專利名稱：評(píng)價(jià)用基板、缺陷檢查方法以及缺陷檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對(duì)在有機(jī)材料中所包含的異物缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板、缺陷檢查方法以及缺陷檢查裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造中，執(zhí)行基于使用了光致抗蝕劑的光刻法的微細(xì)加工。近年來(lái)，半導(dǎo)體器件的高集成化不斷發(fā)展，所使用的活性光線也有向KrF受激準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF受激準(zhǔn)分子激光(193nm)、F2受激準(zhǔn)分子激光(157nm)這樣短波長(zhǎng)化的趨勢(shì)。在使用這些光源的光刻工序中，會(huì)發(fā)生因來(lái)自基板的曝光光的反射所造成的駐波的影響、由基板的臺(tái)階差引起的曝光光的不規(guī)則反射的影響等而造成的光致抗蝕劑圖案的尺寸精度降低的問(wèn)題。因此，研究了在光致抗蝕劑與被加工基板之間設(shè)置反射防止膜(BottomAnt1-Refletive Coating:BARC,底部防反射涂層)的方法。作為反射防止膜，已知例如有鈦、二氧化鈦、氮化鈦、氧化鉻、碳、a -硅等無(wú)機(jī)反射防止膜、以及由吸光性物質(zhì)和高分子化合物構(gòu)成的有機(jī)反射防止膜。無(wú)機(jī)反射防止膜的成膜需要真空蒸鍍裝置、CVD裝置、濺射裝置等設(shè)備；與此相對(duì)，有機(jī)反射防止膜在不需要特別的設(shè)備這一點(diǎn)上是有利的。因此，正在進(jìn)行大量的有機(jī)反射防止膜的研究。例如，可以舉出在同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基的羥基和吸光基的丙烯酸樹(shù)脂型反射防止膜、在同一分子內(nèi)具有作為交聯(lián)反應(yīng)基的羥基和吸光基的酚醛樹(shù)脂型反射防止膜等。這些有機(jī)反射防止膜為了防止與涂敷在其上的光致抗蝕劑的相互混合而大多使用熱交聯(lián)性組合物來(lái)形成。其結(jié)果，反射防止膜不溶于光致抗蝕劑用顯影液，在半導(dǎo)體基板加工之前的反射防止膜的去除需要通過(guò)干法蝕刻來(lái)進(jìn)行。另外，作為有機(jī)反射防止膜，例如在專利文獻(xiàn)I中記載了耐干法蝕刻性優(yōu)異、反射防止效果高、并且不會(huì)產(chǎn)生與抗蝕劑的相互混合的反射防止膜形成用組合物。[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)I]日本特開(kāi)2005-241963號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明所要解決的問(wèn)題)在半導(dǎo)體器件的制造中所用的有機(jī)反射防止膜其材料自身所含的異物的量、大小等會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的制造造成影響。因而，希望掌握對(duì)在形成于實(shí)際的半導(dǎo)體器件上的有機(jī)反射防止膜的材料自身所含的異物進(jìn)行了定量化的信息。通過(guò)確立對(duì)應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上時(shí)的反射防止膜的質(zhì)量進(jìn)行評(píng)價(jià)的技術(shù)，可保證半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量。而現(xiàn)狀是，還沒(méi)有確立評(píng)價(jià)反射防止膜的質(zhì)量的技術(shù)。本發(fā)明是鑒于 上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種用于對(duì)由在有機(jī)材料中所含的對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有影響的異物所引起的缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板及其缺陷檢查方法、以及缺陷檢查裝置。(解決問(wèn)題的措施)本發(fā)明人進(jìn)行了專注的研究，結(jié)果，新開(kāi)發(fā)了對(duì)有機(jī)材料中所含的異物進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。本發(fā)明包含以下方式。本發(fā)明的一個(gè)方式的評(píng)價(jià)用基板的特征在于，具備:基板；配置在上述基板上的第一膜；以及配置在上述第一膜上的第二膜，其中在所述第二膜上形成包含機(jī)材料的膜的第二膜，其中，對(duì)于在上述第二膜的蝕刻中使用的蝕刻劑，上述第一膜被設(shè)定為比上述第二膜的蝕刻速率低，并且所述第一膜的可光學(xué)檢測(cè)的缺陷的檢測(cè)下限值小于或等于上述第二膜的缺陷的檢測(cè)下限值，以及上述第二膜的膜厚度被設(shè)定為光學(xué)測(cè)量的霧度(Haze)值取最小值或極小值附近的值。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠?qū)υ谛纬捎趯?shí)際的半導(dǎo)體器件上的有機(jī)材料膜、例如涂敷在被加工基板上的有機(jī)反射防止膜中所含的異物定量地進(jìn)行評(píng)價(jià)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的特征在于，具備:硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的多晶硅膜，其中，上述多晶硅膜的表面的霧度值小于或等于30ppm。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠提供一種用于對(duì)由在有機(jī)材料中所含的異物所引起的缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的特征在于，具備:硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的多晶硅膜，上述多晶硅的膜厚度被設(shè)定為光學(xué)測(cè)量的霧度值取最小值或極小值附近的值。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠提供一種用于對(duì)由在有機(jī)材料中所含的異物所引起的缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板其特征在于，具備:硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的非晶硅膜，上述非晶硅的膜厚度被設(shè)定為光學(xué)測(cè)量的霧度值取最小值或極小值附近的值。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠提供一種用于對(duì)由在有機(jī)材料中所含的異物所引起的缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板。

另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板中，上述多晶硅膜或上述非晶硅膜的平均表面粗糙度(Ra)可以小于或等于1.73nm。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠降低異物缺陷的檢測(cè)下限值。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板中，上述多晶硅膜或上述非晶硅膜的最大高低差(P-V值)可以小于或等于13.8nm。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠降低異物缺陷的檢測(cè)下限值。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板中，上述多晶硅膜或上述非晶硅膜的均方表面粗糙度(RMS)可以小于或等于2.2nm。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠降低異物缺陷的檢測(cè)下限值。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板中，上述多晶硅膜或上述非晶硅膜的厚度也可以大于上述氧化硅膜的厚度。根據(jù)這種評(píng)價(jià)用基板，能夠降低異物缺陷的檢測(cè)下限值。 