專利名稱：具有反射邊緣的波長轉(zhuǎn)換元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括發(fā)光二極管和自支撐波長轉(zhuǎn)換元件的發(fā)光裝置， 所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置用于接收由所述發(fā)光二極管發(fā)出的光 的至少一部分，本發(fā)明還涉及所述波長轉(zhuǎn)換單元本身以及用于制造這 樣的元件和裝置的方法。
背景技術(shù)：
包括發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置是目前可獲得的最高效 和最魯棒的光源之一。照明需要白色光源，尤其需要具有高顯色性的 白色光源。人們進(jìn)行了各種嘗試，以通過將LED用作輻射光源的方式 制造發(fā)光照明系統(tǒng)。
一種用于獲得白光的方法是使用藍(lán)光LED并通過熒光粉將一部分 所發(fā)射的藍(lán)光轉(zhuǎn)換為黃光(波長光譜在大約580 nm處)。由于黃光會 刺激人眼的紅受體和綠受體，因此所產(chǎn)生的藍(lán)光和黃光的混合給出了 白色的表現(xiàn)。
通常，這是通過在LED上設(shè)置含有熒光粉的材料，即波長轉(zhuǎn)換材 料，實(shí)現(xiàn)的，從而使得由該LED發(fā)射的光的一部分被所述熒光粉吸收 并以不同于所吸收的光的波長的波長發(fā)光。
然而，與這樣的裝置相關(guān)聯(lián)的一個(gè)問題在于所提供的光的顏色均 勻性。從所述LED的邊緣和在LED斜角處發(fā)出的光不能通過波長轉(zhuǎn)換 材料的相同厚度，因?yàn)楣馐茄卣虬l(fā)射的。因此，通過所述材料的側(cè) 面發(fā)出的光的轉(zhuǎn)換程度通常小于通過所述材料的前表面發(fā)出的光的轉(zhuǎn) 換程度。因此，在所述LED周圍將可見到藍(lán)光環(huán)。
在W0 2006/048064中公開了 一種用于防止在所述發(fā)光裝置周圍形 成藍(lán)環(huán)的方法。此參考文獻(xiàn)描述了一種包括LED芯片的LED裝置，該 LED芯片被設(shè)置在所述LED的頂部和側(cè)面的顏色轉(zhuǎn)換材料環(huán)繞。反射器 側(cè)面地環(huán)繞所述顏色轉(zhuǎn)換材料。所述LED芯片和所述反射器之間的最 大距離為0.5 mm。在所述LED側(cè)面上發(fā)射的光將被所述反射器反射， 由此得以將光轉(zhuǎn)換為白光。在W0 2006/048064中公開的發(fā)光裝置的一個(gè)缺陷在于，制造這樣 的裝置是困難的、費(fèi)時(shí)的而且昂貴的。所述顏色轉(zhuǎn)換材料的特定物理 形狀隱含了，對于每個(gè)所述發(fā)光二極管而言，必須就地形成這樣的特 定物理形狀，因而妨礙了大規(guī)模生產(chǎn)這樣的裝置。
因此，在本領(lǐng)域中需要提供一種可替代的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置 防止了導(dǎo)致形成藍(lán)環(huán)的光的外耦合(out coupling)，并因此提供了 具有高顏色均勻性的光，并且制造該裝置是容易的和廉價(jià)的，由此可 以大規(guī)模生產(chǎn)這樣的發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于，至少部分地實(shí)現(xiàn)上述需要并且提供一種 可發(fā)射具有高顏色均勻性的光的發(fā)光裝置，尤其在該發(fā)光裝置中避免 了導(dǎo)致在發(fā)光裝置周圍形成藍(lán)環(huán)的光的外耦合。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供這樣一種易于制造且成本低廉的 發(fā)光裝置，由此可以大規(guī)模生產(chǎn)這樣的發(fā)光裝置。
本發(fā)明的這些和其他目的是通過根據(jù)所附權(quán)利要求的發(fā)光裝置及 其制造方法實(shí)現(xiàn)的。
因此，在第一方面中，本發(fā)明涉及包括發(fā)光二極管和自支撐 (self-supporting)波長轉(zhuǎn)換元件的發(fā)光裝置，所述自支撐波長轉(zhuǎn)換 元件被設(shè)置用于接收由所述發(fā)光二極管發(fā)出的光的至少一部分。
所述波長轉(zhuǎn)換元件具有平坦的接收表面，通過該接收表面，來 自所述LED的光被接收；輸出表面，通過該輸出表面，由所述元件接 收的光可以從該元件出射；以及側(cè)面的邊緣表面(lateral edge surface)。所述邊緣表面被提供了反射材料。
在本發(fā)明的裝置中，由所述LED在斜角處發(fā)射的并由所述波長轉(zhuǎn) 換元件接收的光不能通過所述邊緣表面離開所述波長轉(zhuǎn)換元件，但會 被反射到所述接收材料上并最終可以通過所述輸出表面離開該元件。 因此，防止了可能導(dǎo)致在所述LED周圍形成藍(lán)環(huán)的邊緣效應(yīng)，并且改
