專利名稱：一種led 及l(fā)ed 的粉漿平面涂覆工藝的制作方法
一種LED及LED的粉漿平面涂覆工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，尤其涉及LED及其粉漿涂覆工藝的改進(jìn)。背景技術(shù)：
目前國(guó)內(nèi)PCLED產(chǎn)業(yè)主要采用的是傳統(tǒng)的灌封工藝，直接在芯片表面點(diǎn)涂熒光粉膠，即將熒光粉粉末與膠體(如硅膠或環(huán)氧樹脂等)按一定配比混合，制成粉漿，攪拌均勻， 然后用細(xì)針頭類工具將其涂覆于芯片表面，理想情況下形成類似球冠狀的涂層。但這種方法及涂層存在明顯的結(jié)構(gòu)缺陷，這種熒光粉涂層，除中心到邊緣的結(jié)構(gòu)性非均勻外，在實(shí)際操作中，無論手動(dòng)或機(jī)器操作，同一批次的LED管之間，熒光粉層在形狀上都會(huì)有一定的差異，很難控制均勻性和一致性，從而導(dǎo)致器件間較大的色度差異；同時(shí)，由于涂層膠滴實(shí)際微觀表面的凹凸不平，當(dāng)光線出射時(shí)，就會(huì)形成白光顏色的不均勻，導(dǎo)致局部偏黃或偏藍(lán)的不均勻性光斑出現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提出一種LED及LED的粉漿平面涂覆工藝，能夠有效控制熒光粉涂層的形狀、厚度和均勻性，從而提高器件間的色度一致性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種LED，包括基板、LED芯片和反射杯，所述LED 芯片封裝在基板上，LED芯片外安裝有反射杯，所述LED芯片的上表面和四個(gè)側(cè)面外均涂覆有矩形的熒光粉層，所述熒光粉層的外部包覆有矩形的透明保護(hù)膠體層。
作為優(yōu)選，所述熒光粉層的厚度為2mm，透明保護(hù)膠體層的厚度為3mm，既滿足質(zhì)量要求，又節(jié)約成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提出了一種LED的粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟
A)熒光粉層形狀控制將LED芯片封裝在基板上以后，將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發(fā)光區(qū)域；
B)制備熒光粉層在LED芯片上未遮擋的芯片發(fā)光區(qū)域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層；
C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層；
D)保護(hù)膠體層形狀控制將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層，并留出保護(hù)膠體層的厚度空間；
E)涂覆保護(hù)膠體層在暴露出的熒光粉層外部的厚度空間內(nèi)涂覆厚度均勻的透明保護(hù)膠體層；
F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層外部的透明保護(hù)膠體層，完成粉漿平面涂覆工藝。
作為優(yōu)選，所述B)步驟中制備的熒光粉層的厚度為2mm ；Ε)步驟中涂覆的透明保護(hù)膠體層的厚度為3mm，既滿足質(zhì)量要求，又節(jié)約成本。
作為優(yōu)選，所述C)步驟中過90分鐘后將電極遮擋部分去除；F)步驟中過180分鐘后將電極遮擋部分去除，既滿足質(zhì)量要求，又提高效率。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明采用粉漿平面涂覆工藝，克服了傳統(tǒng)灌封點(diǎn)膠工藝在粉層結(jié)構(gòu)、形狀上的弊端，將熒光粉混合分散到透明感光膠中，對(duì)熒光粉涂層的形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性。
本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)將通過實(shí)施例結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1是本發(fā)明中一種LED的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明中一種LED的粉漿平面涂覆工藝的流程圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，LED，包括基板1、LED芯片2和反射杯3，所述LED芯片2封裝在基板 1上，LED芯片2外安裝有反射杯3，所述LED芯片2的上表面和四個(gè)側(cè)面外均涂覆有矩形的熒光粉層4，所述熒光粉層4的外部包覆有矩形的透明保護(hù)膠體層5。
如圖2所示，LED的粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟
A)熒光粉層4形狀控制將LED芯片2封裝在基板1上以后，將LED芯片2上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發(fā)光區(qū)域；
