專利名稱：底部電極和相變電阻的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及底部電極和相變電阻的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器件的需要越來越大，因此促進(jìn)了存儲(chǔ)器件朝著高性能、低壓、低功耗、高速及高密度方向發(fā)展。相變存儲(chǔ)器(PCRAM，phase change RandomAccess Memory)是在CMOS集成電路基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代非易失性存儲(chǔ)器,其使用元素周期表中V族或VI族的一種或一種以上元素的合金作為相變電阻，用相變電阻作為存儲(chǔ)單元，相變電阻在以電脈沖的形式集中加熱的情況下，能夠從有序的晶態(tài)(電阻低)快速轉(zhuǎn)變?yōu)闊o序的非晶態(tài)(電阻高得多)。典型的相變存儲(chǔ)器使用硫族化物合金(比如GST，GeSbTe)作為相變電阻，存儲(chǔ)單元是一種極小的硫族合金顆粒，相變電阻的非晶(a_GST，a-GeSbTe)和結(jié)晶(c_GST，C-GeSbTe)狀態(tài)具有不同的電阻率，結(jié)晶狀態(tài)具有大約為千歐姆(kQ)的典型電阻，而非晶狀態(tài)具有大約為兆歐姆(ΜΩ)的典型電阻，因此通常利用硫族化物合金材料(比如GST，GeSbTe)制作相變電阻。通過測量PCRAM存儲(chǔ)單元的電阻值(即相變電阻的電阻值)來讀取PCRAM單元。對于相變存儲(chǔ)器來說，底部電極和相變電阻之間的接觸面積越小，相變存儲(chǔ)器的性能越好。圖I至圖6為現(xiàn)有技術(shù)形成底部電極和相變電阻的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖I至圖6，現(xiàn)有技術(shù)中形成底部電極和相變電阻的方法包括參考圖1，提供基底10，基底10上形成有具有底部電極12的第一介質(zhì)層11 ;參考圖2,在第一介質(zhì)層11和底部電極12形成的表面上依次形成氧化硅層13、氮化硅層14、氧化硅層15，利用光刻/刻蝕圖形化所述氧化硅15在其中形成開口 151，該開口 151的底部暴露出氮化硅層14 ;參考圖3，沉積氮化娃層16,覆蓋所述氧化娃層15的表面、開口 151的底部和側(cè)壁；參考圖4,刻蝕去除氧化娃層15表面、開口 151底部的氮化娃層16,剩余開口 151側(cè)壁的氮化娃層161 (稱為側(cè)墻)，由于開口 151的側(cè)壁增加了該氮化硅層161，使得開口 151的口徑減小；參考圖5，以具有開口 151的氧化娃層15為掩膜刻蝕開口 151下面的氮化娃層14和氧化娃層13,形成通孔17 ;參考圖6，在通孔17內(nèi)填充相變材料形成相變電阻18。由于開口 151的側(cè)壁增加了該氮化硅層161，使得開口 151的口徑減小，因此形成 的通孔17的口徑也減小，這樣相變電阻18與底部電極12的接觸面積也就相應(yīng)的減小。然而隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，通過在開口 151的側(cè)壁形成側(cè)墻的方法減小開口 151的口徑的工藝非常難控制，也就是說利用以上所述的方法形成具有小的接觸面積的底部電極和相變電阻的工藝很難控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)形成具有小的接觸面積的底部電極和相變電阻的工藝很難控制。為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種底部電極和相變電阻的形成方法，包括:提供基底；在所述基底上形成具有底部電極的第一介質(zhì)層，所述底部電極的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平；在所述底部電極上形成具有開口的掩膜層，所述開口暴露所述底部電極；在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對所述嵌段共聚物進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料；去除間隔排列的不同材料中至少一種材料，以所述掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，在所述底部電極和所述第一介質(zhì)層之間形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜層；·在所述凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平；在剩余的底部電極上形成相變電阻。可選地，所述嵌段共聚物的材料為聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯；在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對所述嵌段共聚物進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料包括在所述開口內(nèi)形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯，對所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯進(jìn)行退火，退火之后，所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯材料分成間隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯；所述去除間隔排列的不同材料中至少一種材料為去除聚甲基丙烯酸甲酯，剩余的材料為聚苯乙烯?？蛇x地，所述在所述開口內(nèi)形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯的方法為旋涂法?？