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的檢測(cè)由在有機(jī)材料中所含的異物引起的缺陷的缺陷檢查方法的特征在于:準(zhǔn)備硅基板，對(duì)上述硅基板的表面的缺陷的進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第一缺陷信息；對(duì)形成在上述硅基板上的氧化硅膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第二缺陷信息；從上述第二缺陷信息中去除與上述第一缺陷信息相同位置的缺陷，求出第一差分缺陷信息；對(duì)形成在上述氧化硅膜上的多晶硅膜表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第三缺陷信息；從上述第三缺陷信息中去除與上述第一差分缺陷信息相同位置的缺陷，求出第二差分缺陷信息；對(duì)形成在上述多晶硅膜上并包含由以有機(jī)材料為主要成分的原料形成的有機(jī)材料的膜以及上述多晶硅膜進(jìn)行蝕刻，對(duì)因上述氧化硅膜上的蝕刻殘?jiān)鸬娜毕葸M(jìn)行檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第四缺陷信息；從上述第四缺陷信息中去除與上述第二差分缺陷信息相同位置的缺陷信息，并據(jù)此獲得包含上述有機(jī)材料的膜的缺陷數(shù)量。根據(jù)這種缺陷檢測(cè)方法，能夠?qū)⒃谏鲜霭雽?dǎo)體器件制造步驟中由有機(jī)材料中所含的異物引起的缺陷提取出來(lái)并進(jìn)行評(píng)價(jià)。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的缺陷檢查方法，是檢測(cè)由包含在有機(jī)材料中的異物引起的缺陷的缺陷檢查方法，其特征在于:對(duì)形成在基板上的第一膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第一缺陷信息；對(duì)形成在上述第一膜上的第二膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第二缺陷信息；從上述第二缺陷信息中去除與上述第一缺陷信息相同位置的缺陷，求出差分缺陷信息；使用對(duì)上述第二膜的蝕刻速率比對(duì)上述第一膜高的蝕刻劑，對(duì)形成在上述第二膜上并包含由以有機(jī)材料為主要成分的原料形成的有機(jī)材料的膜以及上述第二膜進(jìn)行蝕刻，對(duì)由上述第一膜上的蝕刻殘?jiān)鸬娜毕葸M(jìn)行檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第三缺陷信息；從第三缺陷信息中去除與差分缺陷相同位置的缺陷，并據(jù)此獲得包含上述有機(jī)材料的膜的缺陷數(shù)量。根據(jù)這種缺陷檢查方法，能夠?qū)⒃谟捎袡C(jī)材料中所含的異物所引起的缺陷提取出來(lái)并進(jìn)行評(píng)價(jià)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的缺陷檢查裝置具備:缺陷檢測(cè)單元，包括光源、設(shè)置來(lái)自上述光源的出射光所要照射的對(duì)象物的載臺(tái)、以及檢測(cè)上述出射光的來(lái)自上述對(duì)象物的反射光的光檢測(cè)部；以及缺陷信息處理單元，對(duì)由上述缺陷檢測(cè)單元獲取得的、上述對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行處理。其特征在于，上述缺陷信息處理單元包括:第一保存部，保存由上述缺陷檢測(cè)單元檢測(cè)到的上述對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息；比較運(yùn)算部，將第一對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息與由對(duì)上述第一對(duì)象物進(jìn)行預(yù)定的處理而得到的第二對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較，針對(duì)相同位置的缺陷進(jìn)行差分計(jì)算而提取出由對(duì)上述第二對(duì)象物進(jìn)行的處理所引起的缺陷；以及第二保存部，保存由上述比較運(yùn)算部進(jìn)行差分計(jì)算并提取出的缺陷信息。根據(jù)這種缺陷檢查裝置，能夠?qū)π纬稍趯?shí)際的半導(dǎo)體器件上的有機(jī)材料膜、例如在涂敷在被加工基板上的有機(jī)反射防止膜中所含的異物定量地進(jìn)行評(píng)價(jià)。(發(fā)明的效果)根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒂稍谟袡C(jī)材料中所含的異物引起的缺陷提取出來(lái)并進(jìn)行評(píng)價(jià)。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的結(jié)構(gòu)以及使用評(píng)價(jià)用基板的檢查工序的一例的不意圖。圖2是表示圖1所示的評(píng)價(jià)用基板的制造工序的圖。
圖3是表示形成氧化膜的熱氧化爐的結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示形成多晶硅膜的LPCVD裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖5是表示缺陷檢測(cè)過(guò)程的一例的圖。圖6是表示在圖5的缺陷檢測(cè)結(jié)果中缺陷大小的分布的圖。圖7是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的多晶硅膜的膜厚度與霧度值的關(guān)系、以及霧度值與缺陷檢測(cè)下限值的關(guān)系的圖。圖8是表示對(duì)圖4的LPCVD裝置的每個(gè)批次測(cè)量了多晶硅膜的成膜溫度和霧度值的結(jié)果的表。圖9是繪制了圖8 (A) (D)的測(cè)量結(jié)果的圖。圖10是繪制了圖8 (A) (E)的測(cè)量結(jié)果的圖。圖11是表示約129.0nm 約140.0nm的膜厚度的多晶硅膜的膜厚度和霧度值的測(cè)量結(jié)果的表和圖。圖12是表示降低成膜溫度并測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果的表。圖13是將圖12的測(cè)量結(jié)果追加在圖9中并繪制的圖的一部分。圖14是表示測(cè)量多晶硅膜的表面粗糙度(R)和霧度值的結(jié)果的表和圖。圖15是表示測(cè)量多晶硅膜表面的最大高低差(P-V)和霧度值的結(jié)果的表和圖。

圖16是表示測(cè)量多晶硅膜的均方表面粗糙度(RMS)和霧度值的結(jié)果的表和圖。圖17是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的缺陷檢查裝置的結(jié)構(gòu)的一例的圖。圖18是表示與形成在硅基板上的主要的單層膜的膜種有關(guān)的，光學(xué)的缺陷檢查裝置的通常的檢測(cè)靈敏度的表。
具體實(shí)施例方式在說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的方式之前，對(duì)于達(dá)成本發(fā)明的原委，一邊表示與現(xiàn)有技術(shù)的關(guān)系一邊簡(jiǎn)單地說(shuō)明，以便使本發(fā)明的特征更加明確。(達(dá)成發(fā)明的原委)有機(jī)反射防止膜涂敷在光致抗蝕劑與被加工基板之間，但有在有機(jī)反射防止膜表面上發(fā)生缺陷的情況。這種缺陷是由在有機(jī)反射防止膜中所含的異物引起的，會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的制造工藝造成影響。以往，為了對(duì)在半導(dǎo)體器件的制造中使用的有機(jī)材料中所含的異物定量地進(jìn)行評(píng)價(jià)，除了對(duì)用于制造之前的狀態(tài)的有機(jī)材料自身進(jìn)行化學(xué)分析之外別無(wú)它法。也就是說(shuō)，利用化學(xué)手段，作為材料評(píng)價(jià)中的一項(xiàng)，進(jìn)行了有機(jī)材料中所含的異物的定量的評(píng)價(jià)。但是，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，需要對(duì)形成在實(shí)際的半導(dǎo)體器件上的有機(jī)材料膜的性質(zhì)進(jìn)行評(píng)價(jià)，但滿足這種要求的方法至少據(jù)本發(fā)明人所知還沒(méi)有。因此，本發(fā)明人研究了利用使用化學(xué)分析的物理措施來(lái)掌握在有機(jī)材料中所含的缺陷原因的定量化的方法。于是發(fā)現(xiàn)，通過(guò)隨時(shí)掌握有機(jī)反射防止膜的形成前后的缺陷，并對(duì)它們進(jìn)行比較研究，能夠查明在有機(jī)反射防止膜的材料上發(fā)生的缺陷。但是，與其他材料相比，用作半導(dǎo)體器件的柵電極的多晶硅在基板上成膜時(shí)的缺陷的檢測(cè)下限值大，因此，在半導(dǎo)體器件的制造工序中，將本應(yīng)判定為缺陷的地方識(shí)別為缺陷尤其存在困難。因而，經(jīng)過(guò)專注研究的結(jié)果，成功地降低了用于柵電極等的多晶硅的缺陷的檢測(cè)下限。此時(shí)，判明了由缺陷檢查裝置檢測(cè)的表面的“霧度(Haze)值”與檢測(cè)下限相關(guān)。另外，霧度值是霧度平均(Haze Average)值，在以后說(shuō)明的霧度值的測(cè)量中將平均(Average)值稱為霧度值?！办F度值”可用以下的公式(I)計(jì)算。Haze=k (PMT受光量/正反射光量)X 106ppm ……(I)其中，k:缺陷檢查裝置所固有的包含受光效率等的常數(shù)；正反射光量:在娃基板表面上激光不發(fā)生散射時(shí)的理論值；PMT受光量:由PMT (Photo-Multiplier Tube:光電倍增管)產(chǎn)生的散射光的受光量。另外，在本說(shuō)明書(shū)中記載的霧度值的測(cè)量是使用KLA-Tencor公司生產(chǎn)的SPlDLS所得的值。以下，參照

