專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具體地說涉及一種包括 對形成在半導(dǎo)體襯底上或上方的膜進行化學(xué)機械拋光處理的半導(dǎo)體器 件的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造加速趨向于更高的集成度和尺寸縮小時，作為基于 拋光的平整化技術(shù)的化學(xué)機械拋光(CMP)己引起了公眾的關(guān)注。
例如，至于淺溝槽隔離(STI)的CMP技術(shù)(在下文，也稱為 STICMP)，已檢查了將使用的以絕緣膜填充STI溝槽的技術(shù)和拋光絕 緣膜的方法。用于STICMP的拋光劑通常包含一般由表面活性劑組成的 添加劑，以抑制在CMP工藝期間的過度拋光(日本特開專利公布 No.2004-296600)。
當(dāng)利用具有添加劑的拋光劑時，在幾乎完成了平整化該膜的表面 之后抑制了拋光的進行。因此期望會出現(xiàn)拋光殘留物，并且產(chǎn)品(半 導(dǎo)體芯片)產(chǎn)量會降低。
用于拋光殘留物的已知方法包括日本特開專利公布 No.2005-64450、 2005-340325、 2004-47676和2004-296591中描述的方法。
例如，日本特開專利公布No.2005-64450采用了在拋光工藝的最后
階段伴隨提供拋光劑和純水而進行拋光的方法。據(jù)說在該方法中的拋 光率增加了，因為在減小抑制拋光的添加劑濃度時提供了磨粒。
而且其它文獻提出了在拋光工藝的最后階段提供拋光劑和水的方 法和僅利用水進行拋光的方法(沒有利用拋光劑)。
盡管已說明了STICMP的示范性情形，但在半導(dǎo)體器件制造的任意 其它步驟中的CMP工藝通常需要穩(wěn)定的拋光工藝。
例如，日本特開專利公布No.2003-31577描述了在CMP的第一階段 和第二階段之間調(diào)節(jié)拋光墊。該調(diào)節(jié)指的是利用金剛石工具使拋光墊 變粗糙的工藝。

發(fā)明內(nèi)容
盡管如上所述已提出了用于CMP工藝的各種技術(shù)，但日本特開專 利公布No.2004-296600 、 2005-64450 、 2005-340325 、 2004-47676和 2004-296591中描述的方法有時由于在CMP工藝期間殘留在拋光墊上的 磨粒和添加劑濃度的逐步變化而不能夠穩(wěn)定地拋光。在最后階段僅利 用水的拋光有時會導(dǎo)致拋光殘留物。
而且在日本特開專利公布No.2003-31577中描述的僅調(diào)節(jié)拋光墊 的方法中，由于殘留在晶片表面上的添加劑和磨粒，對拋光殘留物會 有些擔(dān)憂。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括 在半導(dǎo)體襯底上或上方形成膜；和
對該膜進行化學(xué)機械拋光， 其中該化學(xué)機械拋光進一步包括
第一拋光工藝，其拋光該膜，同時提供包含磨粒、和由表面活性 劑或聚合物鹽組成的添加劑的第一拋光劑；
第二拋光工藝，其在第一拋光工藝之后，打磨拋光墊，同時通過 提供能夠溶解該添加劑但不含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽組 成的添加劑的液體拋光該膜；和
第三拋光工藝，其進一步拋光該膜同時提供包含磨粒和由表面活 性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第二拋光劑，但不提供液體。
如以上在"現(xiàn)有技術(shù)"描述的，使用用于其中使用包含由表面活 性劑或聚合物鹽組成的添加劑和磨粒的拋光劑情形的現(xiàn)有方法，受到 了在平整化了該膜的表面之后抑制該膜拋光的影響，由此出現(xiàn)了拋光 殘留物。
據(jù)推測這是因為該添加劑粘著到該膜的表面，盡管沒有完全闡明 原因。
因此在本發(fā)明中，在該膜的化學(xué)機械拋光的工藝中，在第一拋光 工藝之后和在第三拋光工藝之前提供第二拋光工藝。在第二拋光工藝 中，打磨該拋光墊同時通過提供能夠溶解添加劑但不含磨粒也不含由 表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的液體來拋光該膜。