蛇x地，在紫外線的照射下利用醋酸去除聚甲基丙烯酸甲酯?？蛇x地，所述以所述掩膜層和剩余的材料為掩膜去除部分高度的底部電極的方法為干法刻蝕?？蛇x地，所述掩膜層為光刻膠層；在所述底部電極上形成具有開口的掩膜層包括在所述底部電極和第一介質(zhì)層形成的表面上形成光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，在所述底部電極上形成具有開口的光刻膠層?？蛇x地，所述去除剩余的材料和掩膜層包括利用氧等離子體去除剩余的材料和掩膜層?？蛇x地，所述在所述凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平包括形成第二介質(zhì)層，填滿所述凹槽且覆蓋所述第一介質(zhì)層、剩余的底部電極；去除高出所述第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層，剩余所述凹槽內(nèi)的第二介質(zhì)層，使所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平。 可選地，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅。可選地，所述底部電極的材料為鎢或銅或多晶硅?？蛇x地，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。
可選地，所述相變電阻的材料為硫族化合物合金。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)方案通過形成具有開口的掩膜層，所述開口暴露所述底部電極；在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，該嵌段共聚物經(jīng)退火工藝之后分成間隔排列的不同材料；接著，去除間隔排列的不同材料中至少一種材料；然后以掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，這樣底部電極的頂面的面積也就縮小了，之后在剩余的底部電極上形成相變電阻時(shí)，相變電阻與底部電極之間的接觸面積減小?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)嵌段共聚物的合成物以及分子量調(diào)整各間隔排列的不同材料的寬度，根據(jù)剩余材料的寬度控制底部電極與相變電阻接觸的面積，因此工藝簡單、容易控制。


圖I至圖6為現(xiàn)有技術(shù)底部電極和相變電阻的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本發(fā)明具體實(shí)施例的底部電極和相變電阻的形成方法的流程示意圖；圖8a、圖8b至圖15a、圖15b為本發(fā)明具體實(shí)施例的底部電極和相變電阻的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖、俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式嵌段共聚物(block copolymer)又稱鑲嵌共聚物，是由化學(xué)結(jié)構(gòu)不同的鏈段交替聚合而成的線型共聚物。嵌段共聚物經(jīng)退火工藝處理可以分成間隔排列的不同材料，每一種材料具有相同的化學(xué)結(jié)構(gòu)。例如聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(Ps-b-PMMA)，經(jīng)退火工藝處理可以分成間隔排列的兩種不同材料,一種材料為聚苯乙烯(Ps, polystyrene),另一種材料為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。根據(jù)嵌段共聚物的特性，本技術(shù)方案通過形成具有開口的掩膜層，所述開口暴露所述底部電極；在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，該嵌段共聚物經(jīng)退火工藝之后分成間隔排列的不同材料，接著，去除間隔排列的不同材料中至少一種材料；然后，以掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，這樣底部電極的頂面的面積也就縮小了，之后在剩余的底部電極上形成相變電阻時(shí)，相變電阻與底部電極之間的接觸面積減小?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)嵌段共聚物的合成物以及分子量調(diào)整各間隔排列的不同材料的寬度，根據(jù)剩余材料的寬度控制底部電極與相變電阻接觸的面積，因此工藝簡單、容易控制。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施方式
的底部電極和相變電阻的形成方法。圖7為本發(fā)明具體實(shí)施例的形成底部電極和相變電阻的方法的流程示意圖，參考圖7，本發(fā)明具體實(shí)施方式
的形成底部電極和相變電阻的方法包括步驟SI I,提供基底；步驟S12，在所述基底上形成有具有底部電極的第一介質(zhì)層，所述底部電極的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平；步驟S13，在所述底部電極上形成具有開口的掩膜層，所述開口暴露所述底部電極；步驟S14，在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對所述嵌段共聚物進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料；步驟S15，去除間隔排列的不同材料中至少一種材料，以所述掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，在所述底部電極和所述第一介質(zhì)層之間形成凹槽；步驟S16，去除剩余的材料和掩膜層；步驟S17，在所述凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平；步驟S18，在剩余的底部電極上形成相變電阻。