本發(fā)明的評(píng)價(jià)用基板及其制造方法。但是，本發(fā)明的評(píng)價(jià)用基板可以用各種不同的方式實(shí)施，并不限于以下所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容。<評(píng)價(jià)用基板的制造工序以及檢查工序>首先，參照?qǐng)D1和圖2說(shuō)明評(píng)價(jià)用基板的結(jié)構(gòu)例、制造工序以及檢查工序。圖1是表示評(píng)價(jià)用基板的結(jié)構(gòu)以及使用了評(píng)價(jià)用基板的檢查工序一例的示意剖視圖。圖2是表示圖1的制造工序以及檢查工序一例的圖。另外，圖1所示的評(píng)價(jià)用基板是模仿了半導(dǎo)體器件的基板，表示了將多晶硅用作柵電極的例子。

在圖1 (A)中，在硅基板100上從硅基板100 —側(cè)依次層疊著氧化膜(SiO2) 101和多晶硅膜102。氧化膜101是模仿柵絕緣膜的膜，在本檢查工序中是蝕刻阻擋層。多晶硅膜用作柵電極。其次，在圖1 (B)中，在多晶硅膜102上利用旋涂法等形成有機(jī)反射防止膜103。接著，在圖1 (C)中，利用干法蝕刻對(duì)多晶硅膜102和有機(jī)反射防止膜103進(jìn)行蝕刻。在有機(jī)反射防止膜中存在異物的情況下，異物所在的部位發(fā)揮掩模的功能，得到殘?jiān)?04。另外，并不限于氧化膜(SiO2) 101，例如，也可以是氮化膜(SiNx)或多個(gè)絕緣膜的疊層等。以下，參照?qǐng)D2說(shuō)明圖1所示的評(píng)價(jià)用基板的制造工序以及檢查工序。( I)硅基板的缺陷檢查首先，準(zhǔn)備硅基板100 (裸硅基板)，檢查其表面的缺陷。在這種檢查中，使用缺陷檢查裝置(例如KLA-Tencor公司產(chǎn)SP1DLS，激光光源波長(zhǎng):488nm)并用激光掃描硅基板100表面，檢測(cè)比預(yù)定大小(例如IOOnm)大的缺陷，將所檢測(cè)到的缺陷數(shù)量和各缺陷的坐標(biāo)的信息記錄作為第一缺陷信息。在這種缺陷檢查后，將硅基板100洗凈。(2)氧化膜的形成(參照?qǐng)D2 (A))將洗凈后的硅基板100放入熱氧化爐中并以預(yù)定條件(加熱溫度和氧化氣體流量的設(shè)定等)在硅基板100的表面上形成氧化膜(SiO2) 101。缺陷檢查裝置的檢測(cè)靈敏度可以在兩種類的膜種的光學(xué)特性的均衡下變化，并選擇檢測(cè)靈敏度變高的膜厚度條件。在本工序中，激光光源波長(zhǎng)為488nm時(shí)的光學(xué)特性為n=4.476，k=0.248，例如，在多晶硅膜的厚度為150nm的情況下,這種氧化膜101的厚度在60nm 130nm的范圍中適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。更優(yōu)選的是80nm IOOnm。參照?qǐng)D3說(shuō)明使用熱氧化爐的氧化膜的成膜例。在圖3中，熱氧化爐200具備:石英舟201 ;石英管(外)202 ;加熱器203 ;溫度傳感器204 ;氣體導(dǎo)入管205 ;以及氣體排出管206。硅基板由傳送機(jī)器手230從晶片載體220移動(dòng)并設(shè)置在石英舟201上。石英舟201例如具備設(shè)置預(yù)定處理片數(shù)的硅基板的舟皿。石英舟201在設(shè)置了硅基板之后，插入到石英管202內(nèi)。此后，石英管202被密封并利用真空泵(未圖示)將內(nèi)部排氣至預(yù)定的真空度。接著，利用加熱器203將石英管202內(nèi)加熱到約1000°C，從氣體導(dǎo)入管205導(dǎo)入O2和H2O并形成氧化膜。石英管202內(nèi)的溫度由配置在圖中所示的四個(gè)部位處的溫度傳感器204檢測(cè)。利用這些溫度傳感器204的檢測(cè)溫度來(lái)控制加熱器203的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，將石英管202內(nèi)的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度。接著，將石英管202內(nèi)降溫，使石英管202內(nèi)恢復(fù)到大氣壓狀態(tài)，將密封解除并從石英管202內(nèi)取下石英舟201。利用傳送機(jī)械手230將設(shè)置在石英舟201上的硅基板移動(dòng)到晶片載體220上。(3)氧化膜的缺陷檢查(參照?qǐng)D2 (A))其次，檢查氧化膜101表面的缺陷。在這種檢查中，使用缺陷檢查裝置(例如KLA-Tencor公司產(chǎn)SP1DLS)并用激光掃描上述氧化膜101的表面，例如，檢測(cè)比IOOnm大的缺陷，將所檢測(cè)到的缺陷數(shù)量和各缺陷的坐標(biāo)的信息記錄作為第二缺陷信息。(4)基板的洗凈(參照?qǐng)D2 (B))在上述(3)的檢查結(jié)束后，將帶氧化膜101的硅基板100洗凈。(5)多晶硅膜的形成(參照?qǐng)D2 (C))其次,用 CVD (Chemical-Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法對(duì)洗凈后的帶氧化膜101的硅基板100進(jìn)行加工。優(yōu)選地，采用能夠?qū)⒊赡囟仍O(shè)置為比較低的溫度(小于或等于 650°C )并將成膜速度控制得低的 LPCVD(Low-Pressure Chemical-Vapor Deposition:低壓化學(xué)氣相沉積)法。將帶氧化膜101的硅基板100放入LPCVD裝置中并以預(yù)定條件(成膜溫度和膜厚度的設(shè)定等)在氧化膜101上形成多晶硅膜102。如上所述，缺陷檢查裝置的檢測(cè)靈敏度可以根據(jù)兩種膜種的光學(xué)特性的均衡而變化，并選擇檢測(cè)靈敏度變高的膜厚度條件。在本工序中，激光光源波長(zhǎng)為488nm時(shí)的光學(xué)特性為n=4.476，k=0.248，例如，在氧化膜101的厚度為80nm的情況下，這種多晶硅膜102的厚度在128nm 153nm的范圍中適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。更優(yōu)選的是140nm 145nm。優(yōu)選地，成膜的多晶硅膜102的表面的霧度值小于或等于30ppm。通過(guò)將霧度值設(shè)置為小于或等于30ppm，能夠?qū)⑷毕輽z測(cè)下限設(shè)置為小于或等于140nm，能夠提高在有機(jī)反射防止膜中所含的異物的缺陷檢測(cè)的S/N比。多晶硅膜102的膜厚度與霧度值存在相關(guān)關(guān)系，在霧度依賴于所使用的缺陷檢查裝置而變化的情況下，優(yōu)選地將多晶硅膜102的膜厚度設(shè)定在缺陷檢查裝置中測(cè)量的霧度值取最小值或極小值的附近。另外，“附近”是指成為可得到所希望的檢測(cè)下限的霧度值的膜厚度的范圍。參照?qǐng)D4說(shuō)明使用LPCVD裝置的多晶硅膜的成膜例。在圖4中，LPCVD裝置300具備:石英舟301 ;石英管(內(nèi))302 ;石英管(外)303 ;加熱器304 ;溫度傳感器305 ;壓力計(jì)306 ;氣體導(dǎo)入管307 ;氣體排出管308 ;閥門(mén)309 ;真空泵310 ;以及氣體處理設(shè)備311。利用傳送機(jī)械手330將硅基板從晶片載體302移動(dòng)并設(shè)置到石英舟301上。石英舟301具備設(shè)置預(yù)定處理片數(shù)的硅基板的舟皿。石英舟301在設(shè)置了硅基板之后插入到石英管(內(nèi))302內(nèi)。其后，石英管(外)303被密封并利用真空泵310將石英管(內(nèi))302內(nèi)部排氣至預(yù)定真空度。石英管(內(nèi))302內(nèi)的真空度由壓力計(jì)306測(cè)量。利用所測(cè)量到的真空度來(lái)控制真空泵310的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，將石英管(內(nèi))302內(nèi)的真空度調(diào)整為設(shè)定值。接著，利用加熱器304將石英管202內(nèi)加熱到620°C，從氣體導(dǎo)入管307導(dǎo)入SiH4 (硅烷)氣體并形成多晶硅膜。石英管302內(nèi)的溫度由配置在圖中所示的四個(gè)部位處的溫度傳感器305檢測(cè)。利用這些溫度傳感器305的檢測(cè)溫度來(lái)控制加熱器304的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，將石英管202內(nèi)的溫度調(diào)整為設(shè)定溫度。接著，將石英管302內(nèi)降溫，從氣體導(dǎo)入管307導(dǎo)入N2氣體，使石英管302內(nèi)恢復(fù)到大氣壓狀態(tài)。接著，將石英管(外)303的密封解除，并從石英管302內(nèi)取下石英舟301。利用傳送機(jī)械手330將設(shè)置在石英舟301上的硅基板移動(dòng)到晶片載體320上。(6)多晶硅膜的缺陷檢查(參照?qǐng)D2 (C))其次，檢查多晶硅膜102表面的缺陷。在這種檢查中，使用缺陷檢查裝置(例如，KLA-Tencor公司產(chǎn)SP1DLS)并用激光掃描多晶硅膜102的表面，檢測(cè)比在半導(dǎo)體器件制造中可允許的缺陷的大小(例如140nm)大的缺陷，將所檢測(cè)到的缺陷數(shù)量和各缺陷的坐標(biāo)信息記錄作為第三缺陷信息。