在該結(jié)構(gòu)中，在第一拋光工藝后殘留在拋光墊和半導(dǎo)體襯底的表 面附近的添加劑能在第二拋光工藝中溶解在液體中，并被沖洗掉。因 此，殘留在拋光墊和半導(dǎo)體襯底表面附近的添加劑能在第二拋光工藝 被徹底地去除。可選地，當(dāng)打磨拋光墊同時提供液體并拋光該膜時， 可沖洗掉并去除殘留在拋光墊和半導(dǎo)體襯底附近的磨粒。
如以上描述的，在本發(fā)明的第二拋光工藝重新修整了拋光墊和半 導(dǎo)體襯底的表面，在隨后的第三拋光工藝中可以以穩(wěn)定的方式繼續(xù)拋 光半導(dǎo)體襯底。即使在第一和第三拋光工藝中使用的拋光劑都包含磨
粒和添加劑，現(xiàn)在也能夠抑制第三拋光工藝之后可能出現(xiàn)的拋光殘留 物。
在本發(fā)明中，第一拋光工藝中使用的第一拋光劑和第三拋光工藝 中使用的第二拋光劑可以彼此相同或不同。對于沒有提供第二拋光工 藝的情形，使用相同的第一和第二拋光劑有時會抑制如上所述現(xiàn)有技 術(shù)中的拋光。相反，本發(fā)明采用其中重新修整半導(dǎo)體襯底和拋光墊的 表面的第二拋光工藝，以便即使使用相同的第一和第二拋光劑，在第 三拋光工藝中也能徹底地拋光該膜。
在以上現(xiàn)有技術(shù)中提到的日本特開專利公布No.2005-64450描述 了，在提供拋光劑的主要拋光與提供拋光劑和純水的最后階段的拋光 之間，通過噴水去除了添加劑。在該情況下，最后階段的拋光工藝有 時會導(dǎo)致在拋光墊上拋光劑濃度的變化，這是因為單獨提供拋光墊和 水。因此，該拋光沒有以如上所述的穩(wěn)定方式繼續(xù)。
相反地在本發(fā)明中，該拋光可以穩(wěn)定地繼續(xù)，而不會導(dǎo)致在拋光 墊上拋光劑濃度的面內(nèi)變化，因為第三拋光工藝中的拋光繼續(xù)，同時 提供第二拋光劑但沒有提供該液體。
在本發(fā)明中，第三拋光工藝中提供的第二拋光劑可包含第二拋光 工藝中提供的液體的任何成分。
如以上所描述的，本發(fā)明可以通過CMP以穩(wěn)定的方式拋光該膜并 且能抑制拋光殘留物。


結(jié)合附圖，從某些優(yōu)選實施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它 目的、優(yōu)點和特征將變得更加明顯，其中
圖1至3是示出圖4所示的半導(dǎo)體器件的制造工藝步驟的截面圖4是示出在一個實施例中半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖5至7是圖8所示的半導(dǎo)體器件的制造工藝步驟的截面圖8是示出另一實施例中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖9是示出所述實施例中的拋光工序的流程圖； 圖10是示出在一個實例中的晶片表面條件的圖；和 圖11是示出比較例中的晶片表面條件的圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在在這里將參考示例性實施例描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將 認(rèn)識到，可以利用本發(fā)明的教導(dǎo)完成許多可選的實施例并且本發(fā)明不 限于為了說明目的而示例的實施例。
在下面將參考

本發(fā)明的實施例。要注意，任何共同的構(gòu) 成添加有相同的附圖標(biāo)記，以避免重復(fù)的說明。
(第一實施例)
圖1至3是示出圖4所示的半導(dǎo)體器件的制造工藝步驟的截面圖。圖 4是示出在該實施例中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖。
在圖4所示的半導(dǎo)體器件中，在硅襯底101的器件形成面上按順序 疊置SiO2膜102和SiN膜103。在預(yù)定區(qū)域設(shè)置溝槽狀的凹面部分108，以 在SiN膜103到硅襯底101的深度范圍內(nèi)變化。在凹面部分108中填充的 Si02膜配置基于STI的元件隔離區(qū)109。
接下來將說明圖4所示的半導(dǎo)體器件的制造方法。
該制造方法包括在硅襯底101上或上方形成膜(Si02膜104)的工