圖8a、圖8b至圖15a、圖15b為本發(fā)明具體實(shí)施例的底部電極和相 變電阻的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖、俯視示意圖，各組圖的圖a為對應(yīng)的圖b沿a-a方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖7和圖8a、圖8b至圖15a、圖15b詳細(xì)本發(fā)明具體實(shí)施例的底部電極和相變電阻的形成方法。結(jié)合參考圖7和圖8a、圖8b，執(zhí)行步驟S11，提供基底30 ;執(zhí)行步驟S12，在所述基底30上形成具有底部電極32的第一介質(zhì)層31,所述底部電極32的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面相平。需要說明的是，本發(fā)明中，底部電極32的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面相平并不意味著底部電極32的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面完全相平，在一定的工藝條件內(nèi)允許兩者的表面存在一定的誤差，不完全相平。本發(fā)明具體實(shí)施例中，基底30的材料可以為單晶硅(Si)、單晶鍺(Ge)、或硅鍺(GeSi)、碳化硅(SiC);也可以是絕緣體上硅(SOI)，絕緣體上鍺(GOI);或者還可以為其它的材料，例如砷化鎵等III-V族化合物。本發(fā)明具體實(shí)施例中第一介質(zhì)層31的材料為氧化硅，但不限于氧化硅，可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。底部電極32的材料為鎢或銅或多晶硅，但不限于鎢或銅或多晶硅，可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。形成底部電極32的方法為利用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積或本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他方法，在基底30上形成第一介質(zhì)層31 ;利用光亥IJ、刻蝕工藝圖形化第一介質(zhì)層31，在第一介質(zhì)層31中形成通孔；之后在通孔中填充導(dǎo)電材料，例如銅或鎢或多晶硅，形成底部電極32。結(jié)合參考圖7和圖9a、9b，執(zhí)行步驟S13，在所述底部電極32上形成具有開口 34的掩膜層33，所述開口 34暴露所述底部電極32。本發(fā)明具體實(shí)施例中，掩膜層33為光刻膠層，在第一介質(zhì)層31和底部電極32的表面上形成光刻膠層，之后對光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，圖形化光刻膠層形成暴露出底部電極32的開口 34。本發(fā)明中，掩膜層33不限于光刻膠層，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料，根據(jù)其材料的變化，形成具有開口 34的掩膜層33的方法相應(yīng)的發(fā)生變化。結(jié)合參考圖7和圖10a、圖10b、圖11a、圖11b，執(zhí)行步驟S14，在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物35 (參考圖10a、圖IOb)，對所述嵌段共聚物35進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物35分成間隔排列的不同材料(參考圖11a、圖Ilb)。本發(fā)明具體實(shí)施例中，嵌段共聚物35的材料為聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(Ps-b-PMMA)，該P(yáng)s-b-PMMA材料具有的特性經(jīng)退火工藝處理可以分成間隔排列的兩種不同材料，一種材料為聚苯乙烯(Ps, polystyrene),另一種材料為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在該具體實(shí)施例中，對所述嵌段共聚物35進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物35分成間隔排列的不同材料包括參考圖10a、圖10b，在所述開口 34內(nèi)形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(Ps-b-PMMA)，參考圖11a、圖11b，對所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(Ps-b-PMMA)進(jìn)行退火，退火之后，所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(Ps-b-PMMA)材料分成間隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 351和聚苯乙烯(Ps，polystyrene) 3520在該實(shí)施例中，由于開口特征尺寸的限制，間隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 351和聚苯乙烯(Ps，polystyrene) 352的列數(shù)有限，在該具體實(shí)施例中，聚甲基丙烯酸 甲酯(PMMA) 351為兩列，位于聚苯乙烯(Ps, polystyrene) 352的外側(cè),聚苯乙烯(Ps,polystyrene) 352為一列,位于兩列聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 351的中間。在所述開口內(nèi)形成Ps-b-PMMA包括利用旋涂法旋涂Ps-b-PMMA覆蓋所述掩膜層并填滿所述開口 ；之后去除所述開口以外的Ps-b-PMMA。