B)制備熒光粉層4 在LED芯片2上未遮擋的芯片發(fā)光區(qū)域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層4 ；熒光粉層4的厚度為2mm，各方向上的厚度相等，以保持均勻。
C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層4 ；一般過90分鐘后將電極遮擋部分去除。
D)保護(hù)膠體層形狀控制將LED芯片2上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層4，并留出保護(hù)膠體層的厚度空間；
E)涂覆保護(hù)膠體層在暴露出的熒光粉層4外部的厚度空間內(nèi)涂覆厚度均勻的透明保護(hù)膠體層5 ；透明保護(hù)膠體層5的厚度為3mm，各方向上的厚度相等，以保持均勻。
F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層4外部的透明保護(hù)膠體層5，完成粉漿平面涂覆工藝；一般過180分鐘后將電極遮擋部分去除。
按本發(fā)明制備的結(jié)構(gòu)將其封裝制成LED器件，測(cè)試器件的光譜特性和光斑均勻性，結(jié)果表明，采用這種新工藝制造出來的器件色坐標(biāo)為(0.321,0. 314)，相對(duì)色溫為 6827K，對(duì)應(yīng)的主波長(zhǎng)為475nm，色坐標(biāo)和色溫均達(dá)到白光范疇，光斑均勻性有明顯的改善。 這種方法克服了現(xiàn)有LED主流灌封點(diǎn)膠工藝在粉層結(jié)構(gòu)、形狀上的弊端，對(duì)熒光粉涂層形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性，且工藝簡(jiǎn)單，成本低。
上述實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明的說明，不是對(duì)本發(fā)明的限定，任何對(duì)本發(fā)明簡(jiǎn)單變換后的方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種LED，包括基板、LED芯片和反射杯，所述LED芯片封裝在基板上，LED芯片外安裝有反射杯，其特征在于所述LED芯片的上表面和四個(gè)側(cè)面外均涂覆有矩形的熒光粉層， 所述熒光粉層的外部包覆有矩形的透明保護(hù)膠體層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種LED，其特征在于所述熒光粉層的厚度為2mm，透明保護(hù)膠體層的厚度為3mm。
3.—種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于依次包括以下步驟A)熒光粉層形狀控制將LED芯片封裝在基板上以后，將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋住，形成電極遮擋部分，只留下需要熒光粉覆蓋的芯片發(fā)光區(qū)域；B)制備熒光粉層在LED芯片上未遮擋的芯片發(fā)光區(qū)域制備成厚度一致且均勻的熒光粉層；C)第一去除電極遮擋部分過80 100分鐘后將電極遮擋部分去除，得到固定形狀的熒光粉層；D)保護(hù)膠體層形狀控制將LED芯片上電極部分通過感光膠體遮擋形成電極遮擋部分，暴露出已形成的熒光粉層，并留出保護(hù)膠體層的厚度空間；E)涂覆保護(hù)膠體層在暴露出的熒光粉層外部的厚度空間內(nèi)涂覆厚度均勻的透明保護(hù)膠體層；F)第二去除電極遮擋部分過170 190分鐘后將電極遮擋部分去除，得到包裹在熒光粉層外部的透明保護(hù)膠體層，完成粉漿平面涂覆工藝。
4.如權(quán)利要求3所述的一種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于所述B)步驟中制備的熒光粉層的厚度為2mm ；Ε)步驟中涂覆的透明保護(hù)膠體層的厚度為3mm。
5.如權(quán)利要求3或4所述的一種LED的粉漿平面涂覆工藝，其特征在于所述C)步驟中過90分鐘后將電極遮擋部分去除；F)步驟中過180分鐘后將電極遮擋部分去除。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED及其粉漿平面涂覆工藝，依次包括以下步驟A)熒光粉層形狀控制、B)制備熒光粉層、C)第一去除電極遮擋部分、D)保護(hù)膠體層形狀控制、E)涂覆保護(hù)膠體層、F)第二去除電極遮擋部分。本發(fā)明采用粉漿平面涂覆工藝，克服了傳統(tǒng)灌封點(diǎn)膠工藝在粉層結(jié)構(gòu)、形狀上的弊端，將熒光粉混合分散到透明感光膠中，對(duì)熒光粉涂層的形狀、厚度及均勻性能有效控制，從而提高了器件間的色度一致性。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102496671SQ201110362430
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者林松 申請(qǐng)人:浙江寰龍電子技術(shù)有限公司