專利名稱：低光衰led的烘烤工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明共涉及一種LED的烘烤工藝，特別是一種低光衰LED的烘烤工藝。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)烘烤工藝采取150°C的溫度下短烤1小時(shí)用于固化配有熒光粉的環(huán)氧樹脂， 然后130°C的溫度下長烤8小時(shí)用于固化外封裝的環(huán)氧樹脂。當(dāng)環(huán)氧樹脂的Tg點(diǎn)與工作中 芯片的Tj點(diǎn)很接近時(shí)，環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數(shù)會(huì)發(fā)生劇烈變化，這時(shí)產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力和水 分的蒸汽壓力很可能大于封裝樹脂與芯片、固晶膠以及框架表面之間的粘結(jié)力，以致它們 的界面之間出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)還會(huì)導(dǎo)致封裝樹脂或芯片出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致光衰嚴(yán)重。并且 目前市場上采用的藍(lán)光芯片產(chǎn)生的藍(lán)光波長多為455、60nm，激發(fā)熒光粉后產(chǎn)生的白光偏 向冷白光，光效和視覺效果差，另外量子效率低，出光不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了避免背景技術(shù)中的不足之處，提供一種低光衰LED的烘烤工藝。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案低光衰LED的烘烤工藝，其包括如下 步驟
1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在100°C_120°C的烘烤箱內(nèi)短烤0. 5 小時(shí)-1. 5小時(shí)，然后在150°C _170°C的烘烤箱內(nèi)長烤4. 5小時(shí)-5. 5小時(shí)；
2)將LED芯片取出并放置在100°C_120°C的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1小時(shí)-1. 5小時(shí)后在硅樹 脂層外通過環(huán)氧樹脂封裝；
3)然后整體放置在140°C-150 °C的燒烤爐內(nèi)將短烤1小時(shí)-1.5小時(shí)，然后在 1250C _135°C的溫度下長烤6小時(shí)。對(duì)于本發(fā)明的一種優(yōu)化，所述LED芯片選用波長為46(T465nm的藍(lán)光芯片。本發(fā)明與背景技術(shù)相比，具有有效的解決固化后硅樹脂與外封裝環(huán)氧樹脂之間產(chǎn) 生剝離出現(xiàn)的分層現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的低光衰。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 低光衰LED的烘烤工藝，其包括如下步驟
1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在100°C的烘烤箱內(nèi)短烤0.5小時(shí)， 然后在150°C的烘烤箱內(nèi)長烤4. 5小時(shí)；
2)將LED芯片取出并放置在100°C的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1小時(shí)后在硅樹脂層外通過環(huán)氧樹 脂封裝；
3)然后整體放置在140°C的燒烤爐內(nèi)將短烤1小時(shí)，然后在125°C_135°C的溫度下長 烤6小時(shí)。實(shí)施例2 低光衰LED的烘烤工藝，其包括如下步驟1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在110°C的烘烤箱內(nèi)短烤1小時(shí)，然 后在157°C的烘烤箱內(nèi)長烤5小時(shí)；
2)將LED芯片取出并放置在110°C的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1.5小時(shí)后在硅樹脂層外通過環(huán)氧 樹脂封裝；
3)然后整體放置在145°C的燒烤爐內(nèi)將短烤1.5小時(shí)，然后在130°C的溫度下長烤6小時(shí)。實(shí)施例3 低光衰LED的烘烤工藝，其包括如下步驟
1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在115°C的烘烤箱內(nèi)短烤1小時(shí)，然 后在170°C的烘烤箱內(nèi)長烤5小時(shí)；
2)將LED芯片取出并放置在110°C的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1.5小時(shí)后在硅樹脂層外通過環(huán)氧 樹脂封裝；
3)然后整體放置在150°C的燒烤爐內(nèi)將短烤1.5小時(shí)，然后在135°C的溫度下長烤6小時(shí)。實(shí)施例4 所述LED芯片選用波長為46(T465nm的藍(lán)光芯片與混有熒光粉的硅樹 脂配合，芯片的發(fā)射光譜與熒光粉的激發(fā)光譜重合非常好，激發(fā)熒光粉后可以得到正白光， 視覺效果好，同時(shí)解決了原量子效率低和出光不穩(wěn)定的問題。解決傳統(tǒng)波長為455、60nm 的藍(lán)光芯片量子效率低和出光不穩(wěn)定的問題。需要理解到的是本實(shí)施例雖然對(duì)本發(fā)明做了比較詳細(xì)的說明，但是這些說明，只 是對(duì)發(fā)明的簡單說明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制，任何超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均 落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種低光衰LED的烘烤工藝，其特征是其包括如下步驟1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在100℃ 120℃的烘烤箱內(nèi)短烤0.5小時(shí) 1.5小時(shí)，然后在150℃ 170℃的烘烤箱內(nèi)長烤4.5小時(shí) 5.5小時(shí)；2)將LED芯片取出并放置在100℃ 120℃的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1小時(shí) 1.5小時(shí)后在硅樹脂層外通過環(huán)氧樹脂封裝；3)然后整體放置在140℃ 150℃的燒烤爐內(nèi)將短烤1小時(shí) 1.5小時(shí)，然后在125℃ 135℃的溫度下長烤6小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低光衰LED的烘烤工藝，其特征是所述LED芯片選用波長 為460nnT465nm的藍(lán)光芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低光衰LED的烘烤工藝，其包括如下步驟1)表面添涂混有熒光粉的硅樹脂的LED芯片放置在100℃-120℃的烘烤箱內(nèi)短烤0.5小時(shí)-1.5小時(shí)，然后在150℃-170℃的烘烤箱內(nèi)長烤4.5小時(shí)-5.5小時(shí)；2)將LED芯片取出并放置在100℃-120℃的烘烤爐內(nèi)預(yù)熱1小時(shí)-1.5小時(shí)后在硅樹脂層外通過環(huán)氧樹脂封裝；3)然后整體放置在140℃-150℃的燒烤爐內(nèi)將短烤1小時(shí)-1.5小時(shí)，然后在125℃-135℃的溫度下長烤6小時(shí)。優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明具有有效的解決固化后硅樹脂與外封裝環(huán)氧樹脂之間產(chǎn)生剝離出現(xiàn)的分層現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的低光衰。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101958385SQ20101052524
公開日2011年1月26日 申請日期2010年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月30日
發(fā)明者周杭, 徐凌峰 申請人:浙江創(chuàng)盈光電有限公司