去除所述開口以外的Ps-b-PMMA的方法可以為在開口上的Ps-b-PMMA材料上形成掩膜層，然后利用干法刻蝕去除開口以外的Ps-b-PMMA材料。由于形成在開口以外Ps-b-PMMA不會(huì)影響后續(xù)工藝，因此在其他實(shí)施例中，也可以不用去除開口以外的Ps-b-PMMA，在隨后的工藝中去除剩余的材料即聚苯乙烯352和掩膜層時(shí)一并去除開口以外的經(jīng)退火后的Ps-b-PMMA材料，這樣可以節(jié)省去除開口以外的Ps-b-PMMA材料的工藝，有利于降低成本。在該實(shí)施例中，去除的間隔排列的材料為聚甲基丙烯酸甲酯351，剩余的材料為聚苯乙烯352。在其他實(shí)施例中，也可以為去除的間隔排列的材料為聚苯乙烯352，剩余的材料為聚甲基丙烯酸甲酯351。本發(fā)明具體實(shí)施例中，開口內(nèi)的材料為Ps-b-PMMA，因此經(jīng)退火處理后，剩余的位于中間的材料為聚苯乙烯352，該聚苯乙烯352的特征尺寸決定了之后工藝中底部電極的頂面面積，也就是說剩余的材料的尺寸決定了底部電極的頂面面積。其中，嵌段共聚物退火后分成的間隔排列的不同材料中，每一種材料的特征尺寸與其身的結(jié)構(gòu)以及分子量有關(guān)系，因此可以通過調(diào)整嵌段共聚物35的合成物(也可以說單體monomer)以及合成物的分子量(或者可以說體積分?jǐn)?shù)(volume fraction))來調(diào)整剩余材料的特征尺寸,從而控制底部電極32的頂面面積，即底部電極與相變電阻的接觸面積。結(jié)合參考圖7和圖12a、圖12b，執(zhí)行步驟S15，去除間隔排列的不同材料中至少一種材料，以所述掩膜層33和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極32，在所述底部電極32和所述第一介質(zhì)層33之間形成凹槽36。本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述去除間隔排列的不同材料中至少一種材料為去除聚甲基丙烯酸甲酯351 ;剩余的材料為聚苯乙烯352。本發(fā)明具體實(shí)例中，在紫外線的照射下利用醋酸去除位于外側(cè)的聚甲基丙烯酸甲酯351。以所述掩膜層33和聚苯乙烯352為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極32的方法為干法刻蝕。可以通過調(diào)整干法刻蝕的時(shí)間調(diào)整被刻蝕去除的底部電極的高度。需要說明的是，刻蝕底部電極32時(shí)，對第一介質(zhì)層31如果有高刻蝕選擇比，第一介質(zhì)層的損失比較少，基本只刻蝕底部電極32 ;如果對第一介質(zhì)層31有較低刻蝕選擇比，刻蝕底部電極32時(shí)也刻蝕第一介質(zhì)層31，凹槽36的形狀為條狀。結(jié)合參考圖7和圖13a、圖13b，執(zhí)行步驟S16，去除剩余的材料和掩膜層33。S卩，去除聚苯乙烯352和掩膜層33，本發(fā)明實(shí)施例中利用氧等離子體干法刻蝕去除聚苯乙烯352和掩膜層33。相應(yīng)的，如果去除的間隔排列的材料為聚苯乙烯352，剩余的材料為聚甲基丙烯酸甲酯351?？梢岳酶煞涛g去除聚苯乙烯352，之后在紫外線的照射下利用醋酸去除位于外側(cè)的聚甲基丙烯酸甲酯351，接著用干法刻蝕去除掩膜層33。結(jié)合參考圖7和圖14a、圖14b，執(zhí)行步驟S17，在所述凹槽36內(nèi)形成第二介質(zhì)層37，所述第二介質(zhì)層37的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面相平。第一介質(zhì)層31和第二介質(zhì)層37并非嚴(yán)格相平，在一定的工藝條件內(nèi)允許存在一定的誤差。在所述凹槽36內(nèi)形成第二介質(zhì)層37，所述第二介質(zhì)層37的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面相平包括形成第二介質(zhì)層37，填滿所述凹槽36且覆蓋所述第一介質(zhì)層31、剩余的底部電極32 ;去除高出所述第一介質(zhì)層31表面的第二介質(zhì)層，剩余所述凹槽36內(nèi)的第二介質(zhì)層37，使所述第二介質(zhì)層37的表面與所述第一介質(zhì)層31的表面相平。本發(fā)明具體實(shí)施例中，第二介質(zhì)層37的材料為氧化硅，但不限于氧化硅，可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他材料。結(jié)合參考圖7和圖15a、圖15b，執(zhí)行步驟S18，在所述剩余的底部電極32上形成相變電阻38。形成相變電阻38的方法為沉積相變材料，覆蓋第一介質(zhì)層31、第二介質(zhì)層37以及剩余的底部電極32，該相變材料為硫族化合物合金，可以為GexSbyTez(O < x、y、z < 1，x+y+z = I)、Ag-In-Sb-Te或者Ge_Bi_Te,之后圖形化相變材料剩余第二介質(zhì)層37和剩余的底部電極32上的相變材料作為相變電阻38。以上所述的方法，暴露出底部電極32的開口 34的圖形為長條狀的，在一列上的底部電極32由同一條狀開口 34暴露，因此之后形成的嵌段共聚物以及退火后間隔排列的不 同材料均為條狀。在其他實(shí)施例中，暴露出底部電極32的開口 34的圖形可以為方形，每一個(gè)暴露出底部電極32的開口 34彼此相互分離，之后形成的嵌段共聚物以及退火后間隔排列的不同材料的形狀也隨之發(fā)生變化。