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繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜的制作方法

文檔序號:6982225閱讀:194來源:國知局
專利名稱:繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜,特別適用于地面 相控陣雷達系統(tǒng),它將雷達信號傳輸?shù)较嗫仃嚴走_天線的每一個單元,起著傳輸雷達信號 的重要作用。
背景技術
目前我國在耐高溫射頻電纜加工時,絕緣材料采用實芯聚四氟乙烯絕緣,常溫推 擠加工形式;外導體只是采用單一編織鍍銀銅線。造成電纜使用頻率不高,損耗大,更重要 的是在要求溫度相位穩(wěn)定的使用環(huán)境中,相位變化太大。
發(fā)明內容鑒于現(xiàn)有技術存在的不足,本實用新型提供了一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同 軸射頻電纜。本實用新型為實現(xiàn)上述目的,所采用的技術方案是一種繞包絕緣型低損耗溫度 穩(wěn)相同軸射頻電纜,其特征在于在鍍銀銅線外繞包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層,在數(shù) 層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層外繞包鍍銀銅扁帶內屏蔽,在鍍銀銅扁帶內屏蔽外編織一層 鍍銀銅線外導體,在鍍銀銅線外導體外擠包一層聚全氟乙丙烯護套。本實用新型的特點是,內導體采用鍍銀銅線,內屏蔽層采用繞包鍍銀銅帶,絕緣采 用繞包微孔聚四氟乙烯薄膜,這種結構形式保證了銀層全部包覆在絕緣層周圍。由于隨溫 度變化,銀層和微孔聚四氟乙烯薄膜使電纜的相位變化相反,這種結構最大限度的抵消了 相位變化率,提高了電纜相位的穩(wěn)定度。同時降低了絕緣材料的介電常數(shù),降低了信號傳輸 衰減,提高了電纜的傳輸功率,減小了電纜相位隨溫度變化的幅度。

圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示,繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜,在鍍銀銅線1外繞包數(shù)層 微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2,在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2外繞包鍍銀銅扁帶內 屏蔽3,在鍍銀銅扁帶內屏蔽3外編織一層鍍銀銅線外導體4,在鍍銀銅線外導體4外擠包 一層聚全氟乙丙烯護套5。數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2為九層。
權利要求1.一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜,其特征在于在鍍銀銅線(1)外繞 包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2),在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)外繞包鍍 銀銅扁帶內屏蔽(3),在鍍銀銅扁帶內屏蔽(3)外編織一層鍍銀銅線外導體(4),在鍍銀銅 線外導體(4)外擠包一層聚全氟乙丙烯護套(5)。
2.根據(jù)權利要求1所述的繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜,其特征在于所 述數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)為九層。
專利摘要本實用新型涉及一種繞包絕緣型低損耗溫度穩(wěn)相同軸射頻電纜,在鍍銀銅線外繞包數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層,在數(shù)層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層外繞包鍍銀銅扁帶內屏蔽,在鍍銀銅扁帶內屏蔽外編織一層鍍銀銅線外導體,在鍍銀銅線外導體外擠包一層聚全氟乙丙烯護套。本實用新型的特點是,這種結構形式保證了銀層全部包覆在絕緣層周圍。由于隨溫度變化,銀層和微孔聚四氟乙烯薄膜使電纜的相位變化相反,這種結構最大限度的抵消了相位變化率,提高了電纜相位的穩(wěn)定度。同時降低了絕緣材料的介電常數(shù),降低了信號傳輸衰減,提高了電纜的傳輸功率,減小了電纜相位隨溫度變化的幅度。
文檔編號H01P3/06GK201868553SQ20102063461
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權日2010年12月1日
發(fā)明者史衛(wèi)箭, 吳健, 徐曉川, 李炳全, 谷越濤, 趙明哲 申請人:天津安訊達科技有限公司
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