善了顏色均勻性。
自支撐波長轉(zhuǎn)換元件的使用方便了所述裝置的制造。所述自支撐 波長轉(zhuǎn)換元件可以被批量地大規(guī)模生產(chǎn)，并且其包括在所述側(cè)面的邊 緣上的反射材料，然后可以在下一階段被設(shè)置在所述發(fā)光二極管上，
5以形成本發(fā)明的發(fā)光裝置。所述平坦的接收表面使得所述元件易于制
造，因?yàn)樵谠摫砻嬷谢旧喜恍枰M(jìn)行結(jié)構(gòu)上的修改，例如凹槽等。 在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件可以是平板。 在其中接收表面和輸出表面都是平坦的平板形自支撐波長轉(zhuǎn)換元
件就其本身而言是很容易制造的，因此方便了大規(guī)模生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明
的發(fā)光裝置。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件包括無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料。
無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料是溫度穩(wěn)定的、氧化穩(wěn)定的和光穩(wěn)定的，尤 其是紫外光/藍(lán)光穩(wěn)定的。因此，當(dāng)暴露于熱、氧氣和/或光線時(shí)，它 們不會損壞得很嚴(yán)重。此外，無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料具有較高的折射率， 這將在所述波長轉(zhuǎn)換材料中增加光耦合。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件包括分布在無機(jī)載 體中的波長轉(zhuǎn)換材料。
無機(jī)的載體材料，例如陶瓷或玻璃材料，是溫度穩(wěn)定的、氧化穩(wěn) 定的和輻射穩(wěn)定的。因此，當(dāng)暴露于熱氧氣和/或光線時(shí)，它們不會損 壞得很嚴(yán)重。此外，無機(jī)的載體材料具有較高的折射率，這將在所述 波長轉(zhuǎn)換材料中增加光耦合。
在工作中，高功率LED在熱強(qiáng)度和光強(qiáng)度方面都耗散大量的能量。 因此，這樣的高功率LED，希望所述波長轉(zhuǎn)換材料和/或載體材料是光 熱穩(wěn)定的，例如無機(jī)的。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述載體和波長轉(zhuǎn)換 材料都是無機(jī)的。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述反射材料可以從包括貴金屬和半貴金 屬的組中選擇。
除了較好的反射特性，貴金屬和半貴金屬在溫度升高時(shí)是穩(wěn)定的， 不容易氧化，并且形成具有較低擴(kuò)散速率的屏障，該屏障保護(hù)了所述 波長轉(zhuǎn)換材料，使其免受周圍空氣的影響。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過粘結(jié)層將所述波長轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在所 述發(fā)光二極管上。
通過將所述波長轉(zhuǎn)換元件粘結(jié)到所述波長發(fā)光二極管，對來自所 述LED的光的提取和進(jìn)入所述波長轉(zhuǎn)換元件的內(nèi)耦合(in coupling) 可能會增加，并且同時(shí)獲得剛性結(jié)構(gòu)。通過將所述粘結(jié)材料用作粘合劑，可以方便所述用于把波長轉(zhuǎn)換元件設(shè)置到LED上的方法。
在第二方面中，本發(fā)明涉及用于制造波長轉(zhuǎn)換元件的方法，其一
般包括提供具有光接收表面、光輸出表面和側(cè)面的邊緣表面的波長
轉(zhuǎn)換元件；以及將反射材料設(shè)置到所述側(cè)面的邊緣表面上。
波長轉(zhuǎn)換元件是自支撐的，因此可以被預(yù)先制造，之后再設(shè)置到
發(fā)光二極管上，以構(gòu)成發(fā)光裝置。這方便了大規(guī)模生產(chǎn)本發(fā)明的發(fā)光裝置。
在本發(fā)明的方法的實(shí)施例中，所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元件通過以下 方式提供用抑制電鍍的組合物對包括波長轉(zhuǎn)換材料的晶片的表面進(jìn) 行電鍍；以及將所述晶片劃分為多個(gè)波長轉(zhuǎn)換元件。之后，所述反射 材料被電鍍到所述波長轉(zhuǎn)換元件的所述側(cè)面的邊緣表面上。