以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的精神，然而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以該具體實(shí)施例的具體描述為限定范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的具體實(shí)施例做修改，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，包括 提供基底； 在所述基底上形成具有底部電極的第一介質(zhì)層，所述底部電極的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平； 在所述底部電極上形成具有開口的掩膜層，所述開口暴露所述底部電極； 在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對所述嵌段共聚物進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料； 去除間隔排列的不同材料中至少一種材料，以所述掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，在所述底部電極和所述第一介質(zhì)層之間形成凹槽； 去除剩余的材料和掩膜層； 在所述凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平； 在剩余的底部電極上形成相變電阻。
2.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物的材料為聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯； 在所述開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對所述嵌段共聚物進(jìn)行退火將所述嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料包括 在所述開口內(nèi)形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯，對所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯進(jìn)行退火，退火之后，所述聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯材料分成間隔排列的聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯； 所述去除間隔排列的不同材料中至少一種材料為去除聚甲基丙烯酸甲酯；剩余的材料為聚苯乙烯。
3.如權(quán)利要求2所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在所述開口內(nèi)形成聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯的方法為旋涂法。
4.如權(quán)利要求2所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，在紫外線的照射下利用醋酸去除聚甲基丙烯酸甲酯。
5.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述以所述掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極的方法為干法刻蝕。
6.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述掩膜層為光刻膠層； 在所述底部電極上形成具有開口的掩膜層包括 在所述底部電極和第一介質(zhì)層形成的表面上形成光刻膠層； 圖形化所述光刻膠層，在所述底部電極上形成具有開口的光刻膠層。
7.如權(quán)利要求6所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述去除剩余的材料和掩膜層包括 利用氧等離子體去除剩余的材料和掩膜層。
8.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在所述凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平包括 形成第二介質(zhì)層，填滿所述凹槽且覆蓋所述第一介質(zhì)層、剩余的底部電極；去除高出所述第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層，剩余所述凹槽內(nèi)的第二介質(zhì)層，使所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面相平。
9.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅。
10.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述底部電極的材料為鎢或銅或多晶硅。
11.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。
12.如權(quán)利要求I所述的底部電極和相變電阻的形成方法，其特征在于，所述相變電阻的材料為硫族化合物合金。
全文摘要
一種底部電極和相變電阻的形成方法，包括提供基底；在基底上形成具有底部電極的第一介質(zhì)層，底部電極的表面與第一介質(zhì)層的表面相平；在底部電極上形成具有開口的掩膜層，開口暴露底部電極；在開口內(nèi)形成嵌段共聚物，對嵌段共聚物進(jìn)行退火將嵌段共聚物分成間隔排列的不同材料；去除間隔排列的不同材料中至少一種材料，以掩膜層和剩余的材料為掩膜刻蝕去除部分高度的底部電極，在底部電極和第一介質(zhì)層之間形成凹槽；去除剩余的材料和掩膜層；在凹槽內(nèi)形成第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的表面與第一介質(zhì)層的表面相平；在剩余的底部電極上形成相變電阻。本技術(shù)方案工藝簡單、容易控制。
文檔編號H01L45/00GK102903844SQ20111020964
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者張翼英, 何其旸 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司