通常，在硅基板100為裸硅的狀態(tài)、在硅基板100上形成了氧化膜101的狀態(tài)下，缺陷檢測(cè)下限小于或等于所希望的值。在將多晶硅膜102層疊在氧化膜101上的時(shí)刻，多晶硅膜102的缺陷檢測(cè)下限的影響起決定性的作用，在缺陷檢測(cè)下限高的情況下，后面的有機(jī)反射防止膜的缺陷檢測(cè)精度惡化。在本發(fā)明中，多晶硅膜的表面的霧度值低，能夠降低缺陷檢測(cè)下限，能夠確保后面的有機(jī)反射防止膜的缺陷檢測(cè)精度。(7)有機(jī)反射防止膜的涂敷(參照?qǐng)D1 (B)和圖2 (D))其次，在多晶硅膜102上利用旋涂法等涂敷有機(jī)反射防止膜用的材料并形成有機(jī)反射防止膜103。這種有機(jī)反射防止膜103的厚度例如為IOOnm左右。(8)蝕刻(參照?qǐng)D1 (C)和圖2 (E))其次，利用濕法 蝕刻或干法蝕刻對(duì)多晶硅膜102和有機(jī)反射防止膜103進(jìn)行蝕刻。優(yōu)選地，利用濕法蝕刻對(duì)多晶硅膜102和有機(jī)反射防止膜103進(jìn)行蝕刻。有機(jī)反射防止膜103中包含異物的部分成為殘?jiān)?04。(9)蝕刻后的缺陷檢查其次，檢查蝕刻后的硅基板100表面的缺陷。在這種檢查中，使用缺陷檢查裝置(例如KLA-Tencor公司產(chǎn)SP1DLS)并用激光掃描進(jìn)行了上述蝕刻的硅基板100表面，例如檢測(cè)由比IOOnm大的蝕刻殘?jiān)鸬娜毕荩瑢⑺鶛z測(cè)到的缺陷數(shù)量和各缺陷的坐標(biāo)的信息記錄作為第四缺陷信息。(10)反射防止膜的缺陷的檢測(cè)處理其次，把從氧化膜101表面檢測(cè)并記錄的各缺陷的坐標(biāo)、從多晶硅膜102表面檢測(cè)并記錄的各缺陷的坐標(biāo)與在蝕刻后檢測(cè)并記錄的各缺陷的坐標(biāo)進(jìn)行比較。通過(guò)這種比較，將在蝕刻后的缺陷中與氧化膜表面的缺陷坐標(biāo)和多晶硅膜表面的缺陷坐標(biāo)一致的缺陷刪除，將最終剩下的缺陷檢測(cè)為由在反射防止膜103中所含的異物引起的缺陷。在此，參照?qǐng)D5和圖6說(shuō)明缺陷檢測(cè)處理的具體例。圖5是關(guān)于上述石英舟201、301內(nèi)的舟皿位置即SlotOl、Slot05、Slot09上設(shè)置的硅基板100，表示了蝕刻前后的缺陷數(shù)量的檢測(cè)結(jié)果的圖。圖6是關(guān)于設(shè)置于圖5的SlotOl上的硅基板100，表示了檢測(cè)出的差分缺陷的尺寸分布的圖。圖5 (A)表示將裸硅基板100設(shè)置在熱氧化爐200的石英舟201的SlotOl上并形成了氧化膜后的缺陷檢測(cè)過(guò)程。在上述氧化膜101表面上檢測(cè)到的比IOOnm大的缺陷的原始數(shù)據(jù)、即第二缺陷信息的數(shù)量為47。圖中所示的(3)表示在裸硅基板100表面上檢測(cè)到的比IOOnm大的缺陷、即因?yàn)榕c第一缺陷坐標(biāo)一致而被刪除的缺陷數(shù)量。即，雖然在硅基板100的氧化膜101表面上檢測(cè)到的比IOOnm大的缺陷總數(shù)是47個(gè)，但與在先前的工序中檢測(cè)到的缺陷的原始數(shù)據(jù)(第一缺陷信息)坐標(biāo)一致的三個(gè)位置的缺陷被刪除了。在此，將從第二缺陷信息中減去與第一缺陷信息坐標(biāo)一致的缺陷信息所得到的缺陷信息定義為“第一差分缺陷信息”。其次，圖5 (B)表示設(shè)置在LPCVD裝置300的石英舟301的SlotOl上并形成了多晶硅膜后的缺陷的檢測(cè)過(guò)程。另外，對(duì)多晶硅的缺陷可光學(xué)檢測(cè)的下限為140nm。在硅基板100的多晶硅膜102表面上檢測(cè)到的比140nm大的缺陷的原始數(shù)據(jù)、即第三缺陷信息的數(shù)量為89個(gè)。圖5 (B)所示的缺陷的數(shù)量(42)表示上述第三缺陷信息中的與在硅基板100的氧化膜101表面上檢測(cè)到的比IOOnm大的缺陷即第一差分缺陷信息坐標(biāo)一致的缺陷數(shù)量。在此，將從第三缺陷信息中減去與第一差分缺陷信息坐標(biāo)一致的缺陷信息所得到的缺陷信息定義為“第二差分缺陷信息”。在圖5 (B)的情況下，第二差分缺陷信息的數(shù)量為47個(gè)。其次，圖5 (C)表示蝕刻SlotOl的硅基板100后的缺陷的檢測(cè)過(guò)程。在蝕刻面上檢測(cè)到的比IOOnm大的缺陷的原始數(shù)據(jù)、即第四缺陷信息的數(shù)量為218個(gè)。在本實(shí)施方式中，這些218個(gè)數(shù)據(jù)可以看做由蝕刻殘?jiān)a(chǎn)生的缺陷信息。因而，將從在上述蝕刻面上檢測(cè)到的218個(gè)第四缺陷信息中刪除與從多晶硅膜102表面檢測(cè)到的第二差分缺陷信息坐標(biāo)一致的缺陷的數(shù)量(45)個(gè)的結(jié)果定義為第三差分缺陷信息。在圖5 (C)的情況下，第三差分缺陷信息的數(shù)量為173個(gè)。第三差分缺陷信息是作為差分而剩下的缺陷，是在有機(jī)反射防止膜103上發(fā)生的缺陷(圖5 (D))。以下，將作為差分而剩下的缺陷稱為差分缺陷。以下，將圖5所示的173個(gè)差分缺陷中所含的缺陷按大小(100 110nm，110 120nm，120 140nm，140 160nm，160 200nm，200 220nm，220 250nm，250 300nm，> 300nm)進(jìn)行分類并檢測(cè)，圖6表示對(duì)上述各個(gè)大小的個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)的結(jié)果。

因而，可以用上述那樣的缺陷檢查方法檢測(cè)在有機(jī)反射防止膜中發(fā)生的缺陷的大小以及數(shù)量，從而可以評(píng)價(jià)有機(jī)反射防止膜的質(zhì)量。缺陷尺寸的檢測(cè)下限值隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化而優(yōu)選地設(shè)定為更小的值。進(jìn)而其次，為了驗(yàn)證帶多晶硅膜的硅基板與霧度值的關(guān)系，分別改變多晶硅膜的成膜條件、即膜厚度以及成膜溫度來(lái)測(cè)量霧度值，研究了多晶硅膜的膜厚度以及成膜溫度與霧度值的關(guān)系。參照?qǐng)D7說(shuō)明多晶硅膜的膜厚度與霧度值的關(guān)系。在圖7中，(A)表示多晶硅膜的膜厚度和霧度值的測(cè)量結(jié)果的表，(B)表示將(A)的表圖形化的圖，(C)表示霧度值與缺陷檢測(cè)下限值的關(guān)系的表。另外，圖7 (A)所示的多晶硅膜的成膜溫度是615°C。在該測(cè)量結(jié)果中，確認(rèn)了在將多晶硅膜的膜厚度設(shè)置為140nm的情況下，霧度值為最小的5.5ppm。另外，確認(rèn)了如圖7 (C)所示，隨著霧度值下降，缺陷的檢測(cè)下限值也下降。并確認(rèn)了，在此情況下，在霧度值為6ppm的情況下檢測(cè)下限值為1.2i!m。即，判明了通過(guò)將多晶硅膜的膜厚度減薄能夠降低霧度值。以下，參照?qǐng)D8和圖9說(shuō)明多晶硅膜的成膜溫度與霧度值的關(guān)系。圖8 (A) (E)是在圖4所示的LPCVD裝置300中，在設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜的硅基板上形成多晶硅膜，并測(cè)量其膜厚度和霧度值的結(jié)果。在此情況下，將每個(gè)組的帶氧化膜的硅基板按每個(gè)組設(shè)置在石英舟301上并進(jìn)行多晶硅膜的成膜，并針對(duì)每個(gè)組測(cè)量膜厚度和霧度值。圖8 (A)是針對(duì)組A、即設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜硅基板中的舟皿編號(hào)13、17、21、25、29、33、37、41、45、49、53、57、61這13片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組A中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度相對(duì)于設(shè)定溫度615°C，在四個(gè)部位處的溫度傳感器305的各測(cè)量溫度是，在最上段(U)為616.5°C、下一段(⑶)為615.(TC、再下一段(CL)為612.(TC、最下段(L)為603.2°C。另外，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為 150nm。圖8 (B)是針對(duì)組B、即設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜硅基板中的舟皿編號(hào)