緣表面進(jìn)行電:，因此可^用;斤述反射材料來電鍍這些邊緣表面，而 由于抑制鍍層的存在，所述接收表面和輸出表面將不被電鍍。通過這 個(gè)方法，所述制造方法中的多個(gè)步驟可以在單個(gè)晶片上執(zhí)行，該單個(gè) 晶片在之后被劃分為多個(gè)波長轉(zhuǎn)換元件。
在第三方面中，本發(fā)明涉及波長轉(zhuǎn)換元件本身，該波長轉(zhuǎn)換元件 具有設(shè)置在側(cè)面的邊緣表面上的反射材料。
在第四方面中，本發(fā)明涉及發(fā)光裝置的制造。該方法包括以下步 驟提供LED;以及將具有接收表面、輸出表面和被提供了反射材料的 側(cè)面的邊緣表面的波長轉(zhuǎn)換元件設(shè)置到所述LED上，從而使得該波長 轉(zhuǎn)換元件的接收表面接收從該LED發(fā)射的光。
由于所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元件可以被預(yù)先制造，并且可在獨(dú)立的 過程中被設(shè)置到LED上，因而可以比較容易地制造所述裝置。
通過參考以下描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其他方面將顯而易 見并將得到闡明。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的示意圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的用于制造發(fā)光裝置的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
7本發(fā)明涉及包括LED和自支撐波長轉(zhuǎn)換元件的發(fā)光裝置、所述自 支撐波長轉(zhuǎn)換單元本身以及用于制造這樣的元件和裝置的方法。
在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置1的一個(gè)實(shí)施例。發(fā)光裝 置1包括LED 2和波長轉(zhuǎn)換元件3。波長轉(zhuǎn)換元件3具有光接收表面4、 相對的光輸出表面5和被提供了反射材料7的側(cè)面的邊緣表面6。
所述反射材料在陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件的側(cè)面的邊緣表面上形成邊緣 鏡面。
波長轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置用于接收由LED 2發(fā)射的光的至少一部分， 并且將所接收的光的至少一部分轉(zhuǎn)換為具有更長波長的光。所述波長 轉(zhuǎn)換元件本身形成了本發(fā)明尤其考慮的方面。
優(yōu)選地，LED 2為發(fā)射藍(lán)光的LED,并且所述波長轉(zhuǎn)換元件適用于 在發(fā)射黃光的同時(shí)吸收藍(lán)光。所述未轉(zhuǎn)換的藍(lán)色LED的發(fā)射與所述轉(zhuǎn) 換成黃色的光的組合發(fā)射提供了白色的表現(xiàn)。
波長轉(zhuǎn)換元件3包括波長轉(zhuǎn)換材料，該波長轉(zhuǎn)換材料組成了所述 元件，或者被分布，例如分散，到載體材料中。
優(yōu)選地，所述波長轉(zhuǎn)換材料為無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料。其例子包括 但不限于基于YAG-CE、 YAG(Gd)-CE、 Sr-SiNO:EU或(BaSr ) SiN: EU (氮氧化物)的材料和其中兩種或更多種的任一組合。
另一種適合用在所述陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件中的波長轉(zhuǎn)換材料是包括 至少一種焚光粉的熒光材料，所述熒光粉是通式為 EaxSiyN2/3x+4/3y:EuzOJb的銪(II)活化的卣代-氧代次氮基硅酸鹽 (europium(II)-activated halogeno-oxonitridosi 1 icate)， 其中 l<x《2; 3《y《7; 0. 001<z《0. 09， 0. 005<a《0. 05， 0.01<b《0.3; 其中，Ea是至少一種從鈞、鋇和鍶中選出的堿土金屬；而X是至少一 種從氟、氯、溴和碘中選出的卣素。
這里所使用的術(shù)語"波長轉(zhuǎn)換"是指吸收具有第一波長的光線并 導(dǎo)致發(fā)射具有更長的笫二波長的光線的材料或元件。 一旦光線被吸收 了，在所述材料中的電子就被激活到更高的能級上。 一旦電子從更高 的能級上躍遷回來，過多的能量就會以與吸收的光相比具有更長波長 的光的形式從所述材料中釋放出來。因此，所述術(shù)語涉及熒光和磷光 波長轉(zhuǎn)換二者。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件是陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件。這樣的陶瓷元件可以用無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料來制備，所述無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料在高溫下已被壓縮和燒結(jié)，以例如通過常規(guī)的壓制和燒結(jié)方法成為陶瓷。然后，所述陶瓷材料可以被研磨和拋光，以獲得合適的厚度。