藝步驟。
該實施例和下面描述的其它實施例將說明將被拋光的膜為絕緣膜 (第一絕緣膜)的示范性情形。
根據(jù)該實施例的制造方法進一步包括如下工藝步驟
在形成SiO2膜104的工藝之前，形成第二絕緣膜(SiN膜103)與硅
襯底101的上部接觸；和
在形成SiN膜103的工藝之后，和在形成SiO2膜104之前，選擇性地 去除SiN膜103和硅襯底101的預(yù)定部分，以由此形成從SiN膜103到硅襯 底101的內(nèi)部的深度范圍內(nèi)的凹面部分108。
更具體地，首先如圖l所示，在硅襯底101上順序地形成SiO2膜102 和SiN膜103。硅襯底101—般是硅晶片。SiO2膜102—般是熱氧化膜。接 下來，借助光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)的幫助，選擇性地去除SiN膜103、 SiO2膜102和硅襯底101的預(yù)定部分，以由此形成溝槽(凹面部分108)。 接下來，在凹面部分108和SiN膜103上，形成SiO2膜104以填充凹面部分 108。 SiO2膜104—般是HDP (高密度等離子體)膜或SACVD (低于大 氣壓的化學(xué)汽相沉積)膜。該結(jié)構(gòu)成功地進一步提高了將該膜填充到 凹面部分108中的性能。一般將Si02膜104的厚度調(diào)節(jié)到600nm左右。
然后通過CMP拋光SiO2膜104直至露出SiN膜103的表面。圖9是示 出根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件制造方法中的CMP工序的流程圖。在該 實施例中，和在以下描述的其它實施例中，根據(jù)如下工序執(zhí)行CMP工 藝。
如圖9所示，在CMP工藝中，按順序進行步驟ll (S11):第一拋 光工藝(第一步驟)；步驟15 (S15):第二拋光工藝(第二步驟)；
和步驟17 (S17):第三拋光工藝(第三步驟)。在該實施例中，步驟
11是平整化SiO2膜104的工藝，步驟17是進一步拋光由此平整化的Si02 膜104的工藝。
步驟U中的第一拋光工藝是拋光SiO2膜104的工藝，同時提供包含 磨粒和由表面活性劑或聚合物鹽構(gòu)成的添加劑的第一拋光劑。在步驟 ll中，如圖2所示，SiO2膜104的上部105被通過拋光去除，由此平整化 該拋光表面(圖3)。包含在第一拋光劑中的磨粒一般是二氧化鈰或硅石。將對磨粒由 二氧化鈰構(gòu)成的情形進行以下描述。該添加劑具有防止拋光過度繼續(xù) 的功能，并且一般由表面活性劑，例如多聚羧酸聚合物、或聚合物鹽 組成。一旦檢測到第一拋光工藝的終點(在S13中為是)，就停止供應(yīng)第一拋光劑。以電信號的形式例如電流可檢測該終點，其表示平整化該膜的上部105時的電動機轉(zhuǎn)矩的變化。 一旦完成了第一拋光工藝， 一般 就將殘留在SiN膜103上的膜的下部106的厚度調(diào)節(jié)到50nm或以上。根據(jù) 該結(jié)構(gòu)，可以以進一步穩(wěn)定的方式檢測下文描述的第三拋光工藝的終 點(S19)。例如，將殘留在SiN膜103上的膜的下部106的厚度調(diào)節(jié)到 200nm或以下。根據(jù)該調(diào)節(jié)，即使當(dāng)使用二氧化鈰作為磨粒時，可以在 第三拋光工藝中徹底地拋光該膜的下部106，由此可以暴露出SiN膜103 的頂表面。更具體地將殘留在SiN膜103上的SiO2膜104的厚度調(diào)節(jié)到 100nm左右。接下來，在預(yù)定的持續(xù)時間進行步驟15的第二拋光工藝。該工藝 針對溶解該添加劑，以及打磨該拋光墊，同時拋光SiO2膜104和提供不 含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的液體。為了通 過打磨去除殘留在拋光墊表面上的拋光碎屑或拋光劑，以及設(shè)置(變 粗糙)用于接下來的拋光墊的表面，利用具有固定在上面的多個金剛 石磨粒的板，同時將流體(液體)提供到墊的表面，而在預(yù)定的壓力 和旋轉(zhuǎn)速度下打磨該墊的表面。舉例說明水作為能夠溶解包含在第一拋光劑中的添加劑的液體， 但不含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑，其中以特 別優(yōu)選的方式釆用純水。