13、17、21、25、29這五片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組B中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度相對(duì)于設(shè)定溫度620°C，在四個(gè)部位處的溫度傳感器305的各測(cè)量溫度是，最上段(U)為621.5°C、下一段(CU)為620.(TC、再下一段(CL)為617.(TC、最下段(L)為604.2°C。另外，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為150nm。圖8 (C)是針對(duì)組C、即設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜硅基板中的舟皿編號(hào)13、17、21、25、29、33、37、41、45、49、53、57、61這13片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組C中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度相對(duì)于設(shè)定溫度620°C，在四個(gè)部位處的溫度傳感器305的各測(cè)量溫度是，最上段(U)為621.5°C、下一段(⑶)為620.(TC、再下一段( CL)為617.(TC、最下段(L)為604.2°C。另外，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為 150nm。圖8 (D)是針對(duì)組D、即設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜硅基板中的舟皿編號(hào)13、17、21、25、29、33、37、41、45、49、53、57、61這13片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組D中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度相對(duì)于設(shè)定溫度620°C，在四個(gè)部位處的溫度傳感器305的各測(cè)量溫度是，最上段(U)為621.5°C、下一段(⑶)為620.(TC、再下一段(CL)為617.(TC、最下段(L)為608.(TC。另外，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為 150nm。圖8 (E)是針對(duì)組E、即設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜硅基板中的舟皿編號(hào)49、53、57、61這四片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組D中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度相對(duì)于設(shè)定溫度620°C，在四個(gè)部位處的溫度傳感器305的各測(cè)量溫度是，最上段(U)為621.5°C、下一段(CU)為620.(TC、再下一段(CL)為617.(TC、最下段(L)為604.2°C。另外，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為140nm。圖9是將圖8 (A) (D)的各測(cè)量結(jié)果曲線化的圖。在該圖中，表示了可以將霧度值小于或等于30ppm的基板用作評(píng)價(jià)用基板(0K)。如果根據(jù)以上的膜厚度和霧度值的測(cè)量結(jié)果，在成膜溫度設(shè)定為615°C的組A與成膜溫度設(shè)定為620°C的組B、C、D之間比較霧度值的分布，則可以確認(rèn)，在組A中顯示霧度值小于或等于30ppm的片數(shù)最多，而通過(guò)將成膜溫度降低到615°C，霧度值有下降的趨勢(shì)。另外，圖10是將圖8 (A) (E)的各測(cè)量結(jié)果曲線化的圖。如果觀察在該圖中組E的霧度值的分布，則可以認(rèn)為存在霧度值的極小值或最小值的可能性。根據(jù)圖8 (E)和圖10的結(jié)果，如果將多晶硅膜的膜厚度設(shè)定為不足140nm，則霧度值反而會(huì)產(chǎn)生上升的趨勢(shì)。因而，為了明確地調(diào)查多晶硅膜的薄膜化與霧度值的關(guān)系，如以下那樣將多晶硅膜形成為膜厚度約129.0nm 140.0，并測(cè)量了多晶硅膜的膜厚度和霧度值。首先，對(duì)于作為組F的設(shè)置在圖4所示的LPCVD裝置300的石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜的硅基板，將成膜溫度設(shè)定為615°C并形成多晶硅膜，并測(cè)量了多晶硅膜的膜厚度和霧度值。圖11 (B)表示該組F的測(cè)量結(jié)果、以及作為比較對(duì)象的圖8 (A)至(D)的測(cè)量結(jié)果的一部分。圖11 (A)是測(cè)量組F的多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。圖11 (B)是從圖8 (A)至(D)的測(cè)量結(jié)果中提取出能夠作為比較對(duì)象的部分、即霧度值不足50ppm的數(shù)據(jù)的表。如圖11 ( B )所示，通過(guò)將膜厚度減薄，霧度值下降，隨著膜厚度的減薄，霧度值趨近于極小值，而在霧度值達(dá)到了極小值后，可以確認(rèn)隨著多晶硅膜的薄膜化霧度值再次增加。其次，如下所述進(jìn)一步研究了形成多晶硅膜時(shí)的設(shè)定溫度與多晶硅膜的膜厚度的關(guān)系。首先，對(duì)于作為組G而設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜的硅基板，將成膜溫度設(shè)定為610°C并形成多 晶硅膜，并測(cè)量了多晶硅膜的膜厚度和霧度值。圖12和圖13表示該組G的測(cè)量結(jié)果、以及作為比較對(duì)象的圖8 (A)、(C)和(D)的測(cè)量結(jié)果的一部分。圖12是在成膜溫度610°C下在設(shè)置在圖4所示的LPCVD裝置300的石英舟301上的多個(gè)帶氧化膜的硅基板上形成多晶硅膜，并測(cè)量了膜厚度和霧度值的結(jié)果。圖12是從圖8 (A)、(C)和(D)的測(cè)量結(jié)果中提取出作為比較對(duì)象的部分的表。圖12是對(duì)于在作為G組的、設(shè)置在石英舟301上的多個(gè)硅基板中的七片，測(cè)量多晶硅膜的膜厚度和霧度值的結(jié)果。在該組G中，LPCVD裝置300內(nèi)的加熱器304的加熱溫度為設(shè)定溫度610°C，多晶硅膜的設(shè)定膜厚度為150nm。圖13是對(duì)圖12的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了曲線化的圖。在此情況下，如圖13所示，可以確認(rèn)在將成膜溫度從620°C每次降低5°C并設(shè)定為610°C的情況下，霧度值的分布最多下降為 8.5ppm 19.8ppm。如上所述，確認(rèn)了在形成多晶硅膜時(shí)，通過(guò)降低成膜溫度、以及降低膜厚度的設(shè)定，霧度值下降。對(duì)于這種多晶硅膜的成膜溫度與霧度值的關(guān)系進(jìn)一步進(jìn)行了研究。根據(jù)成膜溫度，多晶硅膜的成長(zhǎng)速度發(fā)生變化，且多晶硅膜的表面粗糙度發(fā)生變化。由此，進(jìn)一步研究了這種多晶硅膜的表面粗糙度與霧度值的關(guān)系。(多晶硅膜的表面狀態(tài)與霧度值的關(guān)系)圖14 圖16表示的是，作為表示在同一成膜溫度下形成的帶多晶硅膜的硅基板的表面狀態(tài)與霧度值的關(guān)系的參數(shù)，對(duì)平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、均方表面粗糙度(RMS)進(jìn)行了測(cè)量的結(jié)果的圖。關(guān)于這些平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)以及均方表面粗糙度(RMS)，表示的是以硅基板表面的400nmX400nm的范圍作為測(cè)量對(duì)象，分別對(duì)四片硅基板進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果。平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)以及均方表面粗糙度(RMS)是使用原子力顯微鏡(精工電子株式會(huì)社產(chǎn)SPA460-DFM)測(cè)量的值。(I)平均表面粗糙度(Ra)與霧度值的關(guān)系首先，在圖14 (A)和(B)中表示帶多晶硅膜的硅基板的平均表面粗糙度(Ra)和霧度值的測(cè)量結(jié)果。在圖14中，(A)是表示平均表面粗糙度(Ra)和霧度值的測(cè)量結(jié)果的表，(B)是將(A)的表曲線化的圖。根據(jù)圖14 (A)和(B)所示的多晶硅膜表面的平均表面粗糙度(Ra)和霧度值的測(cè)量結(jié)果判明，由于平均表面粗糙度(Ra)變小，霧度值也呈下降的趨勢(shì)。在此情況下確認(rèn)了，在平均表面粗糙度(Ra)為1.72mn的情況下，霧度值成為最小的IOppm0(2)最大高低差(P-V值)與霧度值的關(guān)系其次，在圖15 (A)和(B)中表示帶多晶硅膜的硅基板表面的最大高低差(P-V值)和霧度值的實(shí)測(cè)結(jié)果。在圖15中，(A)是表示最大高低差(P-V值)和霧度值的測(cè)量結(jié)果的表，(B)是將(A)的表曲線化的圖。根據(jù)圖15 (A)和(B)所示的多晶硅膜表面的最大高低差(P-V值)和霧度值的測(cè)量結(jié)果判明，由于最大高低差(P-V值)變小，霧度值下降。在此情況下確認(rèn)了，在最大高低差(P-V值)小于或等于13.2nm的情況下,霧度值成為最小的lOppm。(3)均方表面粗糙度(RMS)與霧度值的關(guān)系以下，在圖16 (A)和(B)中表示帶多晶硅膜的硅基板表面的均方表面粗糙度(RMS)和霧度值的實(shí)測(cè)結(jié)果。在圖16中，(A)是表示均方表面粗糙度(RMS)和霧度值的測(cè)實(shí)測(cè)結(jié)果的表，(B)是將(A)的表曲線化的圖。