在可替代的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件包括分布在，例如分散在，無機(jī)的載體材料中，例如玻璃中，的波長轉(zhuǎn)換材料。
在另 一個(gè)可替代的實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換元件可以包括分布在，例如分散在，有機(jī)的載體材料中，例如聚合物中，的波長轉(zhuǎn)換材料。
優(yōu)選的聚合物是基本上光學(xué)透明(叩tically clear)的，例如包括環(huán)氧樹脂或硅樹脂。
對于耗散大量熱量的高功率LED,優(yōu)選地，所述栽體和/或所述波長轉(zhuǎn)換材料是無機(jī)的，更優(yōu)選地，所述載體和波長轉(zhuǎn)換材料都是無機(jī)的。因此，優(yōu)選使用陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件。
當(dāng)所述反射材料被應(yīng)用到所述波長轉(zhuǎn)換元件的側(cè)面的邊緣表面上時(shí)，光線將無法逃離所述元件的邊緣表面。替代地，入射到邊緣上的光線被反射回所述波長轉(zhuǎn)換元件中，使得所述光線的轉(zhuǎn)換增加，接著通過該元件的光輸出表面外耦合。由此，防止了在所述發(fā)光裝置周圍形成可見的藍(lán)環(huán)。
提供在所述陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件的側(cè)面的邊緣表面上的反射材料可以從任何反射材料中選擇，通常為金屬，諸如貴金屬或半貴金屬，例如Ag、 Au、 Ni、 Pd、 Pt、 Cu、 Ir等或它們的組合和合金。
通過粘結(jié)材料8，波長轉(zhuǎn)換元件3被粘結(jié)到發(fā)光二極管2，該粘結(jié)材料8使元件3安全地連接到二極管2并使元件3光學(xué)地粘結(jié)到二極管2。
優(yōu)選地，所述粘結(jié)材料是光穩(wěn)定的，尤其是紫外光/藍(lán)光(波長<500nm)穩(wěn)定的和熱穩(wěn)定的。
此外，優(yōu)選地，至少對于由所述LED發(fā)射的光而言，所述粘結(jié)層是光學(xué)透明的或半透明的。
為了得到較好的光學(xué)耦合，所述折射率應(yīng)當(dāng)在1. 3~2的范圍內(nèi)，例如1. 5 ~ 1. 8。
粘結(jié)材料的例子包括硅烷、聚合物以及低溫度熔化的玻璃材料。圖2示出了用于制造本發(fā)明的發(fā)光裝置的示例性方法，該示例性方法示出了制造根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的方法并包括下述步驟。
在所述方法的第一部分中，陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件被提供。此第一部分本身構(gòu)成了本發(fā)明尤其考慮的方面。
在所述方法的第二部分中，陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置在所述LED上。此第二部分本身構(gòu)成了本發(fā)明尤其考慮的方面。
在所述方法的第一部分中，波長轉(zhuǎn)換元件被提供，并且反射材料被設(shè)置到該元件的側(cè)面的邊緣表面上。
通常，通過電鍍，例如無電電鍍(自催化鍍)，將所述反射材料設(shè)置到所述側(cè)面的邊緣表面上。
根據(jù)圖2中流程圖所示的示例性方法，所述用于提供波長轉(zhuǎn)換元件的方法開始于提供晶片，即提供包括所述波長轉(zhuǎn)換材料的大平板。
然后，所述晶片被膠合到載體上，并且在此之后，該晶片被可選地機(jī)械處理(研磨、拋光)成期望的厚度。
接著，用抑制電鍍的化合物(抗晶種(anti-seeding)的化合物)對所述晶片的表面進(jìn)行電鍍，該抑制電鍍的化合物在所述表面上形成單層或多層，其在以后階段中將防止電鍍晶種(plating seed)粘附到所述晶片表面，從而在此表面上防止電鍍。
所述電鍍抑制的化合物可以例如是形成SAM(自對準(zhǔn)的單層)、硅烷、或聚合物的化合物。
在溶劑(水性的或有機(jī)的)中溶解的聚合物通常在該溶劑揮發(fā)后形成封閉層，并且有機(jī)溶劑中的硅烷/SAM與所述晶片的表面活性基團(tuán)反應(yīng)或物理上與所述晶片的表面活性基團(tuán)粘結(jié)。
來說是公知的。 & ^
