理解，在此描述的示例性實施例應(yīng)當(dāng)視為僅僅是為了描述而不是為了限制。 每個實施例中特征或方面的描述通常應(yīng)當(dāng)被考慮為可以用 于其他實施例中其他類似特征或方面。
權(quán)利要求
1.一種切割發(fā)光元件封裝件的方法，該方法包括步驟 制備陶瓷襯底，該陶瓷襯底的一個表面上裝配了多個發(fā)光元件芯片并且形成有覆蓋所述多個發(fā)光元件芯片的透光材料層； 通過使用機械切割方法沿著切割線部分地除去所述多個發(fā)光元件芯片之間的所述透光材料層；以及 通過使用激光切割方法沿著所述切割線對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割來將各個發(fā)光元件封裝件分開。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述機械切割方法包括刀片鋸切方法、噴水方法和噴霧方法中的一種。
3.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述激光切割方法是通過將大功率激光束照射到所述陶瓷襯底上來對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割的完全切割方法。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述大功率激光束穿過通過部分除去所述透光材料層所形成的凹槽照射到所述陶瓷襯底上。
5.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述大功率激光束照射到與所述陶瓷襯底的所述表面相反的所述陶瓷襯底的相反表面上。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中將各個發(fā)光元件封裝件分開的步驟包括 通過沿著所述切割線將激光束照射到所述陶瓷襯底上，在所述陶瓷襯底上形成劃線；以及 通過向所述陶瓷襯底施加機械沖擊沿著所述劃線對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割，來將各個發(fā)光元件封裝件分開。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中所述劃線形成在所述陶瓷襯底的所述表面上。
8.權(quán)利要求6所述的方法，其中所述劃線形成在與所述陶瓷襯底的所述表面相反的所述陶瓷襯底的相反表面上。
9.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透光材料層包括透光硅層。
10.一種切割多層物體的方法，該方法包括步驟 制備包括第一材料層和疊置在所述第一材料層上的第二材料層的物體，由與用于形成所述第一材料層的材料不同的材料形成所述第二材料層； 通過使用機械切割方法，沿著切割線部分地除去所述第二材料層；以及 通過使用激光切割方法，沿著所述切割線對所述第一材料層進(jìn)行切割。
11.權(quán)利要求10所述的方法，其中所述激光切割方法是通過將大功率激光束照射到所述第一材料層上來對所述第一材料層進(jìn)行切割的完全切割方法。
12.權(quán)利要求10所述的方法，其中對所述第一材料層進(jìn)行切割的步驟包括 通過沿著所述切割線將激光束照射到所述第一材料層上，在所述第一材料層上形成劃線；以及 通過向所述第一材料層施加機械沖擊，沿著所述劃線對所述第一材料層進(jìn)行切割。
13.權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一材料層是在其上形成有電路圖案的陶瓷襯底，并且所述第一材料層的一個表面上裝配有發(fā)光元件芯片，并且 其中所述第二材料層是形成為覆蓋所述發(fā)光元件芯片的透光材料層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種切割發(fā)光元件封裝件的方法和一種切割多層物體的方法，所述切割發(fā)光元件封裝件的方法包括步驟制備陶瓷襯底，該陶瓷襯底的一個表面上裝配了多個發(fā)光元件芯片并且形成有覆蓋所述多個發(fā)光元件芯片的透光材料層；通過使用機械切割方法沿著切割線部分地除去所述多個發(fā)光元件芯片之間的所述透光材料層；以及通過使用激光切割方法沿著所述切割線對所述陶瓷襯底進(jìn)行切割來將各個發(fā)光元件封裝件分開。
文檔編號H01L33/00GK103050586SQ201210175249
公開日2013年4月17日 申請日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者金義錫, 池元秀, 金秋浩, 李信旼, 李垌勛, 全喜永 申請人:三星電子株式會社