根據(jù)圖16 (A)和(B)所示的多晶硅膜表面的均方表面粗糙度(RMS)和霧度值的實(shí)測(cè)結(jié)果判明，由于均方表面粗糙度(RMS)變小，霧度值下降。在此情況下確認(rèn)了，在均方表面粗糙度(RMS)小于或等于2.15nm的情況下，霧度值成為最小的IOppmo如上所述，可以確認(rèn)，由于帶多晶硅膜的硅基板表面的平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS)的各自的值變小，霧度值下降。即，判明了作為降低霧度值的條件，降低多晶硅膜的成膜溫度、對(duì)多晶硅膜的表面進(jìn)行平坦化是有效的。另外，根據(jù)圖13和圖14 圖16的結(jié)果可以認(rèn)為，即使多晶硅膜的膜厚度相同，成膜溫度越高，多晶硅的粒徑越大，平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS)越大。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的用于對(duì)反射防止膜的缺陷進(jìn)行評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)用基板，可以在氧化膜、多晶硅膜以及反射膜的各成膜工序中，分別記錄所希望尺寸的缺陷和表示缺陷位置的坐標(biāo)，將在每個(gè)成膜工序中坐標(biāo)一致的`缺陷刪除，將最終剩下的缺陷檢測(cè)為由在反射防止膜中所含的異物引起的缺陷。因此，可以只將由在反射防止膜中所含的異物所弓I起的缺陷作為對(duì)象進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板，研究了降低對(duì)缺陷檢查裝置的缺陷尺寸的檢測(cè)下限值有影響的霧度值，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，多晶硅膜的膜厚度與成膜溫度是相關(guān)的。而改變多晶硅膜的膜厚度以及成膜溫度并測(cè)量了霧度值，確認(rèn)了通過(guò)將膜厚度減薄以及降低成膜溫度，霧度值下降。因而，可以在制造評(píng)價(jià)用基板時(shí)，通過(guò)將多晶硅膜的膜厚度以及成膜溫度調(diào)整為霧度值下降的條件，來(lái)降低缺陷檢查裝置的缺陷尺寸的檢測(cè)下限值。另外，根據(jù)對(duì)上述多晶硅膜的膜厚度和成膜溫度、多晶硅膜的表面狀態(tài)(平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS))、以及霧度值進(jìn)行測(cè)量的結(jié)果，確認(rèn)了霧度值具有最小值。即，在圖7所示的多晶硅膜的膜厚度與霧度值的關(guān)系中，確認(rèn)了通過(guò)將膜厚度減薄，霧度值降低，而隨著膜厚度的減薄，霧度值趨近于最小值。但是，根據(jù)圖10、圖11 (A)和(B)所示的多晶硅膜的膜厚度與霧度值的關(guān)系，確認(rèn)了存在霧度值變?yōu)樽钚≈档亩嗑Ч枘さ哪ず穸?，由多晶硅膜的薄膜化所產(chǎn)生的霧度值的降低效果是有界限的。
另外，在圖9和圖13所示的多晶硅膜的成膜溫度與霧度值的關(guān)系中，確認(rèn)了通過(guò)降低成膜溫度，霧度值下降，而在將成膜溫度降到最低的情況下，霧度值成為最小值。在圖14所示的多晶硅膜的平均表面粗糙度(Ra)與霧度值的關(guān)系中，確認(rèn)了在平均表面粗糙度(Ra)為1.72nm的情況下霧度值成為最小值。在圖15所示的最大高低差(P-V值)與霧度值的關(guān)系中，確認(rèn)了在最大高低差(P-V值)小于或等于13.2nm的情況下，霧度值成為最小值。在圖15所示的均方表面粗糙度(RMS)與霧度值的關(guān)系中，確認(rèn)了在均方表面粗糙度(RMS)小于或等于2.15nm的情況下，霧度值成為最小值。另外，除多晶硅膜以外，即使是沒(méi)有晶粒邊界的非晶硅膜，在滿足上述的平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS)的條件的情況下，霧度值也會(huì)變小，其結(jié)果能夠降低異物檢測(cè)下限值，因此是優(yōu)選的。因而，關(guān)于在缺陷檢查裝置中對(duì)缺陷尺寸的檢測(cè)下限值有影響的霧度值，可以通過(guò)設(shè)定使上述的多晶硅膜的膜厚度、成膜溫度、平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS)分別降低的成膜條件，來(lái)將霧度值設(shè)置為最小值并降低缺陷檢查裝置的缺陷尺寸的檢測(cè)下限值。因此，通過(guò)使用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板，可以檢測(cè)有機(jī)反射防止膜的更小尺寸的缺陷。通過(guò)使用采用這種評(píng)價(jià)用基板的缺陷的檢測(cè)結(jié)果，能夠合適地進(jìn)行針對(duì)在所形成的有機(jī)反射防止膜上所含的缺陷(包括灰塵以及凹部)的質(zhì)量評(píng)價(jià)。通過(guò)將這種有機(jī)反射防止膜的質(zhì)量評(píng)價(jià)的結(jié)果反映到半導(dǎo)體器件的制造工藝中，能夠防止由有機(jī)反射防止膜所引起的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量降低于未然。另外，通過(guò)降低包在有機(jī)反射防止膜中所含的缺陷的檢測(cè)下限值，能夠與半導(dǎo)體器件的微細(xì)化對(duì)應(yīng)地可靠地檢測(cè)對(duì)制造工藝有影響的、在有機(jī)反射防止膜中所含的異物缺陷，能夠提高制造工藝的可靠性。另外，在上述實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板中，為了降低異物缺陷的檢測(cè)下限值，也可以使多晶硅膜的厚度比氧化膜的厚度大。與多晶硅膜和氧化膜的膜厚度有關(guān)的這種條件通過(guò)與上述的平均表面粗糙度(Ra)、最大高低差(P-V值)、以及均方表面粗糙度(RMS)有關(guān)的成膜條件的至少任何一個(gè)進(jìn)行組合，能夠降低缺陷檢查裝置的缺陷尺寸的檢測(cè)下限值以及在有機(jī)反射防止膜中所含的缺陷 的檢測(cè)下限值。上述評(píng)價(jià)用基板的構(gòu)成是示例。在從基板一側(cè)開(kāi)始將形成在基板上的膜稱為第一膜、第二膜時(shí)，第一膜被設(shè)定為關(guān)于在第二膜的蝕刻中使用的蝕刻劑的蝕刻速率比第二膜的蝕刻速率低、且可光學(xué)檢測(cè)的缺陷的檢測(cè)下限值小于或等于第二膜的缺陷的檢測(cè)下限值。這樣設(shè)定的原因在于，能夠?qū)⒌谝荒び米魑g刻阻擋層，并且可以高精度地檢測(cè)在形成于第二膜上的有機(jī)材料中所含的異物而不受第一膜的特性的左右。對(duì)評(píng)價(jià)用基板中使用的基板沒(méi)有特別限制，硅基板只不過(guò)是示例。更優(yōu)選的是，基板可以具有對(duì)在后述的缺陷檢查裝置中使用的激光進(jìn)行反射的表面。<缺陷檢查裝置>上述缺陷檢查方法可以使用圖17所示的結(jié)構(gòu)的缺陷檢查裝置而適宜地實(shí)施。S卩，在真空室等的腔10內(nèi)設(shè)置光源11、設(shè)置被測(cè)量對(duì)象14的載臺(tái)13、以及檢測(cè)來(lái)自被檢測(cè)對(duì)象14的反射光的光檢測(cè)部12，缺陷檢測(cè)單元I可構(gòu)成為包含這些設(shè)備。上述被測(cè)量對(duì)象14沒(méi)有特別限定，可以例示出硅基板等的單一基板、形成了氧化硅膜的基板或進(jìn)一步在該氧化硅膜上形成了多晶硅膜的基板等的形成了多個(gè)膜的基板，或是對(duì)上述多個(gè)膜實(shí)施了蝕刻等處理后的基板。光源11出射探測(cè)光。優(yōu)選地，是出射指向性高的光的裝置、例如上述的激光器。光檢測(cè)部12包含接收來(lái)自被測(cè)量對(duì)象14的反射光的光電子倍增管等的受光單元。由上述缺陷檢測(cè)部I獲得的上述被測(cè)量對(duì)象14的表面的每個(gè)位置的缺陷信息保存在缺陷信息處理單元2中，并被執(zhí)行與成為要比較的被測(cè)量對(duì)象的第二對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較等的處理。上述缺陷信息處理單元2可構(gòu)成為包含第一保存部21、進(jìn)行后述的運(yùn)算處理的比較運(yùn)算部22、以及用于保存由所述比較運(yùn)算部22所輸出的運(yùn)算結(jié)果的第二保存部23。可以改變被測(cè)量對(duì)象14，并將各被測(cè)量對(duì)象14的表面的每個(gè)位置的缺陷信息保存于上述第一保存部21。例如，作為被測(cè)量對(duì)象14，可以改變?yōu)楣杌宓鹊膯我换?、形成于該基板上的氧化硅膜、在該氧化硅膜上進(jìn)一步形成的多晶硅膜、或者在該多晶硅膜上利用有機(jī)材料形成了有機(jī)材料膜后實(shí)施了蝕刻等的處理后的基板上存在的膜，獲得與各被測(cè)量對(duì)象14有關(guān)的缺陷信息，并作為單獨(dú)的被測(cè)量對(duì)象保存在上述第一保存部21中。即，在每次更換被測(cè)量對(duì)象14時(shí)，作為“第一對(duì)象物”、“第二對(duì)象物”、“第三對(duì)象物”…“第N對(duì)象物”等，將各自的缺陷信息保存在上述第一保存部21中。