然后，所述晶片被劃分(切分)為多個(gè)陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件。每個(gè)元件具有源自(emanating from)所述晶片的前表面和后表面的前表面和后表面(所述載體仍舊留有所述晶片的前表面或后表面以及側(cè)面的邊緣表面)。當(dāng)所述晶片被劃分為較小的元件時(shí)，該晶片側(cè)面的邊緣表面被形成。因此，所述側(cè)面的邊緣表面未暴露于所述抑制電鍍的化合物，而所述元件的前表面或后表面則暴露于所述抗晶種溶液(前表面和后表面中的另一個(gè)受到所述載體的保護(hù))。
通過機(jī)械切割、激光切割、鋸切、剪切等，所述晶片可被劃分。
10可選地，在上述切分步驟之后，所述元件可被清洗和弄干。之后，通過無電電鍍(自催化鍍)，所述反射材料被設(shè)置到所述陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件上的側(cè)面的邊緣表面上。
所述待電鍍的波長轉(zhuǎn)換元件需經(jīng)晶種(seeding)溶液處理。所述晶種溶液包括晶種材料。 一種常用的晶種材料是鈀。其他的
晶種材料對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是公知的。
所述元件可以例如通過浸漬、浸泡和噴涂被所述晶種溶液處理。此晶種溶液將僅粘附到所述波長轉(zhuǎn)換元件的側(cè)面的邊緣表面上，
這是因?yàn)檫@些側(cè)面的邊緣表面沒有被所述電鍍抑制(抗晶種)的化合
物處理過。此外，為了進(jìn)行無電電鍍(electroless plating)，所述
晶種溶液是必需的。
之后，所述陶資波長轉(zhuǎn)換元件經(jīng)無電電鍍?nèi)芤禾幚怼Ｋ鲈梢岳缤ㄟ^浸漬、浸泡和噴涂被所述無電電鍍?nèi)芤禾幚怼?br> 所迷無電電鍍?nèi)芤和ǔ０ń饘匐x子形式的待電鍍到所述表面上的金屬(貴金屬或半貴金屬)，所述金屬離子形式例如為鹽，諸如硫酸鹽。
當(dāng)與所述被晶種的表面接觸時(shí)，所述金屬離子以所述表面上薄膜的形式被還原為金屬。
所迷無電電鍍?nèi)芤旱奶囟ńM分將取決于待電鍍到所述表面上和所述晶片材料上的金屬，并且這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。
的邊緣表面上的邊緣鏡面。
之后，通常通過使用有機(jī)溶劑，將所述載體材料和所述抑制電鍍的化合物從所述波長轉(zhuǎn)換元件中去除。
最后得到的波長轉(zhuǎn)換元件具有光接收表面、位置相對的光輸出表面以及被提供了反射材料的側(cè)面的邊緣表面。
所迷由本發(fā)明的方法得到的波長轉(zhuǎn)換元件的光接收表面可以是，但不限于，平坦的表面。例如，所述接收表面可以包括凹槽，優(yōu)選包括具有足夠大的區(qū)域以安置所述發(fā)光二極管的發(fā)光表面(頂部)的凹槽，通常以使所述波長轉(zhuǎn)換元件的接收表面能夠至少部分地延伸到所述發(fā)光二極管的側(cè)面的下方，其中，所述元件被設(shè)置在該二極管上。其他的形狀也是可能的。
在用于制造發(fā)光二極管的方法的第二部分中，所述例如根據(jù)前述
方法制造的或由其他方法制造的波長轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置到LED上。
這可以直接在前述方法之后實(shí)現(xiàn)?？商娲兀趯⑸a(chǎn)出的波長
轉(zhuǎn)換元件設(shè)置到LED上之前，先將它們存儲一段時(shí)間。
所述波長轉(zhuǎn)換元件被設(shè)置到所述LED上，從而使得所述元件的接
收表面面對所述LED的發(fā)光表面，以使該元件接收由該LED發(fā)出的光
的能力最大化。
通常，通過粘結(jié)層將所述元件設(shè)置到所述LED上，這對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是公知的。
雖然在附圖和前述的描述中已經(jīng)詳細(xì)地說明和描述了本發(fā)明，但
本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例。
根據(jù)對附圖、公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求書的研究，本領(lǐng)域的技術(shù)
例所作的改變。例如，本發(fā)明不限于藍(lán)光LED的使用。此外，具有不同顏色和波長組合的其他類型的LED也可以被使用。
此外，所述波長轉(zhuǎn)換元件不限于特定LED種類的應(yīng)用，而可以應(yīng)用于可獲得的所有類型的LED。
用于從包括波長轉(zhuǎn)換材料的晶片中制造所述波長轉(zhuǎn)換元件的方法不限于特定的晶片厚度或大小，而對于不同的應(yīng)用而言是可以改變的。
此外，單個(gè)波長轉(zhuǎn)換元件可以被設(shè)置在多個(gè)發(fā)光二極管上，以轉(zhuǎn)換來自多于一個(gè)LED的光。