在步驟15中，通過拋光機的噴嘴提供純水。 一般將純水提供到拋 光墊中心附近的部分。也可以在拋光墊的徑向上以簾狀方式提供純水。 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，純水可以被提供到拋光墊的整個表面上方，以便可以從 拋光墊和硅襯底101的整個表面進一步徹底地沖洗掉和去除步驟11中使用的添加劑。在比第一和第三拋光工藝低的壓力下進行步驟15。根據(jù)該結(jié)構(gòu)， 可以徹底地去除第一拋光工藝中使用的第一拋光劑中包含的添加劑和磨粒，并且可以重新修整拋光墊和硅襯底101的表面。例如，將第二拋 光工藝中的拋光壓力調(diào)節(jié)到lpsi或更低。通過該調(diào)節(jié)，可以進一步徹底地去除包含在第一拋光劑中的添加劑和磨粒，并且能夠更加確定地抑制對硅襯底101的表面的刮擦。第二拋光工藝中拋光壓力的下限一般被 調(diào)節(jié)到0.01psi或以上，但不是具體的限制。如果可以去除包含在第一拋光劑中的添加劑，第二拋光工藝中的拋光時間就足夠好了，并且一般被調(diào)節(jié)到10秒或更長。例如，第二拋 光工藝中的拋光時間也被調(diào)節(jié)到30秒或更短。過長的拋光時間會導(dǎo)致 生產(chǎn)量的下降和拋光墊使用壽命的縮短。通過將拋光時間限制為30秒 或更短，即使在進行拋光的同時提供不含磨粒或添加劑的液體時，也 更加成功地防止了硅襯底101的表面被刮擦。其后，進行步驟17的第三拋光工藝。該工藝在步驟15之后，針對 進一步拋光Si02膜104，同時提供含磨粒和由表面活性劑或聚合物鹽組 成的添加劑的第二拋光劑，但不提供步驟15中使用的液體。在該實施 例中，步驟17可以理解為SiO2膜104的過拋光工藝。如圖3和4所示，在 該工藝中去除形成在SiN膜103上的SiO2膜104的部分，由此在除了凹面 部分108形成在其中的區(qū)域之外的區(qū)域中暴露出SiN膜103的表面。只要步驟17中使用的第二拋光劑包含磨粒和添加劑，它就可以與 第一拋光劑相同或不同。
一般通過檢測電信號例如電流確定步驟17的終點，其表示SiN膜103的頂表面露出時電動機轉(zhuǎn)矩的變化。 一旦檢測到終點(在S19中為 是)，就停止提供第二拋光劑。然后將純水提供到拋光墊上，以由此 清洗拋光墊和硅襯底101的表面。在完成這些工藝之后，獲得了圖4所示的半導(dǎo)體器件。其后也允許 在硅襯底101上形成預(yù)定元件，例如晶體管或多層互連結(jié)構(gòu)。在該實施例中，在步驟11和步驟17之間，提供了步驟15的低壓水 拋光和打磨工藝，其是在低拋光壓力下允許使用水同時進行拋光和打 磨的工藝。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以徹底地去除殘留在硅襯底101的拋光面上 和拋光墊的表面上的磨粒和添加劑，并且重新修整拋光墊的表面。為 此，相比沒有步驟15提供于此的情形，現(xiàn)在可以在步驟17中以更精確 的方式進行該膜的下部16的拋光。在該實施例中，即使在使用相同的 第一和第二拋光劑時，提供步驟15也能夠徹底地拋光步驟17中的膜的 下部106，其中取決于拋光的目的，該第二拋光劑可以與第一拋光劑不 同。與以上描述的日本特開專利公布No.2005-64450的方法不同，該實 施例僅提供了步驟17中的拋光劑，而不是單獨地提供純水和拋光劑， 以便可以在穩(wěn)定的濃度下從拋光開始到結(jié)束的持續(xù)時間中使用磨粒和 添加劑。因此能夠抑制用作硅襯底101的晶片上的拋光的繼續(xù)進行的面 內(nèi)變化，以及以穩(wěn)定的方式進行拋光。要注意，步驟15中使用的液體， 更具體地為水，可被包含在第二拋光劑中。如以上描述的，該實施例能夠抑制在終點檢測之后由于所謂的過 拋光區(qū)域中的拋光的抑制引起的拋光殘留物(在S13中為是)。因此能 夠在隨后的擴散工藝下抑制SiO2膜104下的SiN膜103的殘留物，以及提 高產(chǎn)品的產(chǎn)率。