上述比較運(yùn)算部22例如將作為第一對(duì)象物的第N-1個(gè)(N為整數(shù)，2)對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息與作為在該第N-1個(gè)對(duì)象物上進(jìn)行成膜的處理或者對(duì)作為上述第N-1個(gè)對(duì)象物的膜實(shí)施了蝕刻等的處理后的作為第二對(duì)象物的第N個(gè)對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較 并執(zhí)行各種差分運(yùn)算。具體地，比較運(yùn)算部22能夠執(zhí)行將第N個(gè)對(duì)象物的表面缺陷信息中的與第N-1個(gè)對(duì)象物的表面缺陷信息共同的缺陷信息從上述第N個(gè)對(duì)象物的表面的缺陷信息中去除的差分運(yùn)算?；蛘?，比較運(yùn)算部22執(zhí)行將第一個(gè)對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息與在實(shí)施了該第一個(gè)對(duì)象物上進(jìn)行成膜的處理或?qū)ψ鳛樯鲜龅谝粋€(gè)對(duì)象物的成膜實(shí)施了蝕刻等的處理后的第二個(gè)對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較的差分運(yùn)算。比較運(yùn)算部22將這種差分運(yùn)算的結(jié)果定義為“第一差分缺陷信息”。比較運(yùn)算部22可以執(zhí)行從第三對(duì)象物的表面缺陷信息中去除上述第一差分缺陷信息中的與該第三對(duì)象物的表面缺陷信息在位置上相同并具有預(yù)定大小的缺陷的第一差分缺陷信息的差分計(jì)算。比較運(yùn)算部22將關(guān)于上述第三個(gè)對(duì)象物的表面缺陷信息和上述第一差分缺陷信息的上述差分運(yùn)算結(jié)果定義為“第二差分缺陷信息”。這樣，比較運(yùn)算部22執(zhí)行從保存在第一保存部21中的第P (P為整數(shù)，P ^ 3)個(gè)對(duì)象物的表面的缺陷信息中，去除與第P-2差分缺陷信息在位置上相同并具有預(yù)定大小的缺陷信息的差分運(yùn)算。這種運(yùn)算結(jié)果可依次定義為第P-1差分缺陷信息。由比較運(yùn)算部22進(jìn)行的差分運(yùn)算的結(jié)果的信息保存在第二保存部23中。這樣，通過(guò)將第N個(gè)對(duì)象物與第N-1個(gè)對(duì)象物進(jìn)行比較，能夠提取出由在第N個(gè)對(duì)象物上實(shí)施的處理所引起的缺陷。另外，比較運(yùn)算部22還可以通過(guò)組合功能不同的多個(gè)運(yùn)算部來(lái)構(gòu)成。例如，利用第一比較運(yùn)算部22a將第一對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息與在該第一對(duì)象物上進(jìn)行了預(yù)定處理的第二對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較，并針對(duì)同一位置的缺陷進(jìn)行差分計(jì)算并提取由對(duì)上述第二對(duì)象物進(jìn)行的處理所引起的缺陷。利用第二比較計(jì)算部22b將由上述第一比較計(jì)算部進(jìn)行差分計(jì)算所提取的缺陷信息與對(duì)上述第二對(duì)象物進(jìn)行了預(yù)定處理的第三對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較，并針對(duì)同一位置的缺陷進(jìn)行差分計(jì)算來(lái)提取由對(duì)上述第二對(duì)象物進(jìn)行的處理所引起的缺陷。將差分缺陷信息保存在第二保存部23中。根據(jù)需要執(zhí)行從第二保存部23中的讀出，用于比較運(yùn)算部22針對(duì)下一個(gè)對(duì)象物的計(jì)算處理。上述的缺陷信息處理單元2可以利用控制用個(gè)人計(jì)算機(jī)20等實(shí)現(xiàn)，可以利用連接在上述個(gè)人計(jì)算機(jī)上的顯示器等的顯示部40來(lái)顯示所獲得的缺陷信息、上述比較運(yùn)算部22的運(yùn)算結(jié)果等。另外，可以使用載臺(tái)控制器30，進(jìn)行載臺(tái)13的傾斜角度的調(diào)整或使載臺(tái)13的位置向水平方向或垂直方向偏移(圖17的“XYZ 0 ”)。這樣，利用載臺(tái)控制器30，改變光源11和光檢測(cè)部12中的至少一方與被測(cè)量對(duì)象14的相對(duì)的位置關(guān)系，從而能夠充分或合適地獲得被測(cè)量對(duì)象14的表面的每個(gè)位置的缺陷信息。上述載臺(tái)控制器30可以構(gòu)成為能夠使用控制用個(gè)人計(jì)算機(jī)20進(jìn)行控制的方式。以上說(shuō)明了本發(fā)明的評(píng)價(jià)用基板、異物檢查方法和缺陷檢測(cè)裝置。作為本發(fā)明的異物檢查方法的說(shuō)明，對(duì)使用由多晶硅膜(第一層)/氧化硅膜(第二層)/硅基板構(gòu)成的評(píng)價(jià)用基板進(jìn)行了說(shuō)明，但評(píng)價(jià)用基板的結(jié)構(gòu)有時(shí)根據(jù)每個(gè)半導(dǎo)體器件而不同。本發(fā)明的異物檢查方法可以使用各種結(jié)構(gòu)的評(píng)價(jià)用基板來(lái)檢測(cè)在有機(jī)材料中所含的異物。例如，作為第一層可以使用多晶硅、鎢(W)、鋁(Al)、鑰(Mo)等，作為第二層可以使用氧化硅膜、氮化膜、氧化膜+氮化膜或者它們的層疊膜。另外，如上 所述，說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的上述第一膜和第二膜分別是由單一物質(zhì)形成的單一層的情況。但是，在其他的實(shí)施方式中，作為上述第一膜和第二膜，除了用單一物質(zhì)形成的單層結(jié)構(gòu)外，可以使用由多種物質(zhì)形成的多層結(jié)構(gòu)。另夕卜，作為上述基板，可以使用金屬基板、玻璃基板、石英基板、氧化鋁基板、氧化鈦基板、硅基板等無(wú)機(jī)材料基板、塑料制基板等有機(jī)材料基板、或由無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料形成的復(fù)合基板。另外，作為上述第二膜，可以使用圖18所示例的物質(zhì)，即熱氧化膜(Th-Si02)、Si3N4、由正硅酸四乙酯獲得的SiO2膜(TEOS-SiO2)、鉭(Ta)、利用PVD法形成的Cu薄膜、TiN和Ti的層疊薄膜(TiN/Ti)、S0I (在絕緣膜上形成的單晶硅)、以及非晶硅。另外，如上所述，說(shuō)明了形成在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的評(píng)價(jià)用基板的上述第二膜上的包含有機(jī)材料的膜是形成在多晶硅膜上的有機(jī)反射防止膜的情況。但是，在其他實(shí)施方式中，作為包含有機(jī)材料的膜，除了有機(jī)反射防止膜以外，可以使用由單一成分構(gòu)成的有機(jī)材料、由多種成分構(gòu)成的有機(jī)材料、由用陶瓷和/或金屬構(gòu)成的無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料構(gòu)成的復(fù)合材料。在上述實(shí)施方式中，關(guān)于層疊在晶片基板上的各膜的缺陷，使用了由缺陷檢查裝置測(cè)量的結(jié)果，但即使在缺陷檢查裝置中使用的基于激光光源的測(cè)量波長(zhǎng)、受光系統(tǒng)等不同，在本質(zhì)上，缺陷檢查裝置的檢測(cè)靈敏度也根據(jù)測(cè)量對(duì)象的膜種的膜厚度周期地變化。對(duì)于霧度值容易變化的多晶硅膜，在膜厚度與缺陷檢查裝置的檢測(cè)靈敏度之間也是相關(guān)的，可以同樣地考慮。另外，根據(jù)形成在硅基板上的單層膜的膜種，光學(xué)性缺陷檢查裝置的檢測(cè)靈敏度的下限如圖18所示那樣是不同的。因而，只要按照各膜的、缺陷檢查裝置的測(cè)量結(jié)果對(duì)要評(píng)價(jià)的膜厚度進(jìn)行優(yōu)化即可。因此，在上述實(shí)驗(yàn)中，將氧化膜的膜厚度設(shè)定為80nm，將多晶硅膜的膜厚度設(shè)定為150nm，但可以按照缺陷檢查裝置的評(píng)價(jià)結(jié)果來(lái)任意地改變這些膜的厚度。<半導(dǎo)體器件的制造方法>半導(dǎo)體器件的制造方法根據(jù)器件有各種制造工序。在這些制造工序中，例如，本發(fā)明以如下方式來(lái)應(yīng)用。使用本發(fā)明的缺陷檢查方法，獲得在有機(jī)材料中所含的異物的信息。另外，根據(jù)使用本發(fā)明的缺陷檢查方法所獲得的缺陷的檢測(cè)結(jié)果，設(shè)定有機(jī)材料膜的形成條件、光致抗蝕劑的材料以及形成條件、柵層的形成條件等。根據(jù)所設(shè)定的條件，在洗凈晶片基板后，形成柵絕緣膜。在柵絕緣膜上形成柵電極層，并在其上形成作為反射防止膜的有機(jī)材料膜、光致抗蝕劑。在將光致抗蝕劑圖案化后，將柵層圖案化并形成柵電極，來(lái)制造半導(dǎo)體器件。作為利用上述制造方法制造的半導(dǎo)體器件的一例，可以舉出使用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以通過(guò)準(zhǔn)備P型硅基板、對(duì)該硅基板摻雜雜質(zhì)來(lái)形成作為n型區(qū)的源區(qū)、漏區(qū)、在硅基板上形成由氧化硅構(gòu)成的絕緣膜并圖案化來(lái)形成柵絕緣膜、在柵絕緣膜上利用公知的成膜法形成由多晶硅等導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜來(lái)制成。在上述源區(qū)、漏區(qū)以及柵絕緣膜等的形成工序中，可以利用本發(fā)明的缺陷檢查方法。(附圖標(biāo)記說(shuō)明)1:缺陷檢測(cè)部；2:缺陷信息處理單元；10:腔；11:光源12:光檢測(cè)部；13:載臺(tái)；14:被測(cè)量對(duì)象物；20:控制用個(gè)人計(jì)算機(jī)21:第一保存部；22:比較運(yùn)算部；23:第三保存部；30:載臺(tái)控制器