1權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光裝置(1)，包括發(fā)光二極管(2)和自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)，所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)被設(shè)置用于接收由所述發(fā)光二極管(2)發(fā)射的至少一部分光，所述元件(3)具有平坦的光接收表面(4)、光輸出表面(5)和側(cè)面的邊緣表面(6)，其中，所述側(cè)面的邊緣表面(6)被提供了反射材料(7)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置(1 )，其中，所述波長轉(zhuǎn)換 元件(3)是平板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述波長轉(zhuǎn)換 元件包括無機(jī)的波長轉(zhuǎn)換材料。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述波 長轉(zhuǎn)換元件包括分布在無機(jī)載體中的波長轉(zhuǎn)換材料。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置(1)，其中，所 述反射材料(7 )選自包括貴金屬和半貴金屬的組。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的放光裝置(1)，其中，所 述波長轉(zhuǎn)換元件(3 )通過粘結(jié)層(8 )被設(shè)置在所述發(fā)光二極管(2 ) 上。
7. —種用于制造自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)的方法，包括 -提供具有平坦的光接收表面(4)、光輸出表面(5)和側(cè)面的邊緣表面(6)的自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3);以及-將反射材料(7)設(shè)置到所述側(cè)面的邊緣表面(6)上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元 件(3)通過以下步驟提供-用抑制電鍍的化合物涂覆包括波長轉(zhuǎn)換材料的晶片的表面，以及-將所述晶片劃分為多個(gè)波長轉(zhuǎn)換元件(3),并且其中，所 述反射材料(7)被電鍍到所述波長轉(zhuǎn)換元件(3)的所述側(cè)面的邊緣 表面(6)之上。
9. 一種具有平坦的光接收表面(4)、光輸出表面(5)和側(cè)面 的邊緣表面(6)的自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)，其中，所述側(cè)面的邊 緣表面(6)被提供了反射材料(7)。
10. —種用于制造發(fā)光裝置(1)的方法，包括 -提供發(fā)光二極管(2);以及-將根據(jù)權(quán)利要求9所述的或可由權(quán)利要求7或8所述的方法 獲得的自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)設(shè)置到所述發(fā)光二極管(2)上，從 而使得所述陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件(3)的光接收表面(4)接收從該發(fā)光 二極管(2)發(fā)射的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的用于制造發(fā)光裝置(1)的方法，其 中，所述陶瓷波長轉(zhuǎn)換元件(3)通過粘結(jié)層(8)被粘結(jié)到所述發(fā)光 二極管(2 )。
全文摘要
提供了一種發(fā)光裝置(1)，該發(fā)光裝置(1)包括發(fā)光二極管(2)和自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)，所述自支撐波長轉(zhuǎn)換元件(3)被設(shè)置用于接收至少一部分由所述發(fā)光二極管(2)發(fā)射的光。所述波長轉(zhuǎn)換元件具有平坦的光接收表面(4)、光輸出表面(5)和側(cè)面的邊緣表面(6)，其中，所述側(cè)面的邊緣表面(6)被提供了反射材料(7)。所述反射邊緣表面增加了離開所述裝置的光的顏色均勻性，并且所述裝置適于大規(guī)模制造。
文檔編號H01L33/50GK101536197SQ200780041217
公開日2009年9月16日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月6日
發(fā)明者E·J·W·M·倫德斯, P·H·G·奧弗曼斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司