將說明下文的實施例強調(diào)與第一實施例的不同點。 (第二實施例)在該實施例中，第一實施例中的上述拋光方法將用于層間絕緣膜 的平整化。圖5至7是示出圖8所示的半導(dǎo)器件的制造工藝步驟的截面圖。圖8是示出該實施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面圖。圖8中示出的半導(dǎo)體器件具有在硅襯底(未示出)上的Si02膜113。 該Si02膜113為層間絕緣膜，且具有掩埋在其中的互連lll。將互連lll 的下表面對準(zhǔn)在與Si02膜113的下表面相同的水平。組成互連lll的材料 一般是含銅的金屬。還允許在硅襯底(未示出)和Si02膜113之間提供 預(yù)定數(shù)量的層間絕緣膜，且可將導(dǎo)電部件，例如互連和連接插塞掩埋 在層間絕緣膜中。接下來，將說明制造圖8中示出的半導(dǎo)體器件的方法。該制造方法 的基本工序是用于第一實施例中描述的方法的。首先，如圖6所示，在硅襯底(未示出)上或上方的預(yù)定膜(未示 出)上形成互連lll。然后在互連lll上形成Si02膜113以覆蓋互連111。接下來，通過以上參考圖9中描述的工序平整化Si02膜113。首先，通過步驟11的第一拋光工藝中的拋光去除該膜的上部117 (圖7)。在步驟13中，例如，當(dāng)拋光該膜的上部117時，設(shè)置終點以 被檢測，由此使Si02膜113的表面平整化到一定程度。一旦檢測到終點(在S13中為是)，就停止提供第一拋光劑，并且
在步驟15的第二拋光工藝時同時使用水進行拋光和打磨。在步驟17的第三拋光工藝進一步拋光該膜的剩余下部分115，以由此平整化該表面，并且使該膜削薄到預(yù)定的厚度。在步驟19中，例如， 當(dāng)將該膜的下部115削薄到預(yù)定厚度時，設(shè)定終點以被檢測。 一旦檢測 到終點(在S19中為是)，就停止提供第二拋光劑。根據(jù)這些工序，獲得了圖8所示的半導(dǎo)體器件。而且在該實施例中，拋光Si02膜113的工藝具有提供在步驟ll和步 驟17之間的步驟15，由此可以獲得與第一實施例相同的效果。如果將 上述的工序應(yīng)用到作為層間絕緣膜的Si02膜113的拋光工藝，則可以進 一步提高Si02膜113的面內(nèi)均勻性，并由此可以提高平坦性。參考附圖以上的段落說明了本發(fā)明的實施例，其中這些實施例僅 是本發(fā)明的實例，允許采用不同于以上描述的各個結(jié)構(gòu)。例如，以上的實施例說明了用于形成在硅襯底101上的絕緣膜的 CMP工藝的示范性情形，其中本發(fā)明的制造方法不僅可應(yīng)用于絕緣膜 的CMP工藝，而且可應(yīng)用于導(dǎo)電膜的CMP工藝。[實例] (實例)在以平面角度，具有形成在其上的多個800umX800um四方形塊 的Si晶片上，順序地形成SiN膜和Si02膜(600mn厚)，其中每個塊都 具有布置成10行X10列的小四方形溝槽(總計IOO)，并且通過CMP去 除Si02膜。該拋光工序與參考圖9在前描述的拋光工序相同，其中這里 采用的具體條件如下第一拋光工藝(S11) : 二氧化鈰漿料、6psi、 35秒；第二拋光工藝(S15):純水、lpsi、 15秒；和 第三拋光工藝(S17) : 二氧化鈰漿料、3psi、 75秒。在第一和第三拋光工藝中使用了相同的二氧化鈰槳料。圖10是示出拋光之后的晶片的表面條件的圖。在該實施例中，可 以在晶片的整個表面上以穩(wěn)定的方式拋光Si02膜。如圖10所示，在晶片的表面上沒有發(fā)現(xiàn)拋光殘留物。 (比較例)與該實例不同，連續(xù)進行了第一和第三拋光工藝，而沒有提供在 其間的第二拋光工藝。圖ll是示出拋光之后的晶片條件的圖。如圖ll所示，根據(jù)比較例的方法在晶片的表面上發(fā)現(xiàn)了Si02膜的拋光殘留物207。顯而易見的是，本發(fā)明不限于以上的實施例，可修改和改變而不 脫離本發(fā)明的范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上或上方形成膜；和對所述膜進行化學(xué)機械拋光，其中所述化學(xué)機械拋光進一步包括第一拋光工藝，其拋光所述膜，同時提供包含磨粒、和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第一拋光劑；第二拋光工藝，其在所述第一拋光工藝之后，打磨拋光墊同時通過提供能夠溶解所述添加劑但不含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的液體來拋光所述膜；和第三拋光工藝，其在所述第二拋光工藝之后，進一步拋光所述膜同時提供包含磨粒和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第二拋光劑，但不提供所述液體。