40:顯不部；100:娃基板；101:氧化I旲；102:多晶娃月旲103:有機(jī)反射防止膜；200:熱氧化爐；300 =LPCVD裝置
權(quán)利要求
1.一種評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 具備:基板；配置在所述基板上的第一膜；以及配置在所述第一膜上的第二膜，其中在所述第二膜上形成包含有機(jī)材料的膜， 其中，對(duì)于在所述第二膜的蝕刻中使用的蝕刻劑，所述第一膜被設(shè)定為比所述第二膜的蝕刻速率低，并且所述第一膜的可光學(xué)檢測(cè)的缺陷的檢測(cè)下限值小于或等于所述第二膜的缺陷的檢測(cè)下限值，以及 所述第二膜的膜厚度被設(shè)定為光學(xué)測(cè)量的霧度(Haze)值取最小值或極小值附近的值。
2.一種用于檢測(cè)由在有機(jī)材料中包含的異物引起的缺陷的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于，具備: 娃基板； 氧化硅膜，配置在所述硅基板上；以及 多晶硅膜，配置在所述氧化硅膜上，并且在所述多晶硅膜上形成包含所述有機(jī)材料的膜， 其中，所述多晶硅膜的表面的霧度值小于或等于30ppm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述基板是硅基板， 所述第一膜是氧化硅膜，以及 所述第二膜是多晶硅膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述基板是硅基板， 所述第一膜是氧化硅膜，以及 所述第二膜是非晶硅膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4的任意一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述多晶硅膜或所述非晶體硅膜的平均表面粗糙度(Ra)小于或等于1.73nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4的任意一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述多晶硅膜或所述非晶體硅膜的最大高低差(P-V值)小于或等于13.8nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至4的任意一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述多晶硅膜或所述非晶體硅膜的均方表面粗糙度(RMS)小于或等于2.2nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至4的任意一項(xiàng)所述的評(píng)價(jià)用基板，其特征在于: 所述多晶硅膜或所述非晶體硅膜的厚度大于所述氧化硅膜的厚度。
9.一種檢測(cè)由在有機(jī)材料中包含的異物引起的缺陷的缺陷檢查方法，其特征在于: 準(zhǔn)備硅基板，對(duì)所述硅基板的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第一缺陷信息， 對(duì)形成在所述硅基板上的氧化硅膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第二缺陷信息， 從所述第二缺陷信息中去除與所述第一缺陷信息相同位置的缺陷，求出第一差分缺陷信息， 對(duì)形成在所述氧化硅膜上的多晶硅膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第三缺陷信息，從所述第三缺陷信息中去除與所述第一差分缺陷差分信息相同位置的缺陷，求出第二差分缺陷信息， 對(duì)形成在多晶硅膜上并包含由以有機(jī)材料為主要成分的原料形成的有機(jī)材料的膜以及所述多晶硅膜進(jìn)行蝕刻，對(duì)因所述氧化硅膜上的蝕刻殘?jiān)鸬娜毕葸M(jìn)行檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第四缺陷信息，以及 從所述第四缺陷信息中去除與所述第二差分缺陷信息相同位置的缺陷信息，并據(jù)此獲得包含所述有機(jī)材料的膜的缺陷數(shù)量。
10.一種檢測(cè)由在有機(jī)材料中包含的異物引起的缺陷的缺陷檢查方法，其特征在于: 對(duì)形成在基板上的第一膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第一缺陷信息， 對(duì)形成在所述第一膜上的第二膜的表面的缺陷進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第二缺陷信息， 從所述第二缺陷信息中去除與所述第一缺陷信息相同位置的缺陷，求出差分缺陷信息， 使用對(duì)所述第二膜的蝕刻速率比對(duì)所述第一膜高的蝕刻劑，對(duì)形成在所述第二膜上并包含由以有機(jī)材料為主要成分的原料形成的所述有機(jī)材料的膜以及所述第二膜進(jìn)行蝕刻，對(duì)因所述第一膜上的蝕刻殘?jiān)鸬娜毕葸M(jìn)行檢測(cè)，并將檢測(cè)到的各缺陷的每個(gè)位置的信息記錄作為第三缺陷信息， 從第三缺陷信息中去除與差分缺陷相同位置的缺陷，并據(jù)此獲得包含所述有機(jī)材料的膜的缺陷數(shù)量。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于:包含基于權(quán)利要求9或10所述的缺陷檢查方法的缺陷檢查步驟。
12.—種缺陷檢查裝置，其特征在于: 具備:缺陷檢測(cè)單元，包括光源、設(shè)置來(lái)自所述光源的出射光所要照射的對(duì)象物的載臺(tái)、以及檢測(cè)所述出射光的來(lái)自所述對(duì)象物的反射光的光檢測(cè)部；以及 缺陷信息處理單元，對(duì)由所述缺陷檢測(cè)單元獲得的、所述對(duì)象物的表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行處理， 其中，所述缺陷信息處理單元包括: 第一保存部，保存由所述缺陷檢測(cè)單元檢測(cè)到的所述對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息； 比較運(yùn)算部，將第一對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息與由對(duì)所述第一對(duì)象物進(jìn)行預(yù)定的處理而得到的第二對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較，針對(duì)相同位置的缺陷進(jìn)行差分計(jì)算而提取出因?qū)λ龅诙?duì)象物進(jìn)行的所述預(yù)定的處理所引起的缺陷；以及第二保存部，保存由所述比較運(yùn)算部進(jìn)行差分計(jì)算并提取出的缺陷信息。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的缺陷檢查裝置，其特征在于: 所述比較運(yùn)算部將對(duì)保存在所述第二保存部中的所述第二對(duì)象物和所述第一對(duì)象物的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行差分計(jì)算并提取出的缺陷信息，與對(duì)所述第二對(duì)象物進(jìn)行了預(yù)定的處理而得到的第三對(duì)象物表面的每個(gè)位置的缺陷信息進(jìn)行比較，并針對(duì)相同位置的缺陷進(jìn)行差分計(jì)算并提取出因?qū)λ龅诙?duì)象物進(jìn)行的所述預(yù)定的處理所引起的第三對(duì)象物表面的缺陷 信息。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于評(píng)價(jià)包含在有機(jī)材料中的異物缺陷的評(píng)價(jià)用基板及其缺陷檢查方法和缺陷檢查裝置。本發(fā)明的評(píng)價(jià)用基板的特征在于，具備基板；配置在上述基板上的第一膜；配置在上述第一膜上并在其上形成包含上述有機(jī)材料的膜的第二膜，上述第一膜被設(shè)定為，關(guān)于在上述第二膜的蝕刻中使用的蝕刻劑的蝕刻速率比上述第二膜的蝕刻低，并且可光學(xué)檢測(cè)的缺陷的檢測(cè)下限值小于或等于上述第二膜的缺陷的檢測(cè)下限值，上述第二膜的膜厚度被設(shè)定為使用缺陷檢查裝置等光學(xué)測(cè)量的霧度(Haze)值取最小值或極小值附近的值。
文檔編號(hào)H01L21/66GK103229046SQ20118005711
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者前川慎志, 佐藤真史 申請(qǐng)人:大日本印刷株式會(huì)社