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述液體為水。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述磨粒是二氧化鈰或硅石磨粒。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中所述第二拋光劑與所述第一拋光劑相同。
5. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中所述第二拋光工藝中的拋光壓力被調(diào)節(jié)為lpsi或以下。
6. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中所述膜為第一絕緣膜。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中所述第一絕緣膜為Si02膜。
8. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，進一步包括 在形成該膜的所述工藝之前，形成第二絕緣膜與所述半導(dǎo)體襯底的上部接觸；和在形成第二絕緣膜的所述工藝之后，并在形成該膜的所述工藝之 前，選擇性地去除所述第二絕緣膜和所述半導(dǎo)體襯底的預(yù)定部分，以 由此形成從所述第二絕緣膜到所述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部部分的深度范圍 的凹面部分，其中，形成所述膜的所述工藝是形成所述第一絕緣膜以填充所述 凹面部分的工藝，和在所述第三拋光工藝中，去除所述凹面部分外部的區(qū)域中形成在 所述第二絕緣膜上的所述第一絕緣膜，以由此暴露出所述第二絕緣膜 的表面。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中所述第一絕緣膜為SiOj莫，且所述第二絕緣膜為SiN膜。
10. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述第一拋光工藝是平整化所述第一絕緣膜的工藝；和 所述第三拋光工藝是進一步拋光所述平整化后的第一絕緣膜的工藝。
11. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 進一步包括，在形成該膜的所述工藝之前，在所述半導(dǎo)體襯底上或上方形成互連，和在形成該膜的所述工藝中，形成所述第一絕緣膜以覆蓋所述互連。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其以穩(wěn)定的方式提供CMP方法。在硅襯底101上或上方形成SiO₂膜104，并且通過化學(xué)機械拋光處理SiO₂膜104。該化學(xué)機械拋光包括第一拋光工藝，其拋光SiO₂膜104，同時提供包含磨粒、和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第一拋光劑；第二拋光工藝，其在第一拋光工藝之后，打磨拋光墊同時拋光該膜，同時提供能夠溶解添加劑但不含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽的添加劑的液體；和第三拋光工藝，其在第二拋光工藝之后，進一步拋光SiO₂膜104，同時提供包含磨粒和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第二拋光劑，但不提供液體。
文檔編號H01L21/304GK101106085SQ20071012910
公開日2008年1月16日 申請日期2007年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月11日
發(fā)明者久保亨, 田中梢 申請人:恩益禧電子股份有限公司